JPS6252710B2 - - Google Patents

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JPS6252710B2
JPS6252710B2 JP15076582A JP15076582A JPS6252710B2 JP S6252710 B2 JPS6252710 B2 JP S6252710B2 JP 15076582 A JP15076582 A JP 15076582A JP 15076582 A JP15076582 A JP 15076582A JP S6252710 B2 JPS6252710 B2 JP S6252710B2
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JP
Japan
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resistor
heating
temperature
voltage
data
Prior art date
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Expired
Application number
JP15076582A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5941280A (ja
Inventor
Tooru Sanbe
Akihiro Asada
Gichu Oota
Shigemitsu Higuchi
Toshihiko Nakajima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57150765A priority Critical patent/JPS5941280A/ja
Publication of JPS5941280A publication Critical patent/JPS5941280A/ja
Publication of JPS6252710B2 publication Critical patent/JPS6252710B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/315Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
    • B41J2/32Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
    • B41J2/345Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は電話フアクシミリ、感熱ラインプリン
タ等に用いられる感熱ラインヘツドなどに使用さ
れる熱移送素子に関する。
〔従来の技術〕
電話フアクシミリ、感熱式ラインプリンタに用
いられる感熱ラインヘツド等においては、微小な
発熱素子が多数個用いられている。従来の感熱ラ
インヘツドではセラミツク等の基板上に複数個の
発熱素子が形成され、各発熱素子には端子が設け
られ、その端子に各素子ごとの駆動回路が接続さ
れ、さらに各駆動回路には発熱素子の発熱、非発
熱を決定するデータを与える信号線が接続されて
いる。そのため、発熱素子の素子数と同数の引出
線をつける必要があり、基板の寸法が大きくな
る。また、発熱素子の素子数と同数の駆動回路が
必要である。また、感熱ヘツドを組立する時に発
熱素子の基板と駆動回路を接続する必要がある。
それ故に、感熱ラインヘツドが非常に高価になつ
ている。駆動回路を簡略化するために、1個の駆
動回路で2個以上の発熱素子を切換えて駆動した
り、駆動回路を、シフトレジスタを内蔵した集積
回路により構成して部品点数を低減し、かつデー
タ入力を簡単にするなどのくふうがなされてい
る。しかし、発熱素子と駆動回路とを接続する配
線の数を低減することはできない。
第1図は従来の発熱ヘツドの構造を示す斜視図
である。セラミツク等の絶縁物の基板1上に発熱
抵抗体2が設けられ、発熱抵抗体2には端子3
a,3b,3c,3e,3f,3gが接続されて
いる。さらに端子3a,3b,3c,3e,3
f,3gは、引出線4a,4b,4c,4e,4
f,4gに接続されている。引出線4a,4b,
4c,4e,4f,4gは駆動回路(図示せず)
に接続されている。このように従来の発熱ヘツド
では、発熱抵抗体2よりも、端子3a〜3g、引
出線4a〜4gが基板1の面積の大部分を占めて
いる。特に引出線4a〜4gの部分は圧着、ハン
ダ付、ワイアボンデイング等により他部品と接続
されるために大面積を要する。第2図は従来の駆
動回路の一例を示す回路図である。共通電極5a
または5bに電圧が加えられ、駆動トランジスタ
6bが導通すると、電極5a,5b、端子3bで
区切られた発熱抵抗体2の微小部分(以下発熱素
子と呼ぶ)2bまたは2cに電流が流れ、発熱素
子2b,2cは発熱する。この構成では、駆動ト
ランジスタ6a,6b,6cの数は発熱素子2
a,2b,2cの数の半分で良いが、共通電極5
a,5bと発熱素子2a,2b,2cの間にダイ
オード10a,10b,10cが必要であり、発
熱素子2a,2b,2cを、駆動トランジスタ6
a,6b,6cおよび分離用ダイオード10a,
10b,10cに接続する端子3a,3b,3
c,11a,11b,11cは発熱素子2a,2
b,2cの数と同数になる。フアクシミリでは発
熱素子2a,2b,2cは1mmあたり8個の密度
で並べられており、A4サイズおよびレターサイ
ズを扱うフアクシミリでは、端子3a,3b,3
c,11a,11b,11cの数は1728個にも達
する。すなわち、上記の従来のフアクシミリ用感
熱ラインヘツドを組立てる場合、1728個の引出
線、同数の駆動回路との接続作業、864個の駆動
トランジスタ、1728個のダイオードが必要にな
る。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、発熱素子に個別に接続される
駆動回路やダイオードを必要としない発熱素子を
提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明では発熱素子自身にデータ転送および記
憶能力を持たせる。
本発明は、負の温度特性を持つ感温半導体で作
られた抵抗体素子に、ある値以上の電圧を印加す
ると、抵抗体素子の自己発熱により抵抗体素子の
抵抗値が低下して、抵抗体素子の中を流れる電流
が急増する現象を利用している。第3図、第4図
はこの種の感温半導体の一種である酸化バナジウ
ム(VO2)の電気抵抗の特性の一例を示す線図で
ある。第3図は、抵抗体素子の温度が臨界温度
Tcを越えると、抵抗体素子の直流抵抗値が値RL
から値RHに急減することを示している。また第
4図は、環境温度t1,t2において、抵抗体素子に
印加する電圧を大きくして行くと、臨界電圧
Vc1,Vc2までは抵抗体素子に流れる電流による
自己発熱と抵抗体素子からの放熱が平衡して、電
圧の上昇に伴い抵抗体素子に流れる電流が単調増
加するが、臨界電圧Vc1,Vc2を越えると、抵抗
体素子の温度が第3図の臨界温度Tcを越え、そ
の抵抗値が激減し、電圧を減らしても電流が急増
することを示している。このときの電流は、第3
図の直流抵抗値RHにより決まる。第4図に示さ
れる特性は、抵抗体素子の材質、形状により変化
する。
第4図に示すように、臨界電圧Vc1,Vc2は抵
抗体素子の環境温度t1,t2により異なり、環境温
度が高いほど臨界電圧は低くなる。したがつて、
適当な電圧Vが抵抗体素子に印加されると、環境
温度が温度t1のときは臨界電圧Vc1に達しないた
め抵抗体素子には微少電流I1しか流れず、環境温
度が温度t1よりも高い温度t2のときは電圧Vは臨
界電圧Vc2以上になるため、大電流I2が抵抗体素
子の中を流れるような状態になる。なお、このと
きに抵抗体素子に印加される電圧Vを一定に保つ
ておけば、電流の急増により抵抗体素子の入力電
力も急増し、抵抗体素子の温度は臨界温度より高
くなる。一例として、t1=20℃、t2=75℃、印加
電圧Vを4Vとして、I1=0.26mA、I2=23mA、
素子の到達温度約250℃という抵抗体素子を製作
することができる。したがつて、何らかの方法で
抵抗体素子の環境温度または抵抗体素子自身の温
度を外部から制御してやれば、この種の抵抗体素
子は、高温状態がオン、低温状態がオフとなる熱
的なスイツチあるいは記憶素子として動作するこ
とになる。以下、ある印加電圧に対し素子がオン
状態になる抵抗体素子の環境温度の最低値を切換
温度と称する。
この種の抵抗体素子を多数個、隣接する抵抗体
素子が相互に熱的に結合されるように近接して一
列に配置し、その一端の第1の抵抗体素子に電圧
をかけ、かつ抵抗体素子の温度が切換温度より高
くなるように外部から加熱してやると、第1の抵
抗体素子はオン状態になる。すると前述のように
第1の抵抗体素子の温度は切換温度より上昇し、
そして、隣接する第2の抵抗体素子を加熱する。
次に第2の抵抗体素子が切換温度に達したところ
で、第2の抵抗体素子に電圧を印加し、同時に第
1の抵抗体素子に印加していた電圧を切断する
と、第2の抵抗体素子がオン状態になり、第1の
抵抗体素子の温度は低下する。この操作を第3の
抵抗体素子およびそれに続く抵抗体素子に対して
次々に行なうと、第1の抵抗体素子にあつたオン
状態を第2の抵抗体素子、第3の抵抗体素子に
次々に転送することができ、シフトレジスタと同
様な動作を実現できる。多数のオン状態(デー
タ)を次々に転送するには、以上の操作を繰返し
て行なえばよい。以下、上記のような操作を行な
う素子を熱移送素子と呼ぶ。
本発明の熱移送素子では、オン状態の抵抗体素
子は、フアクシミリ、プリンタ等に用いられる感
熱紙を発色させるのに充分な温度にすることがで
きるので、感熱紙を圧着するだけで印字を行なう
ことができる。
なお、以上に説明した動作は、かならずしも第
3図に示した明確な臨界温度を持たなくても、負
の温度特性を持ち、第4図に示す特性を持つ抵抗
体素子でも実現することができる。
〔発明の実施例〕
第5図は本発明の熱移送素子の一実施例を示す
斜視図である。絶縁物の基板1の上に共通電極5
が設けられ、その上に感温半導体の発熱抵抗体7
が形成されている。さらにその上には電極(以下
端子と記載する)3N-2〜3N+3が形成されてい
る。端子3N-2〜3N+3は、3個目ごとに互に電気
的に接続されてそれぞれ電極群を形成し、それぞ
れの電極群は信号線8−1,8−2,8−3に接
続されている。
第6図は、第5図の構造の熱移送素子の動作を
説明する図である。まず端子3Nと共通電極5の
間に電圧が印加され、端子3Nの下の部分の発熱
抵抗層7aが発熱している。この状態にあると
き、端子3Nの直下の発熱抵抗層7aで発生した
熱は発熱抵抗体7の中を伝熱し、端子3N+1と3N
−1の直下の発熱抵抗層7b,7cの温度も上昇さ
せる。この結果第6図aに破線で示された発熱抵
抗体7は発熱によりその抵抗値が減少している。
そこで端子3Nに印加されている電圧を切断し、
端子3N+1に電圧を印加すると、第6図bに示す
ように、端子3Nに隣接した端子3N+1の下の発熱
抵抗層7cの温度が切換温度を越え、その抵抗値
が下つているために、発熱抵抗層7cに電流が流
れる。やがて電流が流れている部分からの発熱に
より端子3N+1の下の発熱抵抗層7cの全体に電
流が流れ、第6図cに示すように発熱部分が拡大
し、低抵抗部分が形成される。以下同様に端子3
N+1の電圧を切断して端子3N+2に電圧を印加する
と、発熱部分は端子3N+2の下へと移動する。は
じめの第6図aの状態で端子3Nの下の発熱抵抗
層7aが発熱していないと、上記の動作は起ら
ず、電圧を印加する端子を順次移動しても、どの
端子の下の発熱抵抗体7も発熱しない。この場合
はオフ状態を転送したと解釈することができる。
以上の説明では発熱抵抗体7中を熱が伝ぱんす
るとして説明したが、共通電極5および端子3の
熱抵抗が小さいため、この両者を通しての伝熱も
無視できない。端子3の部分の伝熱は動作の障害
にはならないが、共通電極5を通しての伝熱は上
記の動作に支障があるので、熱移送素子の設計に
当つては、共通電極5の厚さを充分薄くする等の
対策が必要である。
第7図は、第6図の熱移送素子の駆動手段を示
した図で、第7図aは端子の接続回路を示し、第
7図bは信号線8−1,8−2,8−3に印加さ
れるクロツクパルスの波形を示している。発熱部
分に隣接する電極に電圧を印加した時のみ発熱部
分が移動することを利用し、3相クロツクパルス
φ,φ,φを用いて、左から右へと発熱部
分を転送することができる。2相のクロツクでも
発熱部分の移動は起るが、移動方向が確定しない
ため使用できない。第7図の構成であれば、熱移
送素子を駆動するための引出線は信号線8−1,
8−2,8−3共通電極5を含めて4本であり、
駆動回路は3個でよい。これが本発明の最大の利
点であり、従来技術と比較して駆動回路の部品点
数、組立時の接続点数を格段に低減することがで
きる。また、第5図では理解を容易にするため
に、端子3N-2〜3N+2、クロツク電極8−1,8
−2,8−3が比較的大きく図示されているが、
実際の熱移送素子では両者とも発熱抵抗体7の幅
に比較して10分の1程度の幅があれば良く、基板
の面積も、従来のヘツドより小さくすることがで
きる。したがつて、部品点数、接続点数の低減と
あわせて従来技術よりも格段に安価な感熱ライン
ヘツドを実現できる。
第7図aに示される電極9は熱移送素子にデー
タを入力するための入力電極で、入力データがデ
ータ“1”のときはトランジスタ10をオン状態
にして、臨界電圧より高い電圧Vccを入力電極9
に印加し、入力電極9の直下の発熱抵抗層7dを
発熱させる。入力データがデータ“0”のときは
トランジスタ10をオフ状態にして発熱抵抗層7
dを非発熱状態とする。入力データをクロツクパ
ルスφに同期して与えれば、入力データ
“1”、“0”を発熱抵抗体7の発熱状態と非発熱
状態に変換して熱移送素子に転送することができ
る。
第6図、第7図aに示された熱移送素子を、た
とえばフアクシミリの感熱ヘツドとして用いるに
は次のようにする。まず熱移送素子の端子3の数
は感熱ヘツドとして用いられる素子数の3倍用意
される。印字すべきデータは、第7図bに示され
るように、時刻t1において、入力端子11からク
ロツクパルスφに同期して発熱抵抗層7dに入
力され、クロツクパルスφ,φにより熱移送
素子の発熱抵抗体7の中に時刻t2,t3,to-1,t
o,to+1でデータが転送される。1ライン分のデ
ータの転送が終了した時刻txで、例えばクロツ
クパルスφが印加される信号線8−3に電圧V
が印加し続けられる。信号線8−3に接続された
電極3の下部の発熱抵抗層にはデータ“1”、
“0”が発熱状態と非発熱状態の形で記憶されて
いる。すなわち、熱移送素子の端子3個につき1
個の割合でデータが記憶されている。
時刻tx以後、時刻tyまで、信号線8−3に電
圧Vが印加され続けると、データ“1”が記憶さ
れた発熱抵抗体7は高温となる。
この状態で感熱紙を熱移送素子に圧着すると、
データ“1”が記憶されている感熱ヘツド素子が
高温になつているため、感熱紙は発色する。印字
を鮮明にするには、第8図に示すように印字に用
いる端子3N,3N+3だけ面積を大きくしてもよ
い。なお、第8図においては、1ライン分のデー
タが転送された後、信号線8−1に電圧Vが印加
し続けられ、感熱紙が発色する。第5図に示され
た熱移送素子では、印字に用いられる感熱ヘツド
素子の密度は端子3の密度の3分の1になるが、
隣合つた3つの端子で1ラインのデータを3回に
分けて印字すれば両者の密度が等しくなる。例え
ば最初に、印字すべきデータの右端から教えて1
番目、4番目、7番目…3N+1番目(Nは正の整
数)と3個ごとのデータを取り出して熱移送素子
に転送する。その後上記と同様にクロツクパルス
φ,φ,φを停止し、信号線8−3に電圧
Vを印加し、1回目の印字を行なう。次に2番
目、5番目…3N+2番目のデータを転送し、クロ
ツクパルスφ,φ,φを停止して、信号線
8−2に電圧Vを印加し2回目の印字を行なう。
最後に3番目、6番目…3N番目のデータを転送
して、クロツクパルスφ,φ,φを停止し
て、信号線8−1に電圧Vを印加し、3回目の印
字を行なう。したがつて熱移送素子の各感熱ヘツ
ド素子が1回ずつ印字素子として動作することに
なり、目的が達せられる。
上記のどちらの方法でも、クロツクパルスの繰
返し周波数を高くして行くと、感熱ヘツド素子が
熱平衡に達する以前に転送が行なわれるようにな
り、第9図に示すように、転送時のクロツクパル
スより長いオン時間を持つパルス電圧を信号線8
−1,8−2又は8−3に印加すると、第9図a
に示されるように、第9図bに示される転送時よ
りも、感熱ヘツド素子の温度が上昇する。このこ
とを利用して、転送時の素子の温度を感熱紙の発
色温度より低くし、印字時にオン時間の長いパル
ス電圧を信号線8−1,8−2又は8−3に印加
することにより、はじめて感熱紙の発色温度以上
の温度を得るようにすることができる。このよう
に構成すると、データ転送時に、感熱紙が発色す
るおそれがないため、感熱紙を熱移送素子に圧着
したままでデータ転送を行なうことができる。な
お、オン時間の長いパルス電圧を信号線8−1,
8−2,8−3に印加するかわりに、印加電圧V
の値を高くしても同様の効果が得られる。この場
合にはオフ状態の感熱ヘツド素子の臨界電圧を越
えない範囲にとどめなければならない。いずれの
場合でも、熱移送素子の切換温度が感熱紙の発色
温度よりも低く、かつクロツクパルスのオン時間
内に転送が行なえるように、適切な素子の設計を
することが必要であることは言うまでもない。
〔発明の効果〕
以上に説明したように、本発明によれば、簡単
な外部回路を付加するだけでデータ転送、記憶の
能力を持つ発熱素子を得ることができるので、安
価な感熱ラインヘツドを実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の感熱ヘツドを示す斜視図、第2
図は従来の感熱ヘツドの駆動回路を示す回路図、
第3図と第4図は本発明に使用する感温半導体の
特性の一例を示す特性図、第5図は本発明による
熱移送素子の一実施例を示す斜視図、第6図は第
5図の実施例の動作を説明する模式図、第7図は
本発明の熱移送素子の回路図及びクロツクパルス
の波形図、第8図は本発明の別の実施例を示す斜
視図、第9図は発熱素子の電圧印加時間と温度上
昇の関係を示す特性図である。 1……基板、3N-2〜3N+2……端子(電極)、
5……共通電極、7……発熱抵抗体、8−1,8
−2,8−3……信号線、9……入力電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 抵抗値の温度係数が負の値で、その温度係数
    がある温度で急変する特性を有し、板状に形成さ
    れた抵抗体と、この抵抗体上に形成された共通電
    極と、上記抵抗体の端部に配設され、記録データ
    の有無に応じてスイツチングされる入力電極と、
    上記抵抗体上に配設され、互にN(N≧3)個ご
    とに共通に接続された複数の電極と、この複数の
    電極に接続され、入力電極に供給された記録デー
    タを移送すべく、クロツクパルスを上記複数の電
    極に供給するN個の信号線とからなることを特徴
    とする熱移送素子。
JP57150765A 1982-09-01 1982-09-01 熱移送素子 Granted JPS5941280A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57150765A JPS5941280A (ja) 1982-09-01 1982-09-01 熱移送素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57150765A JPS5941280A (ja) 1982-09-01 1982-09-01 熱移送素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5941280A JPS5941280A (ja) 1984-03-07
JPS6252710B2 true JPS6252710B2 (ja) 1987-11-06

Family

ID=15503922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57150765A Granted JPS5941280A (ja) 1982-09-01 1982-09-01 熱移送素子

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JPS5941280A (ja) 1984-03-07

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