JPS60154279A - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置Info
- Publication number
- JPS60154279A JPS60154279A JP1068584A JP1068584A JPS60154279A JP S60154279 A JPS60154279 A JP S60154279A JP 1068584 A JP1068584 A JP 1068584A JP 1068584 A JP1068584 A JP 1068584A JP S60154279 A JPS60154279 A JP S60154279A
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- light
- wavelength
- photoreceptor
- exposure
- static
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G21/00—Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
- G03G21/06—Eliminating residual charges from a reusable imaging member
- G03G21/08—Eliminating residual charges from a reusable imaging member using optical radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、露光光として半導体レーザ光線のような長波
長光、感光体として非晶質シリコンを主成分とする感光
層を備えたものを用いた電子写真装置に関する。
長光、感光体として非晶質シリコンを主成分とする感光
層を備えたものを用いた電子写真装置に関する。
半導体レーザ、例えばガリウム−砒素レーザを用いたレ
ーザプリンタの感光体は、Ｐ１００ｎｍ以上の長波長光
にも高い光感度を有することが要求される。フＯＯｎｍ
以上の長波長光に対しては砒素−セレン基感光層は光感
度が低いので用いることができず、高テルル濃度のセレ
ン感光層あるいはゲルマニウムを含有する非晶質シリコ
ンからなる感光層が利用できる。
ーザプリンタの感光体は、Ｐ１００ｎｍ以上の長波長光
にも高い光感度を有することが要求される。フＯＯｎｍ
以上の長波長光に対しては砒素−セレン基感光層は光感
度が低いので用いることができず、高テルル濃度のセレ
ン感光層あるいはゲルマニウムを含有する非晶質シリコ
ンからなる感光層が利用できる。
電子写真装置は、潜像形成のための感光体の帯電、露光
工程、画像形成のための現像、転写工程ならびに除電、
クリー二／グ工程からなる電子写真プロセスを実行する
ため、通常第１図に示したように円筒状感光体１の周囲
に帯電器２、露光光３、現像部４、転写部５、除電光６
、クリーニング器マが順次配列されている。感光体が回
転することによシ、この電子写真プロセスが繰シ返され
るが、この繰り返しによる疲労のために帯電能の低下が
生ずるとどかある。高テルル濃度セレン感光体では、長
波長光照射によシ帯電能の低下が来たすような疲労はな
い。一方ゲルマニウムを混入した非晶質シリコン感光体
は長波長光に対しその感度が高濃度Ｔｅ−８θ悪感光よ
シ高いが、長波長光を露光光として用いる電子写真プロ
セスを繰り返すと帯電能が低下する疲労現像が大きい。
工程、画像形成のための現像、転写工程ならびに除電、
クリー二／グ工程からなる電子写真プロセスを実行する
ため、通常第１図に示したように円筒状感光体１の周囲
に帯電器２、露光光３、現像部４、転写部５、除電光６
、クリーニング器マが順次配列されている。感光体が回
転することによシ、この電子写真プロセスが繰シ返され
るが、この繰り返しによる疲労のために帯電能の低下が
生ずるとどかある。高テルル濃度セレン感光体では、長
波長光照射によシ帯電能の低下が来たすような疲労はな
い。一方ゲルマニウムを混入した非晶質シリコン感光体
は長波長光に対しその感度が高濃度Ｔｅ−８θ悪感光よ
シ高いが、長波長光を露光光として用いる電子写真プロ
セスを繰り返すと帯電能が低下する疲労現像が大きい。
本発明は長波長光に対して高い感度を有する非晶質シリ
コンを主成分とする感光層を備えた感光体を連続的に繰
り返して使用する場合の帯電能の変動をできるだけ小さ
くして、つねに高品質の画像を形成できる電子写真装置
を提供することを目的とする。
コンを主成分とする感光層を備えた感光体を連続的に繰
り返して使用する場合の帯電能の変動をできるだけ小さ
くして、つねに高品質の画像を形成できる電子写真装置
を提供することを目的とする。
本発明は非晶質シリコンを主成分とする感光層を備えた
感光体は、７００ ｎｍ以上の長波長光の照射を繰シ返
すと特に初期の帯電能の低下が大きいこと、また局部的
に照射される露光光と全面に照射される除電光の波長が
異なるときは、感光体表面の場所により光照射の履歴が
異なり、疲労の程度が異なるため帯電能に大きな差が生
ずるとの認識に永づき、露光光として約７００ ｎｍ以
上の長波長光、感光体として非晶質シリコンを主成分と
する感光層を備えた感光体を用いる電子写真装置におい
て、除電光として露光光とほぼ同じ波長領域の波長成分
を含む光を用いることによって上記の目標を達成する。
感光体は、７００ ｎｍ以上の長波長光の照射を繰シ返
すと特に初期の帯電能の低下が大きいこと、また局部的
に照射される露光光と全面に照射される除電光の波長が
異なるときは、感光体表面の場所により光照射の履歴が
異なり、疲労の程度が異なるため帯電能に大きな差が生
ずるとの認識に永づき、露光光として約７００ ｎｍ以
上の長波長光、感光体として非晶質シリコンを主成分と
する感光層を備えた感光体を用いる電子写真装置におい
て、除電光として露光光とほぼ同じ波長領域の波長成分
を含む光を用いることによって上記の目標を達成する。
除電光としてはフ００− ’７５０ ｎｍの波長領域の
波長成分のエネルギー総量が１μ：Ｊ／ａｄ以１上であ
る光を用いることが望ましい。
波長成分のエネルギー総量が１μ：Ｊ／ａｄ以１上であ
る光を用いることが望ましい。
本発明は、第２図に孝子評価装置によって、実施例の電
子写真装置に対応するプロセスの評価を比較例と共に行
うことにょシその効果を確めた。
子写真装置に対応するプロセスの評価を比較例と共に行
うことにょシその効果を確めた。
第２図の評価装置は感光体ｌの周囲に帯電器２、帯電位
測定用プローブ８、露光光３、除電光６を配置したもの
である。感光体ｌは非晶質シリコンを主成分としてゲル
マニウムを含む感光層を有する感光体であシ、波長７６
０ ｎｍの光に対し量子効率°°°を札・ ８００ｎｎ
ｌＦ）光１対しｆ＋効率°゛”°１示 １す。また、帯
電位、保持率も十分電子写真プロセ □スに適用できる
性能を有する。
測定用プローブ８、露光光３、除電光６を配置したもの
である。感光体ｌは非晶質シリコンを主成分としてゲル
マニウムを含む感光層を有する感光体であシ、波長７６
０ ｎｍの光に対し量子効率°°°を札・ ８００ｎｎ
ｌＦ）光１対しｆ＋効率°゛”°１示 １す。また、帯
電位、保持率も十分電子写真プロセ □スに適用できる
性能を有する。
第３図において曲線３１ 、３２ 、３３ 、３４ 、
３５は、それぞれ波長５５０ 、６５０ 、７００ 、
７５０ 、８００ｎｍ （ｉ’）光を用い、その光量を
各波長の光に対する半減裏露光量］！！偽の５倍としく
以下では５ＸＦｆＶ２で表わす）、露光光は照射しない
で帯電−除電光照射を繰シ返した際の感光体の帯電位の
変化を測定した線図である。
３５は、それぞれ波長５５０ 、６５０ 、７００ 、
７５０ 、８００ｎｍ （ｉ’）光を用い、その光量を
各波長の光に対する半減裏露光量］！！偽の５倍としく
以下では５ＸＦｆＶ２で表わす）、露光光は照射しない
で帯電−除電光照射を繰シ返した際の感光体の帯電位の
変化を測定した線図である。
第３図よシ明らかなように、フＯＯｎｍ以上の長波長光
に対する疲労は大きく、特に初期の帯電位の低下が大き
いことが確認される。またこの結果から、第１図に示す
電子写真装置に適用する場合に、印字・複写を行う場合
に数回の帯電−除電光照射を繰シ返すことによる帯電安
定化のための前処理を行ない、感光体を積極的に疲労さ
せることが、感光体の帯電能を安定した状態で使用する
ことに有効であることが判る。
に対する疲労は大きく、特に初期の帯電位の低下が大き
いことが確認される。またこの結果から、第１図に示す
電子写真装置に適用する場合に、印字・複写を行う場合
に数回の帯電−除電光照射を繰シ返すことによる帯電安
定化のための前処理を行ない、感光体を積極的に疲労さ
せることが、感光体の帯電能を安定した状態で使用する
ことに有効であることが判る。
従って、以下帯電−露光照射−除電光照射を行って評価
する前に、３回の帯電−除電光照射を繰シ返して帯電安
定化を行い、この帯電、安定化処理を行った後の露光光
照射直前の帯電位を、この種の感光体を電子写真プロセ
スに適用するのに適した一定値に設定した。
する前に、３回の帯電−除電光照射を繰シ返して帯電安
定化を行い、この帯電、安定化処理を行った後の露光光
照射直前の帯電位を、この種の感光体を電子写真プロセ
スに適用するのに適した一定値に設定した。
第４図は、露光光として波長’７５０ｎｍ ＋光量５Ｘ
５− １！！各を用い、除電光として昼光色螢光灯（）ＯＯｎ
ｍ’Ｊ以上の長波長成分は少ない）、６５０ ｎｍ 、
′１５０ ｎｍの各波長の光を用い、光量はいずれも
１０ ×Ｋ Ｈとした場合の、帯電−露光光照射−除電
光照射の繰シ返しによる帯電位を第２図の装置によって
測定した図である。曲線４１ 、４２ 、４３は、それ
ぞれ除電光として昼光色螢光灯−６５０ｎｍ 、 ７５
０ ｎｍの光を用いた場合の帯電位である。第４図から
れかるように、７０’Ｏｎｍ以上の長波長光を露光光と
して用いる場合に、除電光として昼光色螢光灯、６５０
ｎｍを用いた場合には、帯電位の変化は非常に大きく、
除電光として露光光と同じ波長領域の光を用いることに
より、感光体全面を安定した帯電位で使用できることが
わかる。
５− １！！各を用い、除電光として昼光色螢光灯（）ＯＯｎ
ｍ’Ｊ以上の長波長成分は少ない）、６５０ ｎｍ 、
′１５０ ｎｍの各波長の光を用い、光量はいずれも
１０ ×Ｋ Ｈとした場合の、帯電−露光光照射−除電
光照射の繰シ返しによる帯電位を第２図の装置によって
測定した図である。曲線４１ 、４２ 、４３は、それ
ぞれ除電光として昼光色螢光灯−６５０ｎｍ 、 ７５
０ ｎｍの光を用いた場合の帯電位である。第４図から
れかるように、７０’Ｏｎｍ以上の長波長光を露光光と
して用いる場合に、除電光として昼光色螢光灯、６５０
ｎｍを用いた場合には、帯電位の変化は非常に大きく、
除電光として露光光と同じ波長領域の光を用いることに
より、感光体全面を安定した帯電位で使用できることが
わかる。
第５図では、露光光として波長’７５０ ｎｍ、光量５
ＸＥｔＩ／２を用い、曲線５１ 、５２ ＋’ ５３は
除電光として、色温度２８５０°にのタングステンラン
プを用い、除電光照射時に感光体表面に照射される光量
を、１００〜８５０ ｎｍの波長領域の波長成分のエネ
ルギー総量として、それぞれ０．５μ囚、ｌｐｆ／ｅｔ
／ｌ、２ｔｔ：ｒ／ｅｓｌｌ と ６− した場合の、帯電−露光光照射−除電光照射の繰り返し
による帯電位を第２図の装置によって測定したものであ
る。
ＸＥｔＩ／２を用い、曲線５１ 、５２ ＋’ ５３は
除電光として、色温度２８５０°にのタングステンラン
プを用い、除電光照射時に感光体表面に照射される光量
を、１００〜８５０ ｎｍの波長領域の波長成分のエネ
ルギー総量として、それぞれ０．５μ囚、ｌｐｆ／ｅｔ
／ｌ、２ｔｔ：ｒ／ｅｓｌｌ と ６− した場合の、帯電−露光光照射−除電光照射の繰り返し
による帯電位を第２図の装置によって測定したものであ
る。
なお、電子写真用感光体として実用できる非晶質シリコ
ンを主成分とする感光層は、８５０ ｎｍ以上の長波長
光に対する量子効率は非常に小さいので、８５０ ｎｍ
以上の長波長光は疲労に無関係である。
ンを主成分とする感光層は、８５０ ｎｍ以上の長波長
光に対する量子効率は非常に小さいので、８５０ ｎｍ
以上の長波長光は疲労に無関係である。
第６図において第５図における場合と異なる点は、露光
光として波長８００ ｎｍ、光量５ＸＩＶ２を用いた点
である。曲線６１ 、６２ 、６３は、除電光の感光体
表面に照射される光量を、７００〜８５０ ｎｍの波長
領域の波長成分のエネルギー総量として、それぞれ０．
５μＪ／ｄ 、 １ｐＪ／ｃｄ 、 ２ｐＪ／ａ／ｌと
した場合の帯電位である。
光として波長８００ ｎｍ、光量５ＸＩＶ２を用いた点
である。曲線６１ 、６２ 、６３は、除電光の感光体
表面に照射される光量を、７００〜８５０ ｎｍの波長
領域の波長成分のエネルギー総量として、それぞれ０．
５μＪ／ｄ 、 １ｐＪ／ｃｄ 、 ２ｐＪ／ａ／ｌと
した場合の帯電位である。
第５図、第６図に示したように、除電光の波長と露光光
の波長を全く同一にする必要はなく、露光光とほぼ同じ
波長領域の波長成分を十分含む光を除電光として用い、
３回の帯電−露光光照射−除電光照射を行ったあと、電
子写真プロセスを行った場合に帯電能の変動を低減がで
きることが判る。また露光光として７００ ｎｍ以上の
長波長光を用いる場合に、感光体表面に照射される光量
を７００〜８５０ ｎｍの波長領域の波長成分のエネル
ギー総量として１μＪ肩以上有する光を除電光として用
いることにより、帯電−露光光照射−除電光照射の繰り
返しによる帯電位の変動を、露光光照射開始直前の帯電
位の１０％以内に抑えられることが判る。
の波長を全く同一にする必要はなく、露光光とほぼ同じ
波長領域の波長成分を十分含む光を除電光として用い、
３回の帯電−露光光照射−除電光照射を行ったあと、電
子写真プロセスを行った場合に帯電能の変動を低減がで
きることが判る。また露光光として７００ ｎｍ以上の
長波長光を用いる場合に、感光体表面に照射される光量
を７００〜８５０ ｎｍの波長領域の波長成分のエネル
ギー総量として１μＪ肩以上有する光を除電光として用
いることにより、帯電−露光光照射−除電光照射の繰り
返しによる帯電位の変動を、露光光照射開始直前の帯電
位の１０％以内に抑えられることが判る。
この発明は、上述のように非晶質シリコンを主成分とす
る感光層を有する感光体を用い、’７００ ｎｍ以上の
長波長光を露光光として用いる電子写真装置において、
除電光として露光光とほぼ同じ波長領域の状、長成分を
含む光を用い、除電光照射によシ感光悸全面を積輯的に
疲労させ、感光体を連続的に繰シ返し使用する場合に、
帯電能の変動を小さくし、安定した状態で感光体を使用
し、感光体えヵ、、□□、−０□□よ、。よ １ より、つねに高品質の画像を得ることができる効 。
る感光層を有する感光体を用い、’７００ ｎｍ以上の
長波長光を露光光として用いる電子写真装置において、
除電光として露光光とほぼ同じ波長領域の状、長成分を
含む光を用い、除電光照射によシ感光悸全面を積輯的に
疲労させ、感光体を連続的に繰シ返し使用する場合に、
帯電能の変動を小さくし、安定した状態で感光体を使用
し、感光体えヵ、、□□、−０□□よ、。よ １ より、つねに高品質の画像を得ることができる効 。
果がある。また、感光体表面に照射される光量を’１ｌ
ｏｏ〜８５０ ｎｍの波長領域の波長成分のエネルギー
総量として１μシ一以上有する光を除電光として用いる
ことによシ、上記の効果をよシよく達成することができ
る。
ｏｏ〜８５０ ｎｍの波長領域の波長成分のエネルギー
総量として１μシ一以上有する光を除電光として用いる
ことによシ、上記の効果をよシよく達成することができ
る。
なお、印字・複写を行なう前に、数回の帯電−除電光照
射による、帯電安定化のための前処理を行なえば、印字
・複写操作の開始よりやや低い帯電位ではあるが変動が
より小さくなり、画像の均一性がますます向上する効果
がある。
射による、帯電安定化のための前処理を行なえば、印字
・複写操作の開始よりやや低い帯電位ではあるが変動が
より小さくなり、画像の均一性がますます向上する効果
がある。
第１図は本発明が適用される電子写真装置の配置図、第
２図は本発明の効果の確認のための評価装置の配置図、
第３図ないし第６図は本発明の実施例および比較例の電
子写真装置に対応するプロセスにおける感光体の繰り返
しの際の帯電位の変動を示す線図で、第３図は波長の異
なる光を用いて除電のみをした場合、第４図は同じ露光
光に対して波長の異なる除電光を用いた場合、第５図お
よび第６図は異なる露光光に対して除電光の光量をそれ
ぞれ変化させた場合である。 ｌ・・・感光体、２・・・帯電器、３・・・露光光、６
・・・除 ９− 電光。 １０− 廐 ！ｆｌ（ａ’積壊） 知 第４図 第５図 □１ 第・６図
２図は本発明の効果の確認のための評価装置の配置図、
第３図ないし第６図は本発明の実施例および比較例の電
子写真装置に対応するプロセスにおける感光体の繰り返
しの際の帯電位の変動を示す線図で、第３図は波長の異
なる光を用いて除電のみをした場合、第４図は同じ露光
光に対して波長の異なる除電光を用いた場合、第５図お
よび第６図は異なる露光光に対して除電光の光量をそれ
ぞれ変化させた場合である。 ｌ・・・感光体、２・・・帯電器、３・・・露光光、６
・・・除 ９− 電光。 １０− 廐 ！ｆｌ（ａ’積壊） 知 第４図 第５図 □１ 第・６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １″）露光光として約７００ｎｍ以上の長波長光、感光
体として非晶質シリコンを主成分とする感光層を備えた
感光体を用いるものにおいて、除電光として露光光とほ
ぼ同じ波長領域の波長成分を含む光を用いることを特徴
とする電子写真装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、除電光
が７００〜７５０ｎｍの波長領域の波長成分のエネルギ
ー総量がｌμＪ／−以上である光であることを特徴とす
る電子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068584A JPS60154279A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068584A JPS60154279A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 電子写真装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154279A true JPS60154279A (ja) | 1985-08-13 |
Family
ID=11757118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1068584A Pending JPS60154279A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154279A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6397986A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-28 | Ricoh Co Ltd | 電子写真記録装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5919985A (ja) * | 1982-07-27 | 1984-02-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子複写機のクリ−ニングランプ |
| JPS59222871A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-14 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真プロセス |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP1068584A patent/JPS60154279A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5919985A (ja) * | 1982-07-27 | 1984-02-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子複写機のクリ−ニングランプ |
| JPS59222871A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-14 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真プロセス |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6397986A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-28 | Ricoh Co Ltd | 電子写真記録装置 |
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