JPS6251050A - 光デイスクメモリ - Google Patents
光デイスクメモリInfo
- Publication number
- JPS6251050A JPS6251050A JP60190755A JP19075585A JPS6251050A JP S6251050 A JPS6251050 A JP S6251050A JP 60190755 A JP60190755 A JP 60190755A JP 19075585 A JP19075585 A JP 19075585A JP S6251050 A JPS6251050 A JP S6251050A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ratio
- mixing ratio
- dipping
- film
- film thickness
- Prior art date
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ヒートモード型光ディスクメモリーの記録媒
体に関する。
体に関する。
本発明はテルル酸化物薄膜全記録媒体とするヒートモー
ド型光ディスクメモリにお^て、テルル酸化物薄膜を、
テルルのアルコキシドからのゾル−ゲル法により形成す
ることにより、C/N比の向上、及び、大巾なコストの
低減を可能にしたものである。
ド型光ディスクメモリにお^て、テルル酸化物薄膜を、
テルルのアルコキシドからのゾル−ゲル法により形成す
ることにより、C/N比の向上、及び、大巾なコストの
低減を可能にしたものである。
従来のテルル酸化物薄膜を記録媒体とするヒートモード
型光ディスクメモリは、Natto%αl Tech罰
car Report Voj、28No6(1982
) などに示されているように、テルル酸化物を、金
属テルルと二酸化テルルの2つを蒸発源として、または
二酸化テルルと各種の還元金属を混合したものを蒸発源
として、基板に真空蒸着して、記録膜とするものであっ
た。
型光ディスクメモリは、Natto%αl Tech罰
car Report Voj、28No6(1982
) などに示されているように、テルル酸化物を、金
属テルルと二酸化テルルの2つを蒸発源として、または
二酸化テルルと各種の還元金属を混合したものを蒸発源
として、基板に真空蒸着して、記録膜とするものであっ
た。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の従来技術では、記録膜の組成比を変えるためには、
蒸発源の温度を正解にコントロールしなければならず、
また大面積のディスクに均一で所望の膜厚の記録膜を蒸
着させるということは非常に難し−という問題点を有し
てiる。
述の従来技術では、記録膜の組成比を変えるためには、
蒸発源の温度を正解にコントロールしなければならず、
また大面積のディスクに均一で所望の膜厚の記録膜を蒸
着させるということは非常に難し−という問題点を有し
てiる。
また、真空蒸着法によって、前述■組成比、膜厚、膜の
均一性を同時に満足する記録膜を有するディスクを製造
するには、付帯設備などが高価でコストが高いという問
題点を有している。そこで本発明は、このような問題点
を解決するもので、その目的とするところは、C/N比
が高く、長期安定性に優れ、低価格な光デイスクメモI
J e提供するところにある。
均一性を同時に満足する記録膜を有するディスクを製造
するには、付帯設備などが高価でコストが高いという問
題点を有している。そこで本発明は、このような問題点
を解決するもので、その目的とするところは、C/N比
が高く、長期安定性に優れ、低価格な光デイスクメモI
J e提供するところにある。
本発明の光ディスクメモリは、テルル酸化物薄膜を記録
媒体とするヒートモード型光ディスクメモリにおいて、
該記録媒体をテルルのアルコキシドを使用して、ゾル−
ゲル法によって形成することを特徴とする。
媒体とするヒートモード型光ディスクメモリにおいて、
該記録媒体をテルルのアルコキシドを使用して、ゾル−
ゲル法によって形成することを特徴とする。
IEI図は本発明の実施例における光ディス2゜断面図
であって、lは基板、2は記録媒体、3はスペーサであ
る。
であって、lは基板、2は記録媒体、3はスペーサであ
る。
以下の実施例では、本溝造の光ディスクを作製し、メモ
リー特性θに+−fftIIt−行なった。
リー特性θに+−fftIIt−行なった。
〔実施例−1〕
金属アルコキシドとしてテトラメトキシテルル(”(Q
CHs)m ) m溶媒としてメチルアルコールをそ
れぞれ所定量混合し、この混合液を用匹て、直径130
&I 、厚さ111J1のPMMA基板の片面にディ
ピングまたはスピンコードにより記録膜を形成する。
CHs)m ) m溶媒としてメチルアルコールをそ
れぞれ所定量混合し、この混合液を用匹て、直径130
&I 、厚さ111J1のPMMA基板の片面にディ
ピングまたはスピンコードにより記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディッピング速度の関係を第2
図に示す、さらに、混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を第3図に示す。
図に示す、さらに、混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を第3図に示す。
図中Aは0.5 yu/s a Bは1.0 ms/s
、 Cit2.5 is、Dは11000rp 、
Eは2000rpm 、 Fは4000rpmの場合を
示す。
、 Cit2.5 is、Dは11000rp 、
Eは2000rpm 、 Fは4000rpmの場合を
示す。
第2図と第3図より明らかな様に、混合比が1.1以下
では、加水分解が早く、膜が割れてしまi好ましくなi
、また混合比が2.0以上では、膜厚が800A以下に
なってしまめ好ましくない。
では、加水分解が早く、膜が割れてしまi好ましくなi
、また混合比が2.0以上では、膜厚が800A以下に
なってしまめ好ましくない。
さらに、ディッピング速度が3.Owa/B以上、スピ
ナー回転数が1000rpyx以下では膜が割れてしま
い好ましくない、したがって、溶液の混合比tit、
1.1〜2.0が最も好ましく、ディッピング速度は3
.Oi8以下、スピナー回転数は1000デpm以上が
好ましい。
ナー回転数が1000rpyx以下では膜が割れてしま
い好ましくない、したがって、溶液の混合比tit、
1.1〜2.0が最も好ましく、ディッピング速度は3
.Oi8以下、スピナー回転数は1000デpm以上が
好ましい。
又、上述の条件で形成した、膜厚およそ1000Aの記
録媒体を有する2枚の基板をスペーサを介して接着し、
笛1図の構成とし、Cβ比を求めた。この時の混合比と
C/N比の関係を第4図に示す1図中Gはスピンコード
の場合、Hはディッピングの場I&を示す。
録媒体を有する2枚の基板をスペーサを介して接着し、
笛1図の構成とし、Cβ比を求めた。この時の混合比と
C/N比の関係を第4図に示す1図中Gはスピンコード
の場合、Hはディッピングの場I&を示す。
図より明らかなように、混合比が1.2〜2.0の範囲
では、C/lJ比が55dB以上を示している。
では、C/lJ比が55dB以上を示している。
又、これらの光ディスクを40℃、90%の湿度中に放
置し、記録感度、記録信号の品質低下を調べたが、2年
以上の放置においても低下は認められず、長期にわたり
安定した特性を示した。
置し、記録感度、記録信号の品質低下を調べたが、2年
以上の放置においても低下は認められず、長期にわたり
安定した特性を示した。
〔実施例−2〕
金属アルコキシドとしてテトラエトキシテルル[Tg(
OC*Hs)4) 、 lfl媒としてメチルアルコー
ルをそれぞれ所定量混合し、実施例−1と同様にポリカ
ーボネイト基板の片面にディッピングまたはスピンコー
ドにより記録膜を形成する。
OC*Hs)4) 、 lfl媒としてメチルアルコー
ルをそれぞれ所定量混合し、実施例−1と同様にポリカ
ーボネイト基板の片面にディッピングまたはスピンコー
ドにより記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディッピング速度の関係@:第
5図に示す、さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を@6図に示す。
5図に示す、さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の
関係を@6図に示す。
図中工は0.−〆8 a JFi 1.Owa/s 、
Kは2.5Q/8゜Lは1000rpyyc 、 M
は2000rpm 、 Nは4000rpmC)場合を
示す。
Kは2.5Q/8゜Lは1000rpyyc 、 M
は2000rpm 、 Nは4000rpmC)場合を
示す。
范4図と嘱5図より明らかな様に、混合比が1.1以下
では、加水分解が早く進み、膜が割れてしまい好ましく
ない、また混合比が3.0以上では膜厚が800A以下
になってしまい好ましくない。
では、加水分解が早く進み、膜が割れてしまい好ましく
ない、また混合比が3.0以上では膜厚が800A以下
になってしまい好ましくない。
さらに、ディピング速度が3 、 Ouy’8 以上
、スピナー回転数が1.000rprn以下では膜が割
れてしまい好ましくない、したがって、m液の混合比は
1.1〜3.0が最も好ましく、ディッピング速度は3
.Oxa/8 以下、スピナー回転数は1000r声以
上が好ましい。
、スピナー回転数が1.000rprn以下では膜が割
れてしまい好ましくない、したがって、m液の混合比は
1.1〜3.0が最も好ましく、ディッピング速度は3
.Oxa/8 以下、スピナー回転数は1000r声以
上が好ましい。
又、上述の条針で形成した、膜厚およそ100OAの記
録媒体を有する2枚の基板をスペーサを介して接着し、
第1図の構成とし、Cβ比を求めた、この時の混合比と
Cβ比の関係全形7図に示す。
録媒体を有する2枚の基板をスペーサを介して接着し、
第1図の構成とし、Cβ比を求めた、この時の混合比と
Cβ比の関係全形7図に示す。
図中、Oはスピンコード■場会、Pはディッピングの場
合を示す。
合を示す。
図より明らかなように混合比が1.4〜2.6の範囲で
は、 C/N比が55dB以上を示している。
は、 C/N比が55dB以上を示している。
又、これらの光ディスクを実施例−1と同様に長期安定
性に関する試験を行なったところ、2年以上にわたり安
定した特性を維持している。
性に関する試験を行なったところ、2年以上にわたり安
定した特性を維持している。
〔実施例−3〕
金属アルコキシドとしてテトラブトキシテルル(Tg(
OCaHs)a ) 、 溶媒としてブチルアルコール
をそれぞれ所定量混合し、実施例−2と同様にポリカー
ボネイト基板の片面にディッピングまたはスピンコード
により記録膜を形成する。
OCaHs)a ) 、 溶媒としてブチルアルコール
をそれぞれ所定量混合し、実施例−2と同様にポリカー
ボネイト基板の片面にディッピングまたはスピンコード
により記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディピング速度及びスピンナー
回転数の関係は、実施例−2に示す。
回転数の関係は、実施例−2に示す。
第5図と@6図と変わらなかった。さらに混合比とc/
N比?求めたが、!j!施例−2に示す、配7図と同じ
であった。
N比?求めたが、!j!施例−2に示す、配7図と同じ
であった。
又、実施例−2と同様に長期安定性に関する。
試験を行なったところ、2年以上にわたり安定した特性
を維持して^る。
を維持して^る。
〔実施例−4〕
金属アルコキシドとしてテトライソプロピルテルル(T
a(OCsBy)4) a溶媒としてイソプロピルアル
コールをそれぞれ所定量混合し、実施例−3と同様にP
MMA基板の片面にディッピングまたはスピンコードに
より記録膜を形成する。
a(OCsBy)4) a溶媒としてイソプロピルアル
コールをそれぞれ所定量混合し、実施例−3と同様にP
MMA基板の片面にディッピングまたはスピンコードに
より記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディッピング速度の関係を@8
図に示す、さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の関
係を第9図に示す。
図に示す、さらに混合比と膜厚とスピンナー回転数の関
係を第9図に示す。
図中qは0−1w1s 、 Rは0.51a 、Bは1
.5g/# eTは1500rz+m 、 Uは200
0rpm 、 ”iは3000r声の場合を示す。
.5g/# eTは1500rz+m 、 Uは200
0rpm 、 ”iは3000r声の場合を示す。
@8図、とWX9図より明らかな嫌に、混合比が2.0
以下では、加水分解が早く進み、膜が割れてしまめ好ま
しくない、また混合比が2.5以上では膜厚が800A
以下になってしま^好ましくない。
以下では、加水分解が早く進み、膜が割れてしまめ好ま
しくない、また混合比が2.5以上では膜厚が800A
以下になってしま^好ましくない。
さらに、ディピング速度が1.5as/J1以上、スピ
ナー回転数が1500rpyyc以下では膜が割れてし
まい好1しくない、したがって浴液■混合比ri2.0
〜2.5が最も好ましく、ディッピング速度は1.5w
/8以下、スピナー回転数は1500rprrL以上が
好ましい。
ナー回転数が1500rpyyc以下では膜が割れてし
まい好1しくない、したがって浴液■混合比ri2.0
〜2.5が最も好ましく、ディッピング速度は1.5w
/8以下、スピナー回転数は1500rprrL以上が
好ましい。
又、実施例−3と同様にC/N比を求め、混合比とC/
N比の関係を灯lO図に示す。
N比の関係を灯lO図に示す。
図中、Wはスピンコードの場合、Xはディッピングの場
合を示す。
合を示す。
図より明らかなように、混合比2.0〜.2.4の範囲
では、C/N比が55dB以上を示してい、る。
では、C/N比が55dB以上を示してい、る。
又、実施例−3と同様に、長期安定性に関する試験を行
なったところ、2年以上にわたり安定した特性を維持し
ている。
なったところ、2年以上にわたり安定した特性を維持し
ている。
〔実施例−5〕
金親アルコキシドとしてテトライソプロピルテルル[T
a(口C!”?)4 ) #溶媒としてインプロピルア
ルコールとエチルアルコールを1対1に混合したものを
使用し、これらをそれぞれ所定量混合し、実施例−4と
同様にポリカーボネイト基板の片面にディッピングまた
はスピンコードにより記録膜を形成する。
a(口C!”?)4 ) #溶媒としてインプロピルア
ルコールとエチルアルコールを1対1に混合したものを
使用し、これらをそれぞれ所定量混合し、実施例−4と
同様にポリカーボネイト基板の片面にディッピングまた
はスピンコードにより記録膜を形成する。
この時の混合比と膜厚とディピング速度及びスピンナー
回転数の関係は、実施例−2に示す。
回転数の関係は、実施例−2に示す。
@5図と第6図と変わらなかった。さらに混合比とCハ
比゛を求めたが、実施例−2に示す、飢7図と同様であ
った。
比゛を求めたが、実施例−2に示す、飢7図と同様であ
った。
以上、テトラインプロピルテルルを使用する場合、実施
例−4と比較して、溶媒をイソプロピルアルコールとエ
チルアルコールのl対1混会液を使用することによって
、!M例−4よりも広い範囲で、記録膜を形成すること
ができる。
例−4と比較して、溶媒をイソプロピルアルコールとエ
チルアルコールのl対1混会液を使用することによって
、!M例−4よりも広い範囲で、記録膜を形成すること
ができる。
又、実施例−4と同様に長期安定性に関する。
試験を行なったところ、2年以上にわたり安定した特性
を維持して−る。
を維持して−る。
以上述べたように本発明によれば、テルル酸化物#1[
1jt記録媒体と°するヒートモード型光ディスクメモ
リにおiて、該記録媒体をテルルQフルコキシドを使用
して、ゾル−ゲル法によって形成することにより、記録
膜Om成、11a厚、膜の均一性を溶液の娘度、ディピ
ング速度及びスピンナー回転数をコントロールするだけ
で簡単に、満足させることができ、これによってC/N
比の向kが可能となった。さらに、ディスクの製造方法
として、ディピング及びスピンコードを使用することに
よって付帯設備が安価になり、光ディスクメモリの大量
生産が可能で、大巾なコストダウンにつながると−う多
大な効果を有する。
1jt記録媒体と°するヒートモード型光ディスクメモ
リにおiて、該記録媒体をテルルQフルコキシドを使用
して、ゾル−ゲル法によって形成することにより、記録
膜Om成、11a厚、膜の均一性を溶液の娘度、ディピ
ング速度及びスピンナー回転数をコントロールするだけ
で簡単に、満足させることができ、これによってC/N
比の向kが可能となった。さらに、ディスクの製造方法
として、ディピング及びスピンコードを使用することに
よって付帯設備が安価になり、光ディスクメモリの大量
生産が可能で、大巾なコストダウンにつながると−う多
大な効果を有する。
wL1図は本発明Q実施例における光ディスクの断面図
。 第2図は本発明Q東施例における混合比と膜厚とディッ
ピング速度の相関図。 [3図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 嬉4図は本発明の実施例における混合比とC/N比O相
関図。 WXs図は本発明のIj!施例における混合比と膜厚と
ディッピング速度の相関図。 第6図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図 @71図は本発明の実施例における混合比とC/’M比
の相関図 wXB図は本発明の実施例における混合比、と膜厚とデ
ィッピング速度の相関図。 第9図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図 第1O図は本発明の実施例における混合比とC/N比の
相関図。 以 上
。 第2図は本発明Q東施例における混合比と膜厚とディッ
ピング速度の相関図。 [3図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図。 嬉4図は本発明の実施例における混合比とC/N比O相
関図。 WXs図は本発明のIj!施例における混合比と膜厚と
ディッピング速度の相関図。 第6図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図 @71図は本発明の実施例における混合比とC/’M比
の相関図 wXB図は本発明の実施例における混合比、と膜厚とデ
ィッピング速度の相関図。 第9図は本発明の実施例における混合比と膜厚とスピン
ナー回転数の相関図 第1O図は本発明の実施例における混合比とC/N比の
相関図。 以 上
Claims (1)
- テルル酸化物薄膜を記録媒体とするヒートモード型光デ
ィスクメモリにおいて、該記録媒体をテルルのアルコキ
シドを使用して、ゾル−ゲル法によって形成することを
特徴とする光ディスクメモリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60190755A JPS6251050A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60190755A JPS6251050A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6251050A true JPS6251050A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16263191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60190755A Pending JPS6251050A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 光デイスクメモリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6251050A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103882404A (zh) * | 2009-04-15 | 2014-06-25 | 美光科技公司 | 形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法 |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP60190755A patent/JPS6251050A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103882404A (zh) * | 2009-04-15 | 2014-06-25 | 美光科技公司 | 形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法 |
US9269900B2 (en) | 2009-04-15 | 2016-02-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of depositing phase change materials and methods of forming memory |
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