JPS6254080A - 膜形成装置 - Google Patents
膜形成装置Info
- Publication number
- JPS6254080A JPS6254080A JP19195385A JP19195385A JPS6254080A JP S6254080 A JPS6254080 A JP S6254080A JP 19195385 A JP19195385 A JP 19195385A JP 19195385 A JP19195385 A JP 19195385A JP S6254080 A JPS6254080 A JP S6254080A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flange
- door
- film forming
- inner tube
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、被処理体表面に膜を形成する技術に関するも
ので、特に減圧雰囲気にて膜を形成する技術に適用して
有効な技術に関するものである。
ので、特に減圧雰囲気にて膜を形成する技術に適用して
有効な技術に関するものである。
半導体装置の製造において、例えばシリコン窒化膜等の
バッジベージロン膜を形成するために減圧ＣＶＤ装置（
ｗＬ子子材側別冊超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブック
１９８４年版工業調葺会発行ｐ、７０〜７２参照）が一
般に使用されている。このような減圧ＣＶＤ装置の主要
部構成を第４図に示す。１は石英等で形成された円筒状
のインナーチューブで、各種ガスが前記チューブ１内に
導入されて反応し、被処理体例えばシリコンウェハ表面
上に薄膜を形成できるようＫなっている。２はアウター
チ為−プで、インナーチューブ１の外周に配設され、ヒ
ータ３からの熱が均一にインナーチューブｌに伝達され
るようになっている。４はインナーチューブ１と前記イ
ンナーチューブ１内の雰囲気を外気から遮断するための
ドア５とを連結するフランジである。前記フランジ４と
チューブ外壁６問およびフランジ４とドア５間には耐熱
性ゴムから成るＯリング７がシール材として介在してお
り、インナーチューブｌ内が減圧された状態でも外気が
侵入してこないようになっている。
バッジベージロン膜を形成するために減圧ＣＶＤ装置（
ｗＬ子子材側別冊超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブック
１９８４年版工業調葺会発行ｐ、７０〜７２参照）が一
般に使用されている。このような減圧ＣＶＤ装置の主要
部構成を第４図に示す。１は石英等で形成された円筒状
のインナーチューブで、各種ガスが前記チューブ１内に
導入されて反応し、被処理体例えばシリコンウェハ表面
上に薄膜を形成できるようＫなっている。２はアウター
チ為−プで、インナーチューブ１の外周に配設され、ヒ
ータ３からの熱が均一にインナーチューブｌに伝達され
るようになっている。４はインナーチューブ１と前記イ
ンナーチューブ１内の雰囲気を外気から遮断するための
ドア５とを連結するフランジである。前記フランジ４と
チューブ外壁６問およびフランジ４とドア５間には耐熱
性ゴムから成るＯリング７がシール材として介在してお
り、インナーチューブｌ内が減圧された状態でも外気が
侵入してこないようになっている。
８は前述の耐熱性ゴムがヒータ３の熱で劣化しないよう
に冷却水を循還させるたぬの中空部である。
に冷却水を循還させるたぬの中空部である。
ところで、シリコン窒化膜（ｓｔｓＮ、）を形成する場
合、例えば常温でジクロロシラン（Ｓ ｉ Ｈｔ Ｃ１
３ｔ ）ｔアンモニア（ＮＨ，）を、７５０〜９５０Ｃ
の範囲の所定温度に均一に維持されているインナーチュ
ーブ１内に導入し、下記のような反応を起こすようにし
ている。
合、例えば常温でジクロロシラン（Ｓ ｉ Ｈｔ Ｃ１
３ｔ ）ｔアンモニア（ＮＨ，）を、７５０〜９５０Ｃ
の範囲の所定温度に均一に維持されているインナーチュ
ーブ１内に導入し、下記のような反応を起こすようにし
ている。
ＳｉルＣＡ、十ＮＨ，−→ｓｉ、Ｎ。
ところが、フランジ４Ｖこは冷却水が循還しているため
、Ｓｉ、Ｎ、を生成する温度よりも極めて低い温度（５
００Ｃ以下）になっているため、塩化アンモニウム（Ｎ
Ｈ４ＣＡ）粒９が析出してしまう。
、Ｓｉ、Ｎ、を生成する温度よりも極めて低い温度（５
００Ｃ以下）になっているため、塩化アンモニウム（Ｎ
Ｈ４ＣＡ）粒９が析出してしまう。
この塩化アンモニウムがインナーチューブｌやフランジ
４の内壁面に付着したり、ガスの流れ（矢印入方向）に
沿って浮遊し、ウエノ・に付着したり、さらには排気シ
ステム（図示せず）へ付着してポンプ等の故障の原因と
なるなど非常に大きな問題となっていた。そこで、本発
明者は前述のような問題を解決すべく鋭意検討を行なっ
た。
４の内壁面に付着したり、ガスの流れ（矢印入方向）に
沿って浮遊し、ウエノ・に付着したり、さらには排気シ
ステム（図示せず）へ付着してポンプ等の故障の原因と
なるなど非常に大きな問題となっていた。そこで、本発
明者は前述のような問題を解決すべく鋭意検討を行なっ
た。
本発明の目的は、異物発生を防止できうる膜形成技術を
提供するものである。
提供するものである。
本発明の他の目的は、被処理体表面に異物が付着するの
を防止できうる技術を提供するものである。
を防止できうる技術を提供するものである。
本発明は装置メインテナンスの低減できうる技術を提供
することである。
することである。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあき゛らかになるで
あろう。
本明細書の記述および添付図面からあき゛らかになるで
あろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
丁なわち、フランジ内側にカバーリングを設けることに
より、膜形成に必要なガスの生成温度より低温となって
いるフランジにガスがふれることはないので、不純物質
が析出するのを抑制することができ、被処理体表面上に
不純物質が付着するのを低減することが可能である。
より、膜形成に必要なガスの生成温度より低温となって
いるフランジにガスがふれることはないので、不純物質
が析出するのを抑制することができ、被処理体表面上に
不純物質が付着するのを低減することが可能である。
また、フランジ内側にヒータを埋設したカバーリングを
設け、前記カバーリングのガス接触表面をほぼ膜形成に
必要なガスの生成温度に保つことにより、不純物質が析
出することはないので、被処理体表面上に不純物質が付
着するのを防止することができる。
設け、前記カバーリングのガス接触表面をほぼ膜形成に
必要なガスの生成温度に保つことにより、不純物質が析
出することはないので、被処理体表面上に不純物質が付
着するのを防止することができる。
第１図は本発明の一実施例である低圧膜形成装置の側部
断面図、第２図は本発明の一実施例である低圧膜形成装
置の長手方向断面図、第３図は本発明の一実施例である
低圧膜形成装置の全体構成図である。
断面図、第２図は本発明の一実施例である低圧膜形成装
置の長手方向断面図、第３図は本発明の一実施例である
低圧膜形成装置の全体構成図である。
以下図面に従い本発明の一実施例について詳細に説明す
る。
る。
なお、第４図にて説明した構成と同一構成部分について
は同一符号を付し、その説明は省略する。
は同一符号を付し、その説明は省略する。
１１はフランジ４の内側に覆うように設けたカバーリン
グで例λば石英ガラスで形成されている。
グで例λば石英ガラスで形成されている。
さらに、前記カバーリング１１は内部中空となりており
、内側にヒータ１２が、その内側には断熱材１３が配設
された２層構造となっている。なお、前記ヒータ１２は
その温度を熱電対】４により検出され図示しない制御装
置で制御されるように構成されている。なお、１５はジ
クロロシランやアンモニア等のガス配管、１６は冷却水
配管、１７は真空ポンプである。
、内側にヒータ１２が、その内側には断熱材１３が配設
された２層構造となっている。なお、前記ヒータ１２は
その温度を熱電対】４により検出され図示しない制御装
置で制御されるように構成されている。なお、１５はジ
クロロシランやアンモニア等のガス配管、１６は冷却水
配管、１７は真空ポンプである。
次に動作について説明する。まずインナーチューブ１内
を窒素ガスで置換した後真空ポンプ】７を動作させて、
所定の圧力までインナーチューブ１内を減圧する。そし
て、反応ガスとしてＳ ｒ ＨａＣＪ３を及びＮＨ８を
それぞれガス配管１５ａ及び１５ｂを介してインナーチ
ューブ１内に導入する。このとき、カバーリング１１の
内壁面１１ａの温度はＳｉ、Ｎ４の生成温度である７５
０〜９５０ＣあるいはＮＨ４Ｃ１が析出しない高温に維
持されるようにヒータ１２の温度が調整されている。な
お、前記ヒータ１２の熱は断熱材１３でさえぎられフラ
ンジ４Ｋまで伝導しにくいので０９．ング７が熱劣化す
るようなことはない。このようなインナーチュ−プｌ内
にＳ ｉＨ，Ｃｌ５ｔガスやＮＨ，ガスを導入するとヒ
ータ３により前記インナーチューブ１が所定温度に加熱
されているため、両ガスが反応してチューブ１内に載置
しているウエノ・（図示せず）表面上にＳｉ、Ｎ４膜が
形成される。
を窒素ガスで置換した後真空ポンプ】７を動作させて、
所定の圧力までインナーチューブ１内を減圧する。そし
て、反応ガスとしてＳ ｒ ＨａＣＪ３を及びＮＨ８を
それぞれガス配管１５ａ及び１５ｂを介してインナーチ
ューブ１内に導入する。このとき、カバーリング１１の
内壁面１１ａの温度はＳｉ、Ｎ４の生成温度である７５
０〜９５０ＣあるいはＮＨ４Ｃ１が析出しない高温に維
持されるようにヒータ１２の温度が調整されている。な
お、前記ヒータ１２の熱は断熱材１３でさえぎられフラ
ンジ４Ｋまで伝導しにくいので０９．ング７が熱劣化す
るようなことはない。このようなインナーチュ−プｌ内
にＳ ｉＨ，Ｃｌ５ｔガスやＮＨ，ガスを導入するとヒ
ータ３により前記インナーチューブ１が所定温度に加熱
されているため、両ガスが反応してチューブ１内に載置
しているウエノ・（図示せず）表面上にＳｉ、Ｎ４膜が
形成される。
（１１冷却水が流され低温となっているフランジの内側
にカバーリングを配設することにより、ガスが前記フラ
ンジにより冷却されて不純物が析出するのを防止するこ
とができるので、被処理体の表面に前記不純物が付着す
るのを低減することができるという効果が得られる。
にカバーリングを配設することにより、ガスが前記フラ
ンジにより冷却されて不純物が析出するのを防止するこ
とができるので、被処理体の表面に前記不純物が付着す
るのを低減することができるという効果が得られる。
（２１冷却水が流され低温となりでいるフランジの内側
にカバーリングを設けるとともに前記カバーリング内に
ヒータを配設することにより、ガスが前記フランジによ
り冷却されることがなく少なくとも不純物が析出する温
度以上に加熱することができるので、不純物の析出を防
止でき、被処理体表面に不純物が付着する問題を解決で
きるという効果が得られる。
にカバーリングを設けるとともに前記カバーリング内に
ヒータを配設することにより、ガスが前記フランジによ
り冷却されることがなく少なくとも不純物が析出する温
度以上に加熱することができるので、不純物の析出を防
止でき、被処理体表面に不純物が付着する問題を解決で
きるという効果が得られる。
（３）冷却水が流され低温となっているフランジの内側
にカバーリングを設けるとともに前記カバーリング内に
ヒータを配設し、かつ前記ヒータの温度を制御するため
の熱電対を設けることにより、カバーリングを不純物が
析出しない最適温度に設定できるという効果が得られる
。
にカバーリングを設けるとともに前記カバーリング内に
ヒータを配設し、かつ前記ヒータの温度を制御するため
の熱電対を設けることにより、カバーリングを不純物が
析出しない最適温度に設定できるという効果が得られる
。
（４１カバーリングの内側にヒータ、外側に断熱材と２
層構造にすることにより、前記ヒータの熱が０リングに
伝達されにくいので、Ｏリングの熱劣化を早めるという
問題もない。
層構造にすることにより、前記ヒータの熱が０リングに
伝達されにくいので、Ｏリングの熱劣化を早めるという
問題もない。
”以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづ
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、フランジ
自体にヒータ等を埋設する構成としても良い。さらには
ドアにもヒータを配設してもより効果的に不純物の発生
を防止することができる。
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、フランジ
自体にヒータ等を埋設する構成としても良い。さらには
ドアにもヒータを配設してもより効果的に不純物の発生
を防止することができる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハの膜形成技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、たとえば、温度コントロールが必要な化
学的気相成長技術全てに適用することか可能である。
をその背景となった利用分野であるウェハの膜形成技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、たとえば、温度コントロールが必要な化
学的気相成長技術全てに適用することか可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例である低圧膜形成装置の側部
断面図、 第２図は本発明の一実施例である低圧膜形成装置の長手
方向断面図、 第３図は本発明の一実施例である低圧膜形成装置の全体
構成図、 第４図は従来の低圧膜形成装置の側部断面図である。 ｌ・・・インナーチューブ、２・・・アウターチューブ
、３・・・ヒータ、４・・・フランジ、５・・・ドア、
６°°°チエープ外壁、７・・・ＯＩＪソング８・・・
中空部、９・・・ＮＨ，Ｃ＃粒、 １１・・・カバーリ
ング、１２・・・ヒータ、１３・・・断熱材、１４・・
・熱電対、】５・・・ガス配管、１６・・・冷却管、１
７・・・真空ポンプ。、−ｆｆｆｆ１人＃ＭＡ−／ｌ＼
Ｉｌｌ Ｐｌａｊｊｌ ′第 １ 図 第 ２ 図 １Ｋ’
断面図、 第２図は本発明の一実施例である低圧膜形成装置の長手
方向断面図、 第３図は本発明の一実施例である低圧膜形成装置の全体
構成図、 第４図は従来の低圧膜形成装置の側部断面図である。 ｌ・・・インナーチューブ、２・・・アウターチューブ
、３・・・ヒータ、４・・・フランジ、５・・・ドア、
６°°°チエープ外壁、７・・・ＯＩＪソング８・・・
中空部、９・・・ＮＨ，Ｃ＃粒、 １１・・・カバーリ
ング、１２・・・ヒータ、１３・・・断熱材、１４・・
・熱電対、】５・・・ガス配管、１６・・・冷却管、１
７・・・真空ポンプ。、−ｆｆｆｆ１人＃ＭＡ−／ｌ＼
Ｉｌｌ Ｐｌａｊｊｌ ′第 １ 図 第 ２ 図 １Ｋ’
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガスを流入し、所定の雰囲気で前記ガスを反応させ
て被処理体表面上に膜を形成する円筒状のインナーチュ
ーブと、前記インナーチューブ内の雰囲気と外気を遮断
するためのドアと、前記インナーチューブとドアとを連
結するフランジを有する膜形成装置において、前記フラ
ンジの内壁面が前記ガスと接触しないように前記フラン
ジの内側にカバーリングを配設したことを特徴とする膜
形成装置。 ２、前記カバーリングにはヒータが埋設されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19195385A JPS6254080A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19195385A JPS6254080A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254080A true JPS6254080A (ja) | 1987-03-09 |
Family
ID=16283199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19195385A Pending JPS6254080A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6254080A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5030476A (en) * | 1988-07-22 | 1991-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Process and apparatus for the formation of a functional deposited film on a cylindrical substrate by means of microwave plasma chemical vapor deposition |
| JPH08321468A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-12-03 | Nec Corp | 気相成長装置 |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP19195385A patent/JPS6254080A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5030476A (en) * | 1988-07-22 | 1991-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Process and apparatus for the formation of a functional deposited film on a cylindrical substrate by means of microwave plasma chemical vapor deposition |
| US5439715A (en) * | 1988-07-22 | 1995-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Process and apparatus for microwave plasma chemical vapor deposition |
| JPH08321468A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-12-03 | Nec Corp | 気相成長装置 |
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