JPS61259585A - 半導体レ−ザ保護装置 - Google Patents
半導体レ−ザ保護装置Info
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- JPS61259585A JPS61259585A JP10112785A JP10112785A JPS61259585A JP S61259585 A JPS61259585 A JP S61259585A JP 10112785 A JP10112785 A JP 10112785A JP 10112785 A JP10112785 A JP 10112785A JP S61259585 A JPS61259585 A JP S61259585A
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- JP
- Japan
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- control
- semiconductor laser
- comparator
- reference voltage
- output
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の・背景と目的］
本発明は半導体レーザ保護装置に係り、特に光出力の制
御がはずれた場合にはこれを回復し、回復不能の場合に
は駆動を停止するのに好適な半導体レーザ保護装置に関
するものである。
御がはずれた場合にはこれを回復し、回復不能の場合に
は駆動を停止するのに好適な半導体レーザ保護装置に関
するものである。
第３図は従来の半導体レーザの光出力安定化装置の回路
図である。第３図においては、半導体レーザ１の光出力
を受光素子２で検出し、受光素子２の出力を増幅器３で
増幅し、増幅器３の出力と基準電圧Ｖａとを比較器４に
入力し、比較器４で基準電圧Ｖａと比較して、その出力
によって駆動電流制御回路５を介して半導体レーザ１の
駆動電流を制御するようにしである。
図である。第３図においては、半導体レーザ１の光出力
を受光素子２で検出し、受光素子２の出力を増幅器３で
増幅し、増幅器３の出力と基準電圧Ｖａとを比較器４に
入力し、比較器４で基準電圧Ｖａと比較して、その出力
によって駆動電流制御回路５を介して半導体レーザ１の
駆動電流を制御するようにしである。
しかし、この方式では、電源の変動などの外的な擾乱に
よって制御がはずれた場合に制御が回復せず、最大の駆
動電流が半導体レーザ１に流れてしまうことがある。
よって制御がはずれた場合に制御が回復せず、最大の駆
動電流が半導体レーザ１に流れてしまうことがある。
また、特に、光出力の信号成分（交流成分）を検出し、
これを一定に保つようにした制御方式では、駆動電流の
信号成分が切れた場合に最大の駆動電流が流れてしまう
。また、受光素子２が破損した場合にも同様に最大の駆
動電流が流れてしまう。
これを一定に保つようにした制御方式では、駆動電流の
信号成分が切れた場合に最大の駆動電流が流れてしまう
。また、受光素子２が破損した場合にも同様に最大の駆
動電流が流れてしまう。
このように、種々の原因により光出力の安定制御がはず
れた場合に過大な駆動電流が流れ続りることは、半導体
レーＩア１の劣化を早め、破壊に至ることもあるので、
半導体レーザ保護装置が要求されている。
れた場合に過大な駆動電流が流れ続りることは、半導体
レーＩア１の劣化を早め、破壊に至ることもあるので、
半導体レーザ保護装置が要求されている。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、光出力の制御がはずれた場合はこれを回復し
、回復不能の揚台には駆動を停止することができる半導
体レーザ保護装置を提供することにおる。
ところは、光出力の制御がはずれた場合はこれを回復し
、回復不能の揚台には駆動を停止することができる半導
体レーザ保護装置を提供することにおる。
［発明の概要１
本発明の特徴は、制御はずれを検出する検出手段と、こ
の検出手段が制御はずれを検出したときに半導体レーザ
の光出力を検出するモニタ用受光素子の検出出力と比較
する制御用基準電圧を発生する基準電圧発生回路をリセ
ッ１〜するりセラ１〜手段と、上記制御はずれの検出回
数が所定回数に達したときに上記半導体レーザ７の駆動
を停止させる停止手段とよりなる構成とした点にある。
の検出手段が制御はずれを検出したときに半導体レーザ
の光出力を検出するモニタ用受光素子の検出出力と比較
する制御用基準電圧を発生する基準電圧発生回路をリセ
ッ１〜するりセラ１〜手段と、上記制御はずれの検出回
数が所定回数に達したときに上記半導体レーザ７の駆動
を停止させる停止手段とよりなる構成とした点にある。
［実施例］
以下本発明を第１図、第２図に示した実施例を用いて詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の半導体レーザ保護装置の一実施例を示
ずブロック図である。第１図において、１は半導体レー
ザ、２は半導体レーザ１の光出力を検出するモニタ用受
光素子、３は受光素子２の出力を増幅する増幅器、４は
比較器、５は駆動電流制御回路で、これらで光出力安定
化装置を構成しである。
ずブロック図である。第１図において、１は半導体レー
ザ、２は半導体レーザ１の光出力を検出するモニタ用受
光素子、３は受光素子２の出力を増幅する増幅器、４は
比較器、５は駆動電流制御回路で、これらで光出力安定
化装置を構成しである。
ところで、比較器４の出力は、制御はずれ検知用基準電
圧Ｖｂが入力しである比較器６にも入力してあり、比較
器６が制御はずれを検知した場合にはパルス発生器７に
よりパルス信号を発生させ、このパルス信号により基準
電圧発生回路８をリセットして制御を回復さ−ける。同
時にカウンタ９によりパルス信号の発生回数を計数し、
これがある回数に達した場合は、基準電圧発生回路８を
オフにして半導体レーザ１の駆動を停止させるようにし
である。この部分が本発明に係る半導体レーザ保護装置
である。
圧Ｖｂが入力しである比較器６にも入力してあり、比較
器６が制御はずれを検知した場合にはパルス発生器７に
よりパルス信号を発生させ、このパルス信号により基準
電圧発生回路８をリセットして制御を回復さ−ける。同
時にカウンタ９によりパルス信号の発生回数を計数し、
これがある回数に達した場合は、基準電圧発生回路８を
オフにして半導体レーザ１の駆動を停止させるようにし
である。この部分が本発明に係る半導体レーザ保護装置
である。
上記した本発明の実施例によれば、
（１）電源電圧の変動等によって光出力の制御がはずれ
た場合には、従来のように電源の再投入等を行わなくと
も制御を回復させることができる。
た場合には、従来のように電源の再投入等を行わなくと
も制御を回復させることができる。
（２）制御の回復が不能の場合には、半導体レーザ１の
駆動を停止することができるから、長時間にわたって過
大な駆動電流を流し続けることがなく、半導体レーザ１
の劣化、破壊を防止することができる。
駆動を停止することができるから、長時間にわたって過
大な駆動電流を流し続けることがなく、半導体レーザ１
の劣化、破壊を防止することができる。
（３）半導体レーザ１の劣化検出にも用いることができ
る。
る。
なお、第２図は本発明の他の実施例を示すブロック図で
、第２図において、第１図と同一部分は同じ符号で示し
、ここでは説明を省略する。第１図においては、比較器
４の出力を比較器６に入力するようにしであるが、第２
図においては、電圧検出回路１０を設け、駆動電流制御
回路５からの半導体レーザ１への駆動電流を抵抗１１を
介して電圧の形で検出し、この電圧を比較器６に入力し
て制御はずれを検知するようにしており、このようにし
ても第１図の場合と同様の効果を得ることができる。
、第２図において、第１図と同一部分は同じ符号で示し
、ここでは説明を省略する。第１図においては、比較器
４の出力を比較器６に入力するようにしであるが、第２
図においては、電圧検出回路１０を設け、駆動電流制御
回路５からの半導体レーザ１への駆動電流を抵抗１１を
介して電圧の形で検出し、この電圧を比較器６に入力し
て制御はずれを検知するようにしており、このようにし
ても第１図の場合と同様の効果を得ることができる。
また、半導体レーザ１の駆動を停止するときに、基準電
圧発生回路８をオフする以外に、半導体レーザ１の駆動
用電源をオフにするようにしてもようことはいうまでも
ない。
圧発生回路８をオフする以外に、半導体レーザ１の駆動
用電源をオフにするようにしてもようことはいうまでも
ない。
「発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、光出力の制御が
はずれた場合はこれを回復し、回復不能の場合には駆動
を停止することができ、半導体レーザの劣化、破壊を防
止することができるという効果がある。
はずれた場合はこれを回復し、回復不能の場合には駆動
を停止することができ、半導体レーザの劣化、破壊を防
止することができるという効果がある。
第１図は本発明の半導体レーザ保護装置の一実施例を示
すブロック図、第２図は本発明の他の実施例を示すブロ
ック図、第３図は従来の半導体レーザの光出力安定化装
置の回路図である。 １・・・半導体レーザ、 ２・・・受光素子、 ３・・・増幅器、 ４・・・比較器、 ５・・・駆動電流制御回路、 ６・・・比較器、 ７・・・パルス発生器、 ８・・・基準電圧発生回路、 ９・・・カウンタ、 １０・・・電圧検出回路。
すブロック図、第２図は本発明の他の実施例を示すブロ
ック図、第３図は従来の半導体レーザの光出力安定化装
置の回路図である。 １・・・半導体レーザ、 ２・・・受光素子、 ３・・・増幅器、 ４・・・比較器、 ５・・・駆動電流制御回路、 ６・・・比較器、 ７・・・パルス発生器、 ８・・・基準電圧発生回路、 ９・・・カウンタ、 １０・・・電圧検出回路。
Claims (4)
- （１）半導体レーザの光主力をモニタ用受光素子により
検出し、その検出出力によって前記半導体レーザの駆動
電流制御回路によって制御するようにしたものにおいて
、制御はずれを検出する検出手段と、該検出手段が制御
はずれを検出したときに受光素子の検出出力と比較する
制御用基準電圧を発生する基準電圧発生回路をリセット
するリセット手段と、前記制御はずれの検出回数が所定
回数に達したときに前記半導体レーザの駆動を停止させ
る停止手段とよりなることを特徴とする半導体レーザ保
護装置。 - （２）前記検出手段は、前記受光素子の検出出力と前記
制御用基準電圧とを比較する第１の比較器の出力と制御
はずれ検知用基準電圧とを比較する第２の比較器とより
なる特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ保護装置
。 - （３）前記検出手段は、前記半導体レーザの駆動電流に
比例した電圧を検出する電圧検出回路と、該電圧検出回
路からの電圧と前記制御はずれ検知用基準電圧とを比較
する第２の比較器とよりなる特許請求の範囲第１項記載
の半導体レーザ保護装置。 - （４）前記リセット手段は、前記第２の比較器からの制
御はずれ検出信号が入力したときに前記基準電圧発生回
路をリセットするパルス信号を発生するパルス発生器よ
りなる特許請求の範囲第１項または第２項または第３項
記載の半導体レーザ保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10112785A JPS61259585A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 半導体レ−ザ保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10112785A JPS61259585A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 半導体レ−ザ保護装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61259585A true JPS61259585A (ja) | 1986-11-17 |
| JPH0452634B2 JPH0452634B2 (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=14292406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10112785A Granted JPS61259585A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 半導体レ−ザ保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61259585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005099053A1 (en) * | 2004-04-07 | 2005-10-20 | Thomson Licensing | Method and circuit for controlling an electronic component |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107264A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Canon Inc | Controller for quantity of light |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP10112785A patent/JPS61259585A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107264A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Canon Inc | Controller for quantity of light |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005099053A1 (en) * | 2004-04-07 | 2005-10-20 | Thomson Licensing | Method and circuit for controlling an electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452634B2 (ja) | 1992-08-24 |
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