JPS5882260A - 複数枚複写電子写真法およびこれに用いる電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は複数枚複写電子写真法およびこれに一用いる電
子写真感光体に関するものである。

複数枚複写電子写真法は従来種々公知であり、例えば感
光ドラム上に一度形成した静電潜像に対してトナー現像
および転写工程を繰返し行なって複数枚の受像紙に同一
の複写画像を得るものがある◎このような複数枚複写電
子写真法において、複数枚に亘って画質の良好な複写画
像を得るためには、感光体上に一度形成した静電潜像を
複数枚の複写工程に亘って安定に維持する必要があるが
、従来提案されている大部分の複数枚複写電子写真法に
おいては、静電潜像を形成する潜像電荷が、感光体の最
上層の表面に存在しているため、現像時に現像剤を通し
て潜像電位が減衰したり、転写時に受像紙を通して電荷
が注入されて潜像が劣化し、複数枚の複写工程に亘って
潜像を安定に維持することができず、このため複数枚に
亘って画質の良好な複写画像を得ることができなかった
。

このような不具合を解決するため、第１図Ａ〜０に示す
ように電子写真感光体ｌとして、導電体λ上に誘電体か
ら成る電荷保持層３と光導電体層ダとを順次に積層した
ものを用い、先ず第１図ムに示すようにコロナ帯電器ｊ
による第１次帯電量時または逐次全面露光工程を行なっ
て電荷保持層３の表裏面に電荷をトラップし、次に第１
ＦＩＪＢに示すようにコロナ帯電器乙による第１次帯電
と逆極性のｌｉｄ次帯電同時像露光工程を行なって光像
明部りにおいては電荷保持層３の両面に、光像暗部りに
おいては光導電体層ダの表面と電荷保持層３および導電
体−の界面とにそれぞれ電荷をトラップした後、第１図
Ｃに示すように全面露光工程を行なうことにより、光像
明部りにおいてのみ電荷保持層３の両面に電荷をトラッ
プして静電潜像を形成するようにした電子写真法が提案
された。

か＼る方法によれば静電潜像が感光体／の内部にある電
荷保持層３の両面にのみ電荷をトラップして形成されて
いるから、現像および転写を繰返し行なっても静電潜像
が直接外部の影響を受けることがなく、シたがって潜像
劣化を有効に防止することができる。しかし、この電子
写真法では画像端部においてぼけが発生し易く、十分満
足した静電フントラストおよび解像力を有する静電潜像
が形成できない不具合がある。この画像端部におけるぼ
けの発生は、第１図Ｂに示す第２次帯電量時像露光工程
後において光導電体層ダの表面にある正電荷と、光導電
体層ダおよび電荷保持層３の界面にある負電荷とを、第
１図Ｏに示す全面露光工程において光導電体層ダ中に発
生するキャリア対によって相殺する際に、第一図に示す
ように画像端部において発生したキャリア対７が、該端
部における不規則な電界ｔに沿って分極して保持される
ために、光像明部りにおいて電荷保持層３および光導電
体層ｌの界面にトラップされている電荷が光像暗部に等
測的に拡ったようになるからである。

このような画像端部におけるぼけの発生を防止するため
、第３図に示すように電子写真感光体／／として導電体
１２上に電荷保持層１３、絶縁性電荷保持層ｌ＃、光導
電体層１５を順次に積層したものを用い、第７図五〜０
に示したと同様の工程で絶縁性電荷保持層ｌ−の表裏面
にのみ電荷をトラップして静電潜像を形成するようにし
た電子写真法が提案され“た。この電子写真法において
は、静電潜像を形成する電荷を電荷保持Ｎ　／Ｊおよび
絶縁性電荷保持層／ｌの界面と、絶縁性電荷保持層／４
１および光導電体層ｔＳの界面とにそれぞれトラップす
ることにより、全Ｉｆｉｌ！光工程において光導電体層
ＩＪ内に発生したキャリア対が画像端部における不規則
な電界の作用により横方向に移動するのを阻止するよう
にしたものであるが、画像端部における周辺電場は変化
しないと共に、電荷保持層１３は導電体１２側に誘起さ
れた特定極性の電荷が電荷保持層１３中まで注入され保
持されるような材料で必ずしも光感度を持つ必要がなく
、暗中で整流性を有する材料、例えばｓｅに添加物等を
入れて整流性を改良したもので形成され、暗抵抗が比較
的低いために、初期の目的を有効に達成することができ
ず、解像度が悪い不具合がある。

このような不具合を解決するため、本願人は第１Ｉ図に
示すように電子写真感光体１を、導電性支持体ｎ上に第
７の光導電層ｎと、絶縁性電荷保持層瀝と一第一の光導
電層Ｂとを順次に積層すると共に、第１および第２の光
導電層ｎおよびＢが波長または強度の興なる第２および
第２の光にそれぞれ選択的に感光す名よう構成し、この
感光体Ｊに対して例えば第ｊ図＆ＮＤに示す順次の工程
を行なうことにより絶縁性電荷保持層２４Ｉの両面にの
み電荷をトラップして静電潜像を形成するようにした電
子写真法を既に提案した。

第ｊｖＡＩＬは第１次帯電およびとの帯電と同時または
逐次行なう第１の光による均一露光工程を示す。第１次
帯電は直流のコｐす帯電器３１により例えば負のコロナ
を一様に投射し、また第１の光（実線矢印で示す）とし
ては強度の可視光を用いる＠この工程により、第１の光
導電層ｎは活性化され第２の光導電層Ｂの表面に負電荷
が、第１の光導電層ｎと絶縁性電荷保持層２ダとの界面
に対応する正電荷がそれぞれ保持される。

第１ＦＩＪＢは第２次帯電およびこの帯電と同時に行な
う第１の光による光像照射工程を示す。第２次帯電はコ
田す帯電器３２により第１次帯電と逆極□性の直流の正
のコロナまたは交流コロナ、あるいは逆極性にバイアス
された交流コロナ帯電とすることができる。この工程に
より、光像明部りにおいて第１の光導電層ｎが活性化す
る。すなわち、第２の光導電層Ｂおよび絶縁性電荷保持
層２４ｔを通ってきた第１の光により、第１の光導電層
ｎは絶縁性電荷保持層２グとの界面においてキャリア対
を発生し、その正電荷は第一の光導電層Ｂの表面の正電
荷による電界によって導電性支持体ｎを通して流出し、
負電荷のみが第１の光導電層ｎと絶縁性電荷保持層２４
１との界面にトラップされる。したがって、絶縁性電荷
保持層２グと第一の光導電層ごとの２層を介して電荷を
保持する。一方、光像暗部りにおいては第１の光導電層
ｎは絶縁層として作用し、かつ第１の光導電層ｎと絶縁
性電荷保持層２４１との界面に存在する正電荷はトラッ
プされたままで移動しない。これは、先の工程において
第２の光導電層Ｂの表面にあった負の電荷が第２次帯電
による逆電荷を受けて減少し、導電性支持体ｎと第１の
光導電層ｎとの界面に負の電荷が誘起されているからで
ある。

第ｊ図Ｃは第１の光による均一露光工程を示す。

この工程では第１の光導電層Ｂが活性化され、光像暗部
りにおいて第１の光導電層ｎと絶縁性電荷保持層２１と
の界面にトラップされていた正電荷は解放されて、絶縁
性電荷保持層２４１と第２の光導電層Ｂとの一層を介し
て静電潜像のフントラストができ、光像明部りにおける
表面電位と光像暗部りにおける表面電位とは互いに逆極
性となる。

第５図りは第一の光による均一露光工程を示す。

第一の光（破線矢印で示す）としては第２の光導電層Ｂ
が活性化する紫外光または強烈な光を用いる０この工程
では、第一の光導電層Ｂが活性化するから、その表面に
ある静電潜像に対応する電荷は第一の光導電層〃と絶縁
性電荷保持層２グとの界面に移動し、その結果絶縁性電
荷保持＃２グの両面にのみ電荷をトラップして静電潜像
が形成される。

このようにして形成された静電潜像に対して現像−転写
を繰返し行なえば、複数枚に亘って解像度の優れた複写
画像を得ることができる。

しかしながら、第１Ｉ図および第５図において、例えば
第１の光導電層ｎをｓｅより成る電荷輸送層と５ｅ−Ｔ
ｅより戊る電荷発生層との複合層で、絶縁性電荷保持層
２グをポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ　）で、第
一の光導電層Ｂをポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶ
Ｋ）でそれぞれ形成した場合には、静電潜像として絶縁
性電荷保持層２グの両面にトラップされた電荷のうち第
１の光導電層ｎの電荷発生層と絶縁性電荷保持層２グと
の界面に保持される電荷の保持性が、単一の静電潜像か
ら数百枚の複写画像を得ようとする際は必ずしも十分で
ない。

その理由は、絶縁性電荷保持層２１ＩＴｉ：構成するＰ
ＥＴの体積固有抵抗が１０　　Ω・ｃｍ以上とかなり高
絶縁性であるのに対し、電荷発生層を構成する５ｅ−Ｔ
ｅはその体積固有抵抗か１０　　Ω・備以下とかなり低
いため、複数枚複写時の静電潜像の保持性の安定度に悪
い影響を与えると考えられる。このため、第１図および
第５図の電子写真感光体１においては第１の光導電層ｎ
の光導電材料は、電荷発生能が高くかつ暗抵抗が高いと
いう、本来両立するのが非常に麺かしい特性を持つ必要
があり、一部のごく限られた光導電材料しか使えないと
いう不具合がある。

本発明の目的は上述した種々の不具合を解決し、解像度
、静電コントラストおよび保持性に優れた静電潜像を形
成できる複数枚複写電子写真法およびこれに使用する電
子写真感光体を提供しようとするものである。

本発明は、導電性支持体上に第１の光導電層と、この第
７の光導電層が感度を有する光を通過する第一の光導電
層と、前記第１の光導電層が感度を有する光および前記
第２の光導電層が感度を有する光をそれぞれ透過する絶
縁性電荷保持層と、前記第１および第一の光導電層が感
度を有する光を透過する第３の光導電層とを順次に積層
すると共に、少く共前記第１の光導電層と第２の光導電
層とが波長の異なる光にそれぞれ選択的に感光するよう
構成した電子写真感光体を用い、この電子写真感光体に
一度形成した静電潜像を繰返し用いて複数枚の複写画像
を得るにあたり、前記電子写真感光体に対して、第１次
帯電工程と、前記第１の光導電層が感度を有する光によ
る光像照射工程と、前記第１次帯電の極性とは逆極性の
帯！！または交流帯電または逆極性にバイアスした交流
帯電を行なう第２次帯電工程と、少く共前記第１の光導
′Ｗ１′層が感度を有する光および少く共前記第２の光
導′電層が感度を有する光による均一露光工程とを行な
うことにより、前記絶縁性電荷保持層の両面にのみ電荷
をトラップして静電潜像を形成することを特徴とする。

更に本発明の電子写真感光体は、導電性支持体上に第１
の光導電層と、この第１の光導電層が感度を有する光を
透過する第一の光導電層と、前記第１の光導電層が感度
を有する光および前記第一の光導電層が感度を有する光
をそれぞれ透過する１Ｎ＼絶縁性電荷保持層と、前記第
７および第２の光導電層が感度を有する光を通過する第
３の光導電層とを順次に積層すると共に、少く共前記第
１の光導電層と第一の光導電層とが波長の異なる光にそ
れぞれ選択的に感光するよう構成したことを特徴とする
。

以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第を図は本発明の電子写真感光体の一例の構成を示す断
面図である。この電子写真感光体４Ｉ／は導電性支持体
１２上に第１の光導電層≠３と、第１の光導電層ダ３が
感度を有する光を透過する第一の光導電層仏ダと、透明
な絶縁性電荷保持層１と、第７．第２の光導電層ＩＩＳ
、ａダが感度を有する光を透過する第３の光導電層４Ｉ
６とを順次に積層すると共に、第１．第２および第３の
光導電層４！３．≠ダおよびｌｊが波長の異なるＩｇ　
／　を第一および第３の光にそれぞれ選択的に感光する
よう構成したものである。

第１の光導電層り３は、例えば可視光（第１の光）に感
度を有する光導電材料により形成することができる。こ
のような光導電材料としては、従来の電子写真感光材料
に用いられている殆んどのものを使用することができ、
例えば （１）　Ｓｅ　、　Ｓｅ合金、　ＯｄＳ、　ａ−８ｉ等
を中心とする蒸着型のもの （２）　　ｃａｓ　ｔ　ＺｎＯ−ＴｉＯ２等の微粒子を
有機バインター又は無機バインダー中に分散したもの（
８）　　オキサジアゾール、チアジアゾール、５−アミ
ノチアジアゾール＊　’ｐ”ｙ２−　）リアゾール。

イミダシロン、オキサゾール、チアゾール、イミダゾー
ル、ピラゾリン、イミダゾリジン、スチリルピラゾリン
、ピラジン、トリアゾールベンゾチアゾール、ベンズイ
ミダゾール、ベンズオキサゾール、キナゾリン、ベンゾ
７ランアクリジン、カルバゾール、ジフェニレンヒドラ
ゾン、９−ベンジリデンフルオレン、アシルヒドラゾン
、エチレン誘導体、ポリエン、トリフェニルアミンとそ
の誘導体、芳香族ニトリル。

アミノ化ビフェニル、　ＰＶＫ　、　Ｎ−ビニルカルバ
ソール共重合物、α−アルキルアクリル酸アミド重合物
、ポリアセナフチレン、ロイコマラカイトグリーン、フ
タロシアニン、スクヮリックｒ１に誘導体、インジゴ誘
導体等の有機光導電材料またはこれを可視増感した材料 （４）　　５ｅ−Ｔｅ、　５ｅ−Ｔｅ−ｐ、ｓ、　ａ−
８ｉ、　ＣｄＳ　Ｉ！Ｆの電荷発生層とＳｅ、　ＰＶＫ
、ピラゾリン等の電荷輸送層との複合層をもって構成す
ることができる。

絶縁性電荷保持層４ｔ７は、フッ素樹脂、ウレタン樹脂
−エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ポリスチレン樹脂等の高分子フィルム、あるいは
グロー放電重合法で作られるスチレン、バラキシレン等
の高分子フィルム、ダイマの熱分解や気相歇合法で作ら
れるパリレン（商品名；ユニオンカーバイド社製）等、
または５ｉｎ２゜Ｔａ２Ｏ，等の無機物の薄層をもって
形成することができる。

第一、第３の光導電層ｕ、　弘４は、暗中においては体
積固有抵抗が１０１４Ω・（至）以上で、がっ第２．第
３の光照射下では抵抗が十分低下する必要がある。

この第２．第３の光導電層ダ３，６の厚みは（、ｊ〜３
μ程度の範囲がよ（、Ｏ，ｊμより薄いと電荷の保持ト
ラップ力が弱くなり、逆に３μを越すと第２．第３の光
導電層りｑ、≠６が分配する電圧が大きくなり、最終的
に絶縁性電荷保持層耐に残る分配電圧が小さくなり不適
当である。具体的材料としでは、ＰＶＫ　、オキサジア
ゾール、ピラゾリン。

チアジアゾール等の材料をそのまま、あるいはこれらを
ポリエステル、ポリカーボネート、アクリル樹脂等に分
散したものを用いることができる。

次に、第６図に示した電子写真感光体４Ｃ／を使用する
本発明め複数枚複写電子写真法について説明する。なお
以下の実施例においては、電子写真感光体ダｌとして、
第１の光導電層ダ３を厚さ３０μのＢｅ電荷輸送層とそ
の上に積層した波長ダｊＯ〜ａｒＯｎｍに光感度を有す
る厚さｌμの３ｅ−Ｔｅの電荷発生層との複合層とし、
第一の光導電層４４ダを波長ＳｔＯＮダ２０ｎｍに光感
度を有する厚さ２μのチオジアゾールとし、絶縁性電荷
保持層ダｊを厚さノＯμのパリレンとし、第３の光導電
層ダ６を波長−〇〇〜ＪＩＯｎｍに光感度を有する厚さ
３μのＰＶＫとしたものを用いた。

第７図Ａ−には本発明の複数枚複写電子写真法の一例の
順次の工程を示すｌｌＡｒ１１である。第７図ムは第１
次帯電およびこの帯電と同時または逐次行なう第１の光
による均一露光工程を示す。第１次帯電は本例ではコロ
ナ帯電器１７により直流の負のフｐすを一様に投射し、
また第１の光（実線矢印で示す）としては本例では２０
１１１Ｘ−８６０程度の強さの可視光を用いる。この工
程により、第１の光導電層４！３は活性化され第３の光
導電層ダ６の表面に負電荷が、第１の光導電層ＩＩｌと
第一の光導電層参参との界面に対応する正電荷がそれぞ
れ保持される。このときの表面電位をＶ工とする。

第７図Ｂは第一次帯電およびこの帯電と同時に行なう第
１の光による光像照射工程を示す。第一次帯電は第１次
帯電と逆極性の直流の正コロナ又は交流コロナ、あるい
は正極性にバイアスされた交流コｐす帯電とすることが
できるが、本例ではコロナ帯電器ａｔにより第１次帯電
と逆極性の直流の正コロナを一様に投射する。また光像
は光像゛明部においてｊ　ｊｕＸ・ｓｅａ程度の光量で
照射する。

この工程により、光像明部りにおいて第７の光導電層＃
Ｊが活性化する。即ち、第３の光導電層ダ４、絶縁性電
荷保持層４！！、第１の光導電層弁を透過した第１の光
により、第１の光導電層４ＩＪは、第一の光導ＩＩＥ層
ＩＩりとの界面においてキャリア対を発生しく即ち、電
荷発生層Ｓｅ−？ｅにおいて）、その正電荷は第３の光
導電層参乙の表面の正電荷による電界によって導電性支
持体４Ｉ−を通して流出し、負電荷のみが第１の光導電
層ダ３と第２の光導電層弁との界面にトラップされる。

したがって、第２の光導電層ｌりと絶縁性電荷保持層０
と第３の光導電層ダ６との３層を介して、電荷を保持す
る。このときの光像明部すの表面電位をＶ、２Ｉ。

とする。一方、光像暗部りにおいては第１の光導゛電層
ｌＩ３は、絶縁層として作用し、かつ第１の光導電層ダ
３と第２の光導電層ダダとの界面に存在する正電荷はト
ラップされたままで移動しない。この光像暗部りの表面
電位ｖ２Ｄはｖ２Ｌにほぼ等しし１これは、先の工程に
おいて第３の光導電層ｌ乙の表面にあった負の電荷が第
２次帯電による逆電荷を受けて減少し、導電性支持体Ｉ
１．２と第１の光導電層ダ３との界面に負の電荷が誘起
されているからである。

第７図Ｃは第７の光による均一露光工程を示す。

この工程では第１の光導電層ダ３が活性化され、光像暗
部りにおいて、第１の光導電層ダ３と第２の光導電層ダ
ダとの界面にトラ・ツブされていた正電荷は解放されて
、第一の光導電層弁と絶縁性電荷保持層ダｊと、第３の
光導電層ダ６との３層を介して静電潜像のコントラスト
ができ、光像明部りにおける表面電位ＶｓＩ、はｖ２Ｌ
と等しいが、光像暗部りにおける表面電位Ｖ３Ｄは光像
明部りに対して逆極性となる。

第７図りは第２の光による均一露光工程を示す。

第一の光（ｉ！２Ｍ矢印で示すンとしては、＃！コの光
導電層弁が活性化する３４０〜ダコｏ　ｎｍに発光分布
を有する紫外光を用いる。この工程では、第２の光導電
層参りが活性化するから、その底面にある静電潜像に対
応する電荷は、第２の光導電層ｔｌと絶縁性電荷保持層
１ｊとの界面に移動し、その結果筒３の光導電層４Ｉぶ
と絶縁性電荷保持層４！Ｓの二層を介して静電潜像が保
持された状態になる。

第７図Ｘは第一の光による均一露光工程を示す。

第３の光（太矢印で示す）としては、第３の光導・電層
ＩＩｔが活性化するコ００〜ｚｒｏ　ｎｍに発光分布を
有する紫外光を用いる。この工程では、第３の光導電層
ダ４が活性化するから、その表面にある静電潜像に対応
する電荷は第３の光導電層１と絶縁性電荷保持層ダｊと
の界面に移動し、その結果この抵抗の高い光導電層４１
．４’４に挾まれた絶縁性電荷保持層ダｊの両面にのみ
電荷をトラップして静電潜像が形成される。

第を図Ａ−Ｅは本発明の複数枚複写電子写真法の他の例
の順次の工程を示す線図である。第１図Ａは第１次帯電
およびこの帯電と同時に行なう第１の光による光像照射
工程を示す。第１次帯電は本例ではコロナ帯電器４！９
により直流の正のコロナを一様に投射する。この工程で
は光像明部りにおいてのみ、第１の光導電層ダ３が活性
化されるから、この部分では第一の光導電層ダダ、絶縁
性電荷保持層ダＳおよびｌ＠Ｊの光導電層ダ乙の３層間
に電荷が保持され、また光像暗部りでは第３の光導電層
ＩＩｔの表面と導電性支持体ダコおよび第１の光導電層
ダ３の界面とに電荷゛が保持され、光像明部もにおける
電荷量の方が光像暗部りにおける電荷量よりも大きくな
る。

第７ｖ！ｊＤは暗中で行なう第一次帯電工程を示す。

この第一次帯電は上述したと同様第１次帯電と逆極性の
直流帯電または交流帯電あるいは逆極性の直洸をバイア
スした交流帯電とすることができるが、本例ではコシす
帯電器！Ｏにより第１次帯電と逆極性の直流帯電を行な
う。この工程では前工程で形成された静電潜像のコント
ラストは変化しないが、光像明部りおよび光像暗部りに
おける表面電位が変化する。

第を図０．ＤおよびＥはそれぞれ第１の光、第一の光お
よび第３の光による均一露光工程を示すが、これらの工
程は第７図Ｏ，ＤおよびＥに示したものと同様である。

以上第１図ム〜Ｅに示す順次の工犀を行なうことにより
、絶縁性電荷保持層ｌｊの両面にのみ電荷がトラップさ
れた静電潜像が形成される。

なお第７図０および第７ｖ！ｊＤに示す第１の光による
均一露光工程、第７ｖ！ｊＤおよび第ｒｇＪＤに示す第
一の光による均一露光工程および第７図Ｅおよび第を図
Ｅに示す第３の光による均一露光工程は、同時に行なっ
てもよいし、あるいはそのうちの一つを同時に、他の１
つを別個に行なってもよい。また、これらを別個に興な
った順序で行なってもよいが、好ましくは第７の光によ
る均一露光後に、第一、第３の光を同時に行なうのがよ
い。

第９図Ａ〜０は本発明の複数枚複写電子写真法の更に他
の例の順次の工程を示す線図である。第９図Ａは第１次
帯電およびこれと同時または逐次性なう第１．第２およ
び第３の光による均一露光工程を示す。第１次帯電は本
例ではコロナ帯電器ｓｌにより負極性の直流コロナを一
様に投射する。

この工程では第７．第２および第３の光導電層４３２杯
およびｔ６がそれぞれ活性化されるから、帯電による電
荷は絶縁性電荷保持層ダ！の両面にトラップされる。

第９図Ｂは第２次帯電およびこの帯電と同時に行なう第
１の光による光像照射および第一、第３の光による均−
露光工程１示す。第２次帯電は上述した実施例と同様に
、第１次帯電と逆極性の直流帯電または交流帯電あるい
は逆極性の直流をバイアスした交流帯電とすることがで
きるが、本例ではフｐす帯電器ｊＪにより第１次帯電と
は逆極性の正極性の直流コロナを投射する。この工程で
は第２．第３の光導電層ＩＩ４！、ダｔは光像明部りお
よび光像暗部りに拘らず一様に活性化され、また第１の
光導電層ダ３は光像明部りのみが活性化される。したが
って、光像明部りにおいては絶縁性電荷保持層ダＳの両
面に前工程とは逆極性の電荷がトラップされ、また光像
暗部りにおいては第１の光導電層ダ３が活性化されない
ために、前の工程において第一の光導電層ｌｌ４Ａと絶
縁性電荷保持層＃ｊとの界面にトラップされた電荷は移
動せず、絶縁性電荷保持層ｌＩＳと第３の光導電層ダ６
との界面にあった負の電荷が第一次帯電による逆電荷を
受けて減少し、導電性支持体輻と第１の光導電層−３と
の界面に負の電荷が誘起され、光像明部りおよび光像暗
部りの表面電位がはぼ等しくな４第９図Ｃは第１および
第一の光による均一露光、工程を示す。この工程により
、第１の光導電層ｔ３および第一の光導電層参≠が活性
化され、光像暗部゛Ｄにおいて第一の光導電層ｔＩＩＩ
と絶縁性電荷保持層りＳ・、との界面にトラップされて
いた正電荷は解放されて第３の光導電層Ｉ１６と絶縁性
電荷保持層４’ｊとの界面に存在する負電荷に対応する
正電荷がトラップされ、絶縁性電荷保持Ｊ’ｉｉｉ”ｌ
の両面にのみ正負の電荷パターンより成る静電潜像が形
成される。

第１０図７１−０は本発明の複数枚複写電子写真法の更
に他の例の順次の工程を示す線図である。

第１０図Ａは第１次帯電およびこの帯電と同時に行なう
第１の光による光像照射およびこれらと同時または逐次
行なう第一、第３の光による均一露光工程を示す。第１
次帯電は本例ではコロナ帯電器Ｓ３により正極性の直流
コロナを一様に投射する。この工程では、第２．′第３
の光による均一露光を行なうから、第２．第３の光導電
層ＩＩＩＩ、ＩＩ４は光像明部りおよび光像暗部りに拘
らず一様に活性化され、また第１の光導電層ダ３は光像
明部りのみが活性化される。したがって光像明部りにお
いては絶縁性電荷保持層ダｊの両面に電荷がトラップさ
れ、光像暗部りにおいては第１の光導電層ｌｌｊが活性
化されないために帯電による電荷は第３の光導電層＋４
および絶縁性電荷保持層ＩＩｊの界面と第１の光導電層
≠３および導電性支持体ダコの界面とにそれぞれトラッ
プされ、帯電電荷量は光像明部りの方が光像暗部りより
も大きくなる。

第１０図Ｂは第２次帯電およびこの帯電と同時または逐
次行なう第一、第３の光による均一露光工程を示す。第
２次帯電は上述した実施例と同様に、第１次帯電と逆極
性の直流帯１！または交流帯電あるいは逆極性の直流を
バイアスした交流帯電とすることができるが、本例では
コロナ帯電器ｊダにより第１次帯電とは逆極性の負極性
の直流：Ｉウナを投射する。この工程では第２．第３の
光による均一露光を行なっているから第２．第３の光導
電層＄１．１が活性化される。したがって、光像暗部り
においては絶縁性電荷保持層ｌＩ３および第３の光導電
層ｑ乙の界面と第１の光導電層’７３および導電性支持
体１１．２の界面とに前工程とは逆極性の電荷がトラッ
プされ、また光像明部りにおいては第１の光導電層１が
活性化されないために、前記の工程において第一の光導
電層Ｕと絶縁性電荷保持層ダよとの界面にトラップされ
た負の電荷は移動せず、絶縁性電荷保持層ｑよと第３の
光導電層ダ６との界面にあった正の電荷が第２次帯電に
よる逆電荷を受けて減少し、導電性支持体Ｑと第１の光
導電層ダ３との界面に正の電荷が誘起され、光像明部り
および光像暗部りの表面電位がほぼ等しくなる。

第１Ｏ図０は第１．第２の光による均一露光工程を示す
。この工程により、第７の光導電層≠３および第一の光
導電層４１が活性化されるがら、光像明部りにおいては
第２の光導電層ダ≠と絶縁性電荷保持層ｑよとの界面に
トラップされていた負の電荷は解放されて、第３の光導
電層≠６と絶縁性電荷保持層１との界面に存在する正の
電荷に対応する負の電荷がトラップされ、また光像暗部
りにおいては第１の光導電層グ３と導電性支持体ダコと
の界面に保持されていた正電荷が第２の光導電層ＩＩｐ
と絶縁性電荷保持層ダｊとの界面に移動してトラップさ
れ絶縁性電荷保持層４７Ｓの両面にのみ正負の電荷パタ
ーンより成る静電潜像が形成される。

上述したように電子写真感光体ｌＩｌの内部の第２およ
び第３光導電層＋＋およびｌに挾まれた絶縁性電荷保持
層ｔｎの両面にのみ電荷をトラップして静電潜像を形成
した後は、この静電潜像に対してトナー現像および転写
を繰り返し行なうことにより複数枚の複写画像を得るこ
とができる。また所望枚数の複写画像を得た後は、電子
写真感光体１／に対して交流コロナ帯電、第１．第２．
第３の光による均一露光を同時に行なうことにより静電
潜像を消去し、次の静電潜像形式に備えることができる
。

上述した実施例において、第７図０および第に図０に示
す第１の光による均一露光工程においては〜第１の光導
電層ダ３と第一の光導電層≠ダとの界面に第１の光の照
射によるキャリア対が発生するが、このキャリア対のう
ち第１の光導電層４！３と第２の光導電層Ｉｌ＋との界
面にトラップされている電荷と対向するキャリアとが結
合し、他のキャリアは導電性支持体０２に流れ込むもの
と考えられる。したがって、キャリア対が画像端部に保
持されることなく１第１の光導電層ダ３と第２の光導電
層Ｕ＜＜との界面における電荷の横方向の移動は発生し
ない。また第デ図Ｃおよび第１０図Ｃに示す第１．第２
の光による均一露光工程においては、第２の光導電層４
！ダと絶縁性電荷保持層性との界面に第２の光照射によ
るキャリア対が発生すると共に、第１の光導電層ダ３と
第２の光導電層＋＋との界面に第１の光照射によるキャ
リア対が発生するが、このキャリア対のうち第２の光導
電層グｌと絶縁性電荷保持ＨＩＩｓとの界面にトラップ
されている電荷と対向するキャリアとが結合し、他のキ
ャリアは導電性支持体ｑλに流れ込むものト考えられる
。したがって、キャリア対が画像端部に保持されること
なく、第２の光導電部４！ダと絶縁性電荷保持Ｈａｓと
の界面における電荷の横方向の移動は発生しない。更に
、第７図り、Ｅおよび第を図り、Ｅに示す第２．第３の
光による均−霧光工程においては、第３の光導電層６の
表面の電荷と、第１の光導電層４１３と第２の光導電層
以上のことから、いずれの実施例においてもぼけがすく
静電コントラストおよび解像力にすぐれた静電潜像を形
成することができる。

なお、本発明は上述した例にのみ限定されるものではな
く幾多の変形または変更が可能である。

例えば上述した実施例では第１．第２および第３の光導
電層４ｃ３．　ＩＩＩＩおよび匂を異なる波長域に光感
度を有する光導電材料で形成したが、第２および第３の
光導電層ダダおよびｑ６を第１の光導電層弘３とは異な
る波長域に光感度を有する同一の光導電材料で形成して
もよい。この場合には、第７図に示す電子写真法におい
ては第７図りおよびＥのいずれか一方の工程を、第２図
に示す電子写真法においては第１図りおよびＥのいずれ
か一方の工程をそれぞれ除くことができ、また第９図に
示す電子写真法においては第り図ＡおよびＢにおいて第
２または第３の光による均一露光を、第１０図に示す電
子写真法においては第１０図ＡおよびＢにおいて第２ま
たは第３の光による均一露光をそれぞれ除くことができ
る。また、第１および第３の光導電層ダ３およびＩＩ６
を第２の光導電層ｌ弘とは異なる波長域に光感度を有す
る同一の光導電材料で形成してもよい。この場合には第
７図においては第７図Ｅの工程を、第２図にトいては第
１図Ｅの工程をそれぞれ除くことができ、また第９図に
おいては第９図表およびＢにおいて第３の光による均一
露光を、第１Ｏ図においては第１０図ＡおよびＢにおい
て第３の光による均一露光をそれぞれ除くことができる
。

以上述べたように本発明によれば、解像度およびフント
ラストにすぐれた静電潜像を形成することができるとと
もに、静電潜像が光導電層間に挾まれた電子写真感光体
内部の絶縁性電荷保持層に形成されるから、現像および
転写における外部彰響を直接受けることがなく、シたが
ってこれを数百枚の複写に亘って安定に保持することが
できる０また、静電潜像が電子写真感光体内部に形成さ
れることから、電子写真感光体上で現像したトナー像を
低い転写バイアスで効率的に転写することができると共
に、適切なりリーニング法を適用することにより転写後
の電子写真感光体の残留トナーを毎回クリーニングする
ことができ、これにより現像剤の疲労を軽減することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図＆−０は従来の電子写真法の順次の工程を示す線
図、第２図は第１図Ｏに示す全面露光工程において生じ
る解像力低下の原理を説明するための線図、第３図は従
来の電子写真感光体の構成を示す断面図、第１図は本願
人が先に提案した電子写真感光体の構成を示す断面図、
第ｊ図Ａ〜Ｄは第１Ｉ図に示す電子写真感光体を用いる
複数枚複写電子写真法の一例の順次の工程を示す線図、
第噛図は本発明の電子写真感光体の構成を示す断面図、
第７図ＡＮＥは本発明の複数枚複写電子写真性の一例の
順次の工程を示す線図、第を図Ａ〜Ｅは同じく他の例の
順次の工程を示す鴫図、第９図Ａ〜０および第１０−図
Ａ−１は同じく更に他の例の順次の工程をそれぞれ示す
線図である。 ≠ｌ・・・電子写真感光体、弘２・・・導電性支持体、
ＩＩ３・・・第７の光導電層、タタ・・・第２の光導電
層、ｑ！・・・絶縁性電荷保持層、ダ６・・・第３の光
導電層、＋７．ダ＃、　４！９．　！０．　ｊ／、　ｊ
コ・・・コロナ帯電器。 特許出願人　　オリンパス光学工業株式会社第７図 第１θ図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　導電性支持体上に第１の光導電層と、この第１の光
   導電層が感度を有する光を透過する第２の光導電層と、
   前記＃！／の光導電層が感度を有する光および前記第λ
   の光導電層が感度を有する光をそれぞれ透過する絶縁性
   電荷保持層と、前記第７および第２の光導電層が・・感
   度を有する光を透過する第３の光導電層とを順次に積層
   すると共に、少く共前記第７の光導電層と第２の光導電
   層とが波長の興なる光にそれぞれ選択的に感光するよう
   構成した電子写真感光体を用い、この電子写真感光体・
   に−皮形成した静電潜像を繰返し用いで複数枚の複写画
   像を得るにあたり、 前記電子写真感光体に対して、第１次帯電工程と、前記
   第１の光導電層が感度を有する光による光像照射工程と
   、前記第１次帯電の□・極性とは逆極性の帯電または交
   流帯電または□逆極性にバイアスした交流帯電を行なう
   第一次帯電工程と、少く共前記＃！／の光導電層が感度
   を有する光および少く共前記第−の光導電層が感度を有
   する光による均一露光工程とを行なうことにより、 前記絶縁性電荷保持層の両面にのみ電荷をトラップして
   静電潜像を形成することを特徴とする複数枚複写電子写
   真法。 ２　前記電子写真感光体として、前記第１．第２および
   第３の光導電層が波長の興なる第１゜第２および第３の
   光にそれぞれ選択的に感光するよう構成したものを用い
   、この電子写真感光体に対して、 （ａ）第１帯電およびこれと同時喰たは逐次性なう第１
   の光による均、−露光工程と、 Φ）第一次帯電およびこれと同時に行なう第１の光によ
   る光像照射工程と、 （０）第１．第１および第３の光による均一露光工程と
   ・、 を順次に行なうことを特徴とする特許請求の１範囲第１
   項記載の複数枚複写電子写真法。 ＆　前記電子写真感光体として、前記第１．第一および
   第３の光導電層が波長の異なる第１゜第一および第３の
   光にそれぞれ選択的に感光−するよう構成したものを用
   い、この電子写真感光体に対して、 （ａ）第１次帯電およびこれと同時または逐次行なう第
   １．第一および第３の光による均一露光工程と、 中）第一次帯電およびこれと同時に行なう第１の光によ
   る光像照射および第２．第３の光による均一露光工程と
   、 （０）第７．第一の光による均一露光工程と、を順次に
   行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の複
   数枚複写電子写真法。 本　前記電子写真感光体として、前記第１．第１および
   第３の光導電層が波長の異なる第１゜第２および第３の
   光にそれぞれ選択的に感光するよう構成したものを用い
   、この電子写真゛感光体に対して、 （ａ）＊／次帯電およびこれと同時に行なう第１の光に
   よる光像照射工程と、 中）第２次帯電工程と％″ （０）第１．第２および第３の光による均一露光工程と
   、を順次に行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の複数枚複写電子写真法。 瓢　前記電子写真感光体として、前記第１．第２および
   第３の光導電層が波長の興なる第１゜第２および第３の
   光にそれぞれ選択的に感光□するよう構成したものを用
   い、この電子写真感光体に対して、 （ａ）第１次帯電およびこれと同時に行なう第１の光に
   よる光像照射およびこれら第１次帯電、光像照射と同時
   または逐次行なう第２゜第３の光による均一露光工程と
   、 （ｂ）第一次帯電およびこれと同時または逐次行なう第
   ２．第３の光による均一露光工程と、幹）第１．第２の
   光による均一露光工程と、を順次に行なうことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の複数枚複写電子写真法
   。 巳　導電性支持体上に第１の光導電層と、この第１の光
   導電層が感度を有する光を透過する第２の光導電層と、
   前記第１の光導電層が感度を有する光および前記第２の
   光導電層が感度を有する光をそれぞれ透過する絶縁性電
   荷保持層と、前記第１および第２の光導電層が感度を有
   する光を透過する第３の光導電層とを順次に積層すると
   共に、少く共前記第１の光導電層と第一の光導電層とが
   波長の異なる光にそれぞれ選択的に感光するよう構成し
   たことを特徴とする電子写真感光体。 ７、　前記第一および第３の光導電層を暗中での体積固
   有抵抗がそれぞれ１０１４Ω・国以上となる光導電材料
   をもって構成したことを特徴とする特許請求の範囲第６
   項記載の電子写真感光体。 ＆　前記第２および第３の光導電層を同一の光導電材料
   で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第６項また
   は第７項記載の電子写真感光体。