JPS6238491A - 感光体の除電方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は感光体の除電方法、特に長波長領域に光感度を
有し、例えば４００〜ｓｏｏｎｍ近傍以下の短波長領域
で低感度乃至は実質光感度を持たない感光体の除電方法
に関する。

従来技術 感光体における感度低下の原因として光疲労がある。光
疲労の原因は帯電、画像露光、イレースを繰り返すにつ
れて、感光体中の不純物や格子欠陥に電子や正孔が捕獲
されることにより、感度が悪くなると云う現象となって
表われる。特に光導樹脂とともに分散し導電性基板上に
塗布して光導電層を形成した構成の有機感光体は、比較
的不純物が多く、光導電層や輸送層に電子、正孔がトラ
ップされ感度低下を起こす。この感度低下は特に感光体
を高温環境、例えば複写機で長時間連続使用したときに
顕著となる。

発明が解決しようとする問題点 力＼ 本発明は短波長領域で感度が低い皐実質光感度のない感
光体の光疲労に起因する感度の低下、特に高温時の複写
の繰返しによる感度の低下を抑制し、電子写真プロセス
における感度を向上させることを目的とする。

問題を解決するための手段 本発明は、長波長領域に光感度を有し、短波長側で低感
度乃至は光感度を持たない感光体の除電方法において、
短波長側で低感度乃至は実質光感度を持たない感光体の
除電方法を提供する。

即ち、本発明においては、光感度か低い乃至は実質光感
度を持たない波長の短波長光を照射するもので、例えば
感光体の分光感度特性として４５０ｎｍ〜８００ｎｍの
波長領域で感度を有するとき、低感度乃至は実質光感度
かない４５０ｎｍ近傍の短波長光を感光体に照射する。

この照射によって光導電層の深い位置まで光は浸入し、
光導電層全体を励起してトラップされている電荷を解放
する。具体的に長波長領域、例えは、４５０ｎｍ〜５０
０ｎｍ近傍以上の長波長領域において光感度を有し、そ
れ以下の短波長領域で感度が実質ないか低感度の感光体
、−例として、α型銅フタロシアニン顔料と電荷輸送材
料（例えば、カルバゾールヒドラゾン類、その他のヒド
ラゾン類、ピラゾリン類）をバインダー樹脂中に分散し
て基板上に塗布し光導電層を形成してなる感光体かある
が、この様な感光体においては、第１図に示すごとく、
約４５０　ｎｍ近傍では光感度は殆んとないか低感度で
ある。従って、この様な光感度が殆んどない領域の光を
用いて除電すると光は光導電層（バルク内）内深くまで
進入し、バルク全体を励起し、バルク途中にあるトラッ
プされた電荷を解放させる。即ち、上記感光体は帯電、
画像露光によって静電潜像を形成するが、この過程で発
生したチャージキャリアの一部か光導電層中にトラップ
され、繰り返し複写を行うと徐々に感度低下を生じる。

そこで、上述の短波長光を除電時に照射すると、その光
はバルク深部でキャリアを発生するため、発生した正孔
と電子は帯電極性により基板側、表面側へと移動するが
、その過程でトラップされている電荷をキャンセルし、
結果としてこの現象が連続複写時に繰り返される。従っ
て感度低下はなく、みかけ感度は向上する。現実に発光
スペクトルが４１０〜５４０ｎｍの短波長光イレーザラ
ンプを用いて、その波長領域で実質光感度を持たないか
低感度の感光体に対し高温時（４０℃）に複写を繰り返
すと感度低下は認められなかった。

本発明方法を適用し得る感光体は４５０〜５００ｎｍ近
傍以上に感度を有し、それ以下の短波長領域では短波長
光を殆んど吸収しない光導電性材料と、イオン化ポテン
シャルが使用する光導電性材料のそれより小さい電荷輸
送材料を用いたものが好ましい。この様な光導電性材料
の例としては、例えばフタロシアニン、シアニン染料等
がアリ、フタロシアニンの場合は４２０〜５３ＱｎＩＨ
の短波長光を用いるのが好ましい。フタロシアニンとし
てはメタルフリー、銅フタロシアニン等の金属フタロシ
アニン等、任意のものを使用することができる。

一般に短波長側において、分光感度が実質低下する波長
、第１図では４５０ｎｍの±５Ｑｎｍ　の短波長光を照
射するのが望ましい。

電荷輸送材料としては、特にヒドラゾン類、カルバゾー
ルヒドラゾン類等が好ましい。ヒドラゾン類としては例
えば特開昭５４−５９１４３号公報、特開昭５４−１５
０１２８号公報、特開昭５５−４６７６０号公報、特開
昭５５−５２０６３号公報、特開昭５７−１１３５０号
公報等に記載されているものが使用できる。

これらの光導電性材料および電荷輸送材料は適当な結着
剤樹脂を用いて導電性基体上に結着すればよく、その配
合量、樹脂の種類等は従来公知の方法に準ずれはよい。

特に本発明では、単一層に光導電性材料と電荷輸送材料
をバインダ樹脂に分散形成してなる単機能型感光体にお
いて好ましい結果が得られる。

また、本発明でいう短波長光は５４０ｎｍ以下とする必
要があり、それ以上の波長光では光導電層深部でのキャ
リア励起が生じない。短波長光源としては冷陰極グロー
放電管を用いるのが好ましい。

光量は１５０　＃ｕｘ−，ｓｅｃ以下で３０〜５　Ｑ　
６ｕｘ−Ｓｅｃが望ましい。

発明の効果 本発明方法によると、高温（例えば４０’Ｃ）における
（り返し複写によっても感度低下を抑制するつとができ
た。例えば、２０００枚複写後の感度低下は従来のタン
グステンランプを用いたときの約１／２に抑制すること
ができ、また表面電位（Ｖｏ　）の変動も約１／２に減
少させることができる。

実施例および比較例 第２図に示すごときカールソン方式の電子写真装置を用
い、４２±２℃の高温の下に２０００枚の複写を行なっ
た。

図中、（１）は銅フタロシアニンとｎ−エチルカルバゾ
ール− ゾンを熱硬化性アクリル樹脂でアルミニウムドラム表面
に結着した感光体（単機能型、膜厚１５μｍ）であり、
（２）ハスコロトロンチャージャー、（３１ｉ１ｇ光装
置を示す。露光ランプは）１０ゲンランプを用いる。（
４）は現像装置、（５）は転写チャージャー、（６）は
イレーサーであり、比較例では従来のタングステンラン
プを使用し、実施例では冷陰極グロー放電管（エルバム
社製、ＦＬＥシリーズの青）を用いた。（力は電位モニ
ター用プローブであり、電位計に連結されている（トレ
ック社モデル３６２）。

これによって感光体の表面電位の変化を測定する。

（８）はクリープである、スコロトロンチャージャーを
使用し、初期表面電位（ＶＯ）を５１０ボルトに設定し
た。転写チャージャーの出力は５〜６　ＫＶとした。複
写は感光体の温度をセンサーを用いて４２±２℃に保ち
、プローブによる測定は感光体の温度を２２±２℃に下
げ、相対湿度５０％で行なった。

感光体の最初の初期表面電位および露光により半減衰す
るに要する露光４ｉｔ　Ｅ　１／２　（　ｌｕｘ−　ｓ
ｅｃ　）を測定した（Ｅｏで示す）。次いて、２０００
枚複写後の初期表面電位と半減衰に要する露光量（　Ｅ
　１／２　）を測定した（Ｅｌ）。結果を表−１に示す
。表−１中、量Ｅ１の比の対数二 １　０　６０ｇ（Ｅｔ／Ｅｏ　） で算出したものである。

表−１

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いた感光体の分光感度特性第２図は
本発明が実施可能な複写装置を示す図である。 ＋ｌ）・・・感光体トラム、　（２＋・・・スコロトロ
ンチャージヤ、（３）・・・露光装置、（５）・・・転
写チャージャー、（６）・・・イレーサー、（力・・・
表面電位測定用プローブ。 出願人　　ミノルタカメラ株式会社 第１　図 沢−＆　（バｍｌ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、長波長領域に光感度を有し、短波長側で低感度乃至
   は実質光感度を持たない感光体の除電方法において、短
   波長光にて除電することを特徴とする感光体の除電方法
   。