JPS6245703B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6245703B2 JPS6245703B2 JP12121079A JP12121079A JPS6245703B2 JP S6245703 B2 JPS6245703 B2 JP S6245703B2 JP 12121079 A JP12121079 A JP 12121079A JP 12121079 A JP12121079 A JP 12121079A JP S6245703 B2 JPS6245703 B2 JP S6245703B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- resistance
- resistance element
- voltage
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0802—Resistors only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は集積回路技術において電圧を抵抗に
より分割する電圧分割回路に関する。
より分割する電圧分割回路に関する。
集積回路技術においてウエハ上に形成された抵
抗を用いて、ある電圧を分割するということがし
ばしば行なわれるが、そのとき用いられる抵抗素
子として低濃度拡散抵抗もしくは高濃度拡散抵抗
が一般的である。このうち低濃度拡散抵抗は多く
の場合イオン打ち込み法により形成されるが、単
位面積当りの抵抗値が比較的大きいため素子面積
が小さくて済み高集積化には有利である。しかし
ながら、形成時において、イオン濃度の正確な制
御が困難であるため、形成する毎に抵抗値が異な
つてしまい抵抗値のばらつきが大きいという欠点
がある。また基板電位もこの抵抗値に大きく影響
する。従つて低濃度拡散抵抗を用いて、電圧を精
度良く分割することは非常に困難である。
抗を用いて、ある電圧を分割するということがし
ばしば行なわれるが、そのとき用いられる抵抗素
子として低濃度拡散抵抗もしくは高濃度拡散抵抗
が一般的である。このうち低濃度拡散抵抗は多く
の場合イオン打ち込み法により形成されるが、単
位面積当りの抵抗値が比較的大きいため素子面積
が小さくて済み高集積化には有利である。しかし
ながら、形成時において、イオン濃度の正確な制
御が困難であるため、形成する毎に抵抗値が異な
つてしまい抵抗値のばらつきが大きいという欠点
がある。また基板電位もこの抵抗値に大きく影響
する。従つて低濃度拡散抵抗を用いて、電圧を精
度良く分割することは非常に困難である。
一方、高濃度拡散抵抗は高温状態でイオン拡散
法によつて形成されるのが一般的であり、低濃度
拡散抵抗に比較して抵抗値のばらつきが小さいた
め、抵抗設計には有利である。しかしながら高濃
度拡散による抵抗は単位面積当りの抵抗値が小さ
いため、低濃度拡散抵抗と同じ抵抗値を得ようと
するとその素子面積は非常に大きなものとなつて
しまう。従つて高濃度拡散抵抗は高集積化という
点に関しては不利である。
法によつて形成されるのが一般的であり、低濃度
拡散抵抗に比較して抵抗値のばらつきが小さいた
め、抵抗設計には有利である。しかしながら高濃
度拡散による抵抗は単位面積当りの抵抗値が小さ
いため、低濃度拡散抵抗と同じ抵抗値を得ようと
するとその素子面積は非常に大きなものとなつて
しまう。従つて高濃度拡散抵抗は高集積化という
点に関しては不利である。
この発明は上記のような事情を考慮してなされ
たものであり、その目的は、低濃度拡散抵抗と高
濃度拡散抵抗の両方を用いることにより、低濃度
拡散抵抗の形成時における抵抗値のばらつきを補
償し、小さな面積で高精度の電圧分割回路を提供
することにある。
たものであり、その目的は、低濃度拡散抵抗と高
濃度拡散抵抗の両方を用いることにより、低濃度
拡散抵抗の形成時における抵抗値のばらつきを補
償し、小さな面積で高精度の電圧分割回路を提供
することにある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説
明する。第１図は安定化された基準電圧V1を半
分すなわち1/2V1に分割する電圧分割回路の回路
構成図である。図において基準電圧V1印加点と
接地電位点との間には、低濃度不純物拡散によつ
て形成される３つの抵抗１１，１２，１３が直列
接続される。このとき上記抵抗１１，１２，１３
の抵抗値R1，R3は、抵抗１２の内部に求める電
位1/2V1が入るようにたとえばそれぞれ500KΩ付
近に設定する。また抵抗１２の抵抗値R2は上記
R1，R3よりも十分に小さなものとなるように、
たとえばR1，R3の1/100程度の5KΩに設定する。
さらに上記抵抗１２には並列的に、高濃度不純物
拡散によつて形成される抵抗１４が接続され、こ
の抵抗１４の途中から出力電圧Voutを得るよう
になつている。このとき上記抵抗１４の抵抗値
R4は、上記抵抗１２の両端の電位が抵抗１４の
抵抗値R4によつて決定されないようにするた
め、R2よりも十分に大きなものとなるように、
たとえばR2の10倍程度の50KΩに設定する。
明する。第１図は安定化された基準電圧V1を半
分すなわち1/2V1に分割する電圧分割回路の回路
構成図である。図において基準電圧V1印加点と
接地電位点との間には、低濃度不純物拡散によつ
て形成される３つの抵抗１１，１２，１３が直列
接続される。このとき上記抵抗１１，１２，１３
の抵抗値R1，R3は、抵抗１２の内部に求める電
位1/2V1が入るようにたとえばそれぞれ500KΩ付
近に設定する。また抵抗１２の抵抗値R2は上記
R1，R3よりも十分に小さなものとなるように、
たとえばR1，R3の1/100程度の5KΩに設定する。
さらに上記抵抗１２には並列的に、高濃度不純物
拡散によつて形成される抵抗１４が接続され、こ
の抵抗１４の途中から出力電圧Voutを得るよう
になつている。このとき上記抵抗１４の抵抗値
R4は、上記抵抗１２の両端の電位が抵抗１４の
抵抗値R4によつて決定されないようにするた
め、R2よりも十分に大きなものとなるように、
たとえばR2の10倍程度の50KΩに設定する。
このような構成とすることにより、基準電圧
V1は、先ず抵抗１１，１３によつて粗く半分に
分割され、さらに抵抗１４によつて細かに分割さ
れるため、高精度にV1の半分1/2V1をVoutとして
得ることが可能になる。しかも高濃度不純物拡散
による抵抗１４は電圧の微調整のために用いられ
るので、この抵抗１４および低濃度不純物拡散に
よる抵抗１１，１２，１３を合わせた素子面積
は、高濃度不純物拡散による抵抗のみによつて電
圧を分割する場合の抵抗素子面積よりも十分に小
さくすることができ、高集積度化が実現できる。
V1は、先ず抵抗１１，１３によつて粗く半分に
分割され、さらに抵抗１４によつて細かに分割さ
れるため、高精度にV1の半分1/2V1をVoutとして
得ることが可能になる。しかも高濃度不純物拡散
による抵抗１４は電圧の微調整のために用いられ
るので、この抵抗１４および低濃度不純物拡散に
よる抵抗１１，１２，１３を合わせた素子面積
は、高濃度不純物拡散による抵抗のみによつて電
圧を分割する場合の抵抗素子面積よりも十分に小
さくすることができ、高集積度化が実現できる。
第２図は上記第１図に示す実施例回路を具体的
に示す平面図である。なお第１図と対応する箇所
には同一符号を付してある。図において１５はＮ
型の半導体基板である。また抵抗１１，１２，１
３はＰ型の不純物が1015〜1016／cm3拡散され形成
されているとともに、抵抗１４はＰ型の不純物が
1022／cm3以上拡散され形成されている。さらに図
において１６，１６，……は各金属配線１７，１
７，……と各抵抗１１〜１４とが接触するコンタ
クトホールである。また第３図ａ，ｂは上記第２
図中のａ−a′線およびｂ−b′線にそつてそれぞれ
切断したときの断面図である。上記第２図におい
て低濃度不純物拡散による抵抗１１，１２，１３
それぞれと金属配線１７，１７，……とは直接接
触させた場合接触抵抗が大きくなるので、第３図
ａに示すように高濃度不純物拡散層１８，１８，
……によつていつたん金属配線１７，１７，……
とのオーミツクコンタクトをとつてから各抵抗１
１，１２，１３それぞれと接触を計るようにして
いる。
に示す平面図である。なお第１図と対応する箇所
には同一符号を付してある。図において１５はＮ
型の半導体基板である。また抵抗１１，１２，１
３はＰ型の不純物が1015〜1016／cm3拡散され形成
されているとともに、抵抗１４はＰ型の不純物が
1022／cm3以上拡散され形成されている。さらに図
において１６，１６，……は各金属配線１７，１
７，……と各抵抗１１〜１４とが接触するコンタ
クトホールである。また第３図ａ，ｂは上記第２
図中のａ−a′線およびｂ−b′線にそつてそれぞれ
切断したときの断面図である。上記第２図におい
て低濃度不純物拡散による抵抗１１，１２，１３
それぞれと金属配線１７，１７，……とは直接接
触させた場合接触抵抗が大きくなるので、第３図
ａに示すように高濃度不純物拡散層１８，１８，
……によつていつたん金属配線１７，１７，……
とのオーミツクコンタクトをとつてから各抵抗１
１，１２，１３それぞれと接触を計るようにして
いる。
第４図はこの発明をＡ−Ｄ変換回路の基準電圧
発生回路に応用した場合の回路構成図である。あ
る種のＡ−Ｄ変換回路ではある基準電圧ＶRとこ
の電圧ＶRを正確に２分割した電圧1/2ＶRを必要
とする。ここで第４図に示す回路では抵抗１１，
１３によつて前記と同様に電圧ＶRを粗く２分割
し、抵抗１４から多くのタツプを出すようにした
ものである。そしてこのタツプはアナログスイツ
チ回路１９によつて切り替えられ、このアナログ
スイツチ回路１９の出力電圧Voutは判定回路２
０に供給される。この判定回路２０はＶR−Vout
とVout−０を先ず検出し、次に（ＶR−Vout）−
（Vout−０）を検出する。そしてこの検出値が０
に近づくように上記アナログスイツチ回路１９を
切り替え制御することによつて、最終的にVout
は1/2ＶRに一致することになる。このとき1/2ＶR
の精度は抵抗１４から出されたタツプの数に依存
する。
発生回路に応用した場合の回路構成図である。あ
る種のＡ−Ｄ変換回路ではある基準電圧ＶRとこ
の電圧ＶRを正確に２分割した電圧1/2ＶRを必要
とする。ここで第４図に示す回路では抵抗１１，
１３によつて前記と同様に電圧ＶRを粗く２分割
し、抵抗１４から多くのタツプを出すようにした
ものである。そしてこのタツプはアナログスイツ
チ回路１９によつて切り替えられ、このアナログ
スイツチ回路１９の出力電圧Voutは判定回路２
０に供給される。この判定回路２０はＶR−Vout
とVout−０を先ず検出し、次に（ＶR−Vout）−
（Vout−０）を検出する。そしてこの検出値が０
に近づくように上記アナログスイツチ回路１９を
切り替え制御することによつて、最終的にVout
は1/2ＶRに一致することになる。このとき1/2ＶR
の精度は抵抗１４から出されたタツプの数に依存
する。
なおこの発明による電圧分割回路は比較的不純
物濃度の異なる２種の不純物領域からなる抵抗だ
けからなるものであり、その不純物濃度の絶対値
および不純物の導電型は問題ではない。またこの
抵抗の形成方法はいかなる方法によつても良く、
さらに複数の電圧を得るようにしても良い。
物濃度の異なる２種の不純物領域からなる抵抗だ
けからなるものであり、その不純物濃度の絶対値
および不純物の導電型は問題ではない。またこの
抵抗の形成方法はいかなる方法によつても良く、
さらに複数の電圧を得るようにしても良い。
以上説明したようにこの発明によれば小さな素
子面積で高精度に電圧を得ることができる電圧分
割回路を提供することができる。
子面積で高精度に電圧を得ることができる電圧分
割回路を提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例の回路構成図、第
２図は上記実施例回路を具体的に示す平面図、第
３図ａは上記第２図中のａ−a′線にそつた断面
図、同図ｂは上記第２図中のｂ−b′線にそつた断
面図、第４図はこの発明の応用例の構成図であ
る。 １１，１２，１３……低濃度不純物拡散による
抵抗、１４……高濃度不純物拡散による抵抗、１
５……半導体基板、１６……コンタクトホール、
１７……金属配線、１８……高濃度不純物拡散
層。
２図は上記実施例回路を具体的に示す平面図、第
３図ａは上記第２図中のａ−a′線にそつた断面
図、同図ｂは上記第２図中のｂ−b′線にそつた断
面図、第４図はこの発明の応用例の構成図であ
る。 １１，１２，１３……低濃度不純物拡散による
抵抗、１４……高濃度不純物拡散による抵抗、１
５……半導体基板、１６……コンタクトホール、
１７……金属配線、１８……高濃度不純物拡散
層。
Claims (1)
- １ 半導体基体内に設けられ１対の基準電位印加
点間に直列接続された低濃度不純物領域からなる
第１、第２、第３の抵抗素子と、上記半導体基体
内に設けられ上記第１、第２、第３の抵抗素子の
うち中間に位置する第２の抵抗素子に並列接続さ
れた高濃度不純物領域からなる第４の抵抗素子と
を具備し、上記第４の抵抗素子の任意の位置を電
圧出力点とするとともに、上記第４の抵抗素子の
抵抗値を上記第２の抵抗素子の抵抗値よりも十分
に大きく設定したことを特徴とする電圧分割回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12121079A JPS5645065A (en) | 1979-09-20 | 1979-09-20 | Voltage split circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12121079A JPS5645065A (en) | 1979-09-20 | 1979-09-20 | Voltage split circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5645065A JPS5645065A (en) | 1981-04-24 |
| JPS6245703B2 true JPS6245703B2 (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=14805594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12121079A Granted JPS5645065A (en) | 1979-09-20 | 1979-09-20 | Voltage split circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5645065A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6213580A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 腐食防止方法 |
| JP2675706B2 (ja) * | 1992-01-29 | 1997-11-12 | 株式会社東芝 | 抵抗ストリング回路 |
-
1979
- 1979-09-20 JP JP12121079A patent/JPS5645065A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5645065A (en) | 1981-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2524439C3 (de) | Spannungs-Strom-Umsetzer | |
| DE69325120T2 (de) | Halbleiterschalter mit Temperaturfühler | |
| JPH04312107A (ja) | 定電圧回路 | |
| DE69320749T2 (de) | Strommessschaltung | |
| EP0885413B1 (en) | Low power trim circuit and method | |
| JPS6356707B2 (ja) | ||
| JPS6245703B2 (ja) | ||
| US4104575A (en) | Constant current semiconductor circuit arrangement | |
| DE4213412C2 (de) | Integrierte Transistorschaltung mit Strommeßfunktion sowie Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| JP2697637B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02122545A (ja) | セミカスタム半導体集積回路の設計方法 | |
| US4547743A (en) | Variable resistance gain control integrated circuit | |
| JPS59208867A (ja) | 集積回路の抵抗形成方法 | |
| JPH05235279A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH036858A (ja) | マスタスライス方式半導体集積回路装置 | |
| JPS595657A (ja) | マスタ−スライス方式の半導体集積回路 | |
| DE10139515A1 (de) | Transistor für eine Bandabstandsschaltung | |
| JPS61185959A (ja) | 半導体抵抗装置 | |
| JP3232031B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2606380B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| EP0561809B1 (de) | Monolithisch integrierte halbleiteranordnung | |
| JP2024047597A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62136064A (ja) | 電圧分割回路 | |
| JPS60244058A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH04297061A (ja) | 半導体抵抗装置 |