JPS6255352U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6255352U JPS6255352U JP14652785U JP14652785U JPS6255352U JP S6255352 U JPS6255352 U JP S6255352U JP 14652785 U JP14652785 U JP 14652785U JP 14652785 U JP14652785 U JP 14652785U JP S6255352 U JPS6255352 U JP S6255352U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sealing
- glass
- container
- glass layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例による集積回路容器
の断面図、第２図は本考案の別の実施例による集
積回路容器の断面図である。 １……容器基板、１ａ……へこみ部、１ｂ……
周面部、２……電気絶縁層、３……ガラス又は貴
金属からなる層、４……封着用ガラス層。
の断面図、第２図は本考案の別の実施例による集
積回路容器の断面図である。 １……容器基板、１ａ……へこみ部、１ｂ……
周面部、２……電気絶縁層、３……ガラス又は貴
金属からなる層、４……封着用ガラス層。
補正 昭６１．１２．２５
実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
。
。
【実用新案登録請求の範囲】
一面に、へこみ部と、該へこみ部を取り囲む周
面部とが形成された金属からなる容器基板と、該
容器基板の少なくとも上記周面部上に形成された
電気絶縁層と、上記へこみ部上に形成されたガラ
ス又は貴金属からなる層と、上記周面部上の上記
電気絶縁層上に形成された封着用ガラス層とを有
し、上記ガラス又は貴金属からなる層は、半導体
チツプが搭載されるべき部分であり、上記封着用
ガラス層は、上記半導体チツプのリードが接続さ
れるリードフレームを介在させた状態で、容器蓋
が熱的に封着されるべき部分であり、上記絶縁層
は、上記封着用ガラス層より高温の溶融温度をも
ち、かつ、上記容器基板と実質的に同じ熱膨張係
数を有していることを特徴とする集積回路容器。
面部とが形成された金属からなる容器基板と、該
容器基板の少なくとも上記周面部上に形成された
電気絶縁層と、上記へこみ部上に形成されたガラ
ス又は貴金属からなる層と、上記周面部上の上記
電気絶縁層上に形成された封着用ガラス層とを有
し、上記ガラス又は貴金属からなる層は、半導体
チツプが搭載されるべき部分であり、上記封着用
ガラス層は、上記半導体チツプのリードが接続さ
れるリードフレームを介在させた状態で、容器蓋
が熱的に封着されるべき部分であり、上記絶縁層
は、上記封着用ガラス層より高温の溶融温度をも
ち、かつ、上記容器基板と実質的に同じ熱膨張係
数を有していることを特徴とする集積回路容器。
Claims (1)
- 一面に、へこみ部と、該へこみ部を取り囲む周
面部とが形成された金属からなる容器基板と、該
容器基板の上記面のうち、少なくとも上記周面部
上に形成された電気絶縁層と、上記へこみ部上に
形成されたガラス又は貴金属からなる層と、上記
周面部上の上記電気絶縁層上に形成された封着用
ガラス層とを有し、上記ガラス又は貴金属からな
る層は、半導体チツプが搭載されるべき部分であ
り、上記封着用ガラス層は、上記半導体チツプの
リードが接続されるリードフレームを介在させた
状態で、容器蓋が熱的に封着されるべき部分であ
り、上記絶縁層は、上記封着用ガラス層より高温
の溶融温度をもち、かつ、上記容器基板と実質的
に同じ熱膨張係数を有していることを特徴とする
集積回路容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14652785U JPH0338836Y2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14652785U JPH0338836Y2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255352U true JPS6255352U (ja) | 1987-04-06 |
| JPH0338836Y2 JPH0338836Y2 (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=31059074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14652785U Expired JPH0338836Y2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338836Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP14652785U patent/JPH0338836Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0338836Y2 (ja) | 1991-08-15 |