JPS6245609B2 - - Google Patents

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JPS6245609B2
JPS6245609B2 JP55136014A JP13601480A JPS6245609B2 JP S6245609 B2 JPS6245609 B2 JP S6245609B2 JP 55136014 A JP55136014 A JP 55136014A JP 13601480 A JP13601480 A JP 13601480A JP S6245609 B2 JPS6245609 B2 JP S6245609B2
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JP
Japan
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head
bimorph
bimorph plate
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piezo
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JP55136014A
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English (en)
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JPS5760528A (en
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Takeo Ooba
Hirohisa Koga
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Priority to DE19813134480 priority patent/DE3134480A1/de
Priority to US06/304,786 priority patent/US4438469A/en
Priority to AU75617/81A priority patent/AU545557B2/en
Priority to GB8128853A priority patent/GB2085641B/en
Priority to CA000386788A priority patent/CA1157560A/en
Priority to NL8104470A priority patent/NL8104470A/nl
Priority to FR818118460A priority patent/FR2491245B1/fr
Priority to AT0419081A priority patent/AT376314B/de
Publication of JPS5760528A publication Critical patent/JPS5760528A/ja
Publication of JPS6245609B2 publication Critical patent/JPS6245609B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B21/00—Head arrangements not specific to the method of recording or reproducing
    • G11B21/02—Driving or moving of heads
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
    • G11B5/584—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for track following on tapes
    • G11B5/588—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for track following on tapes by controlling the position of the rotating heads
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
    • H02N2/10—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors
    • H02N2/101—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors using intermittent driving, e.g. step motors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2041—Beam type
    • H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2041—Beam type
    • H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
    • H10N30/2043—Cantilevers, i.e. having one fixed end connected at their free ends, e.g. parallelogram type

Landscapes

  • Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はヘツドの支持装置に関し、特に、記録
媒体とヘツドとの相対的な移動によつて前記記録
媒体に所定の記録トラツクを形成し或いはこの記
録トラツクに記録されている情報を再生するよう
にした記録再生装置におけるヘツドの移動装置に
関するものである。
回転ヘツド方式のヘリカルスキヤン型VTR
（ビデオテープレコーダ）においては通常、巻付
けられたテープのヘツドドラムに対する傾斜角、
テープ走行速度及び回転ヘツドの回転速度等に応
じて傾斜した記録トラツクが磁気テープ上に形成
される。そのため、磁気テープを記録時の速度と
異つた速度で走行させて再生しようとする場合、
例えば、スチル、スローモーシヨン、倍速、リバ
ース等の各モードにおける再生の場合には、ヘツ
ドの走査軌跡が上述した記録トラツクとは異なつ
た傾斜となり、ヘツドは所定の記録トラツクから
外れて走査することになる。このように磁気ヘツ
ドが所定の記録トラツクを外れて走査すると、ガ
ードバンドノイズやクロストークが発生するので
好ましくない。そこでこの種のVTRにおいて
は、各種のモードにおいても磁気ヘツドが記録ト
ラツク上を正しく走査するようにするためにトラ
ツキング補正手段が必要となる。このようなトラ
ツキング補正手段として、電気−機械変換素子、
例えばバイモルフ板を用いた磁気ヘツド支持装置
がある。
第１図はこのようなバイモルフ板の原理的な構
造を示している。第１図に示すように、バイモル
フ板１は、両面に電極２，３がシルク印刷焼付け
等によつて被着されたピエゾ・セラミツク素子４
と、これと同様に両面に電極５，６が被着された
ピエゾ・セラミツク素子７とをそれぞれ具備して
いる。そしてこれらのピエゾ・セラミツク素子
４，７は、各各の分極方向が第１図において矢印
で示すように互いに逆方向になるようにシム８が
これらの間に接着によつて接合され、電極３，５
がシム８にそれぞれ接触している。なおこのシム
８はバイモルフ板１の補強を目的とするもので、
リン青銅、チタン合金、カーボンフアイバー等か
ら成つている。
このようなバイモルフ板１に第２図に示すよう
に電圧を印加すると、ピエゾ・セラミツク素子４
に対しては、電極２から電極３の方向（分極方向
とは逆の方向）の電界がかけられるので、圧電気
効果により、セラミツク素子４は第２図において
矢印で示すように伸びる方向に変形する。また他
方のセラミツク素子７に対しては、電極５から電
極６の方向（分極方向）の電界がかけられるの
で、このセラミツク素子７は縮む方向に変形す
る。この結果、バイモルフ板１は第２図に示すよ
うに撓み、その偏倚（変位）の大きさはセラミツ
ク素子４，７にかけられる電界の大きさに応じて
増減する。なお電界の方向を逆とすれば、変位の
方向も逆となる。
そして第２図〜第４図に示すように、このバイ
モルフ板１の一端を回転ヘツドドラム９の回転ド
ラム９ａの所定箇所に片持ち支持すると共に、そ
の自由端に磁気ヘツド１０を取付ければ、この磁
気ヘツド１０は回転ヘツドドラム９の外表面に沿
つてこのドラム９の高さ方向に移動（偏倚）可能
に支持されることになる。なお第４図において９
ｂは固定ドラムである。従つて、磁気ヘツド１０
の変位を印加電圧によつて適当に制御することに
よつて、上述のトラツキング補正が可能となる。
即ち、磁気テープ１１は第３図に示すように一
対のテープガイド１２，１３によつて回転ヘツド
ドラム９の外周面に約340゜に亘つてヘリカルに
巻付けられている。そしてこの磁気テープ１１は
図外の駆動手段によつてV1の速度で走行してい
る。一方、磁気ヘツド１０は上述の如くバイモル
フ板１を介して回転ヘツドドラム９の回転ドラム
９ａに取付けられ、第４図に示すようにこの回転
ドラム９ａに形成されたスリツト１４を介して回
転ドラム９ａの外周面から僅かに突出しており、
回転速度V2で走行しながら前記磁気テープ１１
と接触している。従つて、この装置で記録を行う
と第５図に示すように、多数の互いに平行な記録
トラツクT1が磁気テープ１１の長さ方向に対し
て傾斜してこの磁気テープ１１上に形成される。
なお記録時と同じ速度V1で磁気テープ１１を走
行させる通常再生時には、磁気ヘツド１０は前記
記録トラツクT1上を正しく走査することにな
り、磁気ヘツド１０が記録トラツクT1から外れ
ることはない。
しかしV1よりも遅い速度で磁気テープ１１を
走行させながら再生を行なう場合、例えばスロー
モーシヨン（Ｖ＝Ｖ１／２、Ｖ１／３等）やスチルモー
シヨ ン（Ｖ＝０）のモードにおいては、第５図におい
て点線で示すように磁気ヘツド１０の走査軌跡
T2の傾斜角が記録トラツクT1の傾斜角よりも大
きくなる。これによつて記録トラツクT1と磁気
ヘツド１０の軌跡とが一致しなくなり、ガードバ
ンドノイズやクロストークが生ずることになる。
そこで電圧を印加してバイモルフ板１を適当に変
形させることによつて磁気ヘツド１０を第２図に
示すように変位させると所定の記録トラツクT1
を外れないように走査こせることができる。
また磁気テープ１１の走行速度がV1よりも速
い場合についてもバイモルフ板１の変形によつて
トラツキング補正がなされる。すなわち、例えば
３倍速再生モード時（Ｖ＝3V1）においては、第
３図において鎖線で示すように磁気ヘツド１０の
走査軌跡T3の傾斜角が記録トラツクT1の傾斜角
よりも小さくなる。そこでこの場合にもバイモル
フ板１を適当に変形させ、記録トラツクT1と一
致させることができる。
しかしながら、磁気テープ１１を通常再生時と
は逆の方向に走行させて再生を行なうようにした
いわゆるリバース再生モード時（例えばＶ＝−
2V1）には、第５図において二点鎖線で示すよう
に磁気ヘツド１０の走査軌跡T4の傾斜角が記録
トラツクT1の傾斜角よりも非常に大きくなる。
このため、このリバース再生モード時に磁気ヘツ
ド１０を記録トラツクT1と一致させるためには
可成り大巾な移動を行なわせる必要がある。また
リバース速度或いは倍速が大きくなればなるほ
ど、磁気ヘツド１０を大巾に移動させる必要があ
るが、この大巾な移動を行なうためには、バイモ
ルフ板１の有効長すなわちバイモルフ板１の自由
端から片持ち部分までの突出長ｌ（第２図及び第
３図参照）を充分に長くとるか、或いはバイモル
フ板１に過大な電圧を印加してこのバイモルフ板
１を大きく撓ませるようにする以外に方法はなか
つた。しかし前記長さｌを長くすると、固有共振
周波数０がこれに伴ない必然的に低下してしま
い、応答速度が下がる結果、フライバツク動作が
緩慢となり、ヘツドのジヤンプ特性（トラツキン
グ性能）が劣化する。また固有共振周波数pが
大巾に低下してしまうと、フライバツク時のリン
ギング現象を増大させる不都合を生じる。このた
め、前記突出長ｌは固有共振周波数０との関係
で大きな制約を受けていた。またバイモルフ板１
を大きく撓ませるようにすると、ピエゾ・セラミ
ツク４，７がひび割れを生じたり、場合によつて
は破損してしまうおそれがある。
本発明は上述の如き実状に鑑みて発明されたも
のであつて、第１の一対の電気−機械変換素子の
各一端部を第２の一対の電気−機械変換素子によ
つて挾持した状態で片持ち支持することによつ
て、固有共振周波数０を低下させずに、ヘツド
の移動距離に関与する第１の電気−機械変換素子
の実質的な長さを充分にとつてヘツドを大巾に移
動し得るように構成した記録再生装置におけるヘ
ツド支持装置を提供するものである。
以下、本発明の実施例に付き第６図〜第１１図
を参照して説明する。なお第６図〜第１１図にお
いて、第１図及び第２図と共通する部分には共通
の符号を付してその説明を省略する。
先ず第６図は本発明の第１の実施例を示すもの
であつて、本実施例のヘツド支持装置２０は互い
に平行に配されかつ第７図に示すような平面形状
を有する一対のバイモルフ板１を具備している。
これら一対のバイモルフ板１の各々の一端部は、
バイモルフ板１と同様に電気−機械変換素子の一
種である一対のピエゾ・セラミツク２１，２２及
び２３，２４によつてそれぞれ挾持された状態
で、回転ヘツドドラム９の回転ドラム９ａの取付
部２７に片持ち支持されている。なおピエゾ・セ
ラミツク２１〜２４には例えばシルク印刷焼付け
等によつて電極２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２
ｂ，２３ａ，２３ｂ及び２４ａ，２４ｂがそれぞ
れ被着されている。そしてバイモルフ板１のピエ
ゾ・セラミツク４，７の電極２，６が電極２１
ｂ，２２ａ，２３ｂ，２４ａにそれぞれ接触する
ように接着されている。一方、ピエゾ・セラミツ
ク２１〜２４は前記取付部２７に接着剤により取
付けられている。なお第６図に明示するように、
ピエゾ・セラミツク２１〜２４は回転ドラム９ａ
の取付部２７の壁面２７ａから或る長さ分だけ突
出している。
また各々のピエゾ・セラミツク４，７及び２１
〜２４の分極方向は第６図において矢印で示すよ
うに、ピエゾ・セラミツク４と７とは分極方向が
互いに逆方向であり、ピエゾ・セラミツク２１，
２３の分極方向は電極２１ａ，２３ａから電極２
１ｂ，２３ｂにそれぞれ向かう方向であつてかつ
前記ピエゾ・セラミツク７の分極方向と同一であ
り、ピエゾ・セラミツク２２，２４の分極方向は
電極２２ｂ，２４ｂから電極２２ａ，２４ａにそ
れぞれ向かう方向であつてかつ前記ピエゾ・セラ
ミツク４の分極方向と同一である。そして一対の
バイモルフ板１の電極２とピエゾ・セラミツク２
２，２４の電極２２ｂ，２４ｂとがリード線２８
によりそれぞれ互いに電気的に接続され、また一
対のバイモルフ板１の電極６とピエゾ・セラミツ
ク２１，２３の電極２１ａ，２３ａとがリード線
２９によりそれぞれ互いに電気的に接続されてい
る（第８図及び第９図参照）。
また前記電極６及び２１ａは共に接地されてお
り、電極２，６とシム８との間にはダイオードが
それぞれ接続され、電極２に可変の正或いは負電
圧が印加されるようになつている。
一方、これら一対のバイモルフ板１の自由端は
断面コ字状を成すヘツド支持部材２５によつて連
結されている。即ち、このヘツド支持部材２５の
両腕部２５ａ，２５ｂは多少の弾性を有してお
り、これら両腕部２５ａ，２５ｂが前記バイモル
フ板１の自由端にそれぞれ接着固定されている。
そしてヘツド支持部材２５の基体部２５ｃに磁気
ヘツド１０が接着固定しされ、図示を省略したが
回転ドラム９ａのスリツト１４からこの回転ドラ
ム９ａの外周面の外方に多少突出している。
このように構成したヘツド支持装置の動作に付
き第８図及び第９図に基いて説明する。なおここ
では、説明を簡単にするために一方側のバイモル
フ板１の動作のみを主として述べることにする。
先ず電極２に例えば正電圧が印加されると、バ
イモルフ板１のピエゾ・セラミツク４に対しては
電極２から電極３に向かう方向（分極方向とは逆
の方向）に電界がかけられるので、このピエゾ・
セラミツク４は第８図において矢印で示す方向に
延伸する。この際、バイモルフ板１のピエゾ・セ
ラミツク７に対しては電極５から電極６に向かう
方向（分極方向）に電界がかけられるので、この
ピエゾ・セラミツク７は第８図において矢印で示
す方向に収縮する。
一方、バイモルフ板１を挾持している一対のピ
エゾ・セラミツク２１，２２のうちの一方のピエ
ゾ・セラミツク２１には電極２１ｂから電極２１
ａに向かう方向（分極方向とは逆の方向）に電界
がかけられるためこのピエゾ・セラミツク２１は
第８図において矢印で示す方向に延伸する。また
他方のピエゾ・セラミツク２２には電極２２ｂか
ら電極２２ａに向かう方向（分極方向）に電界が
かけられるため、このピエゾ・セラミツク２２は
第８図において矢印で示す方向に収縮することに
なる。この結果、バイモルフ板１の接着端部Ａ点
は一対のピエゾ・セラミツク２１，２２の延伸及
び収縮のために変位と曲げ角度θ（第８図参照）
を生ずることになり、Ａ点部分が直接に固定され
た場合に比べてバイモルフ板１の自由端の変位は
増大することになる。
即ち、バイモルフ板１の自由端の実際の変位距
離は、ピエゾ・セラミツク２１〜２４からのバイ
モルフ板１の突出長l1（第６図参照）部分の撓み
による前記自由端の変位距離のみならず、ピエ
ゾ・セラミツク２１，２２の伸縮に基づく前記自
由端の変位距離と曲げ角度θによる先端変位に基
づく増巾効果を加えたものになる。即ち、上述の
如き動作時には、前記変位距離に関与するバイモ
ルフ板１の有効長は第６図及び第７図に示すよう
にその自由端から一対のピエゾ・セラミツク２
１，２２の固定部であるＢ点までの長さl1＋l4と
なる。従つて、バイモルフ板１の自由端の変位に
寄与する有効長はl4だけ長くとることができ、過
大な電圧を印加せずに比較的小さな電圧を印加し
てバイモルフ板１を撓ませるようにしても、この
バイモルフ板１の全長Ｌを変えることなく自由端
ひいては磁気ヘツド１０の変位距離（振れの大き
さ）を充分長くとることが可能となる。これによ
り、磁気ヘツド１０の振れ感度を向上させること
ができる。
このことを具体的な数値を挙げて説明すると、
第７図において、バイモルフ板１の突出長l1を16
mm、バイモルフ板１の取付巾l2を26mm、バイモル
フ板１の自由端の巾l3を４mm、ピエゾ・セラミツ
ク２１〜２４の突出長l4を７mm、ピエゾ・セラミ
ツク２１〜２４の全長l5を16mm、ピエゾ・セラミ
ツク４，７，２１，２２，２３，２４の板厚を
190μとすれば、これらのピエゾ・セラミツク２
１〜２４の伸縮による磁気ヘツド１０の変位距離
の増加分としては例えば200μ程度が充分に可能
であつて、一対のバイモルフ板１の偏倚量を加え
合わせると例えば、約720μ以上（従来では460μ
程度）の移動が可能となる。従つて、バイモルフ
板１の突出長l1を従来のような長さにしても、充
分な磁気ヘツド１０の変位距離を確保することが
できることになる。
一方、バイモルフ板１の固有共振周波数pは
バイモルフ板１の突出長l1と、ピエゾ・セラミツ
クの突出長l4と、第６図に示す接合部分の板厚ｔ
A（例えば1.55mm）とによつて決まる。ところが
前記l4の部分はバイモルフ板１より２〜３倍の割
合で厚くすることにより、このl4の部分が５〜７
mm程度でも高剛性となり、固有共振周波数pを
大幅に下げることにはならない。つまり上述の如
き利点を有するにも拘わらず、バイモルフ板１の
固有共振周波数０はこのバイモルフ板１の突出
長l1によつて一義的に定まるので、この０が低
下してしまうおそれがない。なお、ピエゾ・セラ
ミツク２１〜２４の固定位置をバイモルフ板１の
長手方向に適当にずらせることによつて、磁気ヘ
ツド１０の振れ（変位距離）を更に大きくしかも
固有共振周波数０を更に高くすることも可能で
ある。しかも、一対のバイモルフ板１を用いたこ
とにより磁気テープ１１に対する磁気ヘツド１０
を平行に移動させることができ突き当て角を好ま
しい状態に保持できる。
ところで従来ではバイモルフ板１がＡ点で直接
に固定された状態で電圧が印加されて撓められる
と、Ａ点付近で応力集中が起こり、大きな先端変
位を得る場合にピエゾ・セラミツクのクラツク現
象が生じていた。しかし本実施例のヘツド支持装
置によれば、ピエゾ・セラミツク２１〜２４の延
伸及び収縮のためにＡ点での応力集中は分散され
ることになり、この結果、前記Ａ点における応力
が緩和されるのでバイモルフ板１及びピエゾ・セ
ラミツク２１〜２４の耐クラツク性が向上し、ひ
び割れや破損等を効果的に防止できる。この場
合、Ｂ点での応力集中も考えられるが、l4の部分
の曲率半径はl1の部分の曲率半径に比べて４〜５
倍も大きいためクラツクが発生する心配はない。
またバイモルフ板１とピエゾ・セラミツク２１〜
２４とは互いに同一のセラミツク材料から構成さ
れているため、接合部の熱膨張係数の違いから温
度変化とともに発生するひずみに起因するバイモ
ルフ板１の自由端位置の静的変動はなく、電界を
かけない限り磁気ヘツド１０は常に所定の位置に
保持されている。従つて、温度変化によるヘツド
支持装置２０の特性変化は全くない。
次に、第１０図を参照して本発明の第２の実施
例を説明すると、本実施例においては、一対のバ
イモルフ板１の各一端部は一対のバイモルフ板３
１，３２及び３３，３４によつてそれぞれ挾持さ
れた状態で片持ち支持されている。なおこれらの
バイモルフ板３１〜３４は前記バイモルフ板１を
短かく切断したものであつてよい。
このように構成しても、既述の第１の実施例の
場合と同様に、各バイモルフ板１及び３１〜３４
に適当な電界をかけることによつて、バイモルフ
板３１〜３４の撓み分を一対のバイモルフ板１の
自由端ひいては磁気ヘツド１０の変位距離に寄与
させることができる。このため、ヘツド支持装置
２０の固有共振周波数０を低下させることなし
に磁気ヘツド１０の移動量に寄与するバイモルフ
板１の有効長を充分にとることができ、バイモル
フ板１ひいては磁気ヘツド１０の応答速度を変え
ることなくこの磁気ヘツド１０を大きく変位（例
えば720μ程度）させることができる。この結
果、リバース１倍速〜３倍速モードを行なうこと
が充分に可能となると共に、その際のノイズの発
生を効果的に防止することができる。
以上本発明を実施例に付き説明したが、本発明
はこれらの実施例に限定されるものではなく、本
発明の技術的思想に基いて各種の変更が可能であ
る。
例えば、第１１図に示すように、上方のバイモ
ルフ板１の一端部の上面及び下方のバイモルフ板
１の一端部の下面にピエゾ・セラミツク２１，２
４をそれぞれ接着すると共に、これら一対のバイ
モルフ板１の一端部の間にバイモルフ板３５を接
着固定して介在させ、この状態で回転ドラム９ａ
の支持部２７に取付けるようにしてもよい。この
場合にも、バイモルフ板１，３５及びピエゾ・セ
ラミツク２１，２４にかける電界を適当に選ぶこ
とによつて既述の第１及び第２の実施例の場合と
全く同様の作用効果を得ることができる。即ち、
例えば磁気ヘツド１０を下方へ変位させる場合に
は、上方のバイモルフ板１のピエゾ・セラミツク
７が収縮されると共に下方のバイモルフ板１が延
伸されることになるが、この際、バイモルフ板３
５のピエゾ・セラミツク３６，３７がそれぞれ収
縮及び延伸される。この結果、一対のバイモルフ
板１の撓みが助長されるため、磁気ヘツド１０の
変位距離を大きくとることができる。
以上の如く本発明は、第１の一対の電気−機械
変換素子（例えばバイモルフ板１）を互いに平行
に配置すると共に、前記第１の電気−機械変換素
子の一端部を第２の一対の電気−機械変換素子
（例えばピエゾ・セラミツク２１〜２４及びバイ
モルフ板３１〜３５）によつて挾持した状態でそ
れぞれ片持ち支持し、一方、前記第１の一対の電
気−機械変換素子の自由端をヘツド取付部材（例
えばヘツド取付部材２５）によつて互いに連結
し、前記ヘツド取付部材にヘツド（例えば磁気ヘ
ツド１０）を取付けるようにしたものである。故
に本発明の記録再生装置におけるヘツド支持装置
によれば、ヘツドを常に平行に移動できると共
に、第２の電気−機械変換素子の変形分を第１の
電気−機械変換素子の自由端の変位距離に寄与さ
せることができるので、第１の電気−機械変換素
子の応答速度ひいては固有共振周波数を低下させ
ることなく、ヘツドの振れを大きくとることがで
きる。従つて、例えば１倍速〜３倍速のリバース
再生動作が可能になると共に、この際におけるノ
イズの発生を効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第５図はバイモルフ板によつて磁気ヘ
ツドを支持するようにした従来のヘツド支持装置
を説明するためのものであつて、第１図はバイモ
ルフ板の構造を示す側面図、第２図はこのバイモ
ルフ板を用いたヘツド支持装置の要部側面図、第
３図はこの装置の回転ヘツドドラムの要部平面
図、第４図はこの回転ヘツドドラムの正面図、第
５図は記録トラツクを示す磁気テープの平面図で
ある。第６図〜第１１図は本発明を磁気記録再生
装置におけるヘツド支持装置に適用した実施例を
示すものである。第６図〜第９図は本発明の第１
の実施例を示すものであつて、第６図はヘツド支
持装置の要部側面図、第７図はこのヘツド支持装
置の平面図、第８図及び第９図はバイモルフ板及
びピエゾ・セラミツクの動作をそれぞれ示す側面
図、第１０図は本発明の第２の実施例を示すヘツ
ド支持装置の要部側面図、第１１図は本発明の一
変形例を示すヘツド支持装置の要部側面図であ
る。 なお図面に用いられている符号において、１…
…第１の電気−機械変換素子としてのバイモルフ
板、１０……磁気ヘツド、１１……磁気テープ、
２０……ヘツド支持装置、２１，２２，２３，２
４……第２の電気−機械変換素子としてのピエ
ゾ・セラミツク、２５……ヘツド支持部材、３
１，３２，３３，３４，３５……第２の電気−機
械変換素子としてのバイモルフ板である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 記録媒体とヘツドとの相対的な移動によつて
    前記記録媒体に所定の記録トラツクを形成し或い
    はこの記録トラツクに記録されている情報を再生
    するようにした記録再生装置において、第１の一
    対の電気−機械変換素子を互いに平行に配置する
    と共に、前記第１の電気−機械変換素子の一端部
    を第２の一対の電気−機械変換素子によつて挾持
    した状態でそれぞれ片持ち支持し、一方、前記第
    １の一対の電気−機械変換素子の自由端をヘツド
    取付部材によつて互いに連結し、前記ヘツド取付
    部材に前記ヘツドを取付けるようにしたことを特
    徴とする記録再生装置におけるヘツドの支持装
    置。
JP55136014A 1980-09-30 1980-09-30 Head supporting in recorder and reproducer Granted JPS5760528A (en)

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FR2491245A1 (fr) 1982-04-02
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GB2085641B (en) 1984-11-28
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DE3134480A1 (de) 1982-05-19
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