JP2545677B2 - フォトレジストの塗布方法 - Google Patents

フォトレジストの塗布方法

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JP2545677B2
JP2545677B2 JP4261686A JP26168692A JP2545677B2 JP 2545677 B2 JP2545677 B2 JP 2545677B2 JP 4261686 A JP4261686 A JP 4261686A JP 26168692 A JP26168692 A JP 26168692A JP 2545677 B2 JP2545677 B2 JP 2545677B2
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一弘 瀬戸
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジストの塗布
方法に係り、詳しくは光学式記録ディスクの製作過程に
おいて、ガラス基盤面にフォトレジスト膜を形成するた
めのフォトレジストの塗布方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光学式記録ディスクの製作は、先ず原盤
(マスタ)の製作から始まり、メタルマスタ、マザーを
経てスタンパを作り、このスタンパを用いてディスクの
製作がおこなわれている。原盤には、表面を精密に仕上
げたガラス基盤が用いられており、通常、その表面に塩
化第一錫のような定着材を塗布し、更に回転させながら
表面を水で洗い流して残った定着材を除去し乾燥させ
る。
【0003】次に、定着材によってフォトレジストが付
着し易くなった表面に光に感光物質であるフォトレジス
トを塗布してガラス基盤の表面に一定の厚さのフォトレ
ジスト膜を形成する。
【0004】フォトレジストを塗布する方法は、通常、
図4に示すように、モータ1の回転軸に取り付けられた
回転板1a上にガラス基盤2を載せて略40rpmの低
速回転で回転させ、アーム3をガラス基盤2の端部から
中心部まで移動させながらアーム3の先端部からレジス
トを滴下して塗布する。そして、次にガラス基盤2を約
300rpmの高速で300sec程度回転させてフォ
トレジスト膜の厚みの均一化を図るとともに乾燥をおこ
なっている。なお、レジスト膜の厚さは 0.1μm程度で
ある。
【0005】次に、このフォトレジストを塗布したガラ
ス基盤2を回転させ、フォトレジスト層にアルゴンレー
ザやHe−Cdレーザ等によるレーザ光のスポットをO
N・OFF照射して情報を記録する。このようにして情
報が記録された原盤(マスタ)を現像処理すると光の当
たったところが溶けだして(ポジ形レジストの場合)、
ピットが形成される。この原盤をもとにメッキをおこな
い、いわゆる電鋳プロセスを経てメタルマスタが完成
し、メタルマスタからマザーが作られ、マザーからスタ
ンパが製作される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に低速回転でフォトレジストを塗布し、高速回転で振り
切り乾燥するようにすると、エリプソメータによる測定
によれば図2のAに示すように、レジスト膜の厚さが半
径方向に向かって段々厚くなっていき、基盤の中心から
50mmのところと150mmところでは厚さで40〜
50Å程の違いが出ている。また、半径100mmのと
ころの円周方向をレーザ光を照射して反射光をオシロス
コープで観測すると、図3(a)に示すように、かなり
の凹凸が観測される。このような原盤の段階での欠陥
は、これをマスタとして作る全てのディスクに影響がで
るため大きな問題となっている。
【0007】本発明は、均一の厚さのレジスト膜をガラ
ス基盤面に形成するフォトレジストの塗布方法を提供す
ることを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるフォトレ
ジストの塗布方法は、光学式記録ディスクの製作過程に
おけるガラス基盤面にフォトレジスト膜を形成するため
のフォトレジストの塗布方法であって、ガラス基盤面に
所定粘度のフォトレジストを塗布しながら、ガラス基盤
を低速度で所定時間回転させる塗布工程と、フォトレジ
ストの塗布を停止した後、ガラス基盤を中速度で所定時
間回転させて膜厚を均一にする膜厚均一化工程と、更
に、ガラス基盤を高速度で所定時間回転させて乾燥させ
る乾燥工程とを備えたことを特徴とする。
【0009】また、本発明に係わるフォトレジストの塗
布方法は、請求項1記載のフォトレジストの塗布方法に
おいて、前記フォトレジストは、粘度略20センチポア
ズのフォトレジストとシンナーとを1体11程の割合で
混合希釈したものであり、かつ前記塗布工程における低
速度は35rpm乃至45rpm、所定時間は略30s
ecとし、また前記膜厚均一化工程における中速度は1
35rpm乃至165rpm、所定時間は略30sec
とし、更に前記乾燥工程における高速度は200rpm
乃至700rpm、所定時間は略210secとしたこ
とを特徴とする。
【0010】
【作用】上述のように構成されているので、低速回転中
にガラス基盤面に塗布されたフォトレジストを、中速回
転で厚さを均一にしつつ、更に高速回転で乾燥させてい
くと、ガラス基盤面に厚さの均一なフォトレジスト膜を
形成すことができる。
【0011】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。なお、従来の技術のところで説明したもの
と同一部分には同一符号を付す。
【0012】図1には、本発明実施例のフォトレジスト
の塗布方法の工程がタイムチャートとして示されてい
る。本発明の実施例に用いるフォトレジストの塗布装置
は、従来の技術のところで説明した図4に示す装置が用
いられており、先ず、モータ1の回転軸に取り付けられ
た回転板1a上に表面を精密に仕上げられたガラス基盤
(直径360mm)2を載せる。そして、図1に示すよ
うに、塗布工程である第1の工程としてガラス基盤2を
第1の速度である約40rpmの低速回転で回転させ、
同時にアーム3をガラス基盤2の端部から中心部までア
ーム3の先端部からレジストを基盤面に滴下させながら
約30secで移動させてレジストを塗布する。なお、
ここで用いたフォトレジストはシィプレー社製のS−1
400−31(粘度5〜20センチポアズ)とシンナー
とを1:11程度の割合で混合し希釈したものである。
【0013】そして、フォトレジストの塗布を停止した
後、次に膜厚均一化工程である第2の工程として、ガラ
ス基盤2を第2の速度である約150rpmの中速回転
で約30sec回転させて膜厚の均一化を図る。更に乾
燥工程である第3の工程として、ガラス基盤2を第3の
速度である約300rpmの高速回転で約210sec
回転させて乾燥をさせて、ガラス基盤2面にフォトレジ
スト膜を形成する。
【0014】このようにして塗布されたフォトレジスト
膜の厚さを、エリプソメータにより測定すると、図2の
Bに示すように、半径方向に向かって略0.135μmの
均一の厚さとなっており、基盤の中心から50mmのと
ころと150mmところで比較して従来と比べて50Å
程の分布が改良できたことになる。また、半径100m
mのところの円周方向をレーザ光を照射して反射光をオ
シロスコープで観測すると、図3(b)に示すように、
凹凸がかなり改良されており、膜厚として20Å程度の
改良がなされている。
【0015】なお、本実施例では、第1の工程中の第1
の速度を40rpm、第2の工程中の第2の速度を15
0rpm、第3の工程中の第3の速度を300rpmと
したが、第1の速度を35〜45rpmの範囲、第2の
速度を135〜165rpmの範囲、第3の速度を20
0〜700rpmの範囲で実施しても同様な効果を得る
ことができる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるフォ
トレジストの塗布方法によると、ガラス基盤面のフォト
レジスト膜の厚さが半径方向及び円周方向についても均
一となり膜厚ムラ(ヌトリエイションを含む)が減少
し、ディスクの原盤としての精度の向上が図れた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例の工程を表すタイムチャートであ
る。
【図2】従来の塗布方法と本実施例による塗布方法とに
より形成されたフォトレジストの膜厚を示す図である。
【図3】(A)は従来の塗布方法によって形成されたフ
ォトレジストの膜厚を基盤の円周方向に対して測定した
図、(B)は本実施例による図である。
【図4】フォトレジストをガラス基盤面に塗布する装置
である。
【符号の説明】
1 モータ 2 ガラス基盤 3 アーム

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光学式記録ディスクの製作過程における
    ガラス基盤面にフォトレジスト膜を形成するためのフォ
    トレジストの塗布方法であって、 ガラス基盤面に所定粘度のフォトレジストを塗布しなが
    ら、ガラス基盤を低速度で所定時間回転させる塗布工程
    と、フォトレジストの徐布を停止した後、ガラス基盤を中速
    度で所定時間回転させて膜厚を均一にする膜厚均一化工
    程と、 更に、ガラス基盤を高速度で所定時間回転させて乾燥さ
    せる乾燥工程と、 を備えたことを特徴とするフォトレジストの塗布方法。
  2. 【請求項2】 前記フォトレジストは、粘度略20セン
    チポアズのフォトレジストとシンナーとを1体11程の
    割合で混合希釈したものであり、かつ前記塗布工程にお
    ける低速度は35rpm乃至45rpm、所定時間は略
    30secとし、また前記膜厚均一化工程における中速
    度は135rpm乃至165rpm、所定時間は略30
    secとし、更に前記乾燥工程における高速度は200
    rpm乃至700rpm、所定時間は略210secと
    したことを特徴とする請求項1記載のフォトレジストの
    塗布方法。
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