JPS6242602A - 周波数変調回路 - Google Patents

周波数変調回路

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JPS6242602A
JPS6242602A JP18230285A JP18230285A JPS6242602A JP S6242602 A JPS6242602 A JP S6242602A JP 18230285 A JP18230285 A JP 18230285A JP 18230285 A JP18230285 A JP 18230285A JP S6242602 A JPS6242602 A JP S6242602A
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JP
Japan
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frequency
voltage
circuit
frequency modulation
oscillator
Prior art date
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Pending
Application number
JP18230285A
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English (en)
Inventor
Shinkichi Shimizu
信吉 清水
Shigemi Kurashima
茂美 倉島
Noboru Wakatsuki
昇 若月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概  要〕 本発明はS/N比を向上させることを目的とし。
この目的を電圧制御発振器内にQ特性のすぐれた高結合
圧電単結晶振動子を用いて実現させるものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は9電圧制御発振器(VCO)を含む位相同期ル
ープ(P L L)を用いた周波数変調回路に関する。
〔従来技術と発明が解決しようとする問題点〕PLLを
用いた周波数変調回路はVCO,位相比較器(PC)、
フィルタ等で構成されており。
VCOの入力に、フィルタからのPLL信号と共に変調
信号を入力することにより、VCO内では入力したPL
L信号を基準として変調信号に応じて周波数が変化する
変調信号を生成する回路である。この為、PLLを用い
た周波数変調回路では特にVCOの特性が変調特性に大
きな影響を与える。
従来、上述の回路に用いられるVCOはLとC(コイル
とコンデンサ)で構成されたいわゆるLC発振VCOが
使用されている。このL C発振VCOは基本的には■
、とCの並列共振を用いた回路であり、共振の鋭さを表
すいわゆる共振回路のQは良好な特性であるとはいえな
い。
したがって、上述の様な構成の周波数変調回路を用いて
入力信号を変調し、その変調信号を復調した場合、出力
信号と出力信号に含まれるノイズレベルの比(S/N比
)は極めて悪い結果となる。
これは、前述の様に回路のQが悪い為、必要以上に信号
レヘルを上げた結果同時にノイズレベルも増してしまう
為である。
本発明は、上述の従来の欠点に鑑み、VCOにQ特性の
すぐれた圧電振動子を用いることにより。
S/N比のすぐれた周波数変調回路を提供することを目
的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は1本発明によれば1位相周期ループ回路を用
いた周波数変調回路において、電圧制御発振器に高結合
圧電単結晶振動子と、可変容量ダイオードとを用い、変
調入力に対して前記可変容量ダイオードの静電容量を可
変し、該静電容量の変化に対して前記高結合圧電単結晶
振動子の発振周波数を可変することを特徴とする周波数
変調回路を提供することによって達成される。
〔作  用〕
上記手段によれば、高結合圧電単結晶振動子を電圧制御
発振器に用い周波数変調回路を構成することにより、高
結合圧電単結晶振動子のすぐれたQ特性により3周波数
変調回路のS/N比が改善される作用を有する。
〔発明の実施例〕
以下1本発明の実施例を添付図面にしたがって詳述する
第1図は本発明の周波数変調回路に用いられているVC
Oの回路図である。本発明の周波数変調回路はさらに9
位相比較器、フィルタ等の通常のP L L回路構成を
含むものであるが、これらの回路は通常のPLLの構成
と同様である。すなわち。
同図のVCOの出力foutは図示しない位相比較器に
入力し7位相比較器で水晶等の発振信号の出力と位相比
較を行い3両信号の位相差を図示しないフィルタを介し
て同図のVCOの入力にPLL信号(電圧値)として入
力する構成である。
第1図の回路構成を説明すると、VCOIは変調信号入
力部(デビエーション回路)2.コルピッツ発振部3.
バッファ部4で構成されている。
変調信号入力部2は、カップリング用のコンデンサC2
及び半固定抵抗5で構成され1例えばマイク等からの音
声信号が図示しない増幅器で増幅され、コンデンサC2
を介してデビエーション調整(変11i1Km整)用の
半固定抵抗5に入力する。
一方、コルビッツ発振部3は可変容量ダイオード6、高
結合圧電単結晶振動子であるリチウムタンタレート(L
itaO3)振動子7.トランジスタ8、抵抗R1−R
a、コンデンサCI、C3〜C5で構成されている。
可変容量ダイオード6の一端には前述の半固定抵抗5の
出力による電圧が印加され、他端には抵抗R1を介して
PLL信号の電圧が印加されている(この時、PLL信
号に含まれる高周波信号はバイパス用のコンデンサC1
によって除去されている)。このため、可変容量ダイオ
ード6は、可変容量ダイオード6の両端に印加される電
圧値に従った容量を有するコンデンサ素子となる。した
がって、抵抗R1とLitaO3振動子7との接続点か
ら接地間には、可変容量ダイオード6の有する容量とコ
ンデンサC3の有する容量が存在することになる。この
容量により、LitaO3振動子7はこの容量値に従っ
た振動周波数となる。一方バイアス用の抵抗R2,R3
,R4によりバイアス電圧が設定されたトランジスタ8
はLiLaO3振動子7とコンデンサCa、C5でコル
ピッツ形発振回路を構成しており、上述の振動周波数に
ほぼ一致した発振周波数で発振し、カップリング用のコ
ンデンサC6を介してバッファ部4に出力する。
バッファ部4はトランジスタ9.抵抗R5〜Re。
コンデンサC7〜CBにより構成され、上述のコンデン
サC6を介して入力する発振出力をバイアス用の抵抗R
5〜Rθでバイアス電圧が設定されたトランジスタ9に
入力する。トランジスタ9にはバイパス用のコンデンサ
C8も接続さており。
トランジスタ9では入力した発振信号を増幅してコンデ
ンサC9を介して高出力の発振周波数foutを有する
信号として位相比較器等へ出力する。
また、コルピッツ発振部3及びバッファ部4には電源安
定用のコンデンサCooが接続され、安定した電流をコ
ルピ・ノツ発振部3及びバッファ部4へ供給している。
以上のようなVCOIの回路構成に用いられているl、
1taO:l振動子7は可変容量ダイオード6と共に用
いることにより、可変容量ダイオード6に印加される電
圧(P L、 L信号及びデビエーション信号)に対し
て1−it、103振動子7の振動周波数は直線的に変
化する。すなわち、変調信号入力部2から入力する音声
信号等の変調信号は、可変容量ダイオード6とコンデン
サC3との接続点に電圧値として表れ、その電圧値の変
化(変調信号の変化)は直線的にコルピッツ発振部3か
ら出力される周波数の変化となる。したがって、変調信
号にター1応して周波数が直線的に(忠実に)変化する
発振出力を得ることができる。このようにして変調入力
に対して、忠実な周波数変調を行うことができる。
また、 LitaO:l振動子7はすくれたQ特性を有
している。このことは、上述の変調周波数の中心周波数
(搬送周波数)となる信号のレベルとノイズレベルとの
比(いわゆるC/N比)を向上させる。このQ特性がす
ぐれていること(C/N比の向上)はこの変調信号を受
信機を介して復調した際、S/N比のすぐれたものとな
る。このことを具体的に示す図が第2図及び第3図であ
る。すなわち、第2図及び第3図は周波数偏移Δfが1
0Ktlz及び3Ktlzである場合の変調周波数(f
m)に対するS/N比の変化を示す図である。第2図は
1周波数偏移Δfが10 K tlzである場合であり
LiLaO3振動子7を用いたPLL回路(本発明の周
波数変調回路)のS/N比の変化を曲線Aで示し、LC
発振VCOを用いたPLL回路のS/N比の変化を曲線
Bで示す。また、第3図は周波数偏移Δrが3KIIz
の場合であり1本発明の周波数変調回路のS/N比の変
化を曲線Cで示し、  LC発振VCOを用いたPLL
回路のS/N比の変化を曲線りで示す。
第2図において1曲線Aと曲線Bを比較すると。
曲線AではS/N比がほぼ40〜48dBとれるのに対
して2曲線BではS/N比が25〜30dB程度しかと
れないことがわかる。また、第3図においても。
曲線Cと曲線りを比較すると1曲線CではS/N比が略
41〜46dBとれるのに対して1曲線りではS/N比
が11〜17dB程度しかとれず極めてS/N比の悪い
特性となっていることがわかる。
したがって2本発明の周波数変調回路は9発振振動子と
してQ特性のすぐれたLitaO:+振動子を用いたた
め、LC発振■COに比べて極めてS/N比のすぐれた
周波数変調回路であることがわかる。
さらに、他の実施例として第4図に示すように。
LiLaO3振動子7と、可変容量ダイオード6と抵抗
R1の接続点との間にコイルLを接続しても良い。この
ように圧電振動子7と直列にコイルLを接続して(他の
回路は第1図と同様に構成する)も圧電振動子7のQ特
性は変わらず5 しがもコイルLは変調感度を増加する
1すJきを行い2周波数変調回路の変調感度が向上する
本発明は以上の実施例に限るわけではな(、圧電振動子
はLitaO3振動子に限らず5 リチウムナイオベイ
トやリチウムトラボレイト等の高結合圧電単結晶で構成
される圧電振動子を用いて構成しても良いことは勿論で
ある。
〔発明の効果〕
以上i!′$細に説明したように本発明によれば1周波
数変調回路をPLL回路で構成し、その回路のVCO内
にQ特性のすくれた圧電振動子を用いることにより、S
/N比を向上し1周波数偏移の小さい周波数変調器を実
現できる。また1周波数偏移を小さくできるため、より
多くのチャンネルを有効に利用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の周波数変調回路の一部であるVCOの
回路図。 第2図、第3図は本発明の周波数変調回路のS/N比と
従来の周波数変調回路のS/N比とを比較するためのS
/N比の特性図。 第4図は本発明の他の周波数変調回路の一部であるVC
Oの回路図である。 1・・・VCO。 2・・・変調入力部。 3・・・コルピッツ発振部。 4・・・バッファ部。 6・・・可変容量ダイオード。 7・・・IJiLaO3振動子。 L・・・コイル。 に   、 −t−。 +I ヱ 第1図 第4図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入力信号と電圧制御発振器の出力が加わり、前記
    入力信号と電圧制御発振器の出力信号との位相差を検出
    して前記電圧制御発振器に加える位相検波器を有する位
    相同期発振器において、 前記電圧制御発振器は高結合圧電単結晶振動子と可変容
    量ダイオードとを含む共振回路からなり前記位相検波器
    の出力電圧と変調入力との加算電圧によって前記可変容
    量ダイオードの容量を変化させて前記共振回路の共振周
    波数を変化させる前記電圧制御発振器の発振周波数を制
    御する周波数変調回路。
  2. (2)前記電圧制御発振器に前記高結合圧電単結晶振動
    子と直列にインダクタンス素子を接続した特許請求の範
    囲第1項記載の周波数変調回路。
  3. (3)前記高結合圧電単結晶振動子は、リチウムタンタ
    レート圧電素子であることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の周波数変調回路。
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