JPS6252369B2 - - Google Patents
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- JPS6252369B2 JPS6252369B2 JP55178269A JP17826980A JPS6252369B2 JP S6252369 B2 JPS6252369 B2 JP S6252369B2 JP 55178269 A JP55178269 A JP 55178269A JP 17826980 A JP17826980 A JP 17826980A JP S6252369 B2 JPS6252369 B2 JP S6252369B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学再生されるビデオデイスク等の光
学式情報記録担体とその製造方法に関する。
学式情報記録担体とその製造方法に関する。
従来、光学式情報記録担体の保護層としてアク
リル材が使用されている。その理由はキヤステイ
ングにより製造するために旋光性を有しないこと
にある。しかしアクリル材の原料コストは、例え
ばポリ塩化ビニール系材料と比べると3倍も高価
である。更にアクリル材は材料固有の重大な欠点
として、もろいと云う欠点がある。光学再生の場
合、デイスクの回転数は1800r.p.mという高速回
転で再生しなければならず、アクリル材固有の欠
点であるもろさのためにデイスクが何らかの原因
により破壊した場合、再生機本体の破壊のみなら
ず、ユーザーにも危険を及ぼす可能性がある。こ
のような重大欠陥は、安全性という観点により、
光学再生機が各家庭に普及する前に至急に改善し
なければならない。
リル材が使用されている。その理由はキヤステイ
ングにより製造するために旋光性を有しないこと
にある。しかしアクリル材の原料コストは、例え
ばポリ塩化ビニール系材料と比べると3倍も高価
である。更にアクリル材は材料固有の重大な欠点
として、もろいと云う欠点がある。光学再生の場
合、デイスクの回転数は1800r.p.mという高速回
転で再生しなければならず、アクリル材固有の欠
点であるもろさのためにデイスクが何らかの原因
により破壊した場合、再生機本体の破壊のみなら
ず、ユーザーにも危険を及ぼす可能性がある。こ
のような重大欠陥は、安全性という観点により、
光学再生機が各家庭に普及する前に至急に改善し
なければならない。
そこで本発明は上記問題点を回避すべく成され
たものであつて、材料固有の性質として割れにく
く、かつ安価に供給可能な材料を用いて光学的性
能を満足することができる光学式情報記録担体と
その簡単な製造方法を提供するものである。
たものであつて、材料固有の性質として割れにく
く、かつ安価に供給可能な材料を用いて光学的性
能を満足することができる光学式情報記録担体と
その簡単な製造方法を提供するものである。
本発明の説明に先立ち、保護層の必要性と反射
光学式再生装置の原理を第1図〜第7図に基づい
て説明する。
光学式再生装置の原理を第1図〜第7図に基づい
て説明する。
レーザ〔He―Ne〕1よりの光2は、ビーム径
をレンズの開口と同程度に拡大するための中間レ
ンズ3偏光ビームスプリツタ4、λ/4板5を通
過した後、トラツキングミラー6によりボイスコ
イル上にマウントされた対物レンズ7に導びか
れ、ターンテーブル9上のデイスク8に焦点を結
ぶ。10はターンテーブル9を駆動するためのモ
ータである。レーザ1の偏波面と前記偏光ビーム
スプリツタ4の関係は、レーザ1からの光が全透
過し、λ/4板5の作用によりデイスク8からの
反射光が全反射するように決めて、レーザ1への
帰還効果が押えられる。デイスク8からの反射光
は偏光ビームスプリツタ4によつて全反射された
後、光電変換素子11に導かれ、デイスク8上の
λ/4の深さに相当する凹凸と中間部の平面部と
の変化に応じて情報を光電変換した後、復調回路
12で復調される。
をレンズの開口と同程度に拡大するための中間レ
ンズ3偏光ビームスプリツタ4、λ/4板5を通
過した後、トラツキングミラー6によりボイスコ
イル上にマウントされた対物レンズ7に導びか
れ、ターンテーブル9上のデイスク8に焦点を結
ぶ。10はターンテーブル9を駆動するためのモ
ータである。レーザ1の偏波面と前記偏光ビーム
スプリツタ4の関係は、レーザ1からの光が全透
過し、λ/4板5の作用によりデイスク8からの
反射光が全反射するように決めて、レーザ1への
帰還効果が押えられる。デイスク8からの反射光
は偏光ビームスプリツタ4によつて全反射された
後、光電変換素子11に導かれ、デイスク8上の
λ/4の深さに相当する凹凸と中間部の平面部と
の変化に応じて情報を光電変換した後、復調回路
12で復調される。
第2図はデイスク8の構成を示し、20,23
は本発明で云う保護層としての基板で、従来キヤ
ステイングにより製造されたアクリル材をスタン
パーを用いてプレスすることにより形成され、そ
の後、蒸着により反射層21,24が付けられて
いる。22,25はトツプコート層で、反射層2
1,24の蒸着面を保護する薄い〔100μ程度〕
層である。張り合せはトツプコート層22,25
間を接着剤26で接着することにより行う。27
は再生時の読み取りビームを示しており、角度θ
は開口数NA=sinθの関係で得られる。読み取り
ビーム27が反射層21上に焦点を結び、アクリ
ル材から成る基板20の厚みを1.2mm程度に選ん
だ場合、デイスク表面でのスポツト径は、NA=
0.4の対物レンズ7を使用した場合、 2×1.2×tan30゜=1.38mm となり、デイスク8表面上にキズがある場合でも
光学再生上問題がなくなる。
は本発明で云う保護層としての基板で、従来キヤ
ステイングにより製造されたアクリル材をスタン
パーを用いてプレスすることにより形成され、そ
の後、蒸着により反射層21,24が付けられて
いる。22,25はトツプコート層で、反射層2
1,24の蒸着面を保護する薄い〔100μ程度〕
層である。張り合せはトツプコート層22,25
間を接着剤26で接着することにより行う。27
は再生時の読み取りビームを示しており、角度θ
は開口数NA=sinθの関係で得られる。読み取り
ビーム27が反射層21上に焦点を結び、アクリ
ル材から成る基板20の厚みを1.2mm程度に選ん
だ場合、デイスク表面でのスポツト径は、NA=
0.4の対物レンズ7を使用した場合、 2×1.2×tan30゜=1.38mm となり、デイスク8表面上にキズがある場合でも
光学再生上問題がなくなる。
本発明の一実施例として用いるポリ塩化ビニー
ル系高分子材料の光学特性は、ポリ塩化ビニール
系高分子材料をカレンダー成型して製造した場
合、高分子の配列は次のようになる。
ル系高分子材料の光学特性は、ポリ塩化ビニール
系高分子材料をカレンダー成型して製造した場
合、高分子の配列は次のようになる。
またカレンダー成型された塩化ビニール系高分
子材料を模式図的に示したものが第3図である。
第3図において矢印I方向はカレンダー成型時の
引き出し方向を示し、Xは分子鎖を示す。このよ
うなカレンダー成型されたポリ塩化ビニール系高
分子材料シート一枚でもつて、従来のアクリル材
の代りに光学式情報記録担体を製造した場合には
光学的活性のため正常な光学再生が不可能とな
る。すなわち、カレンダー成型されたポリ塩化ビ
ニール材の光学特性は、カレンダー成型時の引き
出し方向Iをθ=0とすると、θ=0〜2πの間
で種々の位相差δをもつ楕円偏光板となるためで
ある。位相差δの変化は材料自身の光学活性定
数、厚み、カレンダー成型の方法および製造条件
により異なるが、ここでは位相差δの変化がλ/
4板と等価として説明する。カレンダー成型され
た高分子材料シートに入射する直線偏光の光ベク
トルをEとし、Eとy軸との成す角度をφとす
る。そこで入射単色光をy軸およびz軸に平行な
振動面をもつ二つの波に分解すると、入射時には
入射光およびその二つのベクトルは共に同相であ
り、これに対応する光ベクトルは次のようにな
る。
子材料を模式図的に示したものが第3図である。
第3図において矢印I方向はカレンダー成型時の
引き出し方向を示し、Xは分子鎖を示す。このよ
うなカレンダー成型されたポリ塩化ビニール系高
分子材料シート一枚でもつて、従来のアクリル材
の代りに光学式情報記録担体を製造した場合には
光学的活性のため正常な光学再生が不可能とな
る。すなわち、カレンダー成型されたポリ塩化ビ
ニール材の光学特性は、カレンダー成型時の引き
出し方向Iをθ=0とすると、θ=0〜2πの間
で種々の位相差δをもつ楕円偏光板となるためで
ある。位相差δの変化は材料自身の光学活性定
数、厚み、カレンダー成型の方法および製造条件
により異なるが、ここでは位相差δの変化がλ/
4板と等価として説明する。カレンダー成型され
た高分子材料シートに入射する直線偏光の光ベク
トルをEとし、Eとy軸との成す角度をφとす
る。そこで入射単色光をy軸およびz軸に平行な
振動面をもつ二つの波に分解すると、入射時には
入射光およびその二つのベクトルは共に同相であ
り、これに対応する光ベクトルは次のようにな
る。
E=Acos2πt/T
Ey=Aycos2πt/T
Ez=Azcos2πt/T
但し、Ay=Acosφ,Az=Asinφ
高分子材料シート内で二つの成分は異つた速度
C/nyおよびC/nzで伝幡する。高分子材料シ
ートの厚みをdとすると、各々の成分が高分子材
料シートを通過するに要する時間はそれぞれn
y・d/C,およびnz・d/Cとなる。従つて二
つの波が高分子材料シートより出る時の光ベクト
ルは次のようになる。
C/nyおよびC/nzで伝幡する。高分子材料シ
ートの厚みをdとすると、各々の成分が高分子材
料シートを通過するに要する時間はそれぞれn
y・d/C,およびnz・d/Cとなる。従つて二
つの波が高分子材料シートより出る時の光ベクト
ルは次のようになる。
Ey=Aycos2π(t/T−ny・d/λ0)
Ez=Azcos2π(t/T−nz・d/λ0)
但し、λ0は真空中の波長である。
z方向に平行な振動の位相はy方向に平行なも
のに比べて、角度にして、 φ=2πd/λ0(nz−ny) だけ遅れる。今、高分子材料シートのふるまいと
λ/4板と等価であると仮定しているので、 d(nz−ny)=λ0/4 となる。この場合、φ=π/2となり、楕円の軸はy ―z方向で一致する。また楕円は反時計まわりと
なる。そしてφ=45゜でAy=Azの時に楕円は円
となる。第4図にλ/4板5′による楕円偏光
、第5図にθと偏向の形との関係を示す。第1
図の再生の光学系においては、偏向ビームスプリ
ツタ4を用いて光電変換素子11へデイスク8か
らの反射光を導いているので、本来のλ/4板5
を抜いた光学系で考えると、デイスク8の光学特
性をλ/4板と仮定した場合、レーザ1よりの光
を偏光子を通してデイスク8に照射し、反射光を
偏光子と90゜回転角が異なる検光子を通して光電
変換素子11へ導くことになる。第6図にλ/4
板の透過光強度の測定装置の配置図を示す。He
―Neレーザ30よりの光は偏光子31へ導かれ
た後、λ/4板32を通過し、検光子33、光電
変換素子34へ導かれる。偏光子31と検光子3
3が互いに直交する様にセツトされた場合、λ/
4板32の回転角と透過光強度は第7図のように
なる。これはλ/4板相当の旋光性を有するデイ
スクを一回転させた時の光電変換素子へ導かれる
光量の変化と等しい。従つて再生時のRF信号が
デイスクの回転角により100%AM変調され再生
不能となる。実際のデイスクの光学特性は一般的
に楕円偏光となり、長軸と短軸がカレンダー成型
時の引き出し方向に対する角度に依存して変化す
る。この時の透過光量の変化を第7図に点線で示
す。
のに比べて、角度にして、 φ=2πd/λ0(nz−ny) だけ遅れる。今、高分子材料シートのふるまいと
λ/4板と等価であると仮定しているので、 d(nz−ny)=λ0/4 となる。この場合、φ=π/2となり、楕円の軸はy ―z方向で一致する。また楕円は反時計まわりと
なる。そしてφ=45゜でAy=Azの時に楕円は円
となる。第4図にλ/4板5′による楕円偏光
、第5図にθと偏向の形との関係を示す。第1
図の再生の光学系においては、偏向ビームスプリ
ツタ4を用いて光電変換素子11へデイスク8か
らの反射光を導いているので、本来のλ/4板5
を抜いた光学系で考えると、デイスク8の光学特
性をλ/4板と仮定した場合、レーザ1よりの光
を偏光子を通してデイスク8に照射し、反射光を
偏光子と90゜回転角が異なる検光子を通して光電
変換素子11へ導くことになる。第6図にλ/4
板の透過光強度の測定装置の配置図を示す。He
―Neレーザ30よりの光は偏光子31へ導かれ
た後、λ/4板32を通過し、検光子33、光電
変換素子34へ導かれる。偏光子31と検光子3
3が互いに直交する様にセツトされた場合、λ/
4板32の回転角と透過光強度は第7図のように
なる。これはλ/4板相当の旋光性を有するデイ
スクを一回転させた時の光電変換素子へ導かれる
光量の変化と等しい。従つて再生時のRF信号が
デイスクの回転角により100%AM変調され再生
不能となる。実際のデイスクの光学特性は一般的
に楕円偏光となり、長軸と短軸がカレンダー成型
時の引き出し方向に対する角度に依存して変化す
る。この時の透過光量の変化を第7図に点線で示
す。
そこで本発明ではデイスクの構造を次のように
することによつて、この問題点を回避している。
すなわち本発明のデイスクでは保護層を、カレン
ダー成型された少なくとも2枚以上の高分子材料
シートを各々成型時の引き出し方向が異つた方向
を持つように重ね合せた構造としている。透過光
量変動を実際に5%以下におさえれば再生上問題
はなく、この場合の透過光量変化を第7図に一点
鎖線で示す。は最大透過光量を示す。なお高
分子材料シートとしては屈折率が1.4〜1.6程度の
ものである。
することによつて、この問題点を回避している。
すなわち本発明のデイスクでは保護層を、カレン
ダー成型された少なくとも2枚以上の高分子材料
シートを各々成型時の引き出し方向が異つた方向
を持つように重ね合せた構造としている。透過光
量変動を実際に5%以下におさえれば再生上問題
はなく、この場合の透過光量変化を第7図に一点
鎖線で示す。は最大透過光量を示す。なお高
分子材料シートとしては屈折率が1.4〜1.6程度の
ものである。
次にこのように2枚以上の高分子シートが重ね
合せられた保護層を有するデイスクの製造方法を
説明する。
合せられた保護層を有するデイスクの製造方法を
説明する。
第8図aに示すように複数枚の高分子材料シー
トA,B,C,Dを総合的な旋光性が最小となる
ように各々の分子鎖が異なる角度にして重ね合
せ、これを加熱プレスして一枚の保護層40を作
る。なお第9図の矢印41,42,43,44方
向は第8図重ね合せ状態の各高分子材料A,B,
C,Dのカレンダー成型時の引出し方向を表わ
す。このように作られた保護層40を、第8図b
のように予じめスタンパーでプレスし蒸着された
デイスク本体45に張り合わせて第8図cの保護
層付光学デイスクとする。両面デイスクを製造す
る場合も同様である。
トA,B,C,Dを総合的な旋光性が最小となる
ように各々の分子鎖が異なる角度にして重ね合
せ、これを加熱プレスして一枚の保護層40を作
る。なお第9図の矢印41,42,43,44方
向は第8図重ね合せ状態の各高分子材料A,B,
C,Dのカレンダー成型時の引出し方向を表わ
す。このように作られた保護層40を、第8図b
のように予じめスタンパーでプレスし蒸着された
デイスク本体45に張り合わせて第8図cの保護
層付光学デイスクとする。両面デイスクを製造す
る場合も同様である。
また第10図は他の製造方法を示し、第9図の
状態で重ね合わせられた高分子材料シートA,
B,C,Dを第10図aのように、凹凸の変化と
して情報が記録された金型としてのスタンパー4
6で加熱プレスして基板48を形成した後、第1
0図bのように基板48上に蒸着して反射層47
を形成する。これを第10図cのように2枚を反
射層47の蒸着面で張り合せてデイスク8とす
る。この製造方法によると第8図の工程よりも少
ない工程で保護層付光学デイスクを製造すること
ができる。
状態で重ね合わせられた高分子材料シートA,
B,C,Dを第10図aのように、凹凸の変化と
して情報が記録された金型としてのスタンパー4
6で加熱プレスして基板48を形成した後、第1
0図bのように基板48上に蒸着して反射層47
を形成する。これを第10図cのように2枚を反
射層47の蒸着面で張り合せてデイスク8とす
る。この製造方法によると第8図の工程よりも少
ない工程で保護層付光学デイスクを製造すること
ができる。
以上説明のように本発明の光学式情報記録担体
とその製造方法によると、保護層または基板は複
数枚の高分子シートを重ね合せたものであるた
め、アクリル材のもつ基本的な欠陥であるもろさ
と云う問題点を解決することができ、しかも保護
層または基板の材料としてポリ塩化ビニールを含
有した材料を用いることができるため、安価にて
高品質の保護層付光学情報記録担体を提供できる
ものである。
とその製造方法によると、保護層または基板は複
数枚の高分子シートを重ね合せたものであるた
め、アクリル材のもつ基本的な欠陥であるもろさ
と云う問題点を解決することができ、しかも保護
層または基板の材料としてポリ塩化ビニールを含
有した材料を用いることができるため、安価にて
高品質の保護層付光学情報記録担体を提供できる
ものである。
第1図は光学式ビデオデイスクの再生装置構成
図、第2図は従来の光学式情報記録担体の縦断面
図、第3図〜第7図は本発明の説明図で、第3図
は高分子材料の模式図、第4図はλ/4板による
楕円偏光の説明図、第5図はλ/4板の角度と偏
光の形の説明図、第6図はλ/4板の透過光量測
定装置の構成図、第7図はλ/4板の回転角と透
過光量の関係図、第8図〜第10図は本発明の実
施例を示し、第8図は光学式情報記録担体の製造
工程説明図、第9図は各高分子シートの引出し方
向説明図、第10図は光学式情報記録担体の製造
方法の他の実施例の工程図である。 A,B,C,D…高分子シート、40…保護
層、41,42,43,44…各高分子シートの
カレンダー成型時の引出し方向、45…デイスク
本体〔本体〕、46…スタンパー〔金型〕、47…
反射層、48…基板。
図、第2図は従来の光学式情報記録担体の縦断面
図、第3図〜第7図は本発明の説明図で、第3図
は高分子材料の模式図、第4図はλ/4板による
楕円偏光の説明図、第5図はλ/4板の角度と偏
光の形の説明図、第6図はλ/4板の透過光量測
定装置の構成図、第7図はλ/4板の回転角と透
過光量の関係図、第8図〜第10図は本発明の実
施例を示し、第8図は光学式情報記録担体の製造
工程説明図、第9図は各高分子シートの引出し方
向説明図、第10図は光学式情報記録担体の製造
方法の他の実施例の工程図である。 A,B,C,D…高分子シート、40…保護
層、41,42,43,44…各高分子シートの
カレンダー成型時の引出し方向、45…デイスク
本体〔本体〕、46…スタンパー〔金型〕、47…
反射層、48…基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 光源よりの光を対物レンズにより集束した読
み取りビームによつて、凹凸の変化として記録さ
れた情報が読み取られる光学式情報記録担体であ
つて、前記凹凸面上に、高い透過率を有し屈折率
が1.4〜1.6程度のカレンダー成型された旋光性を
有する複数枚の高分子材料シートが、おのおのの
偏向方向が異なるようにして積層されて形成され
た保護層または基板を有することを特徴とする光
学式情報記録担体。 2 高分子材料シートを、ポリ塩化ビニールを含
有した材料から成型したことを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の光学式情報記録担体。 3 保護層または基板を、各々の高分子材料シー
トの分子鎖が異なる角度となるように積層して旋
光性が最小となるように構成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の光学式情報記録担
体。 4 複数枚の旋光性を有する高分子材料シートを
おのおのの偏向方向を異ならせるように積層して
加熱プレスして保護層を形成し、この保護層を予
じめ凹凸の変化として情報が記録された本体の記
録面上に張り合わせることを特徴とする光学式情
報記録担体の製造方法。 5 複数枚の旋光性を有する高分子材料シートを
おのおのの偏光方向を異ならせるように積層し
て、これを凹凸の変化として情報が記録された金
型に挾んで加熱プレスして基板を形成し、前記加
熱プレスによつて形成された凹凸面上に反射層を
蒸着することを特徴とする光学式情報記録担体の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55178269A JPS57103133A (en) | 1980-12-16 | 1980-12-16 | Optical information recording carrier and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55178269A JPS57103133A (en) | 1980-12-16 | 1980-12-16 | Optical information recording carrier and its manufacture |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57103133A JPS57103133A (en) | 1982-06-26 |
JPS6252369B2 true JPS6252369B2 (ja) | 1987-11-05 |
Family
ID=16045525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55178269A Granted JPS57103133A (en) | 1980-12-16 | 1980-12-16 | Optical information recording carrier and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57103133A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6034663U (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-09 | ソニー株式会社 | 光学式情報カ−ド |
JPS6034664U (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-09 | ソニー株式会社 | 光学式情報カ−ド |
-
1980
- 1980-12-16 JP JP55178269A patent/JPS57103133A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57103133A (en) | 1982-06-26 |
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