JPS6240734A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6240734A JPS6240734A JP18065385A JP18065385A JPS6240734A JP S6240734 A JPS6240734 A JP S6240734A JP 18065385 A JP18065385 A JP 18065385A JP 18065385 A JP18065385 A JP 18065385A JP S6240734 A JPS6240734 A JP S6240734A
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L2224/81801—Soldering or alloying
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
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- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に半導体装置をフィルム
キャリヤを用いて接続する方法に関する。
キャリヤを用いて接続する方法に関する。
従来半導体装置の接続方法としては、ワイヤーボンディ
ング法、TAB法、フリップチップ法、ビームリード法
等が実用化さnている。
ング法、TAB法、フリップチップ法、ビームリード法
等が実用化さnている。
上述した従来の接続方法では、近年の半導体装置の論理
規模の増加((伴なう入出力端子の増加に対応できず、
作業性の悪化、歩留りの低下、接続信頼性の劣化等の問
題点を含んでいることが明らかになってきている。また
、接続方法により半導体装置の端子位置・形状が制限さ
几、多端子化・半導体装置の面積縮小のネックになりつ
つある。
規模の増加((伴なう入出力端子の増加に対応できず、
作業性の悪化、歩留りの低下、接続信頼性の劣化等の問
題点を含んでいることが明らかになってきている。また
、接続方法により半導体装置の端子位置・形状が制限さ
几、多端子化・半導体装置の面積縮小のネックになりつ
つある。
本発明は、金属膜と耐熱性樹脂からなる可撓性多層配線
基板を用いて半導体装置と外部装置との接続を行なった
半導体装置である。
基板を用いて半導体装置と外部装置との接続を行なった
半導体装置である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の縦断面図である。接続テー
プlFi耐熱性樹脂2と金属膜3とよりなる2層配線テ
ープである。耐熱性樹脂2はたとえばポリイミド樹脂を
主成分とする可撓性樹脂であり、金属膜3は銅箔に露出
部分を金メッキした膜である。本例では2層配線とした
が、端子数の増加等に伴ない3層以上の多層配線を用い
ることも、本発明の請求範囲に含まれる。半導体装#4
との接続点5,5′は半導体装11i4に接続テープ1
を位置合せし、圧着した後予備加熱を行ない、超音波振
動を加えることにより接続を確保される。この時、半導
体装置4又は接続テープ1の接続点に対応する部分に金
パンダを設けて接続を容易にすることは従来より公知の
技術である。また、予備加熱の有無・温度・時間や一括
接続・部分接続の選択は半導体装置の大きさ・端子数等
により最適化されるが、本発明の実施例に含まれる。
プlFi耐熱性樹脂2と金属膜3とよりなる2層配線テ
ープである。耐熱性樹脂2はたとえばポリイミド樹脂を
主成分とする可撓性樹脂であり、金属膜3は銅箔に露出
部分を金メッキした膜である。本例では2層配線とした
が、端子数の増加等に伴ない3層以上の多層配線を用い
ることも、本発明の請求範囲に含まれる。半導体装#4
との接続点5,5′は半導体装11i4に接続テープ1
を位置合せし、圧着した後予備加熱を行ない、超音波振
動を加えることにより接続を確保される。この時、半導
体装置4又は接続テープ1の接続点に対応する部分に金
パンダを設けて接続を容易にすることは従来より公知の
技術である。また、予備加熱の有無・温度・時間や一括
接続・部分接続の選択は半導体装置の大きさ・端子数等
により最適化されるが、本発明の実施例に含まれる。
接続テープ1は、外部装置との接続にも用いら汎る。第
1図の例では半導体装置を樹脂6で被覆し、リフロー半
田付けによゆ外部装置7の接続点8.8′に接続した場
合について図示しである。他の方法としては外部装置へ
の接続を中間基板を用いて行ない、剛性保持用中間基板
に端子を取付けてビングリッドプレイとして一般の半導
体装置と同一形状にすることも出来る。その他、外部接
続の方法は種々考えらnるが、いずnも本発明の実施例
の中に含ま几る。
1図の例では半導体装置を樹脂6で被覆し、リフロー半
田付けによゆ外部装置7の接続点8.8′に接続した場
合について図示しである。他の方法としては外部装置へ
の接続を中間基板を用いて行ない、剛性保持用中間基板
に端子を取付けてビングリッドプレイとして一般の半導
体装置と同一形状にすることも出来る。その他、外部接
続の方法は種々考えらnるが、いずnも本発明の実施例
の中に含ま几る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、多層配線テープを使用す
ることにより半導体装置の外部装置への接続の自由度を
高め、多端子の半導体装置を能率的にかつ信頼度よく接
続できる効果がある。
ることにより半導体装置の外部装置への接続の自由度を
高め、多端子の半導体装置を能率的にかつ信頼度よく接
続できる効果がある。
第1図は本発明の一実施例の縦断面図である。
1・・・・・・接続テープ、2・・・・・・耐熱性樹脂
、3・・・・・・金属膜、4・・・・・・半導体装置、
5,5′・・・・・・半導体装置との接続点、6・−・
・・・樹脂、7・・・・・・外部装置、8゜8′・・・
・・・外部装置との接続点。
、3・・・・・・金属膜、4・・・・・・半導体装置、
5,5′・・・・・・半導体装置との接続点、6・−・
・・・樹脂、7・・・・・・外部装置、8゜8′・・・
・・・外部装置との接続点。
Claims (1)
- 金属膜と耐熱性樹脂からなる可撓性多層配線基板を接続
した半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18065385A JPS6240734A (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18065385A JPS6240734A (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6240734A true JPS6240734A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=16086961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18065385A Pending JPS6240734A (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6240734A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02165647A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-06-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積回路実装構造体 |
-
1985
- 1985-08-16 JP JP18065385A patent/JPS6240734A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02165647A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-06-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積回路実装構造体 |
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