JPS6255587A - 放射線センサアレイ - Google Patents
放射線センサアレイInfo
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- JPS6255587A JPS6255587A JP60195105A JP19510585A JPS6255587A JP S6255587 A JPS6255587 A JP S6255587A JP 60195105 A JP60195105 A JP 60195105A JP 19510585 A JP19510585 A JP 19510585A JP S6255587 A JPS6255587 A JP S6255587A
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
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- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、診断用Ｘ線透過像を得る装置に用いる放射
線センサアレイに関するものである。
線センサアレイに関するものである。
従来の技術
Ｘ線に感応するセンサの一次元アレイを、人体等の被写
体に平行に移動させ、Ｘ線透過像を得る方法が開発され
ている。このようなセンサアレイに強く要求される点は
、センサのＸ線感度の高いこと及びセンサ素子の微細な
ことである。センサとして光導電体を用い、Ｘ線照射に
よって生じた電荷を順次に走査して測定する方法を用い
るものもあるが、これに対し、センサとして放射線検出
器結晶を用い、Ｘ線光子がセンサに吸収されて生じた電
気信号パルスを増巾して計数する方法が提案されている
（特開昭５９−１００８８５号公報）が、この方法はＸ
線に対して最も感度がよいとされる。しかし、この方法
は１素子に対して増巾計数回路系１個が必要であり、線
群像度を上げるために素子密度を高めようとした場合に
回路系の大きさで制約を受けることになり困難を生じる
。
体に平行に移動させ、Ｘ線透過像を得る方法が開発され
ている。このようなセンサアレイに強く要求される点は
、センサのＸ線感度の高いこと及びセンサ素子の微細な
ことである。センサとして光導電体を用い、Ｘ線照射に
よって生じた電荷を順次に走査して測定する方法を用い
るものもあるが、これに対し、センサとして放射線検出
器結晶を用い、Ｘ線光子がセンサに吸収されて生じた電
気信号パルスを増巾して計数する方法が提案されている
（特開昭５９−１００８８５号公報）が、この方法はＸ
線に対して最も感度がよいとされる。しかし、この方法
は１素子に対して増巾計数回路系１個が必要であり、線
群像度を上げるために素子密度を高めようとした場合に
回路系の大きさで制約を受けることになり困難を生じる
。
第５図は、上述の放射線センサアレイの基本回路構成で
ある。半導体センサ１を構成する半導体結晶としては、
Ｓｉ 、 Ｇｅ、 ＧａＡｓ 、 ＣｄＴｅ 、 Ｈ
ｇ１などが用いられる。このセンサ１にＸ線光子（約６
ｏｘａｖ）が入射した場合、発生する電流パルスは巾１
Ｑ 〜１０ Ｓ、高さ１０〜１０ Ａ程度の微少なもの
であり、これを増巾回路に導くため、１０〜１０ Ωの
負荷抵抗２を通じて電圧信号とし、続く初段のＦＥＴａ
増巾器でインピーダンス変換し、主増巾器４へ導く。高
速パルスを検出するため、増巾器４は負帰還をかける。
ある。半導体センサ１を構成する半導体結晶としては、
Ｓｉ 、 Ｇｅ、 ＧａＡｓ 、 ＣｄＴｅ 、 Ｈ
ｇ１などが用いられる。このセンサ１にＸ線光子（約６
ｏｘａｖ）が入射した場合、発生する電流パルスは巾１
Ｑ 〜１０ Ｓ、高さ１０〜１０ Ａ程度の微少なもの
であり、これを増巾回路に導くため、１０〜１０ Ωの
負荷抵抗２を通じて電圧信号とし、続く初段のＦＥＴａ
増巾器でインピーダンス変換し、主増巾器４へ導く。高
速パルスを検出するため、増巾器４は負帰還をかける。
発明が解決しようとする問題点
このような微少信号の高速増巾回路系であるだめ素子密
度を上げるだめに回路系を接近して配置すると相互の干
渉を生じたり、浮遊容量を生じたりする。とくに、第６
図における配線距離βはできるだけ短くする必要があり
、小さい面積部分に多くの要素を実装しなければならな
い。
度を上げるだめに回路系を接近して配置すると相互の干
渉を生じたり、浮遊容量を生じたりする。とくに、第６
図における配線距離βはできるだけ短くする必要があり
、小さい面積部分に多くの要素を実装しなければならな
い。
Ｘ線に対して高密度な半導体放射線検出器結晶を用い、
この増巾器系も含めて高密度なアレイを得る方法を提供
するものである。
この増巾器系も含めて高密度なアレイを得る方法を提供
するものである。
問題点を解決するための手段
半導体センサアレイと個々のセンサに対応した初段増幅
器と帰還抵抗の系とを近接して配置し同一基板上に形成
する。
器と帰還抵抗の系とを近接して配置し同一基板上に形成
する。
作用
半導体センサと、帰還抵抗およびＦＥＴを近接して配置
したアレイを得ることによって、高インピーダンス部分
を局所化することができ、浮遊容量が少なくなりまた外
部雑音を拾う率も少なくなり、微少信号の高周波増巾が
可能となる。
したアレイを得ることによって、高インピーダンス部分
を局所化することができ、浮遊容量が少なくなりまた外
部雑音を拾う率も少なくなり、微少信号の高周波増巾が
可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。
第１図に本発明の放射線センサアレイの基本構成を示す
。半導体センサ１に近接して帰還抵抗２′およびＦ Ｅ
Ｔ ３’ をアレイ化して配置することにより、増幅
器４までの間の信号ライン（図中βで表わされた範囲）
間を増幅器４に対して低インピーダンス化することがで
き、線間および外来雑音に対して強くすることが可能と
なる。
。半導体センサ１に近接して帰還抵抗２′およびＦ Ｅ
Ｔ ３’ をアレイ化して配置することにより、増幅
器４までの間の信号ライン（図中βで表わされた範囲）
間を増幅器４に対して低インピーダンス化することがで
き、線間および外来雑音に対して強くすることが可能と
なる。
第２図に本発明におけるアレイ化の一実施例を示す。通
常Ｆ Ｅ Ｔ ３’のチップの形状は約０．４問口であ
り、半導体センサアレイの実装密度が４個／朋とすると
、すなわち分解能２ラインベア／朋の実装密度とすると
、帰還抵抗２′およびＦＥＴチップは第２図に示すよう
に、半導体センサの両側実装が有利である。第２図は帰
還抵抗２′とＦＥＴ３′の実装密度をあげるために、帰
還抵抗２′上にＦＥＴ３’を絶縁して配置しである。個
々のリード線らと半導体センｖ１およびＦＥＴ３’の端
子間はワイヤボンド等の接線６により接続されている。
常Ｆ Ｅ Ｔ ３’のチップの形状は約０．４問口であ
り、半導体センサアレイの実装密度が４個／朋とすると
、すなわち分解能２ラインベア／朋の実装密度とすると
、帰還抵抗２′およびＦＥＴチップは第２図に示すよう
に、半導体センサの両側実装が有利である。第２図は帰
還抵抗２′とＦＥＴ３′の実装密度をあげるために、帰
還抵抗２′上にＦＥＴ３’を絶縁して配置しである。個
々のリード線らと半導体センｖ１およびＦＥＴ３’の端
子間はワイヤボンド等の接線６により接続されている。
半導体センサアレイの実装密度が４個／ＷｎＲの場合は
上記配列にて実装が可能であるが、より実装密度を上げ
る場合は、帰還抵抗２′およびＦ Ｅ Ｔ ３’を一列
に実装するのではなく段ちがいに実装することにより実
装可能となる。このような実装方法により、高インピー
ダンス部分を数量以内の範囲内におさめることが可能と
なる。
上記配列にて実装が可能であるが、より実装密度を上げ
る場合は、帰還抵抗２′およびＦ Ｅ Ｔ ３’を一列
に実装するのではなく段ちがいに実装することにより実
装可能となる。このような実装方法により、高インピー
ダンス部分を数量以内の範囲内におさめることが可能と
なる。
第３図に半導体センサ１、帰還抵抗２′およびＦＥＴ３
′の実装方法を示す。まず基板８上にリード線６および
帰還抵抗２をプリント配線する。
′の実装方法を示す。まず基板８上にリード線６および
帰還抵抗２をプリント配線する。
次に帰還抵抗２′上に絶縁層了を形成し、その上にＦＥ
Ｔを接着する。さらに半導体センサを基板上に取付け、
接続線５により配線すれば完成する。
Ｔを接着する。さらに半導体センサを基板上に取付け、
接続線５により配線すれば完成する。
第４図はＦ ＥＴ ３’の底面がゲートとなっている場
合の実装方法である。この場合は第３図において示した
と同様にしてリード線６、帰還抵抗２および絶縁層７を
基板８上に形成し、半導体センサ１に近い方のリード線
６に導電性塗料等からなる導電層９を介してＦ Ｅ ７
３’を取付ける。その後基板８上に半導体センサ１を取
付け、接続線５により配線すれば完成する。
合の実装方法である。この場合は第３図において示した
と同様にしてリード線６、帰還抵抗２および絶縁層７を
基板８上に形成し、半導体センサ１に近い方のリード線
６に導電性塗料等からなる導電層９を介してＦ Ｅ ７
３’を取付ける。その後基板８上に半導体センサ１を取
付け、接続線５により配線すれば完成する。
このようにして同一基板上に半導体センサアレイ、帰還
抵抗およびＦＥＴを形成することにより、後段増幅器ま
でのインピーダンスを下げることができる。
抵抗およびＦＥＴを形成することにより、後段増幅器ま
でのインピーダンスを下げることができる。
また、前もって帰還抵抗およびＦＥＴ等を他の基板上に
形成し、半導体センサを取付けた基板上に取付は配線し
て一体の基板とすることもできる。
形成し、半導体センサを取付けた基板上に取付は配線し
て一体の基板とすることもできる。
発明の効果
本発明は、高抵抗半導体放射線センサと個々のセンサか
らの信号を増幅する増幅器からなり、半導体センサ初段
増幅器および帰還抵抗を近接させ同一基板上に配置した
ことにより、半導体センサから増幅器までの信号線間を
低インピーダンス化することが可能となり、信号線間の
干渉が非常に少なくなり、また、外部からのノイズに対
して非常に強い構成となる。加えて、外部からのノイズ
を低減するためのシールドはアレイの部分のみでよく、
非常に簡単で微少なシールドでよい。
らの信号を増幅する増幅器からなり、半導体センサ初段
増幅器および帰還抵抗を近接させ同一基板上に配置した
ことにより、半導体センサから増幅器までの信号線間を
低インピーダンス化することが可能となり、信号線間の
干渉が非常に少なくなり、また、外部からのノイズに対
して非常に強い構成となる。加えて、外部からのノイズ
を低減するためのシールドはアレイの部分のみでよく、
非常に簡単で微少なシールドでよい。
本発明による放射線センサアレイの一実施例を示す平面
図、第３図は同実施例における実装方法をである。 １・・・・・・半導体センサ、２′・・・・・・帰還抵
抗、３′・・・・・・ＦＥＴ、４・・・・・・増幅器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名罷 ＝＼ 第３図 基板８ 第４図 第５図
図、第３図は同実施例における実装方法をである。 １・・・・・・半導体センサ、２′・・・・・・帰還抵
抗、３′・・・・・・ＦＥＴ、４・・・・・・増幅器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名罷 ＝＼ 第３図 基板８ 第４図 第５図
Claims (6)
- （１）放射線粒子に応答してパルス出力する半導体セン
サアレイと、個々の半導体センサからの出力パルスを増
幅するパルス増幅器からなり、前記半導体センサアレイ
と個々のセンサに対応した初段増幅器と帰還抵抗の系と
を近接させて配置し、同一基板上に形成したことを特徴
とする放射線センサアレイ。 - （２）個々のセンサに対応した初段増巾器と帰還抵抗の
系を、半導体センサアレイの配列方向を軸として両側に
配置することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
放射線センサアレイ。 - （３）初段増幅器と帰還抵抗を多層に形成することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の放射線センサアレ
イ。 - （４）半導体センサアレイが半導体結晶としてＧｅ、Ｓ
ｉ、ＧａＡｓ、ＣｄＴｅ、ＨｇＩのいずれかを用いて構
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の放射線センサアレイ。 - （５）増幅器が負帰還増幅器であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の放射線センサアレイ。 - （６）初段増幅器がＦＥＴからなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の放射線センサアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195105A JPS6255587A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 放射線センサアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195105A JPS6255587A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 放射線センサアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255587A true JPS6255587A (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=16335595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60195105A Pending JPS6255587A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 放射線センサアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255587A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63298187A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放射線センサアレイ |
| JP2009041942A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
| JP2011257255A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Shimadzu Corp | 半導体ｘ線検出素子、その製造方法および半導体ｘ線検出用センサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57104877A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-30 | Toshiba Corp | Radiation detector |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP60195105A patent/JPS6255587A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57104877A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-30 | Toshiba Corp | Radiation detector |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63298187A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放射線センサアレイ |
| JP2009041942A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
| JP2011257255A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Shimadzu Corp | 半導体ｘ線検出素子、その製造方法および半導体ｘ線検出用センサ |
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