JPS6253349A - フオトレジスト膜の剥離方法 - Google Patents
フオトレジスト膜の剥離方法Info
- Publication number
- JPS6253349A JPS6253349A JP60192033A JP19203385A JPS6253349A JP S6253349 A JPS6253349 A JP S6253349A JP 60192033 A JP60192033 A JP 60192033A JP 19203385 A JP19203385 A JP 19203385A JP S6253349 A JPS6253349 A JP S6253349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- peeling
- resist film
- fluoroethane
- dichloro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
- Y02W30/00—Technologies for solid waste management
- Y02W30/50—Reuse, recycling or recovery technologies
- Y02W30/62—Plastics recycling; Rubber recycling
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
- Separation, Recovery Or Treatment Of Waste Materials Containing Plastics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、活性光線露光罠より硬化し、基板に接着した
フォトレジスト膜の剥離方法に関する。
フォトレジスト膜の剥離方法に関する。
さらに詳しくは、有機溶剤可溶型の光硬化したフォトレ
ジスト膜の剥離方法に関する。
ジスト膜の剥離方法に関する。
光硬化型のフォトレジストは、プリント配線板やＬＳＩ
等の製造等に用わられる。比とえば、プリント配線板調
造の場合、有機溶剤やアルカリ可溶型のフォトレジスト
をプリント配線用の銅基板だ積層しｔ後５画像露光を行
ない、１，１．１−）リクロルエタンや苛性ソーダ等の
稀薄アルカリ水等で未露光部分を除いて現像を行なう。
等の製造等に用わられる。比とえば、プリント配線板調
造の場合、有機溶剤やアルカリ可溶型のフォトレジスト
をプリント配線用の銅基板だ積層しｔ後５画像露光を行
ない、１，１．１−）リクロルエタンや苛性ソーダ等の
稀薄アルカリ水等で未露光部分を除いて現像を行なう。
活性光線の照射で硬ｆヒした部分は銅基板上に残りこの
部分は回路形成の友めのエツチングやメッキ処理工程を
経た後に、適当な剥離剤を用いて基板から除去される。
部分は回路形成の友めのエツチングやメッキ処理工程を
経た後に、適当な剥離剤を用いて基板から除去される。
（従来の技術）
このような工程において、溶剤可溶型のフォトレジスト
の光硬化膜の剥離は、従来では一般的に。
の光硬化膜の剥離は、従来では一般的に。
メチレンクロライドもしくはメチレンクロライドを主成
分とする混合溶剤中に、硬ｆｌＺ膜の接着した基板を単
に浸漬するとか、浸ｔｊｔ後、揺動した夛。
分とする混合溶剤中に、硬ｆｌＺ膜の接着した基板を単
に浸漬するとか、浸ｔｊｔ後、揺動した夛。
超音波を作用させるとか、あるいは基板に剥！液をスプ
レーするとかの方法等によって行なわれている。
レーするとかの方法等によって行なわれている。
（発明が解決しようとする問題点）
近年、回路パターンが細密化されるにしたがって、硬化
膜を剥離する工程が極めて重要になってきた。回路パタ
ーンに損傷を与えることなく、正確に硬化膜を除去しな
ければならない。また、生産性を上げる友めにも、迅速
に除去する必要がある。しかしながら、従来のメチレン
クロライドを主体とした剥離浴剤では、その性能の点か
ら、もはやこのような状況に対応できない。特ＶＣ１そ
の沸点が低く、処理温度を上げられないという実用上の
制約の友めに、その性能の改善に限界を生じている。
膜を剥離する工程が極めて重要になってきた。回路パタ
ーンに損傷を与えることなく、正確に硬化膜を除去しな
ければならない。また、生産性を上げる友めにも、迅速
に除去する必要がある。しかしながら、従来のメチレン
クロライドを主体とした剥離浴剤では、その性能の点か
ら、もはやこのような状況に対応できない。特ＶＣ１そ
の沸点が低く、処理温度を上げられないという実用上の
制約の友めに、その性能の改善に限界を生じている。
（問題点を解決する友めの手段）
本発明者らは、このような問題点を解決しようとして種
々検討を行なつ几結果、沸点が高く、硬化膜の剥離性が
高い溶剤全見出し、本発明に到達した。
々検討を行なつ几結果、沸点が高く、硬化膜の剥離性が
高い溶剤全見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発８Ａは、（１） １ ＊ ２−ジクロロ
−１−フルオロエタン（以下、フロン１４１といつ）４
）Ｌ、＜ｕ（２）ｙロン１４１を主成分とし、これにメ
タノール、エタノール、プロパノール、イソブタノール
、ブタノール、イソブタノール、第３級ブタノール、酢
酸メチル、酢酸エチル、アセトニトリル、アセトン、メ
チルエチルケトン、ニトロメタンより選ばれる１種以上
を含有させた溶剤で剥離することを特徴とする光硬化し
たフォトレジスト膜の剥離方法を与える。
−１−フルオロエタン（以下、フロン１４１といつ）４
）Ｌ、＜ｕ（２）ｙロン１４１を主成分とし、これにメ
タノール、エタノール、プロパノール、イソブタノール
、ブタノール、イソブタノール、第３級ブタノール、酢
酸メチル、酢酸エチル、アセトニトリル、アセトン、メ
チルエチルケトン、ニトロメタンより選ばれる１種以上
を含有させた溶剤で剥離することを特徴とする光硬化し
たフォトレジスト膜の剥離方法を与える。
フロン１４１に含有させる上述溶剤の量は、特に制限が
ないが、通常、全体量の３０重量％以下である。これよ
り多くなると、溶剤の引火性が強くなつ友り、かえって
フロン１４１の優れた特性が減殺される等の弊害がでて
得策でない。また。
ないが、通常、全体量の３０重量％以下である。これよ
り多くなると、溶剤の引火性が強くなつ友り、かえって
フロン１４１の優れた特性が減殺される等の弊害がでて
得策でない。また。
硬化膜の剥離性を著しく阻害しない範囲で、溶剤の安定
性を改良し九り、共沸性を改良する等の他の目的の九め
に、１，２−ブチレンオキシドやアミン類や酸化防止剤
や炭化水素類を混合させることはできる。
性を改良し九り、共沸性を改良する等の他の目的の九め
に、１，２−ブチレンオキシドやアミン類や酸化防止剤
や炭化水素類を混合させることはできる。
本発明の方法による硬化膜の剥離は、フロン１４１ｆ：
単独で用いても十分に行えるが、一層幼来的には、上述
の溶剤をフロン１４１に混合させることが望ましい、％
に硬化膜の剥離に際して。
単独で用いても十分に行えるが、一層幼来的には、上述
の溶剤をフロン１４１に混合させることが望ましい、％
に硬化膜の剥離に際して。
その工程中に水分が混入すると、剥離能力が低下したり
、回路パターンに沿って剥離した膜の微細片が残存しや
すい傾向があるが、本発明に示す混合溶剤を用いるとき
は、そのような現象を抑止することができる。
、回路パターンに沿って剥離した膜の微細片が残存しや
すい傾向があるが、本発明に示す混合溶剤を用いるとき
は、そのような現象を抑止することができる。
さらに５本発明の方法には、一般に行なわれている方法
が適用できる。すなわち、硬化膜を有する基板全剥離溶
剤に浸漬しておく方法、浸漬して超音波を作用させたり
、溶剤を機械的に攪拌したり、基板を揺動したりする方
法、溶剤を基板上にスプレーしたり、流下する方法等が
採用される。
が適用できる。すなわち、硬化膜を有する基板全剥離溶
剤に浸漬しておく方法、浸漬して超音波を作用させたり
、溶剤を機械的に攪拌したり、基板を揺動したりする方
法、溶剤を基板上にスプレーしたり、流下する方法等が
採用される。
本発明の効果を十分に発揮させるには、剥離溶剤の温度
金３０〜７０Ｃの範囲に、さらに好ましくは５０〜７０
Ｃの範囲に設定するのがよい。
金３０〜７０Ｃの範囲に、さらに好ましくは５０〜７０
Ｃの範囲に設定するのがよい。
本発明の方法は、荷にアクリレート系のフォトレジスト
に対して有効である。
に対して有効である。
（実施例）
以下に実施例によって本発明の効果を示す。
実施例および比較例
銅張積層板にフォトレジストフィルム（ＲＩＳＴＯＮ；
デュポンファーイースト社製〕ヲラミネートし友ものを
一定の回路パターンに露光し、１，１．１−トリクロル
エタンで現像する。さらに、通常の方法にし７’（がっ
てエツチングを行ない、回路パターンを形成する。これ
を試験板にして１表に示す溶剤を剥離液にして、同じく
表に示す温度で超音波洗浄機ＣＢＲＡＳＯＮＩＣ３２；
ブ２ンノン社製）を使って、超音派を作用させつつ３０
秒間処理する。なお、試験に用いる溶剤中の水分は全て
１０００泗に調節する。処理後、試験板を風乾し、顕微
説下で試験板の回路パターンを走資し、硬（ｔＭの残渣
の有無金銭察する。結果全表に示す。なお、表中に示す
％は全て重量％を表わす。
デュポンファーイースト社製〕ヲラミネートし友ものを
一定の回路パターンに露光し、１，１．１−トリクロル
エタンで現像する。さらに、通常の方法にし７’（がっ
てエツチングを行ない、回路パターンを形成する。これ
を試験板にして１表に示す溶剤を剥離液にして、同じく
表に示す温度で超音波洗浄機ＣＢＲＡＳＯＮＩＣ３２；
ブ２ンノン社製）を使って、超音派を作用させつつ３０
秒間処理する。なお、試験に用いる溶剤中の水分は全て
１０００泗に調節する。処理後、試験板を風乾し、顕微
説下で試験板の回路パターンを走資し、硬（ｔＭの残渣
の有無金銭察する。結果全表に示す。なお、表中に示す
％は全て重量％を表わす。
（発明の効果）
このように、本発明の方法にしたがえば、細密回路パタ
ーンにおけるフォトレジストの４ｄ （ヒ膜の剥離を短
時間で完全に行なうことができる。
ーンにおけるフォトレジストの４ｄ （ヒ膜の剥離を短
時間で完全に行なうことができる。
Claims (1)
- （１）１，２−ジクロロ−１−フルオロエタンもしくは
（２）１，２−ジクロロ−１−フルオロエタンを主成分
とし、これにメタノール、エタノール、プロパノール、
イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、第３
級ブタノール、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトニトリ
ル、アセトン、メチルエチルケトン、ニトロメタンより
選ばれる１種以上を含有させた溶剤で剥離することを特
徴とする光硬化したフォトレジスト膜の剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192033A JPS6253349A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | フオトレジスト膜の剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192033A JPS6253349A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | フオトレジスト膜の剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6253349A true JPS6253349A (ja) | 1987-03-09 |
Family
ID=16284480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60192033A Pending JPS6253349A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | フオトレジスト膜の剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6253349A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5114609A (en) * | 1989-01-13 | 1992-05-19 | Kali-Chemie Ag | Cleaning compositions |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP60192033A patent/JPS6253349A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5114609A (en) * | 1989-01-13 | 1992-05-19 | Kali-Chemie Ag | Cleaning compositions |
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