JPH1064119A - 光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
光ディスクおよびその製造方法Info
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- JPH1064119A JPH1064119A JP8216253A JP21625396A JPH1064119A JP H1064119 A JPH1064119 A JP H1064119A JP 8216253 A JP8216253 A JP 8216253A JP 21625396 A JP21625396 A JP 21625396A JP H1064119 A JPH1064119 A JP H1064119A
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- protective film
- rotation speed
- substrate
- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 悪条件の環境下でも精度良く再生および記録
が行える光ディスクおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 光ディスクの保護膜を塗布する保護膜塗
布工程において、基板に粘度４００〜６００ｃＰの樹脂
を吐出し、基板を回転数Ｒ１＝５００〜１５００ｒｐｍ
で回転させる。時間Ｔ＝０．１〜０．５秒の間に、回転
数を回転数Ｒ２＝４０００〜６０００ｒｐｍに上げてす
ぐに零に下げて保護膜を塗布する。この保護膜塗布工程
によると、膜厚３０〜５０μｍの保護膜を塗布でき、温
度上昇による光ディスクの反りを小さくすることができ
る。
が行える光ディスクおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 光ディスクの保護膜を塗布する保護膜塗
布工程において、基板に粘度４００〜６００ｃＰの樹脂
を吐出し、基板を回転数Ｒ１＝５００〜１５００ｒｐｍ
で回転させる。時間Ｔ＝０．１〜０．５秒の間に、回転
数を回転数Ｒ２＝４０００〜６０００ｒｐｍに上げてす
ぐに零に下げて保護膜を塗布する。この保護膜塗布工程
によると、膜厚３０〜５０μｍの保護膜を塗布でき、温
度上昇による光ディスクの反りを小さくすることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、片面だけに信号が
記録される光ディスクおよびその製造方法に関する。
記録される光ディスクおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１５は光ディスク１の断面図である。
光ディスク１を構成する基板２は、ポリカーボネートか
ら成る薄い円盤である。基板２の片面には、トラッキン
グ用の案内溝３が形成され、その上には金属製の記録膜
４が形成され、さらにその上にはアクリル系ウレタン樹
脂から成る保護膜５が塗布されている。案内溝３の深さ
および記録膜４の膜厚は、共に０．１μｍ程度である。
光ディスク１の厚さＷ２は１．２ｍｍであり、従来は保
護膜５の膜厚Ｗ１を１０μｍ程度としている。
光ディスク１を構成する基板２は、ポリカーボネートか
ら成る薄い円盤である。基板２の片面には、トラッキン
グ用の案内溝３が形成され、その上には金属製の記録膜
４が形成され、さらにその上にはアクリル系ウレタン樹
脂から成る保護膜５が塗布されている。案内溝３の深さ
および記録膜４の膜厚は、共に０．１μｍ程度である。
光ディスク１の厚さＷ２は１．２ｍｍであり、従来は保
護膜５の膜厚Ｗ１を１０μｍ程度としている。
【０００３】光ディスク１の製造方法において、スピン
コート法によって保護膜５を塗布する保護膜塗布工程
は、以下のように行われる。基板２を微小な回転数Ｒ０
で回転させて基板２上に樹脂を吐出する。樹脂を吐出し
た後、基板２を回転数Ｒ２で所定時間回転させてから、
回転数を零に下降させて保護膜５を塗布する。
コート法によって保護膜５を塗布する保護膜塗布工程
は、以下のように行われる。基板２を微小な回転数Ｒ０
で回転させて基板２上に樹脂を吐出する。樹脂を吐出し
た後、基板２を回転数Ｒ２で所定時間回転させてから、
回転数を零に下降させて保護膜５を塗布する。
【０００４】図１６は従来の光ディスク１の保護膜塗布
工程の一例を示すグラフである。グラフの横軸は時間
（単位は秒）であり、縦軸は回転数（単位はｒｐｍ）で
ある。図１６の例に従って保護膜塗布工程を行うと、基
板２に粘度１００〜２００ｃＰまたは４００〜６００ｃ
Ｐの樹脂を１ｇ程度吐出して、回転数Ｒ２＝３０００ｒ
ｐｍで回転させて保護膜５を塗布する。こうして膜厚Ｗ
１＝１０μｍの保護膜５を塗布している。
工程の一例を示すグラフである。グラフの横軸は時間
（単位は秒）であり、縦軸は回転数（単位はｒｐｍ）で
ある。図１６の例に従って保護膜塗布工程を行うと、基
板２に粘度１００〜２００ｃＰまたは４００〜６００ｃ
Ｐの樹脂を１ｇ程度吐出して、回転数Ｒ２＝３０００ｒ
ｐｍで回転させて保護膜５を塗布する。こうして膜厚Ｗ
１＝１０μｍの保護膜５を塗布している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光ディスク１は室温よ
りも高温の環境の下で、たとえば５５℃で反りを生じる
傾向がある。通常、光ディスク再生装置あるいは記録装
置は、光ディスク１を長時間にわたって連続使用すると
約５５℃まで温度が上昇するので、光ディスク１に反り
を生じさせることがある。このように反りを生じた光デ
ィスク１を使って再生および記録すると、特に光ディス
ク１の反りが激しい部分では、トラッキングエラーやフ
ォーカシングエラーが生じて、再生や記録が不可能にな
る。
りも高温の環境の下で、たとえば５５℃で反りを生じる
傾向がある。通常、光ディスク再生装置あるいは記録装
置は、光ディスク１を長時間にわたって連続使用すると
約５５℃まで温度が上昇するので、光ディスク１に反り
を生じさせることがある。このように反りを生じた光デ
ィスク１を使って再生および記録すると、特に光ディス
ク１の反りが激しい部分では、トラッキングエラーやフ
ォーカシングエラーが生じて、再生や記録が不可能にな
る。
【０００６】図１７は光ディスク１の反りを示す図であ
る。光ディスク１は、基板２の案内溝３を有する保護膜
５を内側に向けた円弧を描くように反っている。光ディ
スク１は異なる複数の材料から成っているので、場所に
よって熱膨張の度合に偏りがある。基板２はポリカーボ
ネート製であり、光ディスク１を構成する他の材料より
も熱膨張し易い。一方、光ディスク１の保護膜５側に
は、熱膨張の少ない案内溝３がある。この案内溝３があ
るので、光ディスク１は図１７に示すような反りを生じ
る。
る。光ディスク１は、基板２の案内溝３を有する保護膜
５を内側に向けた円弧を描くように反っている。光ディ
スク１は異なる複数の材料から成っているので、場所に
よって熱膨張の度合に偏りがある。基板２はポリカーボ
ネート製であり、光ディスク１を構成する他の材料より
も熱膨張し易い。一方、光ディスク１の保護膜５側に
は、熱膨張の少ない案内溝３がある。この案内溝３があ
るので、光ディスク１は図１７に示すような反りを生じ
る。
【０００７】光ディスク１の反りは保護膜５の膜厚Ｗ１
が薄いほど大きく、従来の光ディスク１のように保護膜
５の膜厚Ｗ１が１０μｍ程度のものでも反ることがあ
る。光ディスク１の反りを小さくするためには、保護膜
５の膜厚Ｗ１を厚くする必要がある。保護膜５の膜厚Ｗ
１を厚くすることは、樹脂の吐出量を増やすことで可能
であるが、以下に示すように従来の保護膜塗布工程では
限界がある。
が薄いほど大きく、従来の光ディスク１のように保護膜
５の膜厚Ｗ１が１０μｍ程度のものでも反ることがあ
る。光ディスク１の反りを小さくするためには、保護膜
５の膜厚Ｗ１を厚くする必要がある。保護膜５の膜厚Ｗ
１を厚くすることは、樹脂の吐出量を増やすことで可能
であるが、以下に示すように従来の保護膜塗布工程では
限界がある。
【０００８】図１８は樹脂の吐出量に対する保護膜５の
膜厚Ｗ１を示すグラフである。グラフの横軸は樹脂の吐
出量（単位はｇ）であり、縦軸は保護膜５の膜厚Ｗ１
（単位はμｍ）である。樹脂の吐出量を様々に変えて保
護膜塗布工程を行い、その結果を図１８に示した。図１
８によると、吐出量が増加するに従って膜厚Ｗ１は厚く
なり、膜厚Ｗ１はしだいに約１５μｍに近づくが、１５
μｍを越えることはない。従来の保護膜塗布工程では、
厚い保護膜を塗布することは困難である。
膜厚Ｗ１を示すグラフである。グラフの横軸は樹脂の吐
出量（単位はｇ）であり、縦軸は保護膜５の膜厚Ｗ１
（単位はμｍ）である。樹脂の吐出量を様々に変えて保
護膜塗布工程を行い、その結果を図１８に示した。図１
８によると、吐出量が増加するに従って膜厚Ｗ１は厚く
なり、膜厚Ｗ１はしだいに約１５μｍに近づくが、１５
μｍを越えることはない。従来の保護膜塗布工程では、
厚い保護膜を塗布することは困難である。
【０００９】本発明の目的は、悪条件の環境下でも精度
良く記録または再生できる光ディスクおよびその製造方
法を提供することである。
良く記録または再生できる光ディスクおよびその製造方
法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、円盤状の基板
の片面に、トラッキング用の案内溝および記録膜が形成
され、保護膜が塗布され、光が照射されて信号が記録ま
たは再生される光ディスクにおいて、保護膜の膜厚Ｗ１
が３０μｍ≦膜厚Ｗ１≦５０μｍの範囲にあることを特
徴とする光ディスクである。 本発明に従えば、従来よりも厚い保護膜を塗布すること
で、温度上昇による光ディスクの反りは小さくなり、光
ディスクは精度良く記録または再生できるようになる。
なお本発明の光ディスクは、再生専用のＣＤ（コンパク
トディスク）、１回だけ書き込み可能なＣＤ−Ｒ、およ
び光磁気効果によって何度でも書き換え可能な光磁気デ
ィスクを含む概念である。
の片面に、トラッキング用の案内溝および記録膜が形成
され、保護膜が塗布され、光が照射されて信号が記録ま
たは再生される光ディスクにおいて、保護膜の膜厚Ｗ１
が３０μｍ≦膜厚Ｗ１≦５０μｍの範囲にあることを特
徴とする光ディスクである。 本発明に従えば、従来よりも厚い保護膜を塗布すること
で、温度上昇による光ディスクの反りは小さくなり、光
ディスクは精度良く記録または再生できるようになる。
なお本発明の光ディスクは、再生専用のＣＤ（コンパク
トディスク）、１回だけ書き込み可能なＣＤ−Ｒ、およ
び光磁気効果によって何度でも書き換え可能な光磁気デ
ィスクを含む概念である。
【００１１】また本発明は、円盤状の基板の片面に、ト
ラッキング用の案内溝を形成する工程と、前記基板上に
記録膜を形成する工程と、スピンコート法によって前記
基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布工程とを含む光デ
ィスクの製造方法において、前記保護膜塗布工程におい
て、基板上に粘度Ｃの樹脂を吐出して、回転数Ｒ１で所
定時間基板を回転させてから、回転数を回転数Ｒ１から
回転数Ｒ１よりも大きい回転数Ｒ２に上昇させた後、回
転数を零に下降させて保護膜を塗布することを特徴とす
る光ディスクの製造方法である。 本発明に従えば、光ディスクの保護膜塗布工程におい
て、基板が回転数Ｒ１で回転する遠心力によって樹脂を
基板上に広げることができる。また基板が第１回転数Ｒ
１よりも大きい回転数Ｒ２で回転すると、さらに大きな
遠心力によって、基板の外周部分に広がった樹脂を振り
切ることができる。また従来の保護膜塗布工程では回転
数Ｒ２だけで基板を回転させていたのに対し、本発明の
保護膜塗布工程では回転数Ｒ２で回転させる前に、回転
数Ｒ２よりも小さい回転数Ｒ１で回転させることによっ
て、従来よりも厚い保護膜を塗布できる。
ラッキング用の案内溝を形成する工程と、前記基板上に
記録膜を形成する工程と、スピンコート法によって前記
基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布工程とを含む光デ
ィスクの製造方法において、前記保護膜塗布工程におい
て、基板上に粘度Ｃの樹脂を吐出して、回転数Ｒ１で所
定時間基板を回転させてから、回転数を回転数Ｒ１から
回転数Ｒ１よりも大きい回転数Ｒ２に上昇させた後、回
転数を零に下降させて保護膜を塗布することを特徴とす
る光ディスクの製造方法である。 本発明に従えば、光ディスクの保護膜塗布工程におい
て、基板が回転数Ｒ１で回転する遠心力によって樹脂を
基板上に広げることができる。また基板が第１回転数Ｒ
１よりも大きい回転数Ｒ２で回転すると、さらに大きな
遠心力によって、基板の外周部分に広がった樹脂を振り
切ることができる。また従来の保護膜塗布工程では回転
数Ｒ２だけで基板を回転させていたのに対し、本発明の
保護膜塗布工程では回転数Ｒ２で回転させる前に、回転
数Ｒ２よりも小さい回転数Ｒ１で回転させることによっ
て、従来よりも厚い保護膜を塗布できる。
【００１２】また本発明の保護膜塗布工程において、回
転数が回転数Ｒ１から上昇し始めるときから、回転数が
回転数Ｒ２を経由して零になるときまでの時間間隔を時
間Ｔとし、前記樹脂の粘度Ｃ、回転数Ｒ１、回転数Ｒ２
および時間Ｔは下記の関係式（１）〜（４）を満たすこ
とを特徴とする。 （１） ４００ｃＰ≦粘度Ｃ≦６００ｃＰ （２） ５００ｒｐｍ≦回転数Ｒ１≦１５００ｒｐｍ （３） ２０００ｒｐｍ≦回転数Ｒ２≦４０００ｒｐｍ （４） ０．１秒≦時間Ｔ≦０．５秒 本発明に従えば、光ディスクの保護膜塗布工程におい
て、各パラメータは上記の関係式（１）〜（４）を満た
し、従来よりも厚い保護膜を塗布することができる。
転数が回転数Ｒ１から上昇し始めるときから、回転数が
回転数Ｒ２を経由して零になるときまでの時間間隔を時
間Ｔとし、前記樹脂の粘度Ｃ、回転数Ｒ１、回転数Ｒ２
および時間Ｔは下記の関係式（１）〜（４）を満たすこ
とを特徴とする。 （１） ４００ｃＰ≦粘度Ｃ≦６００ｃＰ （２） ５００ｒｐｍ≦回転数Ｒ１≦１５００ｒｐｍ （３） ２０００ｒｐｍ≦回転数Ｒ２≦４０００ｒｐｍ （４） ０．１秒≦時間Ｔ≦０．５秒 本発明に従えば、光ディスクの保護膜塗布工程におい
て、各パラメータは上記の関係式（１）〜（４）を満た
し、従来よりも厚い保護膜を塗布することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態の光ディスク
１の構成は、保護膜５の膜厚Ｗ１が異なる以外は従来技
術の光ディスクと同様であり、図１５に図示している。
１の構成は、保護膜５の膜厚Ｗ１が異なる以外は従来技
術の光ディスクと同様であり、図１５に図示している。
【００１４】図１は光ディスク１の反り角（図２参照）
が保護膜５の膜厚Ｗ１に依存する様子を示すグラフであ
る。このグラフの横軸は時間（単位は分）であり、縦軸
は光ディスク１の反り角（単位はmrad）である。保護膜
５の膜厚Ｗ１を様々に変えて、光ディスク１を温度５５
℃、湿度３０％の環境下に放置する実験を行い、その結
果として光ディスク１の反りの変化を図１に示した。膜
厚Ｗ１として１０、１５、２０、３０、５０μｍの各値
を選び、放置時間に対して光ディスク１の反り角を１０
分毎にプロットした。
が保護膜５の膜厚Ｗ１に依存する様子を示すグラフであ
る。このグラフの横軸は時間（単位は分）であり、縦軸
は光ディスク１の反り角（単位はmrad）である。保護膜
５の膜厚Ｗ１を様々に変えて、光ディスク１を温度５５
℃、湿度３０％の環境下に放置する実験を行い、その結
果として光ディスク１の反りの変化を図１に示した。膜
厚Ｗ１として１０、１５、２０、３０、５０μｍの各値
を選び、放置時間に対して光ディスク１の反り角を１０
分毎にプロットした。
【００１５】図２は光ディスク１の反り角を示す図であ
る。光ディスク１が、その上面を内側に向けた円弧を描
くように反ったとき、光ディスク１の軸線Ｌが光ディス
ク１を貫く位置における光ディスク１の接平面を基準面
Ａとする。光ディスク１上のある点Ｐの反り角θは、点
Ｐにおける光ディスク１の接平面Ｂと基準面Ａとのなす
角のことである。光ディスク１の反り角は、光ディスク
１上の任意の点における反り角のうちの最大値である。
る。光ディスク１が、その上面を内側に向けた円弧を描
くように反ったとき、光ディスク１の軸線Ｌが光ディス
ク１を貫く位置における光ディスク１の接平面を基準面
Ａとする。光ディスク１上のある点Ｐの反り角θは、点
Ｐにおける光ディスク１の接平面Ｂと基準面Ａとのなす
角のことである。光ディスク１の反り角は、光ディスク
１上の任意の点における反り角のうちの最大値である。
【００１６】図１に示されるように、放置時間が２０分
を越える部分では、光ディスク１を構成する保護膜５の
膜厚Ｗ１が薄いほど、光ディスク１の反り角は大きくな
っている。膜厚Ｗ１＝１０、１５、２０μｍの光ディス
ク１については、放置時間が３０分以降の部分で反り角
が４．５mradを越えてさらに大きくなって行く。これに
対して膜厚Ｗ１＝３０、５０μｍの光ディスク１につい
ては、ほぼ横這い状態である。
を越える部分では、光ディスク１を構成する保護膜５の
膜厚Ｗ１が薄いほど、光ディスク１の反り角は大きくな
っている。膜厚Ｗ１＝１０、１５、２０μｍの光ディス
ク１については、放置時間が３０分以降の部分で反り角
が４．５mradを越えてさらに大きくなって行く。これに
対して膜厚Ｗ１＝３０、５０μｍの光ディスク１につい
ては、ほぼ横這い状態である。
【００１７】上述のように、保護膜５の膜厚Ｗ１を３０
〜５０μｍとする光ディスク１では、温度上昇に起因す
る反りが非常に小さいことがわかる。また膜厚Ｗ１＝１
０、１５、２０μｍの光ディスク１では、温度５５℃で
反り角が４．５mradを越えて、光ディスクの規格などか
ら外れてしまう。よって保護膜５の膜厚Ｗ１を３０〜５
０μｍとして構成した光ディスク１は、温度上昇による
反りを生じ難い。
〜５０μｍとする光ディスク１では、温度上昇に起因す
る反りが非常に小さいことがわかる。また膜厚Ｗ１＝１
０、１５、２０μｍの光ディスク１では、温度５５℃で
反り角が４．５mradを越えて、光ディスクの規格などか
ら外れてしまう。よって保護膜５の膜厚Ｗ１を３０〜５
０μｍとして構成した光ディスク１は、温度上昇による
反りを生じ難い。
【００１８】図３は光ディスク１の一般的な製造方法を
示す図である。ガラス原盤１１にフォトレジスト１２を
塗布し、所定のパターンどおりにレーザ光線を照射す
る。レーザ露光されたフォトレジスト１２は、現像処理
されて、レーザ光線が照射されたパターンに対応したパ
ターンを呈する。この上にニッケル膜１３を形成してフ
ォトレジスト１２およびガラス原盤１１を除去すると、
ニッケル膜１３は、フォトレジスト１２と凹凸の反転し
たパターンを有するスタンパ１４になる。
示す図である。ガラス原盤１１にフォトレジスト１２を
塗布し、所定のパターンどおりにレーザ光線を照射す
る。レーザ露光されたフォトレジスト１２は、現像処理
されて、レーザ光線が照射されたパターンに対応したパ
ターンを呈する。この上にニッケル膜１３を形成してフ
ォトレジスト１２およびガラス原盤１１を除去すると、
ニッケル膜１３は、フォトレジスト１２と凹凸の反転し
たパターンを有するスタンパ１４になる。
【００１９】このスタンパ１４を用いてもとのレーザ露
光されたフォトレジスト１２のパターンを以下のように
複製する。スタンパ１４を用いてポリカーボネートを射
出成形して、レプリカの基板２を形成する。この上に金
属製の薄い記録膜４を蒸着して形成し、さらにこの上に
保護膜５を塗布する。保護膜５を塗布する保護膜塗布工
程は、以下のようなスピンコート法によって行われる。
光されたフォトレジスト１２のパターンを以下のように
複製する。スタンパ１４を用いてポリカーボネートを射
出成形して、レプリカの基板２を形成する。この上に金
属製の薄い記録膜４を蒸着して形成し、さらにこの上に
保護膜５を塗布する。保護膜５を塗布する保護膜塗布工
程は、以下のようなスピンコート法によって行われる。
【００２０】記録膜４を有する側の面を上に向けた基板
２を、微小な回転数Ｒ０で回転させながら、基板２上の
回転軸付近に粘度Ｃのアクリル系ウレタン樹脂を吐出す
る。樹脂を吐出した後、回転数を回転数Ｒ０から所定の
回転数Ｒ１に瞬時に上昇させ、回転の遠心力で樹脂を基
板２上に広げる。樹脂が拡がれば、瞬時のうちに回転数
をさらに回転数Ｒ２まで上昇させて、さらに大きな遠心
力で余分な樹脂を振り切る。回転数Ｒ２に到達すれば瞬
時に回転数を零まで下降させる。このとき回転数が回転
数Ｒ１から上昇し始めるときから、回転数が回転数Ｒ２
を経由して零に到達するときまでの時間を時間Ｔとす
る。回転数Ｒ０は、回転数Ｒ１および回転数Ｒ２に比べ
ると、無視できるほどの微小量であり、樹脂を広げた
り、振り切ることには無関係である。
２を、微小な回転数Ｒ０で回転させながら、基板２上の
回転軸付近に粘度Ｃのアクリル系ウレタン樹脂を吐出す
る。樹脂を吐出した後、回転数を回転数Ｒ０から所定の
回転数Ｒ１に瞬時に上昇させ、回転の遠心力で樹脂を基
板２上に広げる。樹脂が拡がれば、瞬時のうちに回転数
をさらに回転数Ｒ２まで上昇させて、さらに大きな遠心
力で余分な樹脂を振り切る。回転数Ｒ２に到達すれば瞬
時に回転数を零まで下降させる。このとき回転数が回転
数Ｒ１から上昇し始めるときから、回転数が回転数Ｒ２
を経由して零に到達するときまでの時間を時間Ｔとす
る。回転数Ｒ０は、回転数Ｒ１および回転数Ｒ２に比べ
ると、無視できるほどの微小量であり、樹脂を広げた
り、振り切ることには無関係である。
【００２１】図４は光ディスク１の保護膜塗布工程の一
例を示すグラフである。このグラフの横軸は時間（単位
は秒）であり、縦軸は基板２を回転させる回転数（単位
はｒｐｍ）である。図４に従って保護膜塗布工程を行う
には、微小な回転数で基板２を回転させながら樹脂を基
板２に吐出し、回転数を１０００ｒｐｍに上げて樹脂を
広げ、さらに０．５秒の間に回転数を３０００ｒｐｍま
で上げてすぐに回転数を零に下げる。
例を示すグラフである。このグラフの横軸は時間（単位
は秒）であり、縦軸は基板２を回転させる回転数（単位
はｒｐｍ）である。図４に従って保護膜塗布工程を行う
には、微小な回転数で基板２を回転させながら樹脂を基
板２に吐出し、回転数を１０００ｒｐｍに上げて樹脂を
広げ、さらに０．５秒の間に回転数を３０００ｒｐｍま
で上げてすぐに回転数を零に下げる。
【００２２】図５〜１３は樹脂の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１
との関係を示すグラフである。グラフの横軸は基板２の
中心からの距離（単位はｍｍ）であり、縦軸は保護膜５
の膜厚Ｗ１（単位はμｍ）である。直径９０ｍｍのポリ
カーボネート製の基板２に対して、各パラメータを様々
な値に変えて保護膜塗布工程を行い、その結果を図５〜
１３に示した。ただし基板２に吐出する樹脂の粘度Ｃに
ついては、温度２５℃の下で４００≦粘度Ｃ≦６００ｃ
Ｐとし、回転数Ｒ１＝３００ｒｐｍ、１０００ｒｐｍ、
５０００ｒｐｍとし、回転数Ｒ２＝１５００ｒｐｍ、３
０００ｒｐｍ、５０００ｒｐｍとし、時間Ｔ＝０．０５
秒、０．３秒、０．８秒とした。
との関係を示すグラフである。グラフの横軸は基板２の
中心からの距離（単位はｍｍ）であり、縦軸は保護膜５
の膜厚Ｗ１（単位はμｍ）である。直径９０ｍｍのポリ
カーボネート製の基板２に対して、各パラメータを様々
な値に変えて保護膜塗布工程を行い、その結果を図５〜
１３に示した。ただし基板２に吐出する樹脂の粘度Ｃに
ついては、温度２５℃の下で４００≦粘度Ｃ≦６００ｃ
Ｐとし、回転数Ｒ１＝３００ｒｐｍ、１０００ｒｐｍ、
５０００ｒｐｍとし、回転数Ｒ２＝１５００ｒｐｍ、３
０００ｒｐｍ、５０００ｒｐｍとし、時間Ｔ＝０．０５
秒、０．３秒、０．８秒とした。
【００２３】同じ保護膜塗布工程で、さらに回転数Ｒ１
＝５００ｒｐｍ、１５００ｒｐｍ、回転数Ｒ２＝２００
０ｒｐｍ、４０００ｒｐｍおよび時間Ｔ＝０．１秒、
０．５秒の条件を加えて、その結果を以下の表１〜５に
示した。〇は膜厚Ｗ１＝３０〜５０μｍの均一な保護膜
５が塗布された条件を示し、×は均一な保護膜５が塗布
できなかった条件を示している。
＝５００ｒｐｍ、１５００ｒｐｍ、回転数Ｒ２＝２００
０ｒｐｍ、４０００ｒｐｍおよび時間Ｔ＝０．１秒、
０．５秒の条件を加えて、その結果を以下の表１〜５に
示した。〇は膜厚Ｗ１＝３０〜５０μｍの均一な保護膜
５が塗布された条件を示し、×は均一な保護膜５が塗布
できなかった条件を示している。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】
【表５】
【００２９】図９の折れ線２１は、半径方向距離が大き
くなるほど膜厚が大きくなっていて、樹脂は基板２の端
部に盛り上がり、さらに基板２の裏面に回り込んでいる
（図１４参照）。折れ線２２は半径方向距離に関わらず
膜厚４０μｍほどである。折れ線２３は半径方向距離が
大きくなるほど膜厚が小さくなっていて、基板２上の外
周部分の膜厚が内周部分の膜厚よりも薄くなっている。
くなるほど膜厚が大きくなっていて、樹脂は基板２の端
部に盛り上がり、さらに基板２の裏面に回り込んでいる
（図１４参照）。折れ線２２は半径方向距離に関わらず
膜厚４０μｍほどである。折れ線２３は半径方向距離が
大きくなるほど膜厚が小さくなっていて、基板２上の外
周部分の膜厚が内周部分の膜厚よりも薄くなっている。
【００３０】したがって回転数Ｒ２＝１５００ｒｐｍ、
時間Ｔ＝０．３秒の条件のもとでは、回転数Ｒ１＝１０
００ｒｐｍのとき膜厚３０〜５０μｍの均一な保護膜が
塗布され、回転数Ｒ１＝３００、５０００ｒｐｍのとき
膜厚Ｗ１＝３０〜５０μｍの均一な保護膜は塗布されな
かった。図５〜８および図１０〜１３についても同様な
ので詳しい説明を省略するが、このいずれの場合も膜厚
３０〜５０μｍの均一な保護膜は塗布されなかった。
時間Ｔ＝０．３秒の条件のもとでは、回転数Ｒ１＝１０
００ｒｐｍのとき膜厚３０〜５０μｍの均一な保護膜が
塗布され、回転数Ｒ１＝３００、５０００ｒｐｍのとき
膜厚Ｗ１＝３０〜５０μｍの均一な保護膜は塗布されな
かった。図５〜８および図１０〜１３についても同様な
ので詳しい説明を省略するが、このいずれの場合も膜厚
３０〜５０μｍの均一な保護膜は塗布されなかった。
【００３１】表１（時間Ｔ＝０．０５秒）および表５
（時間Ｔ＝０．８秒）に示されるように、回転数Ｒ１、
Ｒ２がいずれのときも膜厚Ｗ１＝３０〜５０μｍの均一
な保護膜は塗布されなかった。表２（時間Ｔ＝０．１
秒）、表３（時間Ｔ＝０．３秒）および表４（時間Ｔ＝
０．５秒）に示されるように、回転数Ｒ１＝５００、１
０００、１５００ｒｐｍかつ回転数Ｒ２＝２０００、３
０００、４０００ｒｐｍのときに、膜厚Ｗ１＝３０〜５
０μｍの保護膜が塗布された。
（時間Ｔ＝０．８秒）に示されるように、回転数Ｒ１、
Ｒ２がいずれのときも膜厚Ｗ１＝３０〜５０μｍの均一
な保護膜は塗布されなかった。表２（時間Ｔ＝０．１
秒）、表３（時間Ｔ＝０．３秒）および表４（時間Ｔ＝
０．５秒）に示されるように、回転数Ｒ１＝５００、１
０００、１５００ｒｐｍかつ回転数Ｒ２＝２０００、３
０００、４０００ｒｐｍのときに、膜厚Ｗ１＝３０〜５
０μｍの保護膜が塗布された。
【００３２】まとめると、時間Ｔが０．１秒よりも小さ
いときは、樹脂の振り切りが足りずに基板２の端部に盛
り上がったまま残った。また時間Ｔが０．５秒よりも大
きいときは、樹脂が振り切られ過ぎて外周部分の膜厚が
薄くなった。回転数Ｒ１が５００ｒｐｍよりも小さいと
きは、樹脂の振り切りが足りずに基板２の端部に盛り上
がったまま残った。また回転数Ｒ１が１５００ｒｐｍよ
りも大きいときは、膜厚が３０μｍよりも小さくなっ
た。回転数Ｒ２が２０００ｒｐｍよりも小さいときは、
樹脂の振り切りが足りずに基板２の端部に盛り上がった
まま残った。また回転数Ｒ２が４０００ｒｐｍよりも大
きいときは、樹脂が振り切られ過ぎて外周部分の膜厚が
薄くなった。
いときは、樹脂の振り切りが足りずに基板２の端部に盛
り上がったまま残った。また時間Ｔが０．５秒よりも大
きいときは、樹脂が振り切られ過ぎて外周部分の膜厚が
薄くなった。回転数Ｒ１が５００ｒｐｍよりも小さいと
きは、樹脂の振り切りが足りずに基板２の端部に盛り上
がったまま残った。また回転数Ｒ１が１５００ｒｐｍよ
りも大きいときは、膜厚が３０μｍよりも小さくなっ
た。回転数Ｒ２が２０００ｒｐｍよりも小さいときは、
樹脂の振り切りが足りずに基板２の端部に盛り上がった
まま残った。また回転数Ｒ２が４０００ｒｐｍよりも大
きいときは、樹脂が振り切られ過ぎて外周部分の膜厚が
薄くなった。
【００３３】樹脂の粘度Ｃについては、他の粘度の樹脂
を使うことも可能であるが、粘度Ｃが４００ｃＰよりも
小さいか、または６００ｃＰよりも大きいときには、膜
厚Ｗ１＝３０〜５０μｍの均一な保護膜を塗布できな
い。たとえば１００ｃＰ≦粘度Ｃ≦２００ｃＰの樹脂を
用いると、膜厚が３０μｍよりも薄くなってしまう。
を使うことも可能であるが、粘度Ｃが４００ｃＰよりも
小さいか、または６００ｃＰよりも大きいときには、膜
厚Ｗ１＝３０〜５０μｍの均一な保護膜を塗布できな
い。たとえば１００ｃＰ≦粘度Ｃ≦２００ｃＰの樹脂を
用いると、膜厚が３０μｍよりも薄くなってしまう。
【００３４】上述のように保護膜塗布工程において、各
パラメータが請求項３の関係式（１）〜（４）を満たす
と、膜厚Ｗ１＝３０〜５０μｍの均一な保護膜５を塗布
できる。しかもこうして形成した光ディスク１は温度上
昇による反りが少ない。
パラメータが請求項３の関係式（１）〜（４）を満たす
と、膜厚Ｗ１＝３０〜５０μｍの均一な保護膜５を塗布
できる。しかもこうして形成した光ディスク１は温度上
昇による反りが少ない。
【００３５】なお本発明の光ディスク１は厚さＷ２＝
１．２ｍｍのものであり、記録膜４が片面だけに形成さ
れていれば良い。たとえば、再生専用のＣＤやＣＤ−Ｒ
ＯＭのように、トラッキングおよび信号再生のためのピ
ットが案内溝３であり、光の反射率を上げるためのアル
ミニウム薄膜が記録膜４であるものでも良い。また、再
生および記録が可能なＭＯなどの光磁気ディスクのよう
に、トラッキング用のグルーブが案内溝３であり、信号
を再生および記録するための磁性膜が記録膜４であるも
のでもよい。
１．２ｍｍのものであり、記録膜４が片面だけに形成さ
れていれば良い。たとえば、再生専用のＣＤやＣＤ−Ｒ
ＯＭのように、トラッキングおよび信号再生のためのピ
ットが案内溝３であり、光の反射率を上げるためのアル
ミニウム薄膜が記録膜４であるものでも良い。また、再
生および記録が可能なＭＯなどの光磁気ディスクのよう
に、トラッキング用のグルーブが案内溝３であり、信号
を再生および記録するための磁性膜が記録膜４であるも
のでもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、温度上昇
による光ディスクの反りを少なくすることによって、光
ディスクの再生および記録を、より精度良く行える。
による光ディスクの反りを少なくすることによって、光
ディスクの再生および記録を、より精度良く行える。
【００３７】また本発明によれば、光ディスクの保護膜
塗布工程において、基板を回転数Ｒ２で回転させる前
に、それよりも小さい回転数Ｒ２で回転させることによ
って、従来よりも厚い保護膜を塗布できる。
塗布工程において、基板を回転数Ｒ２で回転させる前
に、それよりも小さい回転数Ｒ２で回転させることによ
って、従来よりも厚い保護膜を塗布できる。
【００３８】また本発明によれば、関係式（１）〜
（４）を満たす各パラメータを用いて、光ディスクの保
護膜塗布工程を行うと、さらに厚い保護膜を塗布でき
る。
（４）を満たす各パラメータを用いて、光ディスクの保
護膜塗布工程を行うと、さらに厚い保護膜を塗布でき
る。
【図１】光ディスク１の反り角と保護膜５の膜厚Ｗ１と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図２】光ディスク１の反り角を示す断面図である。
【図３】光ディスク１の一般的な製造方法を示す図であ
る。
る。
【図４】光ディスク１の保護膜塗布工程における回転数
と時間との関係の一例を示すグラフである。
と時間との関係の一例を示すグラフである。
【図５】回転数Ｒ２＝１５００ｒｐｍ、時間Ｔ＝０．０
５秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
５秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
【図６】回転数Ｒ２＝３０００ｒｐｍ、時間Ｔ＝０．０
５秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
５秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
【図７】回転数Ｒ２＝５０００ｒｐｍ、時間Ｔ＝０．０
５秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
５秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
【図８】回転数Ｒ２＝１５００ｒｐｍ、時間Ｔ＝０．３
秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関係
を示すグラフである。
秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関係
を示すグラフである。
【図９】回転数Ｒ２＝３０００ｒｐｍ、時間Ｔ＝０．３
秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関係
を示すグラフである。
秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関係
を示すグラフである。
【図１０】回転数Ｒ２＝５０００ｒｐｍ、時間Ｔ＝０．
３秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
３秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
【図１１】回転数Ｒ２＝１５００ｒｐｍ、時間Ｔ＝０．
８秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
８秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
【図１２】回転数Ｒ２＝３０００ｒｐｍ、時間Ｔ＝０．
８秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
８秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
【図１３】回転数Ｒ２＝５０００ｒｐｍ、時間Ｔ＝０．
８秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
８秒のときに、保護膜５の膜厚Ｗ１と回転数Ｒ１との関
係を示すグラフである。
【図１４】樹脂が基板２の裏面に回り込んで塗布された
保護膜５を示す断面図である。
保護膜５を示す断面図である。
【図１５】光ディスク１の断面図である。
【図１６】従来の光ディスク１の保護膜塗布工程におけ
る回転数と時間との関係の一例を示すグラフである。
る回転数と時間との関係の一例を示すグラフである。
【図１７】光ディスク１の反りを示す断面図である。
【図１８】樹脂の吐出量に対する保護膜５の膜厚Ｗ１を
示すグラフである。
示すグラフである。
１ 光ディスク ２ 基板 ３ 案内溝 ４ 記録膜 ５ 保護膜 Ｗ１ 膜厚 Ｃ 粘度 Ｒ１，Ｒ２ 回転数 Ｔ 時間
Claims (3)
- 【請求項１】 円盤状の基板の片面に、トラッキング用
の案内溝および記録膜が形成され、保護膜が塗布され、 光が照射されて信号が記録または再生される光ディスク
において、 保護膜の膜厚Ｗ１が３０μｍ≦膜厚Ｗ１≦５０μｍの範
囲にあることを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 円盤状の基板の片面に、トラッキング用
の案内溝を形成する工程と、 前記基板上に記録膜を形成する工程と、 スピンコート法によって前記基板上に保護膜を塗布する
保護膜塗布工程とを含む光ディスクの製造方法におい
て、 前記保護膜塗布工程において、基板上に粘度Ｃの樹脂を
吐出して、回転数Ｒ１で所定時間基板を回転させてか
ら、回転数を回転数Ｒ１から回転数Ｒ１よりも大きい回
転数Ｒ２に上昇させた後、回転数を零に下降させて保護
膜を塗布することを特徴とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記保護膜塗布工程において、回転数が
回転数Ｒ１から上昇し始めるときから、回転数が回転数
Ｒ２を経由して零になるときまでの時間間隔を時間Ｔと
し、 前記樹脂の粘度Ｃ、回転数Ｒ１、回転数Ｒ２および時間
Ｔは下記の関係式（１）〜（４）を満たすことを特徴と
する請求項２記載の光ディスクの製造方法。 （１） ４００ｃＰ≦粘度Ｃ≦６００ｃＰ （２） ５００ｒｐｍ≦回転数Ｒ１≦１５００ｒｐｍ （３） ２０００ｒｐｍ≦回転数Ｒ２≦４０００ｒｐｍ （４） ０．１秒≦時間Ｔ≦０．５秒
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8216253A JPH1064119A (ja) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8216253A JPH1064119A (ja) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064119A true JPH1064119A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16685674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8216253A Pending JPH1064119A (ja) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064119A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1031972A2 (en) * | 1999-02-24 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
| US6740269B2 (en) * | 2001-03-28 | 2004-05-25 | Origin Electric Company, Limited | Method and apparatus of treating a disc plate |
| KR100483094B1 (ko) * | 2001-03-28 | 2005-04-15 | 샤프 가부시키가이샤 | 광 데이터 기록 매체 및 그 기판 보호막의 선택 방법 |
| US7263707B2 (en) | 2002-05-14 | 2007-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Information processing medium and information processing apparatus using the same |
-
1996
- 1996-08-16 JP JP8216253A patent/JPH1064119A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1031972A2 (en) * | 1999-02-24 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
| EP1031972A3 (en) * | 1999-02-24 | 2002-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
| US6657948B1 (en) | 1999-02-24 | 2003-12-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
| US6740269B2 (en) * | 2001-03-28 | 2004-05-25 | Origin Electric Company, Limited | Method and apparatus of treating a disc plate |
| KR100483094B1 (ko) * | 2001-03-28 | 2005-04-15 | 샤프 가부시키가이샤 | 광 데이터 기록 매체 및 그 기판 보호막의 선택 방법 |
| US7198478B2 (en) | 2001-03-28 | 2007-04-03 | Origin Electric Company, Limited | Method and apparatus of treating a disc plate |
| US7263707B2 (en) | 2002-05-14 | 2007-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Information processing medium and information processing apparatus using the same |
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