JPS6248373B2 - - Google Patents

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JPS6248373B2
JPS6248373B2 JP55096096A JP9609680A JPS6248373B2 JP S6248373 B2 JPS6248373 B2 JP S6248373B2 JP 55096096 A JP55096096 A JP 55096096A JP 9609680 A JP9609680 A JP 9609680A JP S6248373 B2 JPS6248373 B2 JP S6248373B2
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JP
Japan
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bonding
wire
strength
semiconductor element
bonding wire
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JP55096096A
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English (en)
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JPS5721830A (en
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Norimasa Murakami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子の電極と外部リードを接
続する為に使用するボンデイング線の改良に関す
るものである。 従来、半導体素子のAl被覆パツドと外部リー
ドに連なるAl又はAu被覆のリードフレーム又は
ケースの接続部との間を電気的に接続するには、
純度99.99w／ｏ以上の高純度Auに、微量のBe，
Ca，Co，Fe，Ge，Ni等を含有せしめて成るAu
合金のボンデイング線を、H2トーチでボールア
ツプした後熱圧着していた。 然し乍ら、前記従来のボンデイング線は、ボン
デイング特性には優れているが、ボンデイング時
の高温での機械的強さ特に破断強さについては十
分ではなく、高速自動ボンダーにおいて使用する
とボンデイング中に断線したり、たるみが生じて
シヨートするなどの欠点があつた。 一方近時ICのより一層の小型化が要請されて
いるが、ICをより一層小型化する為にはSiチツプ
のパツドを狭くしなければならず、これに伴いボ
ンデイング線をより細くしなければならない。 しかし、前述のボンデイング線は製造上引張り
強さに難点があつてあまり細くすることができ
ず、またボンデイング時の高温での破断強さを満
足させる為に、通常30μ前後のものが使用され
ているので、Siチツプのパツドも30μ前後のボ
ンデイング線に見合う広さにしている。従つて
ICをより一層小型化することが困難であつた。 また上記の問題を解決するためにAgのボンデ
イング線が考えられているが、接合後100℃以上
の高温にさらすと、SiチツプのAl被覆パツドの
AlがAg線に拡散し、Ag線の接合強さが低下する
欠点があつた。 本発明はかかる諸事情に鑑みなされたものであ
り、製造時の引張り強くて極細線にすることがで
き、またボンデイング時の高温での被断強さに優
れ且つ接合後100℃以上の高温にさらされた場合
の引張り強さにも優れて、断線の極めて少ない半
導体素子用ボンデイング線を提供せんとするもの
である。 本発明による半導体素子用ボンデイングは、
Agに、Pdを１〜30w／ｏを含有せしめて成るも
のである。 本発明の半導体素子用ボンデイング線に於い
て、AgにPdを含有させる理由は、PdがAgに完全
固溶し、Ag単独のものよりも製造時の引張り強
さに優れ、またボンデイング時の高温での破断強
さに優れ、さらに接合後100℃以上の高温にさら
してもSiチツプのAl被覆パツドのAlがボンデイ
ング線に拡散するのを抑え、接合強さの低下を防
止するためである。 またPdを１〜30w／ｏに限定した理由は、
Pd1w／ｏ未満では、ボンデイング線へのAlの拡
散を十分抑えることができず、、Pd30w／ｏを超
えると線が硬すぎて、適度の曲線もたせて接続配
線することがむずかしいためである。従つて高純
度Agに対する高純度Pdの含有量は１〜30w／ｏ
であることが好ましい。 次に本発明による半導体素子用ボンデイング線
の効果を明瞭ならしめる為にその具体的な実施例
と従来例について説明する。 純度99.97w／ｏ以上の高純度Agに下表の左欄
の元素を含有させた実施例１〜３の25μ２のボ
ンデイング線自体と従来例１〜２のボンデイング
線自体の機械的強さ、とりわけ破断荷重と伸び率
を比較試験し、更にSiチツプのAl被覆パツドに接
合し150℃で120時間経過後の接合強さを比較試験
したところ、下表の右欄に示すような結果を得
た。
【表】 上記の表で明らかなように本発明の実施例のボ
ンデイング線は、従来例のボンデイング線に比
し、機械的強さ即ち破断強さに優れ、且つSiチツ
プのAl被覆パツドに接合後高温にさらされた場
合の接合強さにも優れていることが判る。また本
発明のボンデイング線は製造時の引張り強さも強
いので、更に細い10数μ程度の極細線にするこ
とができ、しかもその極細線は破断強度が高いの
で、ボンデイング時に断線することが少い。 以上詳記した通り本発明による半導体素子用ボ
ンデイング線は、機械的強さ特にボンデイング時
の破断強さに優れ、且つSiチツプのAl被覆パツド
に接合後高温にさらされた場合の接合強さにも優
れているので従来の半導体素子用ボンデイング線
にとつて代わることができる。また本発明による
ボンデイング線は製造時の引張り強さにも優れて
いるので、10数μ程度の極細線にすることが容
易であり、またその極細線はボンデイング時の破
断強さが高いので断線が少なく、しかもボンデイ
ング線が細くなつた分だけSiチツプ上のパツドも
狭くできるので、ICを小型化することが可能で
ある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ Agに、Pdを１〜30w／ｏを含有せしめて成
    る半導体素子用ボンデイング線。
JP9609680A 1980-07-14 1980-07-14 Bonding wire for semiconductor element Granted JPS5721830A (en)

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JP9609680A JPS5721830A (en) 1980-07-14 1980-07-14 Bonding wire for semiconductor element

Applications Claiming Priority (1)

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JP9609680A JPS5721830A (en) 1980-07-14 1980-07-14 Bonding wire for semiconductor element

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JPS5721830A JPS5721830A (en) 1982-02-04
JPS6248373B2 true JPS6248373B2 (ja) 1987-10-13

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JP9609680A Granted JPS5721830A (en) 1980-07-14 1980-07-14 Bonding wire for semiconductor element

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