JPH0215441A - 光磁気デイスクの作製方法 - Google Patents
光磁気デイスクの作製方法Info
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- JPH0215441A JPH0215441A JP16500788A JP16500788A JPH0215441A JP H0215441 A JPH0215441 A JP H0215441A JP 16500788 A JP16500788 A JP 16500788A JP 16500788 A JP16500788 A JP 16500788A JP H0215441 A JPH0215441 A JP H0215441A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気ディスクに係り、特に磁界変調による
オーバライド記録を安定に行うことができる耐摺動保護
膜を形成するのに好適な光磁気ディスクの作製方法に関
する。
オーバライド記録を安定に行うことができる耐摺動保護
膜を形成するのに好適な光磁気ディスクの作製方法に関
する。
従来磁界変調型ディスクは、ジャパニーズ・ジャーナル
・オブ・アプライド・フィジックス・ボリューム２６
（１９８７年）第２３１頁から第２３５頁（Ｊａｐａｎ
ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ。
・オブ・アプライド・フィジックス・ボリューム２６
（１９８７年）第２３１頁から第２３５頁（Ｊａｐａｎ
ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ。
Ｖｏｌ、 ２６（１９８７）ＰＰ２３１−２３５）にお
いて論じられているように、垂直方向に磁化容易軸を有
する磁性膜をディスク記録面に形成し、印加磁界により
、レーザビーム照射領域内の磁化の向きを容易かつ高速
に制御すると、所謂オーバライド書き込みが可能である
とされていた。
いて論じられているように、垂直方向に磁化容易軸を有
する磁性膜をディスク記録面に形成し、印加磁界により
、レーザビーム照射領域内の磁化の向きを容易かつ高速
に制御すると、所謂オーバライド書き込みが可能である
とされていた。
しかし、前述した例では、ディスク上０．１ｎｎ＋〜０
．５Ｉの位置に磁場発生用電磁コイルを設置して変調磁
場を印加していた。このため、記録周波数は０ 、５
Ｍ Ｈｚ 以下となり、数ＭＨｚ程度の高い周波数の信
号記録を行なうことができないという問題があった。
．５Ｉの位置に磁場発生用電磁コイルを設置して変調磁
場を印加していた。このため、記録周波数は０ 、５
Ｍ Ｈｚ 以下となり、数ＭＨｚ程度の高い周波数の信
号記録を行なうことができないという問題があった。
そこで、第５図に示すように、光磁気ディスク１０をは
さんで光ヘッド７と磁気ヘッド８を対向させ、該磁気ヘ
ッド８として浮上型磁気ヘッドを用いた、所謂ＣＳ Ｓ
（Ｃｏｎｔａｃｔ ５ｔａｒｔ＆５ｔｏｐ）方式のオ
ーバライド法が考え出された。情報の記録は、記録膜２
に光ヘッドによって高出力のレーザ光９を基盤１側から
照射すると同時に、磁気ヘッド８によって記録情報に応
じて極性反転された変調磁場を保護膜３側から印加する
ことで行なう。これにより、古い信号を消去しながら新
しい信号を重ね書きすることができる。
さんで光ヘッド７と磁気ヘッド８を対向させ、該磁気ヘ
ッド８として浮上型磁気ヘッドを用いた、所謂ＣＳ Ｓ
（Ｃｏｎｔａｃｔ ５ｔａｒｔ＆５ｔｏｐ）方式のオ
ーバライド法が考え出された。情報の記録は、記録膜２
に光ヘッドによって高出力のレーザ光９を基盤１側から
照射すると同時に、磁気ヘッド８によって記録情報に応
じて極性反転された変調磁場を保護膜３側から印加する
ことで行なう。これにより、古い信号を消去しながら新
しい信号を重ね書きすることができる。
この時使用する光磁気ディスク１０は、基盤１の上に窒
化物（１）２１．（ｎ）２３で上下を保護した磁性層２
２を配する。最上部には磁気ヘッド８のクラッシュ防止
用に、厚さ１０μｍ程度の樹脂コーティングを耐摺動保
護層３として形成する。
化物（１）２１．（ｎ）２３で上下を保護した磁性層２
２を配する。最上部には磁気ヘッド８のクラッシュ防止
用に、厚さ１０μｍ程度の樹脂コーティングを耐摺動保
護層３として形成する。
この耐摺動保護膜の作製方法としては、次のような工程
が採られる。まず第３図（ａ）に示すように、記録膜２
を有する円板状の基盤１を回転可能な支持台４に設置し
、ネジ５で固定し、紫外線硬化樹脂３１を同心円状に塗
布する。次に支持台４をゆっくり始動させ、基盤１のほ
ぼ全面に樹脂が拡がるのを確認した後、回転速度を３Ｑ
Ｏｒｐｒｎ程度にあげ、数分後同図（ｂ）の如く支持台
４から基盤１を取り外し、紫外線６を照射して、樹脂膜
３１を硬化せしめる。
が採られる。まず第３図（ａ）に示すように、記録膜２
を有する円板状の基盤１を回転可能な支持台４に設置し
、ネジ５で固定し、紫外線硬化樹脂３１を同心円状に塗
布する。次に支持台４をゆっくり始動させ、基盤１のほ
ぼ全面に樹脂が拡がるのを確認した後、回転速度を３Ｑ
Ｏｒｐｒｎ程度にあげ、数分後同図（ｂ）の如く支持台
４から基盤１を取り外し、紫外線６を照射して、樹脂膜
３１を硬化せしめる。
上記従来技術は、樹脂から成る耐摺動保護膜の表面が平
坦でないため、段差となり磁界変調によるオーバライド
記録を行った場合、Ｃ８Ｓ時に、磁気ヘッドにかかる衝
撃が大きく、ヘッドあるいはディスクの寿命を低下させ
るという問題があった。
坦でないため、段差となり磁界変調によるオーバライド
記録を行った場合、Ｃ８Ｓ時に、磁気ヘッドにかかる衝
撃が大きく、ヘッドあるいはディスクの寿命を低下させ
るという問題があった。
また、樹脂を塗布する際１回転速度が遅く、樹脂の粘度
が高い等の条件が重なると、樹脂が基盤の裏面にもまわ
り込んでしまい、外観を整えるための余分な作業が必要
であった。
が高い等の条件が重なると、樹脂が基盤の裏面にもまわ
り込んでしまい、外観を整えるための余分な作業が必要
であった。
一方、従来技術で作製した耐摺動保護膜全領域の膜厚を
測定したところ、第４図および第１表に示すように、外
周部が特に厚くなっていた。ここで、第１表において、
Ａ−Ｆの符号は第４図のＡ〜Ｆの部分の耐摺動保護膜の
厚さを示す。
測定したところ、第４図および第１表に示すように、外
周部が特に厚くなっていた。ここで、第１表において、
Ａ−Ｆの符号は第４図のＡ〜Ｆの部分の耐摺動保護膜の
厚さを示す。
第 １ 表
また、
このディスクを高温高湿
（６０℃、９５
％ＲＨ）の環境下で１００時間テストし、大気中に取り
出したところ、外周付近の耐摺動保護膜の記録膜からの
剥がれを生じた。これは、もともと樹脂は水分の吸収・
放出を起こし易い性質を有しているため、記録膜との境
界に水分がたまったことによるものと考えられる。従が
ってこの耐摺動保護膜はできるだけ薄く、しかも均一に
形成されることが望ましい。
出したところ、外周付近の耐摺動保護膜の記録膜からの
剥がれを生じた。これは、もともと樹脂は水分の吸収・
放出を起こし易い性質を有しているため、記録膜との境
界に水分がたまったことによるものと考えられる。従が
ってこの耐摺動保護膜はできるだけ薄く、しかも均一に
形成されることが望ましい。
本発明の目的は、これらの問題点を解決し、Ｃ８Ｓ方式
により、Ｉ Ｍ Ｈｚ以上の高周波信号でも長期ｎＪｆ
ｆ、安定にオーバライ（・記録を行えろようにすること
にある。
により、Ｉ Ｍ Ｈｚ以上の高周波信号でも長期ｎＪｆ
ｆ、安定にオーバライ（・記録を行えろようにすること
にある。
上記目的は、光磁気ディスクに耐摺動保護膜を作製する
際、樹脂の硬化は少なくとも１ｏ００ｒｐｍ以上での回
転数で行い、硬化中も基盤は回転状態としておくことに
より達成される。
際、樹脂の硬化は少なくとも１ｏ００ｒｐｍ以上での回
転数で行い、硬化中も基盤は回転状態としておくことに
より達成される。
粘度３００ｃｐの樹脂を、低速（３０ｒｐｍ程度）の回
転状態にある円盤に塗布すると、放射状に拡がる。しか
し、外周付近まで拡がると、樹脂自体の表面張力により
最外周の樹脂が盛り上がる構造となる。回転数を増やし
、樹脂塗膜の厚さが均一となった後に硬化をさせること
により１表面が均一な耐摺動保護膜がディスク上に形成
でき、磁気ヘッドをＣ８Ｓ動作させても、ヘッドクラッ
シュすることはない。
転状態にある円盤に塗布すると、放射状に拡がる。しか
し、外周付近まで拡がると、樹脂自体の表面張力により
最外周の樹脂が盛り上がる構造となる。回転数を増やし
、樹脂塗膜の厚さが均一となった後に硬化をさせること
により１表面が均一な耐摺動保護膜がディスク上に形成
でき、磁気ヘッドをＣ８Ｓ動作させても、ヘッドクラッ
シュすることはない。
また１回転と硬化処理を並行して行なうと外周部のみ樹
脂が厚くなるということも解消されるので、従来に発生
していたような保護膜の剥がれの発生もなくすことがで
きる。
脂が厚くなるということも解消されるので、従来に発生
していたような保護膜の剥がれの発生もなくすことがで
きる。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
〈実施例１〉
第１図に示すように、情報パターンの上に記載膜２を有
する基盤１（直径φ１３０）を回転可能な支持台４に設
置し、ネジ５で固定し、紫外線硬化樹脂（ＵＶ樹脂）３
１を同心円状に塗布する。
する基盤１（直径φ１３０）を回転可能な支持台４に設
置し、ネジ５で固定し、紫外線硬化樹脂（ＵＶ樹脂）３
１を同心円状に塗布する。
ＵＶＷ脂の粘度は、薄膜状にすることを考えると５０〜
５００ｃｐの範囲が好ましい。次に、支持台４をゆっく
り始動させ、ＵＶ樹脂３１が記録膜２のほぼ全面に拡が
るのを確認したら、今度は少なくとも１０００ｒｐ１１
１以上の回転数に加速する。
５００ｃｐの範囲が好ましい。次に、支持台４をゆっく
り始動させ、ＵＶ樹脂３１が記録膜２のほぼ全面に拡が
るのを確認したら、今度は少なくとも１０００ｒｐ１１
１以上の回転数に加速する。
これは、１１０００ｒｐ以下では回転状態中に飛ばしき
ることのできなかった余分なＵＶ樹脂３１が外周付近に
山形状に残ってしまうことがあるためである。１分後、
支持台４を回転させたままで紫外線６を照射すると、Ｕ
Ｖ樹脂３１は硬化され、耐摺動保護膜となる。
ることのできなかった余分なＵＶ樹脂３１が外周付近に
山形状に残ってしまうことがあるためである。１分後、
支持台４を回転させたままで紫外線６を照射すると、Ｕ
Ｖ樹脂３１は硬化され、耐摺動保護膜となる。
以上の方法により作製した耐摺動膜全領域の膜厚を測定
したところ、第２図のように、膜全体の平均は５μｍと
なっており、そのバラツキは主１゜５μｍとわずかなも
のであった。
したところ、第２図のように、膜全体の平均は５μｍと
なっており、そのバラツキは主１゜５μｍとわずかなも
のであった。
この光磁気ディスクを用いて、Ｃ１８力式による磁界変
調型のオーバライド記録を行ったところ、磁気ヘッドは
ディスク回転の始動・停止時に、耐摺動保護膜に接触し
ても、表面の平坦性のため、ヘッドクラッシュを受ける
ことはなくなった。
調型のオーバライド記録を行ったところ、磁気ヘッドは
ディスク回転の始動・停止時に、耐摺動保護膜に接触し
ても、表面の平坦性のため、ヘッドクラッシュを受ける
ことはなくなった。
また、高温多湿（６０℃、９５％ＲＨ）下の耐環境性能
のテストを行なった結果、２０００時間経過しても耐摺
動保護膜の剥がれは発生しておらず、膜の均一性を向上
させると接着性も向上することが判明した。
のテストを行なった結果、２０００時間経過しても耐摺
動保護膜の剥がれは発生しておらず、膜の均一性を向上
させると接着性も向上することが判明した。
尚、紫外線硬化樹脂だけでなく、熱硬化樹脂、あるいは
嫌気性樹脂を用いても、耐摺動保護膜の作製は可能であ
る。熱硬化樹脂の場合は、高温槽（８０℃以上）の中に
回転可能な支持台を用意しておき、先の例で１１０００
ｒｐ以上の高速回転が終了した時点で、基盤１を高温槽
内の支持台に設置し、回転させながら、１分間の以上の
ベーキングを行う。一方、嫌気性樹脂の場合は、先の例
で１１００Ｏｒｐ以上に支持台４の回転数を加速した後
、そのまま数分間回転し続ければ良い。
嫌気性樹脂を用いても、耐摺動保護膜の作製は可能であ
る。熱硬化樹脂の場合は、高温槽（８０℃以上）の中に
回転可能な支持台を用意しておき、先の例で１１０００
ｒｐ以上の高速回転が終了した時点で、基盤１を高温槽
内の支持台に設置し、回転させながら、１分間の以上の
ベーキングを行う。一方、嫌気性樹脂の場合は、先の例
で１１００Ｏｒｐ以上に支持台４の回転数を加速した後
、そのまま数分間回転し続ければ良い。
〈実施例２〉
実施例１では、耐摺動保護膜は一層であったが、保護膜
硬度増加等の目的で二層以上の膜の形成を行なうことも
可能である。
硬度増加等の目的で二層以上の膜の形成を行なうことも
可能である。
第６図に示すように、記録膜２を有する基盤１を回転可
能な支持台４に設置し、ＵＶＪ１脂３１を同心円状に塗
布する。支持台４を回転させ、ＵＶ樹脂３１を均一な薄
膜状とした後、基盤１は回転させたまま紫外線６を照射
する。この時、紫外線６の照射時間は、樹脂硬化の半分
以下の範ＦＭ（たとえば１〜５秒）に設定し、ＵＶ樹脂
３１は半硬化の状態とする。次に、硬い耐摺動保護膜と
するため、無機物の粉末（たとえば５ｉＯｚ）をＵＶ樹
脂に混入した混合物３２をＵＶ樹脂３１の上に塗布し、
１１０００ｒｐ以上の高速回転の後、回転させた状態で
紫外線６をこの時は３０秒以上照射する。これにより、
下層のＵＶ樹脂３］と上層の混合物３２の密着性は強化
され、二層の間で剥離が起こるようなことはなくなる。
能な支持台４に設置し、ＵＶＪ１脂３１を同心円状に塗
布する。支持台４を回転させ、ＵＶ樹脂３１を均一な薄
膜状とした後、基盤１は回転させたまま紫外線６を照射
する。この時、紫外線６の照射時間は、樹脂硬化の半分
以下の範ＦＭ（たとえば１〜５秒）に設定し、ＵＶ樹脂
３１は半硬化の状態とする。次に、硬い耐摺動保護膜と
するため、無機物の粉末（たとえば５ｉＯｚ）をＵＶ樹
脂に混入した混合物３２をＵＶ樹脂３１の上に塗布し、
１１０００ｒｐ以上の高速回転の後、回転させた状態で
紫外線６をこの時は３０秒以上照射する。これにより、
下層のＵＶ樹脂３］と上層の混合物３２の密着性は強化
され、二層の間で剥離が起こるようなことはなくなる。
更に、三層、四層と重ね続ける場合は、最外層の樹脂を
硬化する時のみ３０秒以上の紫外線を照射すれば良い。
硬化する時のみ３０秒以上の紫外線を照射すれば良い。
それ以外の層の照射時間は１〜５秒以内である。
また、ＵＶ４！ｆ脂・熱硬化樹脂・嫌気性樹脂のどれか
二種以上の組合せによる作製も可能である。
二種以上の組合せによる作製も可能である。
上記のいずれか、あるいは全種に無機物から成る粉末を
混入させても効果は同様である。但し、最外層以外の層
は常時半硬化状態としておくことが重要である。
混入させても効果は同様である。但し、最外層以外の層
は常時半硬化状態としておくことが重要である。
本発明によれば、耐摺動保護膜を平坦性良く形成できる
ので、磁界変調によるオーバライドを行ってもＣ８Ｓ時
に磁気ヘッドに衝撃を与えることなく、磁気ヘッドの寿
命を延長できるようになった。また、記録膜と耐摺動保
護膜との間の剥離も防止できる。これらの結果、Ｃ８Ｓ
方式による数ＭＨｚ以上の高周波信号に対しても安定な
オーバライド記録が可能となった。
ので、磁界変調によるオーバライドを行ってもＣ８Ｓ時
に磁気ヘッドに衝撃を与えることなく、磁気ヘッドの寿
命を延長できるようになった。また、記録膜と耐摺動保
護膜との間の剥離も防止できる。これらの結果、Ｃ８Ｓ
方式による数ＭＨｚ以上の高周波信号に対しても安定な
オーバライド記録が可能となった。
第１図は本発明の実施例１の耐摺動保護膜の作製工程を
示す断面図、第２図は実施例により作製した耐摺動保護
膜の膜厚分布を示す平面図、第３図は従来の耐摺動保護
膜の作製工程を示す断面図、第４図は従来技術により作
製した耐摺動保護膜の膜厚分布を示す平面図、第５図は
光磁気ディスク装置の一般的な構成例を示す断面図、第
６図は本発明の実施例２の耐摺動保護膜の作製工程を示
す断面図である。 １・・・基盤、２・・・記録膜、３・・・耐摺動保護膜
、４・・・回転支持台、５・・・ネジ、６・・・紫外線
、７・・・光ヘッド、８・・・磁気ヘッド、９・・・レ
ーザ光、３１・・・紫外線硬化樹脂、３２・・・紫外線
硬化樹脂と無機物の粉子 刀 茅 閃 茅 図 茅 図
示す断面図、第２図は実施例により作製した耐摺動保護
膜の膜厚分布を示す平面図、第３図は従来の耐摺動保護
膜の作製工程を示す断面図、第４図は従来技術により作
製した耐摺動保護膜の膜厚分布を示す平面図、第５図は
光磁気ディスク装置の一般的な構成例を示す断面図、第
６図は本発明の実施例２の耐摺動保護膜の作製工程を示
す断面図である。 １・・・基盤、２・・・記録膜、３・・・耐摺動保護膜
、４・・・回転支持台、５・・・ネジ、６・・・紫外線
、７・・・光ヘッド、８・・・磁気ヘッド、９・・・レ
ーザ光、３１・・・紫外線硬化樹脂、３２・・・紫外線
硬化樹脂と無機物の粉子 刀 茅 閃 茅 図 茅 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光磁気媒体層を有する円板状の基盤に、該媒体層の
表面を、紫外線硬化樹脂・熱硬化樹脂・嫌気性樹脂のい
ずれか、あるいはこれらの組合せにより液体を該媒体面
に回転塗布し、硬化させることにより保護膜を形成する
工程において、該基盤を回転可能な支持台に設置し、回
転させながら紫外線照射・高温槽内でのベーキング・空
気中放置のいずれかの方法により先の樹脂を硬化させる
ことを特徴とする光磁気ディスクの作製方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスクの作製
方法において、保護膜を形成する樹脂の粘度は５０〜１
０００ｃｐとし、樹脂硬化中の支持台の回転数は少なく
とも１０００ｒｐｍ以上とすることを特徴とする光磁気
ディスクの作製方法。 ３、特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスクの作製
方法において、保護膜を形成する少なくとも一層以上の
樹脂の厚みは１０μｍ以下とし、保護膜の厚みのバラツ
キは±１．５μｍとすることを特徴とする光磁気ディス
クの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16500788A JPH0215441A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 光磁気デイスクの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16500788A JPH0215441A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 光磁気デイスクの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215441A true JPH0215441A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15804071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16500788A Pending JPH0215441A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 光磁気デイスクの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215441A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0456452A2 (en) * | 1990-05-08 | 1991-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical disk and method of manufacturing the same |
| US5618638A (en) * | 1990-01-29 | 1997-04-08 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical magnetic recording medium |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310348A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Konica Corp | 光デイスクの製造方法 |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP16500788A patent/JPH0215441A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310348A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Konica Corp | 光デイスクの製造方法 |
Cited By (3)
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