JPS6254727A - 放射線に敏感なポリマ− - Google Patents

放射線に敏感なポリマ−

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JPS6254727A
JPS6254727A JP61148333A JP14833386A JPS6254727A JP S6254727 A JPS6254727 A JP S6254727A JP 61148333 A JP61148333 A JP 61148333A JP 14833386 A JP14833386 A JP 14833386A JP S6254727 A JPS6254727 A JP S6254727A
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radiation
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ロン−チャン・リアン
サブハッシュ・ナラング
アーノスト・ライザー
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PORITEKUNITSUKU UNIV
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感光性又は放射線感受性があり、レジスト像物
質およびその他の映像形成物質の製造に有益な溶媒不溶
性生成物を生成することを特徴とする溶媒に可溶なポリ
マーの分野に関するものである。
直鎖中に共役アセチレン結合を持つ化合物は業界では周
知になっている。これらの化合物4iポリアセチレン化
合物とか、ポリインというように種々の呼び方をされる
。その製造法はアメリカ特許2.816,149、アメ
リカ特許2,941,010およびアメリカ特許3,0
85.283に開示されておりまた別のものが後述の特
許に開示されている。
ポリインの分類に入る化合物には放射線に敏感な化合物
が多くあるという事も業界で周知になっている(アメリ
カ特許3,502.297 ;アメリカ特許3.501
,301 、アメリカ特許3,501,303 ;アメ
リカ特許3,50L、308)。これらの参考資料はそ
の物質が結晶質であることおよび放射線にばく露したと
き、着色するということを強調している。またこれらの
物質を微細結晶として結合剤中に分散させて映像の作成
に使用することも開示している。
放射線に敏感なポリインのほかに、あるポリマーには熱
変色性があり(アメリカ特許3,723,121 。
アメリカ特許4,215.208;アメリカ特許4,4
52,995)、またあるものは電場の影響を受けてい
る時だけ放射線に敏感であり、(アメリカ特許3,72
8,769)、さらに他のポリマーはある種の光導電体
の表面に層として被覆されると電子に敏感になる(アメ
リカ特許3,772,011)。
アメリカ特許3,743,505およびその分割出願で
あるアメリカ特許3.1144.791、アメリカ特許
3.954,816およびアメリカ特許4,086,6
76の中に、例えばカルボキシル化したポリインのアミ
ン塩のような、ある特殊なポリインは放射線に対する感
受性が強いことが開示されている。大抵の放射線感受性
ポリインは本来UV線や電子ビームに感応する。
感受性のある組成物に分光増感化合物を加えることによ
って、多くのポリインの放射線感受性が強くなりかつら
との感受波長とは別の波長にまで拡がる。したがって無
機金属塩(アメリカ特許3.772.027;アメリカ
特許3,822,134)およびピリリウム、チアピリ
リウム、およびセレノピリリウムの各塩(アメリカ特許
3,772.028)によって可視光に対する感受性が
付与される。X線に対する感受性は、トリフェニルビス
ムチンおよびヘキサフェニルニ鉛のような有機金属化合
物によって付与される(アメリカ特許3.8LL、89
5)。
はじめに像を造った後(放射線や熱によって)その着色
像に吸収される波長の光を一様に照射すること(アメリ
カ特許3,794,491)または加熱すること(アメ
リカ特許3,501.302)によってその像を強化す
ることができる。
ポリイン(すなわち、ジイン以上を含む)が放射線や熱
の作用のもとに着色物質を造る機構も研究され文献に記
載されている。[1977年にニューヨーク、ロンドン
、ブレナム (plenui)プレス(Press)の
E、M、ピアース(Pe、Lrce)および」、R,シ
ャエフゲン(Schaef’gen)編集のポリマーサ
イエンス(Polymer 5cience) vol
、2 190−194頁の現代の話題;G、ウニブナ=
(Wegner)のピュアアンドアプル。
ケム(Pure & Appl、Chea+、) 49
443−454頁(1977)コ。
この研究は次のことを示している。すなわち、その効果
は放射線が誘起する重合によるものであって、その重合
ではポリインの末端アセチレン基のα−炭素が付加反応
を起こし完全に共役な直鎖を形成する。この反応は固体
の状態においてのみ起こると報告されている。数件の特
許(アメリカ特許4,220.747;カナダ特許1,
043,945)において、固相ではなく、液相でこの
ようなポリマーを造ることが特許請求されており、かつ
ポリインがら重合ポリインになった時の溶解度の変化が
特記されている。アメリカ特許3.838,709およ
びアメリカ特許4,439,514において、プリント
板や高解像度の電子回路製造用のフォトレジストシステ
ムにこの溶解度の変化を利用している。
ポリイン重合体それ自体を可逆的な熱変色映像に使用す
ること(アメリカ特許4,215.208:アメリカ特
許4,452.9959)および非線形光学物質に使用
すること(アメリカ特許4,431,288)が開示さ
れている。
ここまでに述べた技術をまとめると、ポリインの鎖が固
体の状態で放射線に感応し、末端アセチレン基の付加反
応によって着色したポリマーを生成することが開示され
ている。これらのポリマーはポリインにくらべ比較的に
不溶解性でありかつ熱変色性又は非線形の光学的性質を
示す。これらの重合ポリインは、その後の造影用でない
照明によっても弱い映像が強化されると言う程度のこと
でなく、もっと直接的な意味において放射線にまだ敏感
であると言うことをどの開示も指摘していない。
上記の開示の多くは、ポリインそのものが結晶性である
ばかりでなく生成する着色ポリマーもまた結晶質であっ
て強度の強いものか又はネマチックな液晶における如く
2方向の周期性を持つことを強調している(アメリカ特
許4,220,747;アメリカ特許4,411,28
3)。さらにアメリカ特許4.439,514において
は、ジインの結晶配列が非常に規則的である時は、1つ
の吸収光量子による隣接アセチレン結合1組の重合がも
とになってつぎつぎに隣接ジイン分子の線にそって重合
が進むことを開示している。したがって、このような系
では、高い量子効率が得られその値は吸収光量子当り反
応分子数が108から1012である。同じ特許では、
このような条件のもとて像の性質を高品質に保つために
ジイン被覆層の熱処理を行ない1、微細な結晶の部分を
造りその間の境界が微細な結晶部分間の9重合を妨げる
ようにすることを開示している。重合した形状物は着色
しているばかりではなく、溶媒にたやすくはとけない。
アセチレン結合が重合に使われていない他の有機共重合
モノマーとジエンとの共重合体は業界で公知である。そ
してA、S、ヘイ(Hay)はアメリカ特許3,300
.456、アメリカ特許3,594.175およびJ、
Polym、Sci、A−L 、8.1Q22(197
G)において、つぎの形のポリマーを記述している。
1(+C−C+CH2O+  R+CH2O+  C−
C)  )Is           n      
 pここでmとnは独立に、0又は1でありpは少なく
とも10以上であり、Rはアリーレン又はアルキレンラ
ジカル又はこれらのラジカルの結合物、あるいは中間に
カルボニル基又はスルホン基を持つ2つのアリーレン又
は2つのアルキレンの結合物である。これら共重合体の
あるものは溶媒に可溶であり、基質上に層状に被覆でき
る。ある溶媒で洗うことによって、最初無定形であった
これらの共重合体を結晶質に変化させることができる。
。後述、の特許において、これらのポリマーは放射線の
影響のもとに架橋を起こすことができるがこれには必ら
ず何らかの困難がともなうことが記述されている。ロー
ズベンガル、テトラヨードフルオレセイン、ヘモポルフ
ィリン、およびP−ジェチニルベンゼンのような増感化
合物を混入すると、はるかに少量の放射線で架橋させる
ことができる。架橋した形状物は溶媒にたやすくは溶け
ない、そしてポリマーはそのためホトレジストとして使
用される。
さらに、ウレタン、エステル、アミド、およびウレアな
どの基のような他の共重合モノマーとジインとの共重合
体がアメリカ特許3,709.880においてフインシ
半一とウニブナ−(Fischer &wegner)
によって開示されており、又マクロム。
ケム、 (Makrom、Chem、) 134.21
9(1970)においてG、ウニブナ−によって開示さ
れている。これらのポリマーは炭化水素、ポリエーテル
およびウレタンなどの単位がところどころに入っている
ジインのユニット−〇−CHR’−C−C−C−C−C
I(R2−0−を含有している。適切なポリマーは上記
のジイン単位を重量で20パーセント以上含有し又2価
の結合を造り得る基を持ち、結晶性の部分を含有してい
る。
このポリマーは溶媒に可溶であるが放射線に当たると着
色し不溶性となる。したがってこの物はホトレジスト像
システムに適している。例によれば強力な紫外線ランプ
に対し5から20分間のばく露が必要である。ジイン単
位と同じく非ジイン単位も放射線に感応することが示さ
れている。業界で公知の光増感剤を使用することもでき
る。
パチル(Patil)ほかは」、ボリム、(Polym
、)スシイ、(set、) 、ポリム、(Polym、
)ケム、(Chem、)Ed。
19.115(1981)に、反復単位から成る主幹中
にジアセチレン単位を含有した脂肪族、および芳香族の
ポリエステル群の製造方法とそれらの性質を開示してい
る。
ハンソン(Hanson)はアメリカ特許4,439,
590に脳 の形のポリマーを開示している=ここでRは−S−又は
−CO−のような強力な電子吸引性基である。これらの
ポリマーは放射線に敏感なものとして開示されておらず
共役ジアセチレンを含有していない。
このように、ジアセチレンモノマーの重合を研究してい
た初期の研究者が結晶状態のジアセチレンは光又は熱を
受けて効率良く重合することを発見した。ウニブナ−(
Wegner)、ハイ(Hay)およびパチル(Pat
ll)はジアセチレンの機能をポリエステル、ポリウレ
タンおよびポリフェニルエーテルのようなポリマーの中
に組み込んだ。これらのポリマーは一般に、その結晶性
のセグメントの中に反復単位を多数含有している。これ
らのポリマーの結晶性のセグメントにおける架橋は同じ
鎖を結びつけるため実際上は余計なものとなり、そのた
めに写真効率が低くなる。
結晶性のセグメントの反復単位の数を最少に保ちながら
結晶化度を増大させることによってジアセチレンの光電
感度を改善することが本発明の1つの骨子である。
本発明は写像用途、特にホトレジスト写像、ノ;使用で
きる重合物質に関するものであって、この用途において
はポリマーは初め溶媒に可溶であり膜にできるが放射線
に当ると溶媒に不溶性となる。
本発明の物質は共重合体であって、共重合モノマーの1
つがその主幹の中に共役ジアセチレン(ジイン)単位を
含有している。共重合にはアセチレン結合は関与しない
。ポリマーの被覆層を照射することによってポリマーの
隣接鎖中のアセチレン結合間に架橋が生ずる。結晶性の
セグメント内の反復単位の数を最少に保ちながら、ジア
セチレン単位の結晶化度を増大させることによって架橋
の度合いを制御し量子効率を維持する。このため光電感
度が大巾に向上する。
本発明のポリマーは本来線状のブロック共重合体である
。それらは少なくとも2相からなっている。その1つは
剛直な、又は硬質セグメントと呼ばれる結晶性の相であ
る。他の相は通常無定形であり軟質セグメントと呼ばれ
る。硬質セグメントは本来感光性のあるジアセチレンを
含有したブロック共重合体のセグメントで形成される。
軟質相は本来低分子量のゴム状オリゴマー又はプレポリ
マーで構成される。
硬質セグメントはジアセチレンジオールから誘導したポ
リウレタン又はポリエステルのプレポリマーかオリゴマ
ーであるか、あるいは、ジアセチレンジアミンから誘導
したポリアミド又はポリウレアであるのが好ましい。
軟質セグメントはヒドロキシル基、アミノ基、又はカル
ボン酸基のような遊離水素基で終る低分子量のゴム状ポ
リマーであって、この基を通して軟質セグメントが硬質
セグメントと結合することができる。軟質セグメントの
例にはポリエーテル、ポリエステル、ポリブタジェンお
よびポリシロキサンがある。他の軟質セグメントもまた
使用可能であるが、それらは例外ではない。
本発明の線状ブロック共重合体は少なくとも2つのセグ
メントから成っている。連続層を形成する軟質セグメン
トと分散相を形成するかたくて結晶性の、光によって反
応を起こすことのできるセグメントである。
硬質のプレポリマーセグメントは反復単位の中にジアセ
チレン基−c−c−c−c−を含有しているポリウレタ
ン、ポリエステル、ポリアミドおよびポリウレア’b)
ら選ばれるのが好ましい。硬質のブロックセグメントは
Aの群から選ばれる。
ポリウレタン(式1) ここでR,、R’は同じか別の種類であり、脂肪族、脂
環式又は芳香族の2価基の中、2から20個の炭素原子
を含有するものから選ばれ、nは1から10の範囲内の
整数であり、モしてyは1から50の範囲内の整数であ
る。
軟質セグメントは低分子量の、ゴム状のポリマーであっ
て、ヒ・ドロキシル基、アミノ基、又はカルボン酸基の
ような遊離水素を含有した基で終っており、その基を通
して軟質セグメントが硬質セグメントと結合できる。軟
質セグメントはポリエーテル、ポリエステル、ポリジエ
ンおよびポリシロキサンで構成されるゴム状低分子量プ
レポリマーおよびオリゴマーの群から選ばれるのが好ま
しい。
軟質セグメントは柔かいゴム状のプレポリマーセグメン
トであってポリエーテル、ポリエステル、ポリブタジェ
ンおよびポリシロキサンで構成される群から選ばれるの
が好ましい。勿論これらの軟質セグメントは硬質セグメ
ントと反応してブロック共重合体を造ることができなけ
ればならない。
B、軟質セグメント +R−0→− ポリエステル(式6) ポリシロキサン(弐8) ここで R,R’ は前述の通りであり、 R2はHl又は低級アルキル(Ca −Ca )、R3
、R4は低級アルキル(Ca −Ca )であり、そし
て Zは2から 100の範囲内の整数である。
軟質セグメントの分子量は300からio、oooの範
囲であり、500からa、oooの間であるのが好まし
い。
ブロック共重合体は、Aをジアセチレンジオール又はジ
アセチレンジアミンから誘導した硬質セグメントとし、
Bを軟質セグメントとすると、統計型の(AB)x 、
又は3ブロツク型の(BAB)又は(ABA)のもので
良い。膜を造り易い性質があるから、(AB)xおよび
(ABA)型が好ましい。整数Xの値は1から 100
の範囲内である。
同じ種類の硬質セグメントであっても、分子構造を変化
させて、最終のブロック共重合体の物理的特性を広範囲
に変えることができる。このことによって、特殊な要求
に応じ得る多くのフォトポリマーを目的に合わせて造る
ことかで°きる。
これらのブロック共重合体を造る一般的な作業手順は次
の通りである。例えば、ジイソシアネート又はジアシル
クロリドのモル過剰量を適当な溶媒中のポリエーテルジ
オール、ポリエステルジオール、ポリジエンジオール又
はポリシロキサンジオールに加える。ブロック共重合体
の軟質セグメントのブロックはこの第1段階の反応で生
成する。
この混合物に、ジアセチレンジオール又はジアセチレン
ジアミンをジイソシアネート又はジアシルクロリドの過
剰分に対しモル当量か僅か少ない程度加える。その結果
さらに生起する反応によってランダムなブロック共重合
体の中で軟質セグメントのブロックと結合した硬質セグ
メントのブロックが生成する。
式1から式4におけるRは脂肪族でも芳香族でもよい。
(CH2)r(r−2から8)のような脂肪族の基は共
重合体の光電感度が大となるので好ましいものである。
(かし芳香族の置換基の場合には弾性係数が高くなりか
つ加熱ひずみを起こす温度が高くなるという利点がある
。これらは光学的フィルター作用(これらの基による非
生産的光吸収)が重要でないX−線および電子照射を用
いる用途に特に効果的であると考えられる。
ここに開示するブロック共重合体はすべて化学線の光の
みならず20KVから100KVのエネルギ範囲のX−
線および1OKevから200Keyの範囲のエネルギ
の電子ビームに対しても敏感であることが見出されてい
る。
硬質セグメントの軟質セグメントに対する比は2:98
と90 : to (重量基準)の間の範囲であり、1
0:90と60:40の間にあるのが好ましい。もつと
正確に述べると、(AB)x型のブロック共重合体の硬
質セグメントにおける反復単位の平均数(y)は1から
50の範囲にあり2から20の範囲内にあるのが好まし
い。例えば式9は連鎖延長剤としてジアセチレンジオー
ルを含有する、ポリエーテル、−ポリウレタンブロック
共重合体の単位を表わす。この場合のポリエーテルはポ
リオキシテトラメチレングリコール(PTMG)である
式9 硬質セグメント中の反復単位数(y)の平均値は次の式
を用いて計算できる。
ここにPはセグメントAが別のセグメントAに結合する
推移確率であって、この場合ブロック共重合体中の硬質
セグメントのモル分率に等しいとしてよい。これらのブ
ロック共重合体の例を幾つか第1−4表に列記している
。この式はH,に、フレンスドルフ(Frensdor
rr)が「マクロモレキュールズ」(”Macromo
lecules−)、4.389 (1971)に報告
している研究に基づくものである。
硬質セグメントの含有量が増加すると共に光電感度も増
加するがyのある値の所から横這いとなる。
硬質セグメントの含有量が増加すると共に膜のかたさも
また増加する。ブロック共重合体に硬質セグメントを饅
々と多く導入してゆくと、膜は柔軟なものからねばり強
くなりついにはもろいものとなる。
硬質セグメントの含有量増加とともに、ブロック共重合
体の結晶化度が増大することは結局は透明な物質から半
透明な物質に変化する原因となる。
しかし硬質セグメントの含有量が多い場合の膜の透明度
は数種の方法によって改善することができる。すなわち
(a)外部から少量の核生成剤(例えば安息香酸ナトリ
ウム又は細かく粒径を揃えたシリカゲルの粒子)を加え
て生成微結晶を小さくすること、および又は(b)膜の
厚さを減少させることによって、膜の結晶領域間の形態
学的な性質を向上させることおよび又は(C)冷間配向
処理を使用すること、およびまたは(d)流し込み作業
(こ適した溶媒系を選ぶことなどによって改善できる。
ブロック共重合体の光電感度は相分離の度合いと硬質相
中に造られる規則性の度合いに支配される。固体状態に
おける光反応が起こるためにはジアセチレン単位が適当
な幾何学的配列を持っていなければならない。この幾何
学的配列はポリマーの成分内の極めて小さい模様であっ
て共重合体中の軟質セグメントの存在によって造られる
。例えばジアセチレンセグメントの単一ポリマーは感光
しないと報告された場合[G、ウニブナ−,(Weg−
net 、 )マクロム、  (Makroa+、)、
ケム、  (Cheap、)ユu1219(1970)
]、においても同じ構造のジアセチレンユニットを硬質
セグメントとして含有するブロック共重合体は可成りの
光電感度を持っていたことが明らかになっている。この
例には第1表のTPO−MDI−20−2000があり
その構造は次の通りである。
および ここでRはH又は4−メトキシ、又は4−二トロ、又は
3,5−ジニトロであり結晶性のモノマーは光に感じな
いが上記の構造単位を基本としたポリアミド、ポリウレ
アおよびポリエステルの各ブロック共重合体は光に敏感
である(第2−4表)。
相分離の度合いとブロック共重合体の硬質相における規
則性の度合いはともにポリマーの熱履歴に大きく影響さ
れる。したがって適当な熱処理によって光電感度が大巾
に改善できることが多い。
そこで被覆部を乾燥後腕なまして光電感度を適度に改善
することができる。
例えば、硬質対軟質比が20 : 80 (第1表のT
DU−MDI−20)のPTMG−ヘキサンメチレンジ
イソシアナ−ト(HDI)−HDブロック共重合体にお
いて80℃(溶融温度、Tl1lより約60℃低い)で
2から5分間の焼なましの後で2倍から3倍の光電感度
の増加が認められている。焼なましを行なったサンプル
の示差走査、熱量測定器(DSC)の温度記録図に、お
いてT11の僅か上方への移動と・ともに、溶融ピーク
の著しい増大が認められた。このことは熱処理の後で結
晶相における欠陥の数が減少したことと共に、結晶化度
が増加したこと番示している。焼なまし期間中に、熱重
合が起ったと言う証拠は認められなかった。他の多くの
系において熱処理後の光電感度の改善が認められた。
本発明のブロック共重合体は業界で公知の増感剤[例え
ばハイ(Hay)がアメリカ特許3,594.175第
2欄51行に開示している増感剤]の添加によって可視
領域の光に対する分光感度を付与することができる。エ
ーリッヒ(Ehrlich)がアメリカ特許3.811
,895に開示している化合物を添加することによって
医療用の範囲のX−線に感じさせることができる。
製造されたポリマーは被覆やグラフィックアート分野の
巾広い各種の用途に使用できる。もっと特定すれば、本
発明は(1)固体の状態において、光電感度すなわち写
真の速度が大である、(2)各種の用途に合わせてねば
り強さ、耐磨耗性、および接着性など膜の性質を仕立て
るに当って自由度が大である、(3)溶液又は固体のど
ちらの状態においても暗室条件のもとでは熱的に非常に
安定である、そして(4)酸素には感じないことを著し
い特徴とするネガディプのホトレジストに関するもので
ある。
本発°明をもっと良く説明しかつ明確にするために次の
例を示すがこれに限定するものではない。
L ポリエーテル−ポリウレタンブロック共重合体 ポリオキシテトラメチレングリコール(m、v、 −2
,000)(以後PTMGとする)の5グラムをテトラ
ヒドロフラン(THF)の約100cc中に溶かした。
ジブチルスズ ジラウラート 0.137ダラムとへキ
サメチレン ジイソシアナート(HDI) 1.29グ
ラムを室温においてPTMG溶液に添加しそれから反応
混合物を1時間放置した。0.536グラムの2,4−
へキサジイン−1,6−ジオールを含有したTHF溶液
約20ccを10分間にわたって暗室の条件で上記の反
応混合物に添加し、その後3時間室温にて反応を行なわ
せた。それから無水エチルアルコ−、ル2ccをこの反
応混合物に加えさらに30分間攪拌した。
ポリエーテル−ポリウレタン共重合体の溶液になってい
る反応混合物を直接流し込んで感光性の膜を造った。
別の方法として、約800ccの蒸溜水をはげしく攪拌
している中に反応混合物を一滴づつ注ぎ込んだ。濾過、
洗浄、およびそれに続く真空乾燥の後、約8.5グラム
の淡黄色の沈澱物が得られた(収率:95.2パーセン
ト)。この沈澱物をTHF中に再溶解しこの溶液をガラ
ス板上に流し込んで感光性の膜を造った。
低圧水銀灯を用いた場合、これらの膜に対するばく置時
間は2′秒から5秒の間であった。その時ばく露部分は
75パーセント(容積)のホルムア   :ミドと25
パーセント(容積)のエチルアルコール(95パーセン
ト)からなる標準の現像液(以後は「標準現像液」とす
る)に不溶性のものとなっていた。(このポリマーを第
1表においてはTPO−HDI−20とする)。
第1表中の他のポリマーも同様な方法で調整しテストを
行なった。
a+  +ouフυ−一ぶ・−−メ 列2 ポリエーテル−ポリエステル ブロック共重合体 PTMG(m、v、−2,000)の2グラ、ムを約5
0ccのTHPに溶解させた。テレフタロイ°ルクロリ
ドの2.174グラムをPTMG溶液に加え反応混合物
をその後2時間還流温度に保持した。室温まで冷却した
後、上記の混合物を暗室条件において、約100ccの
THP 。
3ccのピリジンおよび1.088グラムの2,4−へ
キサジイン−1,B−ジオール(HD)を含有する溶液
中に30分の時間をかけて1滴づつ添加した。この反応
をその後5時間室温にて進行させた。その後、2.cc
の無水エチルアルコールをこの反応混合物に加えさらに
30分間攪拌した。
白色のピリジニウム塩を炉別した後、粘稠な溶液を1滴
づつはげしく攪拌されている蒸溜水800CCの中に添
加した。濾過に続き稀Haj!溶液、蒸溜水、稀NaH
COz溶液、および最後に大量の蒸溜水を用いて順次洗
浄した後、約4グラムの黄色味のある沈澱物を得た。こ
の沈澱物を真空乾燥した(収率: 89.2パーセント
)。
このブロック共重合体をTHFに再溶解し、ガラス板上
にこの溶液を流し出して感光性の膜を造った。低圧水銀
灯の場合、ばく置時間は2がら5分であった。ばく目部
分は標準現像液に不溶性となっており一方非ばく目部分
はこの溶媒によって容易に除去できた(第2表における
TPE−TERE−50)。
第2表の残りのポリマーも同様な方法で調整し、テスト
を行なった。
例3 ポリエーテル−ポリウレア ブロック共重合体 PTMG(m、v、−2,000) 2グラムを約to
occのTHFに溶解させた。その後、HDIの0.4
04グラムとジブチルチンジラウラートの0.027グ
ラムを加えその反応混合物を室温に1時間保持した。0
.314グラムの4.4’ 、 −ビスアミノフェニル
ブタジイン(p−ニトロケイ皮酸から5一段階合成によ
って調製)を含むTl(F溶液の約30ccを暗室条件
で10分間にわたって添加し、その後3時間、室温にお
いて反応を継続させた。無水のエチルアルコール2cc
を加えた後、反応混合物をさらに30分間攪拌した。
ポリウレアブロック共重合体溶液である反応混合物を直
接流し込んで感光性の膜を造った。別の方法として、反
応混合物を1滴づつはげしく攪拌されている蒸溜水80
0ccの中に加えた。i濾過および過剰の蒸溜水による
洗浄、ならびにその後の真空乾燥によって、約2.5グ
ラムの黄色味のあるポリマーが得られた(収率−約92
パーセント)。このポリマーをジオキサン中に再溶解し
その後溶液をT)IPで稀釈した。上記の溶液をガラス
板の上に流し込んで感光性の膜を造った。
低圧水銀灯の場合、ばく置時間は1分から5分であった
。ばく露部分は標準現像液に不溶解性となっており一方
ばく露されなかった部分はこの溶媒で簡単に洗い落され
た(第3表のp−TUPウレア−HDI−20)。
第3表の2番目のポリマーも同様な方法で調製しテスト
した。
m           例4 まな ノ二 Iえ 1を 一ル チル ノフ 溶液 撓さ 浚、 こ −) Z 、tI 乾顛 “ +   41         −力= 吾  混 2 罎1÷÷ 石−p− ポリエーテル−ポリアミド ブロック共重合体 ’MO(a、v、=2.000)の2グラムをアルコー
ルを食いクロロホルムの約50ccに溶解させた。スク
ルクロリド0.4343グラムをこのPTMG溶液にた
。室温に2時間保持した後、この反応混合暗室条件で1
滴づつ30分にわたって、アルコを含まないクロロホル
ムの約100cc % トリエアミンの0.57グラム
および4.4′ ビスアミエニルブタジインの0.3B
5グラムを含有するに添加した。その後5時間室温にて
反応を継せた。無水のエチルアルコール2ccを加えた
反応混合物をさらに30分間攪拌した。
の反応混合物を11滴づつはげしく攪拌されて約600
 ccのへキサン中に添加した。濾過の後、;物を蒸溜
水で十分に洗浄し、その後真空中で1させた。約2.2
グラムの黄色味のあるポリマC得られた(収率:84パ
ーセント)(第4表のTPアミド−9u−20)。この
ポリマーをジオキサをガラス板上に流し込んで感光性の
膜を造った。
低圧水銀灯の場合、ばく置時間は1分から5分であった
。ばく露された部分は標準現像液に不溶性になっており
一方ばく露されなかった部分は同じ溶媒によって簡単に
洗い流された。
′1s4表中の残りの2つのポリマーも同様な方法で調
製しテストした。
本発明の線状ブロック共重合体は少なくとも2種類の七
′グメントAとBから構成される。セグメントAはかた
く放射線に敏感なセグメントであってジアセチレン単位
を含有するプレポリマーから成っている。セグメントB
は柔らかいゴム状のプレポリマーのセグメントである。
セグメントAのセグメントBに対する重量比は2:98
と90:1Gの間にある。セグメントAはジアセチレン
単位を含有する化合物と遊離水素含有化合物又はオリゴ
マーとの重合によって造るのが好ましい。ジアセチレン
単位を持つ化合物がジアセチレン基の反応をともなわず
に遊離水素含有化合物と反応あるいは結合せねばならな
い。このことは上記の例において十分に実証されている
填1頁の続き 庁内整理番号

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも2種類のセグメントAとBからなり、
    当該セグメントAはかたくて放射線に敏感なセグメント
    であってジアセチレン単位を含有したプレポリマーから
    成っており、当該セグメントBは軟質のゴム状プレポリ
    マーセグメントであって当該セグメントAの当該セグメ
    ントBに対する重量比が2:98と90:10の間にあ
    ることを特徴とする線状ブロック共重合体。
  2. (2)当該重量比が10:90と60:40の間にある
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載する線状
    ブロック共重合体。
  3. (3)放射線に敏感な硬質のセグメントがポリウレタン
    、ポリエステル、ポリアミドおよびポリウレアで構成さ
    れる群から選ばれる遊離水素含有プレポリマーの遊離水
    素除去誘導体から成ることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項に記載する線状ブロック共重合体。
  4. (4)当該軟質のゴム状セグメントがポリエーテル、ポ
    リエステル、ポリブタジエン、およびポリシロキサンで
    構成される群から選ばれるプレポリマーセグメントから
    成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載する
    線状ブロック共重合体。
  5. (5)当該軟質のゴム状セグメントがポリエーテル、ポ
    リエステル、ポリブタジエン、およびポリシロキサンで
    構成される群から選ばれるプレポリマーセグメントから
    成ることを特徴とする特許請求の範囲第3項に記載する
    線状ブロック共重合体。
  6. (6)放射線に敏感な硬質のセグメントがポリウレタン
    、ポリエステル、ポリアミドおよびポリウレアで構成さ
    れる群から選ばれる遊離水素含有プレポリマーの遊離水
    素除去誘導体から成ることを特徴とする特許請求の範囲
    第2項に記載する線状ブロック共重合体。
  7. (7)当該軟質のゴム状セグメントがポリエーテル、ポ
    リエステル、ポリブタジエンおよびポリシロキサンで構
    成される群から選ばれるプレポリマーセグメントから成
    ることを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載する線
    状ブロック共重合体。
  8. (8)当該軟質のゴム状セグメントがポリエーテル、ポ
    リエステル、ポリブタジエンおよびポリシロキサンで構
    成される群から選ばれるプレポリマーセグメントから成
    ることを特徴とする特許請求の範囲第6項に記載する線
    状ブロック共重合体。
  9. (9)当該硬質のセグメントAが ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ から選ばれ又当該軟質のセグメントBが −[R−O]−_2′ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ および▲数式、化学式、表等があります▼から選ばれか
    つR、R^1は同じか別の種類であって、2から20の
    炭素原子を含有する脂肪族、脂環式、および芳香族の2
    価の基から選ばれ、R^2はHか又は低級のアルキル(
    C_1からC_6)であり、R^3、R^4は低級のア
    ルキル(C_1からC_4)、 zは2から100の範囲内の整数、 yは1から50の範囲内の整数、でありまたnは1から
    10の範囲内の整数である ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載する線状
    ブロック共重合体。
  10. (10)a)ポリエーテルジオール、ポリエステルジオ
    ール、ポリジエンジオール、およびポリシロキサンジオ
    ールの群から軟質セグメント先駆物質を造ること、 b)当該軟質セグメント先駆物質をジイソシアネートお
    よびジアシルジクロリドで構成される群から選ばれる反
    応物質のモル過剰量と反応させること、 c)その結果得られる混合物をジアセチレンジオールお
    よびジアセチレンジアミンで構成される群から選ばれる
    硬質セグメント先駆物質の(b)において残存している
    当該反応物質のモル相当量に等しいかやや少ない量と反
    応させること、 の諸工程から成るプロセスによって製造される線状ブロ
    ック共重合体。
  11. (11)特許請求の範囲第1項に記載する線状ブロック
    共重合体の薄い層で被覆された基質から成ることを特徴
    とする放射線に敏感なエレメント。
  12. (12)特許請求の範囲第2項に記載する線状ブロック
    共重合体の薄い層で被覆された基質から成ることを特徴
    とする放射線に敏感なエレメント。
  13. (13)特許請求の範囲第3項に記載する線状ブロック
    共重合体の薄い層で被覆された基質から成ることを特徴
    とする放射線に敏感なエレメント。
  14. (14)特許請求の範囲第4項に記載する線状ブロック
    共重合体の薄い層で被覆された基質から成ることを特徴
    とする放射線に敏感なエレメント。
  15. (15)特許請求の範囲第7項に記載する線状ブロック
    共重合体の薄い層で被覆された基質から成ることを特徴
    とする放射線に敏感なエレメント。
  16. (16)特許請求の範囲第8項に記載する線状ブロック
    共重合体の薄い層で被覆された基質から成ることを特徴
    とする放射線に敏感なエレメント。
  17. (17)a)特許請求の範囲第1項に記載する線状ブロ
    ック共重合体から成る層で基質を被覆すること、 b)被覆された層を乾燥すること、 c)この乾燥した層が敏感な放射線であって、それに当
    った層が溶媒に対し不溶性となる放射線にこの乾燥した
    層を像ができるようにばく露すること、 d)ばく露されなかった層の部分を溶媒で洗い流して像
    状のレジスト層を残し次のエッチング処理ができるよう
    にすることの諸工程から成ることを特徴とするホトレジ
    スト層で像状に保護されたエッチング可能な基質の製造
    方法。
  18. (18)a)特許請求の範囲第5項に基づいて放射線に
    敏感なエレメントを造ること、 b)当該エレメントが敏感に反応する放射線であって、
    それに当った当該の層が溶媒に対して不溶性となる放射
    線に当該のエレメント像ができるようにばく露すること
    、 c)当該の層のばく露されなかった部分を溶媒を用いて
    洗い流すこと、 の諸工程から成ることを特徴とする印刷板の製造方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62119226A (ja) * 1985-11-20 1987-05-30 Agency Of Ind Science & Technol ジアセチレン結合含有ポリエ−テルの成形物
JPS62119227A (ja) * 1985-11-20 1987-05-30 Agency Of Ind Science & Technol 急激反応性を有するジアセチレン結合含有ポリエ−テル材料
JPH07219222A (ja) * 1994-01-25 1995-08-18 Morton Thiokol Inc 水性の画像形成性組成物及びその乾燥フィルム
JPH07234508A (ja) * 1994-01-25 1995-09-05 Morton Thiokol Inc 水性の光画像形成性組成物及びその乾燥フィルム
JPH07234507A (ja) * 1994-01-25 1995-09-05 Morton Thiokol Inc 水性の光画像形成性組成物
JPH07234506A (ja) * 1994-01-25 1995-09-05 Morton Thiokol Inc 水性の光画像形成性組成物及びその乾燥フィルム
WO1995023998A1 (fr) * 1994-03-04 1995-09-08 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Resine liquide photosensible pour structures en relief
JPH07271033A (ja) * 1994-01-25 1995-10-20 Morton Thiokol Inc 光像形成性組成物
JP2012092211A (ja) * 2010-10-26 2012-05-17 Nagoya City アリールアセチレン含有樹脂およびその製造方法、および当該樹脂を用いたひずみセンサ

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4849500A (en) * 1986-03-07 1989-07-18 Gte Laboratories Incorporated Polyamide from diacetylene dicarboxylic acid compound
US4879479A (en) * 1987-08-05 1989-11-07 Martin Marietta Corporation Poly-yne nonlinear optical materials
DE3901266A1 (de) * 1989-01-18 1990-07-19 Merck Patent Gmbh Fluorhaltige aromaten
JP2907222B2 (ja) * 1989-01-27 1999-06-21 富士通株式会社 有機非線形光学材料
US5296568A (en) * 1992-05-29 1994-03-22 Eastman Kodak Company Addition-cured silicone elastomers and coated fusing rolls using such elastomers
FR2743297B1 (fr) * 1996-01-05 1998-03-13 Oreal Composition cosmetiques a base de polycondensats ionisables multisequences polysiloxane/polyurethane et/ou polyuree en solution et utilisation
US6271280B1 (en) 2000-04-19 2001-08-07 General Electric Company Diacetylenic polyorganosiloxanes, intermediates therefor, and cured compositions prepared therefrom
US6963007B2 (en) * 2002-12-19 2005-11-08 3M Innovative Properties Company Diacetylenic materials for sensing applications
US20040126897A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-01 3M Innovative Properties Company Colorimetric sensors constructed of diacetylene materials
TWI280260B (en) * 2003-01-17 2007-05-01 Univ Nat Central Polymer phase separation nano-structure and application thereof
US6841270B2 (en) * 2003-04-17 2005-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting device having pyrylium salt as charge transport material
US7424096B2 (en) * 2003-12-17 2008-09-09 Jmar Research, Inc. Systems and methods for tape advancement in laser produced plasma equipment
US7302043B2 (en) * 2004-07-27 2007-11-27 Gatan, Inc. Rotating shutter for laser-produced plasma debris mitigation
US7816472B2 (en) * 2004-08-19 2010-10-19 3M Innovative Properties Company Polydiacetylene polymer compositions and methods of manufacture
US7371511B2 (en) * 2004-08-19 2008-05-13 3M Innovative Properties Company Polydiacetylene polymer blends
MX2007007179A (es) * 2004-12-17 2007-08-14 3M Innovative Properties Co Sensores colorimetricos construidos de materiales de diacetileno.
JP5008046B2 (ja) * 2005-06-14 2012-08-22 ローム株式会社 半導体デバイス
JP2011504236A (ja) * 2007-11-20 2011-02-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ジアセチレンを含むポリマーセンサーを用いる細菌試料の分析方法
CN105924647B (zh) * 2016-05-04 2018-08-24 华东理工大学 一种六官能团炔衍生的聚三唑树脂及其制备方法
EP3491042B1 (en) 2016-07-28 2020-06-24 3M Innovative Properties Company Segmented silicone polyamide block copolymers and articles containing the same
CN109563265B (zh) 2016-07-28 2021-06-01 3M创新有限公司 链段型有机硅聚酰胺嵌段共聚物以及含有其的制品

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5096283U (ja) * 1973-12-29 1975-08-12
JPS5541272U (ja) * 1978-09-11 1980-03-17

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2941010A (en) * 1957-07-03 1960-06-14 Thiokol Chemical Corp Acetylenic ether polymers and their preparation
US3065283A (en) * 1958-04-23 1962-11-20 Happel John Oxidative coupling of an acetylene hydrocarbon
BE627182A (ja) * 1962-01-16
US3300456A (en) * 1962-11-21 1967-01-24 Gen Electric Polymeric acetylenes and process for producing the same
US3501302A (en) * 1966-06-06 1970-03-17 Battelle Development Corp Photosensitive polyacetylenic system and method of exposure
FR1557383A (ja) * 1967-03-20 1969-02-14
DE1940690A1 (de) * 1969-08-09 1971-02-25 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von bildmaessigen Aufzeichnungen
BE754567A (fr) * 1969-08-09 1971-02-08 Basf Ag Matieres durcissables par irradiation, a base de polymeres a groupements non satures ethyleniquement se repetant
US3844791A (en) * 1971-06-14 1974-10-29 Eastman Kodak Co Photosensitive material comprising polyacetylenic amine salts
US3743505A (en) * 1971-06-14 1973-07-03 Eastman Kodak Co Direct-print process utilizing photosensitive polyacetylenic amine salts containing carboxylate moieties
US3954816A (en) * 1972-12-14 1976-05-04 Eastman Kodak Company Photosensitive material comprising polyacetylenic amine salts
US4006024A (en) * 1973-02-21 1977-02-01 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Photosensitive compositions comprising a polyester-polyether block polymer
US4066676A (en) * 1974-02-06 1978-01-03 Eastman Kodak Company Photosensitive material comprising polyacetylenic amine salts
US4220747A (en) * 1976-06-28 1980-09-02 Allied Chemical Corporation Crystalline diacetylene polymers
US4133723A (en) * 1978-01-03 1979-01-09 Lord Corporation Actinic radiation-curable formulations from the reaction product of organic isocyanate, poly(alkylene oxide) polyol and an unsaturated addition-polymerizable monomeric compound having a single isocyanate-reactive hydrogen group
DE2854192A1 (de) * 1978-12-15 1980-06-26 Basf Ag Polyurethan-beschichtungsmittel
US4431263A (en) * 1979-06-25 1984-02-14 University Patents, Inc. Novel nonlinear optical materials and processes employing diacetylenes
US4439514A (en) * 1979-06-25 1984-03-27 University Patents, Inc. Photoresistive compositions
EP0036899B1 (en) * 1980-03-27 1984-08-01 Allied Corporation Thermochromic polyacetylenic composition, process therefor, temperature measuring and indicia displaying devices and process for recording and thereafter erasing images
DE3036694A1 (de) * 1980-09-29 1982-06-03 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Gummielastische, ethylenisch ungesaettigte polyurethane und dieselben enthaltendes durch strahlung polymerisierbares gemisch
US4396053A (en) * 1981-04-17 1983-08-02 The Firestone Tire & Rubber Company Pneumatic tire including a curable, storage-stable and solventless single component sealant composition
US4379906A (en) * 1981-12-28 1983-04-12 Ford Motor Company High solids urethane coatings prepared from a polylisocyanate _ and a polyhydroxy oligmer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5096283U (ja) * 1973-12-29 1975-08-12
JPS5541272U (ja) * 1978-09-11 1980-03-17

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62119226A (ja) * 1985-11-20 1987-05-30 Agency Of Ind Science & Technol ジアセチレン結合含有ポリエ−テルの成形物
JPS62119227A (ja) * 1985-11-20 1987-05-30 Agency Of Ind Science & Technol 急激反応性を有するジアセチレン結合含有ポリエ−テル材料
JPH043762B2 (ja) * 1985-11-20 1992-01-24
JPH07219222A (ja) * 1994-01-25 1995-08-18 Morton Thiokol Inc 水性の画像形成性組成物及びその乾燥フィルム
JPH07234508A (ja) * 1994-01-25 1995-09-05 Morton Thiokol Inc 水性の光画像形成性組成物及びその乾燥フィルム
JPH07234507A (ja) * 1994-01-25 1995-09-05 Morton Thiokol Inc 水性の光画像形成性組成物
JPH07234506A (ja) * 1994-01-25 1995-09-05 Morton Thiokol Inc 水性の光画像形成性組成物及びその乾燥フィルム
JPH07271033A (ja) * 1994-01-25 1995-10-20 Morton Thiokol Inc 光像形成性組成物
WO1995023998A1 (fr) * 1994-03-04 1995-09-08 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Resine liquide photosensible pour structures en relief
JP2012092211A (ja) * 2010-10-26 2012-05-17 Nagoya City アリールアセチレン含有樹脂およびその製造方法、および当該樹脂を用いたひずみセンサ

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Publication number Publication date
US4767826A (en) 1988-08-30
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