JPS6254911A - 薄膜形成方法及びその装置 - Google Patents
薄膜形成方法及びその装置Info
- Publication number
- JPS6254911A JPS6254911A JP60193976A JP19397685A JPS6254911A JP S6254911 A JPS6254911 A JP S6254911A JP 60193976 A JP60193976 A JP 60193976A JP 19397685 A JP19397685 A JP 19397685A JP S6254911 A JPS6254911 A JP S6254911A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- electrode
- chamber
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、基板と、その上に堆積した薄膜との密着強度
を強めるようにした薄膜形成方法及びその装置に関する
ものである。
を強めるようにした薄膜形成方法及びその装置に関する
ものである。
（従来の技術）
従来の標準的なプラズマＣＶＤ装置を第２図に示す。第
２図において、１は、薄膜堆積用の原料ガス導入パイプ
２を有する薄膜堆積室（以下チェンバーという）、３は
排気系である。４はチェンバー１内に設置され基板５を
セットする第１の電極、６は基板５を加熱するためのヒ
ータ、７は第１の電極４に対向して配置された第２の電
極、８はＲ，Ｆ電源である。
２図において、１は、薄膜堆積用の原料ガス導入パイプ
２を有する薄膜堆積室（以下チェンバーという）、３は
排気系である。４はチェンバー１内に設置され基板５を
セットする第１の電極、６は基板５を加熱するためのヒ
ータ、７は第１の電極４に対向して配置された第２の電
極、８はＲ，Ｆ電源である。
このように構成されたＣＶＤ装置を使用して薄膜、例え
ば非晶質シリコン膜を形成する場合は。
ば非晶質シリコン膜を形成する場合は。
パイプ２を通してＳ ｉ Ｈ４ガスをチェンバー１に導
入し、ＩＴｏｒｒ程度のガス圧に保って電極４，７間に
Ｒ，Ｆ電源８により高周波電圧を印加すると導入された
ＳｉＨ４ガスは分解し、基板５上に非晶質シリコンが堆
積する。
入し、ＩＴｏｒｒ程度のガス圧に保って電極４，７間に
Ｒ，Ｆ電源８により高周波電圧を印加すると導入された
ＳｉＨ４ガスは分解し、基板５上に非晶質シリコンが堆
積する。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このようにして形成された薄膜は、基板
との密着強度が十分でないため、加工の途中で膜剥離を
起こすことがある。
との密着強度が十分でないため、加工の途中で膜剥離を
起こすことがある。
本発明は、上記従来の問題点を解決しようとするもので
、実用に耐え得る密着強度を持った薄膜の形成方法及び
その装置を提供するものである。
、実用に耐え得る密着強度を持った薄膜の形成方法及び
その装置を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
基板表面が活性化された状態あるいは多数の欠陥が存在
する状態にあると、その上に堆積された薄膜は接着強度
が増強される。そこで、薄膜の堆積に先立って、基板表
面にイオンを加速、衝突させ、欠陥を生じさせる。この
基板の表面処理工程と、処理された基板への薄膜堆積工
程とをチェンバー内で連続して行なう。
する状態にあると、その上に堆積された薄膜は接着強度
が増強される。そこで、薄膜の堆積に先立って、基板表
面にイオンを加速、衝突させ、欠陥を生じさせる。この
基板の表面処理工程と、処理された基板への薄膜堆積工
程とをチェンバー内で連続して行なう。
また、薄膜形成装置には、原料ガスとは別に導入したガ
スを分解してイオンを発生させるイオン発生手段と、発
生したイオンを加速して基板の表面に衝突させるイオン
加速手段とを設ける。
スを分解してイオンを発生させるイオン発生手段と、発
生したイオンを加速して基板の表面に衝突させるイオン
加速手段とを設ける。
（作 用）
薄膜堆積に先立って、イオンを発生させ、そのイオンを
加速して基板表面に衝突させることにより多数の欠陥が
生じる。次いでその表面に薄膜を堆積させると、基板に
対する密着強度の強い薄膜が形成される。
加速して基板表面に衝突させることにより多数の欠陥が
生じる。次いでその表面に薄膜を堆積させると、基板に
対する密着強度の強い薄膜が形成される。
（実施例）
以下図面により実施例を詳細に説明する。第１図は、本
発明の一実施例の薄膜形成装置を示したものである。な
お第２図と同一符号のものは同一のものを示しており、
９は第１の電極４とともにプラズマ発生電極を構成する
第２の電極で、イオンを加速するためのグリッド電極を
兼ねている。
発明の一実施例の薄膜形成装置を示したものである。な
お第２図と同一符号のものは同一のものを示しており、
９は第１の電極４とともにプラズマ発生電極を構成する
第２の電極で、イオンを加速するためのグリッド電極を
兼ねている。
１０は原料ガスとは別のガスを導入するパイプ、１１は
パイプ１０を通して導入したガスを分解しイオンを発生
させる第３の電極、１２はイオン発生の際に第２の電極
９と第３の電極１１間に印加するＲ、Ｆ電源、１３はグ
リッド電極に印加する直流電源、１４゜１５はイオン発
生時とプラズマ発生時に電極に印加する電源を切り換え
るスイッチである。
パイプ１０を通して導入したガスを分解しイオンを発生
させる第３の電極、１２はイオン発生の際に第２の電極
９と第３の電極１１間に印加するＲ、Ｆ電源、１３はグ
リッド電極に印加する直流電源、１４゜１５はイオン発
生時とプラズマ発生時に電極に印加する電源を切り換え
るスイッチである。
次に本実施例の動作を説明する。まず、チェンバー１内
のエアを引き、ガス導入パイプ１０を通して例えばＨ２
ガスを導入する。一方、スイッチ１４をＲ，Ｆ電源１２
側に接続して電極９，１１間に高周波電圧を印加し、こ
れにより生じたＲ、Ｆ電場によってＨ２ガスはイオン化
され、電極９のグリッド部からチェンバー内に拡散する
。また同時にスイッチ１５を閉じることにより電極４，
９間に直流電圧が印加され、その電場によりイオンは加
速されて基＠５に衝突し、基板表面に多数の欠陥を生じ
させることになる。このようにして基板５の表面処理が
終了した後、チェンバー内を十分排気し、スイッチ１４
をＲ，Ｆｆｆｉ源８側に接続するとともにスイッチ１５
を開き、通常のプラズマＣＶＤ装置として例えばＳｉＨ
４ガスを分解し、非晶質シリコンの堆積を行なう。
のエアを引き、ガス導入パイプ１０を通して例えばＨ２
ガスを導入する。一方、スイッチ１４をＲ，Ｆ電源１２
側に接続して電極９，１１間に高周波電圧を印加し、こ
れにより生じたＲ、Ｆ電場によってＨ２ガスはイオン化
され、電極９のグリッド部からチェンバー内に拡散する
。また同時にスイッチ１５を閉じることにより電極４，
９間に直流電圧が印加され、その電場によりイオンは加
速されて基＠５に衝突し、基板表面に多数の欠陥を生じ
させることになる。このようにして基板５の表面処理が
終了した後、チェンバー内を十分排気し、スイッチ１４
をＲ，Ｆｆｆｉ源８側に接続するとともにスイッチ１５
を開き、通常のプラズマＣＶＤ装置として例えばＳｉＨ
４ガスを分解し、非晶質シリコンの堆積を行なう。
（発明の効果）
以上説明したように１本発明によれば、同一チェンバー
内で、基板の表面処理及び薄膜の形成を連続して行なう
ことができ、この基板の表面処理により接着強度が増し
、剥離のない薄膜を形成することができる。
内で、基板の表面処理及び薄膜の形成を連続して行なう
ことができ、この基板の表面処理により接着強度が増し
、剥離のない薄膜を形成することができる。
第１図は、本発明の一実施例の薄膜形成装置の構成図、
第２図は、従来の薄膜形成装置の構成図である。 １１１．チェンバー、 ２，１０・・・ガス導入パイプ
、 ４ ・・・第１の電極、 ５・・・基板、８．１２
・・・Ｒ，Ｆ電源、 ９ ・・・第２の電極。 １１・・・第３の電極、 １３・・・直流電源、１４．
１５・・・ スイッチ。 第１図 第２図 １ ・−ケＣンパー ２・・ 力゛ス＃Ｘパ４デ ４・ オ」乃（ｊ伽 ５・・ 港 １反 ８・ Ｒ，Ｆ４１オ牧 ９ Ｘ２つくイー １０・・ｊ゛ス羊入パイヂ １ト第３−５（権 １２− Ｒ，Ｆ電像 １３・１六電算 １４．１５・・・又４７ケ
第２図は、従来の薄膜形成装置の構成図である。 １１１．チェンバー、 ２，１０・・・ガス導入パイプ
、 ４ ・・・第１の電極、 ５・・・基板、８．１２
・・・Ｒ，Ｆ電源、 ９ ・・・第２の電極。 １１・・・第３の電極、 １３・・・直流電源、１４．
１５・・・ スイッチ。 第１図 第２図 １ ・−ケＣンパー ２・・ 力゛ス＃Ｘパ４デ ４・ オ」乃（ｊ伽 ５・・ 港 １反 ８・ Ｒ，Ｆ４１オ牧 ９ Ｘ２つくイー １０・・ｊ゛ス羊入パイヂ １ト第３−５（権 １２− Ｒ，Ｆ電像 １３・１六電算 １４．１５・・・又４７ケ
Claims (4)
- （１）薄膜堆積室内の所定の位置にセットした基板の表
面に加速したイオンを衝突させて、その基板表面を活性
化若しくは欠陥を生じさせる表面処理を施す工程と、前
記表面処理を施した基板に薄膜を堆積する工程とを連続
して行なうことを特徴とする薄膜形成方法。 - （２）薄膜堆積用の原料ガス導入手段を有する薄膜堆積
室と、該薄膜堆積室内に設置され基板をセットする第１
の電極と、該第１の電極に対向して配置され前記第１の
電極とともに導入した原料ガスを分解してプラズマを発
生させる第２の電極と、前記原料ガスとは別に導入した
ガスを分解してイオンを発生させるイオン発生手段と、
発生したイオンを加速して前記基板の表面に衝突させる
イオン加速手段とを備えたことを特徴とする薄膜形成装
置。 - （３）前記イオン発生手段は、前記第２の電極内に設置
されていることを特徴とする特許請求の範囲第（２）項
記載の薄膜形成装置。 - （４）前記イオン加速手段は、前記イオン発生手段を含
む第２の電極に、スイッチの切換により正の直流バイア
スが印加されて構成されることを特徴とする特許請求の
範囲第（２）項記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60193976A JPS6254911A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60193976A JPS6254911A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254911A true JPS6254911A (ja) | 1987-03-10 |
Family
ID=16316904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60193976A Pending JPS6254911A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6254911A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0573823A2 (en) * | 1992-05-20 | 1993-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Deposition method for depositing a semiconductor thin film and manufacturing method of thin film transistors with use of the deposition method |
| JPH08178152A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Chugoku Bendo Kk | 耐蝕性伸縮継手 |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP60193976A patent/JPS6254911A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0573823A2 (en) * | 1992-05-20 | 1993-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Deposition method for depositing a semiconductor thin film and manufacturing method of thin film transistors with use of the deposition method |
| EP0573823A3 (en) * | 1992-05-20 | 1994-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Deposition method for depositing a semiconductor thin film and manufacturing method of thin film transistors with use of the deposition method |
| JPH08178152A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Chugoku Bendo Kk | 耐蝕性伸縮継手 |
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