JPS6242585A - 半導体レ−ザ保護回路 - Google Patents
半導体レ−ザ保護回路Info
- Publication number
- JPS6242585A JPS6242585A JP60182145A JP18214585A JPS6242585A JP S6242585 A JPS6242585 A JP S6242585A JP 60182145 A JP60182145 A JP 60182145A JP 18214585 A JP18214585 A JP 18214585A JP S6242585 A JPS6242585 A JP S6242585A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- power supply
- source
- laser
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信の半導体レーザを用いた光送信器等に使
用する半導体レーザ保護回路に関する。
用する半導体レーザ保護回路に関する。
従来の技術
従来、半導体レーザの電源オン、オフ時の保護は、半導
体レーザ駆動回路に使用している電源電圧がある規定電
圧範囲内からはずれたときにレーザの駆動回路を切ると
いう方式であった。第３図は従来のレーザ保護回路のブ
ロツク図を示し、３は電源であり、レーザ駆動回路２を
駆動する。この電源３の電源電圧が規定の電圧範囲外に
あるときには、電源電圧変動検知回路４によりレーザ駆
動を強制的にオフする信号６をレーザ駆動回路２に出す
ようにしている。なお図中の１は半導体レーザである。
体レーザ駆動回路に使用している電源電圧がある規定電
圧範囲内からはずれたときにレーザの駆動回路を切ると
いう方式であった。第３図は従来のレーザ保護回路のブ
ロツク図を示し、３は電源であり、レーザ駆動回路２を
駆動する。この電源３の電源電圧が規定の電圧範囲外に
あるときには、電源電圧変動検知回路４によりレーザ駆
動を強制的にオフする信号６をレーザ駆動回路２に出す
ようにしている。なお図中の１は半導体レーザである。
次に上記従来例の動作について説明する。第４図におい
て曲線は電源電圧の時間的変化を表す。
て曲線は電源電圧の時間的変化を表す。
電源電圧の規定範囲をｖ２〜Ｖ、とすれば電源がオンし
て、電圧がｖ２を越えるとレーザ駆動が行なわれる。そ
してｖ２よりも下がると電源電圧変動検知回路４からレ
ーザ駆動を切る信号５が出されてレーザに流れるバイア
ス電流は０になる。
て、電圧がｖ２を越えるとレーザ駆動が行なわれる。そ
してｖ２よりも下がると電源電圧変動検知回路４からレ
ーザ駆動を切る信号５が出されてレーザに流れるバイア
ス電流は０になる。
このように、上記従来の半導体レーザ保護回路は、レー
ザ駆動回路で使用されている電源電圧がある規定電圧範
囲内にあるときのみレーザ駆動可能状態となるというよ
うにでき、電源オン、オフ時、あるいは電源の変動時に
、回路が誤動作してレーザに過大電流が流れるというこ
とを防ぐことができる。
ザ駆動回路で使用されている電源電圧がある規定電圧範
囲内にあるときのみレーザ駆動可能状態となるというよ
うにでき、電源オン、オフ時、あるいは電源の変動時に
、回路が誤動作してレーザに過大電流が流れるというこ
とを防ぐことができる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記従来のレーザ保護回路では、電源電
圧の規定範囲を第２図のｖ２〜Ｖ、のように狭くすると
、レーザ駆動状態での電源電圧変動は狭くなるが、電源
電圧の小さな変動で１７−ザ駆動が強制的にオフされる
ことになる。これを防ぐためにはｖ５〜ｖ１のように電
源電圧の規定範囲を広くすればよいが、そうするとレー
ザ駆動状態での電源電圧変動が大きくなり、レーザの出
力光パルス幅等の変動が大きくなる等の欠点がある。ま
だｖ２〜Ｖ、、Ｖ、〜Ｖ、のいずれにおいても、電源オ
フ時において、電源電圧が回路に誤動作を生じさせる値
に低下するよυも早く、レーザ駆動をオフする必要があ
り、検知回路からレーザ駆動をオフする回路までの信号
の伝達速度を、電源電圧オフの速度よりも速くする必要
があった。
圧の規定範囲を第２図のｖ２〜Ｖ、のように狭くすると
、レーザ駆動状態での電源電圧変動は狭くなるが、電源
電圧の小さな変動で１７−ザ駆動が強制的にオフされる
ことになる。これを防ぐためにはｖ５〜ｖ１のように電
源電圧の規定範囲を広くすればよいが、そうするとレー
ザ駆動状態での電源電圧変動が大きくなり、レーザの出
力光パルス幅等の変動が大きくなる等の欠点がある。ま
だｖ２〜Ｖ、、Ｖ、〜Ｖ、のいずれにおいても、電源オ
フ時において、電源電圧が回路に誤動作を生じさせる値
に低下するよυも早く、レーザ駆動をオフする必要があ
り、検知回路からレーザ駆動をオフする回路までの信号
の伝達速度を、電源電圧オフの速度よりも速くする必要
があった。
本発明はこのような従来の問題に留意し、電源のオン、
オフ時においても、安定したレーザ駆動回路電源が得ら
れる優れたレーザ保護回路を提供することを目的とする
ものである。
オフ時においても、安定したレーザ駆動回路電源が得ら
れる優れたレーザ保護回路を提供することを目的とする
ものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記目的を達成するために、レーザ駆動回路で
使用する電源電圧を、より大きな電源電圧からレギュレ
ータにより作り出して供給する構成とし、かつ、ルギュ
レータ入力となる電源電圧値を検知してレーザ駆動の可
否を制御するようにしだものである。
使用する電源電圧を、より大きな電源電圧からレギュレ
ータにより作り出して供給する構成とし、かつ、ルギュ
レータ入力となる電源電圧値を検知してレーザ駆動の可
否を制御するようにしだものである。
作用
上記構成の半導体レーザ保護回路は、レーザ駆動回路で
使用する電源電圧が、レギュレータ出力であるために、
もとの電源の変動に対して安定である。また電源オン時
においては、レーザ駆動可能状態にはいる前に、回路使
用電源は所定の値に達しているようにできる。また電源
オフ時においてはレーザ駆動オフ信号を出してから、さ
らに電源（レギュレータ入力）が低下してからようやく
レーザ駆動回路電源が低下し始めることになる。
使用する電源電圧が、レギュレータ出力であるために、
もとの電源の変動に対して安定である。また電源オン時
においては、レーザ駆動可能状態にはいる前に、回路使
用電源は所定の値に達しているようにできる。また電源
オフ時においてはレーザ駆動オフ信号を出してから、さ
らに電源（レギュレータ入力）が低下してからようやく
レーザ駆動回路電源が低下し始めることになる。
実施例
以下本発明の一実施例を第１図および第２図にもとづき
説明する。
説明する。
第１図においてレーザ駆動回路１０で使用される電源１
１は、より大きな電源である電源１３からレギュレータ
１２を用いて作り出されている。
１は、より大きな電源である電源１３からレギュレータ
１２を用いて作り出されている。
また半導体レーザ９のバイアス電流を０にするレーザ保
護を、電源１３の値が規定範囲にあるかどうかを検知し
てレーザ駆動の可否を制御するものである。１４は電源
電圧変動検知回路であり、１５は電源１３の値が規格外
にあるときにレーザ駆動状態をオフにする（バイアス電
流を０にする）ための信号のラインである。
護を、電源１３の値が規定範囲にあるかどうかを検知し
てレーザ駆動の可否を制御するものである。１４は電源
電圧変動検知回路であり、１５は電源１３の値が規格外
にあるときにレーザ駆動状態をオフにする（バイアス電
流を０にする）ための信号のラインである。
次に上記実施例の動作について説明する。第２図におい
て２０は電源１３の時間的変化、２１は電源１１、すな
わちレーザ駆動回路で使用している電源電圧の時間的変
化を表す。レギュレータ１２の入出力特性により、電源
１３がある値７６以上になると電源１１は一定値ｖ７
となる。電源１３がｖ５〜ｖ４の範囲にある場合に、電
源電圧変動検知回路１４は、レーザ駆動回路１０をレー
ザ駆動可能状態にするようにする。
て２０は電源１３の時間的変化、２１は電源１１、すな
わちレーザ駆動回路で使用している電源電圧の時間的変
化を表す。レギュレータ１２の入出力特性により、電源
１３がある値７６以上になると電源１１は一定値ｖ７
となる。電源１３がｖ５〜ｖ４の範囲にある場合に、電
源電圧変動検知回路１４は、レーザ駆動回路１０をレー
ザ駆動可能状態にするようにする。
このような構成にすると、電源１１の値は電源１３の変
動に対して比較的安定した一定値となる。
動に対して比較的安定した一定値となる。
電源オン時においては電源１３がｖ５ まで上昇すると
レーザ駆動状態になるがそれ以前にｖ６に達した時点で
すでに電源１１は所定の値ｖ７になっている。また電源
オフ時においては電源１３がｖ５まで下降するとレーザ
駆動状態をオフとする信号が出るが、レーザ駆動回路１
ｏの電源１１ばその時点でまだｖ７を保っており、電源
１３がｖ６まで低下すると電源１１はＶ、よりも低下し
始める。
レーザ駆動状態になるがそれ以前にｖ６に達した時点で
すでに電源１１は所定の値ｖ７になっている。また電源
オフ時においては電源１３がｖ５まで下降するとレーザ
駆動状態をオフとする信号が出るが、レーザ駆動回路１
ｏの電源１１ばその時点でまだｖ７を保っており、電源
１３がｖ６まで低下すると電源１１はＶ、よりも低下し
始める。
すなわち電源オフ時においては、レーザ駆動状態をオフ
にする信号が出てから、電源１３がｖ５からｖ６ に低
下する時間の間、回路電源は所定の値ｖ７ のままで
いる。このように、本構成によると、電源のオン、オフ
時においても、レーザ駆動状態においては、レーザ駆動
回路１０の電源は変動せず、回路の誤動作は発生せず、
したがって半導体レーザ９に過大電流が流れなくなる。
にする信号が出てから、電源１３がｖ５からｖ６ に低
下する時間の間、回路電源は所定の値ｖ７ のままで
いる。このように、本構成によると、電源のオン、オフ
時においても、レーザ駆動状態においては、レーザ駆動
回路１０の電源は変動せず、回路の誤動作は発生せず、
したがって半導体レーザ９に過大電流が流れなくなる。
発明の効果
本発明は上記実施例より明らかなように、以下に示す効
果を有する。
果を有する。
（１）回路で使用する電源をレギュレータ出力としてい
るために、もとの電源の変動に対して、回路の電源の変
動は小さく抑えることができる。
るために、もとの電源の変動に対して、回路の電源の変
動は小さく抑えることができる。
（２）電源（レギュレータ入力）の変動を検知してレー
ザ駆動状態をオン、オフするために、電源のオ／、オフ
時においても、レーザ駆動状態においては回路の電源電
圧は所定の一定値である。
ザ駆動状態をオン、オフするために、電源のオ／、オフ
時においても、レーザ駆動状態においては回路の電源電
圧は所定の一定値である。
（３）上記の（１）、（２）により回路電源の変動によ
り生じる光パルスの振幅やパルス幅の変動や、回路の誤
動作により半導体レーザに過大電流が流れることがなく
なる。
り生じる光パルスの振幅やパルス幅の変動や、回路の誤
動作により半導体レーザに過大電流が流れることがなく
なる。
第１図は本発明の一実施例のレーザ保護回路のブロック
図、第２図は本発明のレーザ保護回路の電源電圧検知回
路の動作を説明するだめの図、第３図は従来のレーザ保
護回路のブロック図、第４図は従来のレーザ保護回路の
電源電圧変動回路の動作を説明するだめの図である。 ９・・・・・・半導体レーザ、１０・・・・・・レーザ
駆動回路、１１・・・・・・電源２．１２・・・・・・
レギュレータ、１３・・・・・・電源１．１４・・・・
・・電源電圧変動検知回路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
図、第２図は本発明のレーザ保護回路の電源電圧検知回
路の動作を説明するだめの図、第３図は従来のレーザ保
護回路のブロック図、第４図は従来のレーザ保護回路の
電源電圧変動回路の動作を説明するだめの図である。 ９・・・・・・半導体レーザ、１０・・・・・・レーザ
駆動回路、１１・・・・・・電源２．１２・・・・・・
レギュレータ、１３・・・・・・電源１．１４・・・・
・・電源電圧変動検知回路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 半導体レーザ駆動回路に用いる電源電圧を、より高い電
圧をレギュレータ入力としたレギュレータ出力により構
成し、レギュレータ入力電圧がすべて規定の範囲にある
ときのみ半導体レーザ駆動回路が動作するようにした半
導体レーザ保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182145A JPS6242585A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体レ−ザ保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182145A JPS6242585A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体レ−ザ保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242585A true JPS6242585A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16113143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182145A Pending JPS6242585A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体レ−ザ保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242585A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144590A (en) * | 1980-04-13 | 1981-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Driving device for semiconductor laser |
| JPS61265883A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動装置 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182145A patent/JPS6242585A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144590A (en) * | 1980-04-13 | 1981-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Driving device for semiconductor laser |
| JPS61265883A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動装置 |
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