JPS6251050A - 光デイスクメモリ - Google Patents
光デイスクメモリInfo
- Publication number
- JPS6251050A JPS6251050A JP60190755A JP19075585A JPS6251050A JP S6251050 A JPS6251050 A JP S6251050A JP 60190755 A JP60190755 A JP 60190755A JP 19075585 A JP19075585 A JP 19075585A JP S6251050 A JPS6251050 A JP S6251050A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ratio
- mixing ratio
- dipping
- film
- film thickness
- Prior art date
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ヒートモード型光ディスクメモリーの記録媒
体に関する。
体に関する。
本発明はテルル酸化物薄膜全記録媒体とするヒートモー
ド型光ディスクメモリにお＾て、テルル酸化物薄膜を、
テルルのアルコキシドからのゾル−ゲル法により形成す
ることにより、Ｃ／Ｎ比の向上、及び、大巾なコストの
低減を可能にしたものである。
ド型光ディスクメモリにお＾て、テルル酸化物薄膜を、
テルルのアルコキシドからのゾル−ゲル法により形成す
ることにより、Ｃ／Ｎ比の向上、及び、大巾なコストの
低減を可能にしたものである。
従来のテルル酸化物薄膜を記録媒体とするヒートモード
型光ディスクメモリは、Ｎａｔｔｏ％αｌ Ｔｅｃｈ罰
ｃａｒ Ｒｅｐｏｒｔ Ｖｏｊ、２８Ｎｏ６（１９８２
） などに示されているように、テルル酸化物を、金
属テルルと二酸化テルルの２つを蒸発源として、または
二酸化テルルと各種の還元金属を混合したものを蒸発源
として、基板に真空蒸着して、記録膜とするものであっ
た。
型光ディスクメモリは、Ｎａｔｔｏ％αｌ Ｔｅｃｈ罰
ｃａｒ Ｒｅｐｏｒｔ Ｖｏｊ、２８Ｎｏ６（１９８２
） などに示されているように、テルル酸化物を、金
属テルルと二酸化テルルの２つを蒸発源として、または
二酸化テルルと各種の還元金属を混合したものを蒸発源
として、基板に真空蒸着して、記録膜とするものであっ
た。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の従来技術では、記録膜の組成比を変えるためには、
蒸発源の温度を正解にコントロールしなければならず、
また大面積のディスクに均一で所望の膜厚の記録膜を蒸
着させるということは非常に難し−という問題点を有し
てｉる。
述の従来技術では、記録膜の組成比を変えるためには、
蒸発源の温度を正解にコントロールしなければならず、
また大面積のディスクに均一で所望の膜厚の記録膜を蒸
着させるということは非常に難し−という問題点を有し
てｉる。
また、真空蒸着法によって、前述■組成比、膜厚、膜の
均一性を同時に満足する記録膜を有するディスクを製造
するには、付帯設備などが高価でコストが高いという問
題点を有している。そこで本発明は、このような問題点
を解決するもので、その目的とするところは、Ｃ／Ｎ比
が高く、長期安定性に優れ、低価格な光デイスクメモＩ
Ｊ ｅ提供するところにある。
均一性を同時に満足する記録膜を有するディスクを製造
するには、付帯設備などが高価でコストが高いという問
題点を有している。そこで本発明は、このような問題点
を解決するもので、その目的とするところは、Ｃ／Ｎ比
が高く、長期安定性に優れ、低価格な光デイスクメモＩ
Ｊ ｅ提供するところにある。
本発明の光ディスクメモリは、テルル酸化物薄膜を記録
媒体とするヒートモード型光ディスクメモリにおいて、
該記録媒体をテルルのアルコキシドを使用して、ゾル−
ゲル法によって形成することを特徴とする。
媒体とするヒートモード型光ディスクメモリにおいて、
該記録媒体をテルルのアルコキシドを使用して、ゾル−
ゲル法によって形成することを特徴とする。
ＩＥＩ図は本発明の実施例における光ディス２゜断面図
であって、ｌは基板、２は記録媒体、３はスペーサであ
る。
であって、ｌは基板、２は記録媒体、３はスペーサであ
る。
以下の実施例では、本溝造の光ディスクを作製し、メモ
リー特性θに＋−ｆｆｔＩＩｔ−行なった。
リー特性θに＋−ｆｆｔＩＩｔ−行なった。
〔実施例−１〕
金属アルコキシドとしてテトラメトキシテルル（”（Ｑ
ＣＨｓ）ｍ ） ｍ溶媒としてメチルアルコールをそ
れぞれ所定量混合し、この混合液を用匹て、直径１３０
＆Ｉ 、厚さ１１１Ｊ１のＰＭＭＡ基板の片面にディ
ピングまたはスピンコードにより記録膜を形成する。
ＣＨｓ）ｍ ） ｍ溶媒としてメチルアルコールをそ
れぞれ所定量混合し、この混合液を用匹て、直径１３０
＆Ｉ 、厚さ１１１Ｊ１のＰＭＭＡ基板の片面にディ
ピングまたはスピンコードにより記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディッピング速度の関係を第２
図に示す、さらに、混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を第３図に示す。
図に示す、さらに、混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を第３図に示す。
図中Ａは０．５ ｙｕ／ｓ ａ Ｂは１．０ ｍｓ／ｓ
、 Ｃｉｔ２．５ ｉｓ、Ｄは１１０００ｒｐ 、
Ｅは２０００ｒｐｍ 、 Ｆは４０００ｒｐｍの場合を
示す。
、 Ｃｉｔ２．５ ｉｓ、Ｄは１１０００ｒｐ 、
Ｅは２０００ｒｐｍ 、 Ｆは４０００ｒｐｍの場合を
示す。
第２図と第３図より明らかな様に、混合比が１．１以下
では、加水分解が早く、膜が割れてしまｉ好ましくなｉ
、また混合比が２．０以上では、膜厚が８００Ａ以下に
なってしまめ好ましくない。
では、加水分解が早く、膜が割れてしまｉ好ましくなｉ
、また混合比が２．０以上では、膜厚が８００Ａ以下に
なってしまめ好ましくない。
さらに、ディッピング速度が３．Ｏｗａ／Ｂ以上、スピ
ナー回転数が１０００ｒｐｙｘ以下では膜が割れてしま
い好ましくない、したがって、溶液の混合比ｔｉｔ、
１．１〜２．０が最も好ましく、ディッピング速度は３
．Ｏｉ８以下、スピナー回転数は１０００デｐｍ以上が
好ましい。
ナー回転数が１０００ｒｐｙｘ以下では膜が割れてしま
い好ましくない、したがって、溶液の混合比ｔｉｔ、
１．１〜２．０が最も好ましく、ディッピング速度は３
．Ｏｉ８以下、スピナー回転数は１０００デｐｍ以上が
好ましい。
又、上述の条件で形成した、膜厚およそ１０００Ａの記
録媒体を有する２枚の基板をスペーサを介して接着し、
笛１図の構成とし、Ｃβ比を求めた。この時の混合比と
Ｃ／Ｎ比の関係を第４図に示す１図中Ｇはスピンコード
の場合、Ｈはディッピングの場Ｉ＆を示す。
録媒体を有する２枚の基板をスペーサを介して接着し、
笛１図の構成とし、Ｃβ比を求めた。この時の混合比と
Ｃ／Ｎ比の関係を第４図に示す１図中Ｇはスピンコード
の場合、Ｈはディッピングの場Ｉ＆を示す。
図より明らかなように、混合比が１．２〜２．０の範囲
では、Ｃ／ｌＪ比が５５ｄＢ以上を示している。
では、Ｃ／ｌＪ比が５５ｄＢ以上を示している。
又、これらの光ディスクを４０℃、９０％の湿度中に放
置し、記録感度、記録信号の品質低下を調べたが、２年
以上の放置においても低下は認められず、長期にわたり
安定した特性を示した。
置し、記録感度、記録信号の品質低下を調べたが、２年
以上の放置においても低下は認められず、長期にわたり
安定した特性を示した。
〔実施例−２〕
金属アルコキシドとしてテトラエトキシテルル［Ｔｇ（
ＯＣ＊Ｈｓ）４） 、 ｌｆｌ媒としてメチルアルコー
ルをそれぞれ所定量混合し、実施例−１と同様にポリカ
ーボネイト基板の片面にディッピングまたはスピンコー
ドにより記録膜を形成する。
ＯＣ＊Ｈｓ）４） 、 ｌｆｌ媒としてメチルアルコー
ルをそれぞれ所定量混合し、実施例−１と同様にポリカ
ーボネイト基板の片面にディッピングまたはスピンコー
ドにより記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディッピング速度の関係＠：第
５図に示す、さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を＠６図に示す。
５図に示す、さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を＠６図に示す。
図中工は０．−〆８ ａ ＪＦｉ １．Ｏｗａ／ｓ 、
Ｋは２．５Ｑ／８゜Ｌは１０００ｒｐｙｙｃ 、 Ｍ
は２０００ｒｐｍ 、 Ｎは４０００ｒｐｍＣ）場合を
示す。
Ｋは２．５Ｑ／８゜Ｌは１０００ｒｐｙｙｃ 、 Ｍ
は２０００ｒｐｍ 、 Ｎは４０００ｒｐｍＣ）場合を
示す。
范４図と嘱５図より明らかな様に、混合比が１．１以下
では、加水分解が早く進み、膜が割れてしまい好ましく
ない、また混合比が３．０以上では膜厚が８００Ａ以下
になってしまい好ましくない。
では、加水分解が早く進み、膜が割れてしまい好ましく
ない、また混合比が３．０以上では膜厚が８００Ａ以下
になってしまい好ましくない。
さらに、ディピング速度が３ 、 Ｏｕｙ’８ 以上
、スピナー回転数が１．０００ｒｐｒｎ以下では膜が割
れてしまい好ましくない、したがって、ｍ液の混合比は
１．１〜３．０が最も好ましく、ディッピング速度は３
．Ｏｘａ／８ 以下、スピナー回転数は１０００ｒ声以
上が好ましい。
、スピナー回転数が１．０００ｒｐｒｎ以下では膜が割
れてしまい好ましくない、したがって、ｍ液の混合比は
１．１〜３．０が最も好ましく、ディッピング速度は３
．Ｏｘａ／８ 以下、スピナー回転数は１０００ｒ声以
上が好ましい。
又、上述の条針で形成した、膜厚およそ１００ＯＡの記
録媒体を有する２枚の基板をスペーサを介して接着し、
第１図の構成とし、Ｃβ比を求めた、この時の混合比と
Ｃβ比の関係全形７図に示す。
録媒体を有する２枚の基板をスペーサを介して接着し、
第１図の構成とし、Ｃβ比を求めた、この時の混合比と
Ｃβ比の関係全形７図に示す。
図中、Ｏはスピンコード■場会、Ｐはディッピングの場
合を示す。
合を示す。
図より明らかなように混合比が１．４〜２．６の範囲で
は、 Ｃ／Ｎ比が５５ｄＢ以上を示している。
は、 Ｃ／Ｎ比が５５ｄＢ以上を示している。
又、これらの光ディスクを実施例−１と同様に長期安定
性に関する試験を行なったところ、２年以上にわたり安
定した特性を維持している。
性に関する試験を行なったところ、２年以上にわたり安
定した特性を維持している。
〔実施例−３〕
金属アルコキシドとしてテトラブトキシテルル（Ｔｇ（
ＯＣａＨｓ）ａ ） 、 溶媒としてブチルアルコール
をそれぞれ所定量混合し、実施例−２と同様にポリカー
ボネイト基板の片面にディッピングまたはスピンコード
により記録膜を形成する。
ＯＣａＨｓ）ａ ） 、 溶媒としてブチルアルコール
をそれぞれ所定量混合し、実施例−２と同様にポリカー
ボネイト基板の片面にディッピングまたはスピンコード
により記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディピング速度及びスピンナー
回転数の関係は、実施例−２に示す。
回転数の関係は、実施例−２に示す。
第５図と＠６図と変わらなかった。さらに混合比とｃ／
Ｎ比？求めたが、！ｊ！施例−２に示す、配７図と同じ
であった。
Ｎ比？求めたが、！ｊ！施例−２に示す、配７図と同じ
であった。
又、実施例−２と同様に長期安定性に関する。
試験を行なったところ、２年以上にわたり安定した特性
を維持して＾る。
を維持して＾る。
〔実施例−４〕
金属アルコキシドとしてテトライソプロピルテルル（Ｔ
ａ（ＯＣｓＢｙ）４） ａ溶媒としてイソプロピルアル
コールをそれぞれ所定量混合し、実施例−３と同様にＰ
ＭＭＡ基板の片面にディッピングまたはスピンコードに
より記録膜を形成する。
ａ（ＯＣｓＢｙ）４） ａ溶媒としてイソプロピルアル
コールをそれぞれ所定量混合し、実施例−３と同様にＰ
ＭＭＡ基板の片面にディッピングまたはスピンコードに
より記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディッピング速度の関係を＠８
図に示す、さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の関
係を第９図に示す。
図に示す、さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の関
係を第９図に示す。
図中ｑは０−１ｗ１ｓ 、 Ｒは０．５１ａ 、Ｂは１
．５ｇ／＃ ｅＴは１５００ｒｚ＋ｍ 、 Ｕは２００
０ｒｐｍ 、 ”ｉは３０００ｒ声の場合を示す。
．５ｇ／＃ ｅＴは１５００ｒｚ＋ｍ 、 Ｕは２００
０ｒｐｍ 、 ”ｉは３０００ｒ声の場合を示す。
＠８図、とＷＸ９図より明らかな嫌に、混合比が２．０
以下では、加水分解が早く進み、膜が割れてしまめ好ま
しくない、また混合比が２．５以上では膜厚が８００Ａ
以下になってしま＾好ましくない。
以下では、加水分解が早く進み、膜が割れてしまめ好ま
しくない、また混合比が２．５以上では膜厚が８００Ａ
以下になってしま＾好ましくない。
さらに、ディピング速度が１．５ａｓ／Ｊ１以上、スピ
ナー回転数が１５００ｒｐｙｙｃ以下では膜が割れてし
まい好１しくない、したがって浴液■混合比ｒｉ２．０
〜２．５が最も好ましく、ディッピング速度は１．５ｗ
／８以下、スピナー回転数は１５００ｒｐｒｒＬ以上が
好ましい。
ナー回転数が１５００ｒｐｙｙｃ以下では膜が割れてし
まい好１しくない、したがって浴液■混合比ｒｉ２．０
〜２．５が最も好ましく、ディッピング速度は１．５ｗ
／８以下、スピナー回転数は１５００ｒｐｒｒＬ以上が
好ましい。
又、実施例−３と同様にＣ／Ｎ比を求め、混合比とＣ／
Ｎ比の関係を灯ｌＯ図に示す。
Ｎ比の関係を灯ｌＯ図に示す。
図中、Ｗはスピンコードの場合、Ｘはディッピングの場
合を示す。
合を示す。
図より明らかなように、混合比２．０〜．２．４の範囲
では、Ｃ／Ｎ比が５５ｄＢ以上を示してい、る。
では、Ｃ／Ｎ比が５５ｄＢ以上を示してい、る。
又、実施例−３と同様に、長期安定性に関する試験を行
なったところ、２年以上にわたり安定した特性を維持し
ている。
なったところ、２年以上にわたり安定した特性を維持し
ている。
〔実施例−５〕
金親アルコキシドとしてテトライソプロピルテルル［Ｔ
ａ（口Ｃ！”？）４ ） ＃溶媒としてインプロピルア
ルコールとエチルアルコールを１対１に混合したものを
使用し、これらをそれぞれ所定量混合し、実施例−４と
同様にポリカーボネイト基板の片面にディッピングまた
はスピンコードにより記録膜を形成する。
ａ（口Ｃ！”？）４ ） ＃溶媒としてインプロピルア
ルコールとエチルアルコールを１対１に混合したものを
使用し、これらをそれぞれ所定量混合し、実施例−４と
同様にポリカーボネイト基板の片面にディッピングまた
はスピンコードにより記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディピング速度及びスピンナー
回転数の関係は、実施例−２に示す。
回転数の関係は、実施例−２に示す。
＠５図と第６図と変わらなかった。さらに混合比とＣハ
比゛を求めたが、実施例−２に示す、飢７図と同様であ
った。
比゛を求めたが、実施例−２に示す、飢７図と同様であ
った。
以上、テトラインプロピルテルルを使用する場合、実施
例−４と比較して、溶媒をイソプロピルアルコールとエ
チルアルコールのｌ対１混会液を使用することによって
、！Ｍ例−４よりも広い範囲で、記録膜を形成すること
ができる。
例−４と比較して、溶媒をイソプロピルアルコールとエ
チルアルコールのｌ対１混会液を使用することによって
、！Ｍ例−４よりも広い範囲で、記録膜を形成すること
ができる。
又、実施例−４と同様に長期安定性に関する。
試験を行なったところ、２年以上にわたり安定した特性
を維持して−る。
を維持して−る。
以上述べたように本発明によれば、テルル酸化物＃１［
１ｊｔ記録媒体と°するヒートモード型光ディスクメモ
リにおｉて、該記録媒体をテルルＱフルコキシドを使用
して、ゾル−ゲル法によって形成することにより、記録
膜Ｏｍ成、１１ａ厚、膜の均一性を溶液の娘度、ディピ
ング速度及びスピンナー回転数をコントロールするだけ
で簡単に、満足させることができ、これによってＣ／Ｎ
比の向ｋが可能となった。さらに、ディスクの製造方法
として、ディピング及びスピンコードを使用することに
よって付帯設備が安価になり、光ディスクメモリの大量
生産が可能で、大巾なコストダウンにつながると−う多
大な効果を有する。
１ｊｔ記録媒体と°するヒートモード型光ディスクメモ
リにおｉて、該記録媒体をテルルＱフルコキシドを使用
して、ゾル−ゲル法によって形成することにより、記録
膜Ｏｍ成、１１ａ厚、膜の均一性を溶液の娘度、ディピ
ング速度及びスピンナー回転数をコントロールするだけ
で簡単に、満足させることができ、これによってＣ／Ｎ
比の向ｋが可能となった。さらに、ディスクの製造方法
として、ディピング及びスピンコードを使用することに
よって付帯設備が安価になり、光ディスクメモリの大量
生産が可能で、大巾なコストダウンにつながると−う多
大な効果を有する。
ｗＬ１図は本発明Ｑ実施例における光ディスクの断面図
。 第２図は本発明Ｑ東施例における混合比と膜厚とディッ
ピング速度の相関図。 ［３図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 嬉４図は本発明の実施例における混合比とＣ／Ｎ比Ｏ相
関図。 ＷＸｓ図は本発明のＩｊ！施例における混合比と膜厚と
ディッピング速度の相関図。 第６図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図 ＠７１図は本発明の実施例における混合比とＣ／’Ｍ比
の相関図 ｗＸＢ図は本発明の実施例における混合比、と膜厚とデ
ィッピング速度の相関図。 第９図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図 第１Ｏ図は本発明の実施例における混合比とＣ／Ｎ比の
相関図。 以 上
。 第２図は本発明Ｑ東施例における混合比と膜厚とディッ
ピング速度の相関図。 ［３図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 嬉４図は本発明の実施例における混合比とＣ／Ｎ比Ｏ相
関図。 ＷＸｓ図は本発明のＩｊ！施例における混合比と膜厚と
ディッピング速度の相関図。 第６図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図 ＠７１図は本発明の実施例における混合比とＣ／’Ｍ比
の相関図 ｗＸＢ図は本発明の実施例における混合比、と膜厚とデ
ィッピング速度の相関図。 第９図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図 第１Ｏ図は本発明の実施例における混合比とＣ／Ｎ比の
相関図。 以 上
Claims (1)
- テルル酸化物薄膜を記録媒体とするヒートモード型光デ
ィスクメモリにおいて、該記録媒体をテルルのアルコキ
シドを使用して、ゾル−ゲル法によって形成することを
特徴とする光ディスクメモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190755A JPS6251050A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190755A JPS6251050A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251050A true JPS6251050A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16263191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60190755A Pending JPS6251050A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6251050A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103882404A (zh) * | 2009-04-15 | 2014-06-25 | 美光科技公司 | 形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法 |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP60190755A patent/JPS6251050A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103882404A (zh) * | 2009-04-15 | 2014-06-25 | 美光科技公司 | 形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法 |
| US9269900B2 (en) | 2009-04-15 | 2016-02-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of depositing phase change materials and methods of forming memory |
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