JPS6248288B2 - - Google Patents
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- JPS6248288B2 JPS6248288B2 JP56203567A JP20356781A JPS6248288B2 JP S6248288 B2 JPS6248288 B2 JP S6248288B2 JP 56203567 A JP56203567 A JP 56203567A JP 20356781 A JP20356781 A JP 20356781A JP S6248288 B2 JPS6248288 B2 JP S6248288B2
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- film
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 85
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 35
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3186—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes parallel to the gap plane, e.g. "vertical head structure"
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/245—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電磁誘導型薄膜磁気ヘツドに係り、磁
路構成部の一部を閉磁路方向と略同じ方向に磁化
容易軸を持つ一軸磁気異方性の磁性膜で構成する
ことにより、記録媒体からの磁場による一軸磁気
異方性磁性膜の磁化反転スピードを利用して検出
コイルに大きな出力電圧を誘起でき、高感度なも
のとなる電磁誘導型薄膜磁気ヘツドを提供するこ
とを目的とする。
路構成部の一部を閉磁路方向と略同じ方向に磁化
容易軸を持つ一軸磁気異方性の磁性膜で構成する
ことにより、記録媒体からの磁場による一軸磁気
異方性磁性膜の磁化反転スピードを利用して検出
コイルに大きな出力電圧を誘起でき、高感度なも
のとなる電磁誘導型薄膜磁気ヘツドを提供するこ
とを目的とする。
従来、電磁誘導型薄膜磁気ヘツドの磁路は、例
えば第１図に示すような磁化曲線の特性の磁性材
で構成されている。そして、このような磁気特性
の磁性膜で構成された磁気ヘツドは、記録媒体の
磁化の強さに比例して磁路を通過する総磁束が変
化し、その変化の割合が再生出力として取り出さ
れるようになる。このような磁気ヘツドの再生出
力電圧は、コイル巻数に比例するので、コイル巻
数を多くすることによつて高くすることも考えら
れるが、電磁誘導型薄膜磁気ヘツドの場合には、
コイル巻数を多くすることは困難であり、実用性
の点からは数ターンであり、コイル巻数の点から
再生出力電圧を高めることはできない。又、再生
出力電圧は、コイルと交鎖する磁束をΦとすると
ｄΦ／ｄｔに比例するので、今仮に記録媒体の磁化が正 弦波状のものであるとすると、磁気ヘツドと記録
媒体間の相対速度が大きな場合には、磁路を通る
磁束Φは第２図ａに示すようなものとなり、再生
出力電圧Ｅは同図ｂに示すように大きなものとな
るのであるが、磁気ヘツドと記録媒体間の相対速
度が小さな場合には、磁路を通る磁束Φは第３図
ａに示すようなものとなり、従つて再生出力電圧
Ｅは同図ｂに示すような小さなものとなる。
えば第１図に示すような磁化曲線の特性の磁性材
で構成されている。そして、このような磁気特性
の磁性膜で構成された磁気ヘツドは、記録媒体の
磁化の強さに比例して磁路を通過する総磁束が変
化し、その変化の割合が再生出力として取り出さ
れるようになる。このような磁気ヘツドの再生出
力電圧は、コイル巻数に比例するので、コイル巻
数を多くすることによつて高くすることも考えら
れるが、電磁誘導型薄膜磁気ヘツドの場合には、
コイル巻数を多くすることは困難であり、実用性
の点からは数ターンであり、コイル巻数の点から
再生出力電圧を高めることはできない。又、再生
出力電圧は、コイルと交鎖する磁束をΦとすると
ｄΦ／ｄｔに比例するので、今仮に記録媒体の磁化が正 弦波状のものであるとすると、磁気ヘツドと記録
媒体間の相対速度が大きな場合には、磁路を通る
磁束Φは第２図ａに示すようなものとなり、再生
出力電圧Ｅは同図ｂに示すように大きなものとな
るのであるが、磁気ヘツドと記録媒体間の相対速
度が小さな場合には、磁路を通る磁束Φは第３図
ａに示すようなものとなり、従つて再生出力電圧
Ｅは同図ｂに示すような小さなものとなる。
このように、従来の電磁誘導型薄膜磁気ヘツド
では、記録媒体と磁気ヘツド間の相対速度が小さ
なシステム、すなわち適用周波数の低い場合には
出力電圧が低い欠点がある。
では、記録媒体と磁気ヘツド間の相対速度が小さ
なシステム、すなわち適用周波数の低い場合には
出力電圧が低い欠点がある。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以下
その実施例について説明する。
その実施例について説明する。
第４図ａは本発明に係る例えばデジタル用の電
磁誘導型薄膜磁気ヘツドの説明図であり、同図ｂ
は断面説明図である。
磁誘導型薄膜磁気ヘツドの説明図であり、同図ｂ
は断面説明図である。
同図中、１は基板であり、この基板１上に、例
えば第１図の磁化曲線と同じ特性のパーマロイ等
の磁性膜２が形成され、この磁性膜２上に読み出
し用導線３をカバーすするように絶縁膜４が形成
され、この読み出し用導線の両側に上記磁性膜２
と同じ磁性膜２′，２″が形成されると共に、この
磁性膜２′と２″間に膜面に水平方向の磁化容易軸
を有する一軸磁気異方性の磁性膜、すなわち第５
図に示すような磁化磁場特性を示す、例えばNi
―Fe合金の水平磁化膜５を形成したものであ
る。尚、６は記録媒体である。
えば第１図の磁化曲線と同じ特性のパーマロイ等
の磁性膜２が形成され、この磁性膜２上に読み出
し用導線３をカバーすするように絶縁膜４が形成
され、この読み出し用導線の両側に上記磁性膜２
と同じ磁性膜２′，２″が形成されると共に、この
磁性膜２′と２″間に膜面に水平方向の磁化容易軸
を有する一軸磁気異方性の磁性膜、すなわち第５
図に示すような磁化磁場特性を示す、例えばNi
―Fe合金の水平磁化膜５を形成したものであ
る。尚、６は記録媒体である。
上記のように、閉磁路方向に磁化容易軸を持つ
第５図に示すような特性の水平磁化膜で磁路の一
部を構成しておくことにより、今仮に第６図ａに
示すような正弦波状の磁化が記録媒体に記録され
ており、最初に磁化膜５の磁化が−Ｍ（Ａ点）で
あつたとすると、記録媒体６から正方向の磁場が
かかり、増加してHcに達すると、すなわちＢ点
に達すると磁化は急激に反転して＋Ｍ（Ｃ点）の
状態となり、それ以上磁場が増加しても＋Ｍのま
まで、そして磁場が小さくなり負方向に変つても
−Hcを越えるまでは＋Ｍのままが維持され、そ
して−Hcを越えるとＥ点で急激に反転して−Ｍ
となるので、磁路を通る磁束Φは第６図ｂに示す
ような略矩形状のものとなる。すなわち、磁路を
通る磁束Φは、磁束密度をＢ、磁化をＭ、磁場を
Ｈ、断面積をＳとすると、Φ＝BS＝Ｓ（μ0H＋
Ｍ）で表わされ、強磁性体の場合にはμ0HがＭ
に比較して小さいので、Φ≒SMとなり、磁束Φ
は磁化Ｍに比例したものとなり、第６図ｂに示す
ものとなる。そして、磁化膜５の磁化反転時間は
非常に短いので、ｄΦ／ｄｔに比例する出力電圧Ｅは、 第６図ｃに示すようなものとなり、極めて大きな
ものとなる。
第５図に示すような特性の水平磁化膜で磁路の一
部を構成しておくことにより、今仮に第６図ａに
示すような正弦波状の磁化が記録媒体に記録され
ており、最初に磁化膜５の磁化が−Ｍ（Ａ点）で
あつたとすると、記録媒体６から正方向の磁場が
かかり、増加してHcに達すると、すなわちＢ点
に達すると磁化は急激に反転して＋Ｍ（Ｃ点）の
状態となり、それ以上磁場が増加しても＋Ｍのま
まで、そして磁場が小さくなり負方向に変つても
−Hcを越えるまでは＋Ｍのままが維持され、そ
して−Hcを越えるとＥ点で急激に反転して−Ｍ
となるので、磁路を通る磁束Φは第６図ｂに示す
ような略矩形状のものとなる。すなわち、磁路を
通る磁束Φは、磁束密度をＢ、磁化をＭ、磁場を
Ｈ、断面積をＳとすると、Φ＝BS＝Ｓ（μ0H＋
Ｍ）で表わされ、強磁性体の場合にはμ0HがＭ
に比較して小さいので、Φ≒SMとなり、磁束Φ
は磁化Ｍに比例したものとなり、第６図ｂに示す
ものとなる。そして、磁化膜５の磁化反転時間は
非常に短いので、ｄΦ／ｄｔに比例する出力電圧Ｅは、 第６図ｃに示すようなものとなり、極めて大きな
ものとなる。
すなわち、上記実施例の如く構成しておくと、
磁気ヘツドと記録媒体間の相対速度が小さい場合
でも、水平磁化膜の磁化反転速度が大きいので、
大きな出力電圧を得ることができるようになり、
又Hc以下での磁場変化では出力電圧が得られな
いので漏洩磁場等による悪影響は少なく、Ｓ／Ｎ
の良好な再生が行なえる。
磁気ヘツドと記録媒体間の相対速度が小さい場合
でも、水平磁化膜の磁化反転速度が大きいので、
大きな出力電圧を得ることができるようになり、
又Hc以下での磁場変化では出力電圧が得られな
いので漏洩磁場等による悪影響は少なく、Ｓ／Ｎ
の良好な再生が行なえる。
第７図は、本発明に係る電磁誘導型薄膜磁気ヘ
ツドの他の実施例の説明図である。
ツドの他の実施例の説明図である。
同図中、７は基板、８，８′はパーマロイ等の
磁性膜、９は絶縁膜、１０は読み出し用導線、１
１は膜面に垂直方向に磁化容易軸を持つ一軸磁気
異方性の磁性膜、例えばGdFeあるいはGdCo等の
垂直磁化膜である。
磁性膜、９は絶縁膜、１０は読み出し用導線、１
１は膜面に垂直方向に磁化容易軸を持つ一軸磁気
異方性の磁性膜、例えばGdFeあるいはGdCo等の
垂直磁化膜である。
このように、磁路の一部を前記実施例の如く水
平磁化膜でなく垂直磁化膜として構成していて
も、前記実施例と同様な動作原理によつて動作
し、磁気ヘツドと記録媒体間の相対速度の大きさ
によらず大きな出力電圧を得ることができるよう
になり、又Hc以下での磁場変化では出力電圧が
得られないのでＳ／Ｎの良好な再生が行なえる。
さらに、閉磁路方向と略同じ方向に磁化容易軸を
持つ一軸磁気異方性の磁性膜を本実施例のように
垂直磁化膜として構成しておくと、この垂直磁化
膜には大きな磁場をかけれやすいのでHcとして
大きなものが用いられるようになり、外部からの
磁場による悪影響を一層防げるようになり、Ｓ／
Ｎがより一層良好なものとなる。
平磁化膜でなく垂直磁化膜として構成していて
も、前記実施例と同様な動作原理によつて動作
し、磁気ヘツドと記録媒体間の相対速度の大きさ
によらず大きな出力電圧を得ることができるよう
になり、又Hc以下での磁場変化では出力電圧が
得られないのでＳ／Ｎの良好な再生が行なえる。
さらに、閉磁路方向と略同じ方向に磁化容易軸を
持つ一軸磁気異方性の磁性膜を本実施例のように
垂直磁化膜として構成しておくと、この垂直磁化
膜には大きな磁場をかけれやすいのでHcとして
大きなものが用いられるようになり、外部からの
磁場による悪影響を一層防げるようになり、Ｓ／
Ｎがより一層良好なものとなる。
尚、上記の実施例における読み出し用導線をで
きるだけマルチターン化することによつてより一
層大きな出力電圧を得ることができ、又基板上に
複数個の電磁誘導型薄膜磁気ヘツドを構成するこ
とによつて、マチルトラツクヘツドとすることが
できる。
きるだけマルチターン化することによつてより一
層大きな出力電圧を得ることができ、又基板上に
複数個の電磁誘導型薄膜磁気ヘツドを構成するこ
とによつて、マチルトラツクヘツドとすることが
できる。
上述の如く、本発明に係る電磁誘導型薄膜磁気
ヘツドは、電磁誘導型薄膜磁気ヘツドの磁路構成
部の少なくとも一部を、閉磁路方向と略同じ方向
に磁化容易軸を持つ一軸磁気異方性の磁性膜で構
成したので、一軸磁気異方性磁性膜の磁化反転ス
ピードを利用してコイルに電圧が誘起されるよう
になり、記録媒体間との相対速度に関係なく大き
な読み出し電圧を得ることができ、又抗磁力以下
の磁場変化では出力電圧が出ないのでノイズの少
ないものとなり、Ｓ／Ｎの良好なものである等の
特長を有する。
ヘツドは、電磁誘導型薄膜磁気ヘツドの磁路構成
部の少なくとも一部を、閉磁路方向と略同じ方向
に磁化容易軸を持つ一軸磁気異方性の磁性膜で構
成したので、一軸磁気異方性磁性膜の磁化反転ス
ピードを利用してコイルに電圧が誘起されるよう
になり、記録媒体間との相対速度に関係なく大き
な読み出し電圧を得ることができ、又抗磁力以下
の磁場変化では出力電圧が出ないのでノイズの少
ないものとなり、Ｓ／Ｎの良好なものである等の
特長を有する。
第１図は従来の電磁誘導型薄膜磁気ヘツドに用
いられている磁性膜のＭ―Ｈ特性説明図、第２図
ａ，ｂ及び第３図ａ，ｂは従来の電磁誘導型薄膜
磁気ヘツドの出力電圧の説明図、第４図ａ，ｂ及
び第７図は本発明に係る電磁誘導型薄膜磁気ヘツ
ドの実施例の説明図、第５図は本発明に係る電磁
誘導型薄膜磁気ヘツドの磁路構成材の一部に用い
た磁性膜のＭ―Ｈ特性説明図、第６図ａ，ｂ，ｃ
は本発明に係る電磁誘導型薄膜磁気ヘツドの出力
電圧の説明図である。 １，７…基板、２，２′，２″，８，８′…磁性
膜、４，９…絶縁膜、３，１０…読み出し用導
線、５…水平磁化膜、１１…垂直磁化膜。
いられている磁性膜のＭ―Ｈ特性説明図、第２図
ａ，ｂ及び第３図ａ，ｂは従来の電磁誘導型薄膜
磁気ヘツドの出力電圧の説明図、第４図ａ，ｂ及
び第７図は本発明に係る電磁誘導型薄膜磁気ヘツ
ドの実施例の説明図、第５図は本発明に係る電磁
誘導型薄膜磁気ヘツドの磁路構成材の一部に用い
た磁性膜のＭ―Ｈ特性説明図、第６図ａ，ｂ，ｃ
は本発明に係る電磁誘導型薄膜磁気ヘツドの出力
電圧の説明図である。 １，７…基板、２，２′，２″，８，８′…磁性
膜、４，９…絶縁膜、３，１０…読み出し用導
線、５…水平磁化膜、１１…垂直磁化膜。
Claims (1)
- １ 電磁誘導型薄膜磁気ヘツドの磁路構成部の少
なくとも一部を、閉磁路方向と略同じ方向に磁化
容易軸を持つ一軸磁気異方性の磁性膜で構成した
ことを特徴とする電磁誘導型薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20356781A JPS58108015A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 電磁誘導型薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20356781A JPS58108015A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 電磁誘導型薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108015A JPS58108015A (ja) | 1983-06-28 |
| JPS6248288B2 true JPS6248288B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=16476261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20356781A Granted JPS58108015A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 電磁誘導型薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108015A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668819B2 (ja) * | 1985-12-02 | 1994-08-31 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘツド |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515766A (en) * | 1978-07-22 | 1980-02-04 | Umekichi Nishijima | Manufacturing of shiitake powder |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP20356781A patent/JPS58108015A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515766A (en) * | 1978-07-22 | 1980-02-04 | Umekichi Nishijima | Manufacturing of shiitake powder |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58108015A (ja) | 1983-06-28 |
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