JPS6238313B2 - - Google Patents
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- JPS6238313B2 JPS6238313B2 JP58016008A JP1600883A JPS6238313B2 JP S6238313 B2 JPS6238313 B2 JP S6238313B2 JP 58016008 A JP58016008 A JP 58016008A JP 1600883 A JP1600883 A JP 1600883A JP S6238313 B2 JPS6238313 B2 JP S6238313B2
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- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化パナジウムコーテイング製品に関
する。
する。
ロズゴニー（Rozgonyi）の米国特許第3483110
号明細書にVO2の薄膜製造法が開示されている。
該フイルムは単結晶形で示される金属―半導体間
の相転移（phase transition）を行なう性質を本
質的に有し、かつサイクルとして繰返し転移させ
ても劣化しない。
号明細書にVO2の薄膜製造法が開示されている。
該フイルムは単結晶形で示される金属―半導体間
の相転移（phase transition）を行なう性質を本
質的に有し、かつサイクルとして繰返し転移させ
ても劣化しない。
前記相転移とは物質が異なる相または形態に状
態を移すことをいい、たとえば半導体の性質を有
するVO2の薄膜が温度、圧力などの変化にともな
い金属の性質を有するVO2の薄膜になる現象また
はその逆の現象などを含有する概念である。
態を移すことをいい、たとえば半導体の性質を有
するVO2の薄膜が温度、圧力などの変化にともな
い金属の性質を有するVO2の薄膜になる現象また
はその逆の現象などを含有する概念である。
前記方法の１つの実施態様として、不活性雰囲
気中、VOx（1.5＜ｘ＜２）のアモルフアスフイ
ルムを製造するための基体の存在下、V2O5カソ
ードをスパツタリングさせたのち、フイルムを弱
く酸化してVO2にするか、フイルムを強く酸化し
てV2O5にしてからV2O3に還元するというステツ
プを含んでいる方法が記載されている。すなわ
ち、バナジウムカソードを前記と同様にして不活
性雰囲気下、多結晶（poly crystalline）バナジ
ウムフイルムを製造するためにスパツタリングさ
せ、該バナジウムフイルムをまずV2O5に酸化し
たのち、V2O3に還元する方法である。
気中、VOx（1.5＜ｘ＜２）のアモルフアスフイ
ルムを製造するための基体の存在下、V2O5カソ
ードをスパツタリングさせたのち、フイルムを弱
く酸化してVO2にするか、フイルムを強く酸化し
てV2O5にしてからV2O3に還元するというステツ
プを含んでいる方法が記載されている。すなわ
ち、バナジウムカソードを前記と同様にして不活
性雰囲気下、多結晶（poly crystalline）バナジ
ウムフイルムを製造するためにスパツタリングさ
せ、該バナジウムフイルムをまずV2O5に酸化し
たのち、V2O3に還元する方法である。
本発明はバナジウムプロピレート
（propylate）のような液体有機バナジウム化合物
から酸化バナジウムフイルムを化学蒸着させると
赤外線領域における総太陽光線エネルギー透過率
が温度により大きく変化する酸化バナジウムコー
テイング製品がえられることが見出されたことに
基づきなされたものであり、 (a) ガラス基体 (b)25〜75℃の範囲で光学的スイツチングにより特
徴づけられているVO2を含有するコーテイング
であつて、該コーテイングがその転移温度領域
を通つて加熱されるとき赤外線領域における総
太陽光線エネルギー透過率が少なくとも1/2に
減少するようなコーテイング からなる太陽光線放出エネルギーの透過率が変化
しうる酸化バナジウムコーテイング製品に関す
る。
（propylate）のような液体有機バナジウム化合物
から酸化バナジウムフイルムを化学蒸着させると
赤外線領域における総太陽光線エネルギー透過率
が温度により大きく変化する酸化バナジウムコー
テイング製品がえられることが見出されたことに
基づきなされたものであり、 (a) ガラス基体 (b)25〜75℃の範囲で光学的スイツチングにより特
徴づけられているVO2を含有するコーテイング
であつて、該コーテイングがその転移温度領域
を通つて加熱されるとき赤外線領域における総
太陽光線エネルギー透過率が少なくとも1/2に
減少するようなコーテイング からなる太陽光線放出エネルギーの透過率が変化
しうる酸化バナジウムコーテイング製品に関す
る。
本発明におけるVO2を含有する酸化バナジウム
はわずか約68℃の転移温度で、電気的、光学的ス
イツチング（switching）を示す。本発明におけ
るVO2を含有する酸化バナジウムフイルムでコー
テイングされたガラスは、とくに受動的な太陽光
線エネルギーコントロールに有用である。なぜな
らば、前記ガラスは半導体相の赤外線透過率に比
べて金属相においてきわめて低い赤外線透過率を
有するためである。
はわずか約68℃の転移温度で、電気的、光学的ス
イツチング（switching）を示す。本発明におけ
るVO2を含有する酸化バナジウムフイルムでコー
テイングされたガラスは、とくに受動的な太陽光
線エネルギーコントロールに有用である。なぜな
らば、前記ガラスは半導体相の赤外線透過率に比
べて金属相においてきわめて低い赤外線透過率を
有するためである。
また、V2O3を含有する酸化バナジウムフイル
ムは周囲温度で電導性であり、厚さ６mmの透明フ
ロートガラス上で約24〜35％の光（luminous）
透過率を示す厚さの該フイルムは約1000Ω／□よ
り低い電気抵抗を示す。
ムは周囲温度で電導性であり、厚さ６mmの透明フ
ロートガラス上で約24〜35％の光（luminous）
透過率を示す厚さの該フイルムは約1000Ω／□よ
り低い電気抵抗を示す。
本発明における酸化バナジウムフイルムを形成
するに際し、化学蒸着法によりV2O5を含有する
酸化バナジウムフイルムを製造し、そののち、
VO2を含むサーモクロミツク（thermochromic）
フイルムに還元することもできる。
するに際し、化学蒸着法によりV2O5を含有する
酸化バナジウムフイルムを製造し、そののち、
VO2を含むサーモクロミツク（thermochromic）
フイルムに還元することもできる。
本発明における酸化バナジウムフイルムは約68
℃の通常の転移温度よりも低いスイツチング温度
を有するVO2を含有するサーモクロミツクフイル
ムであつてもよい。ニオブ、モリブデン、イリジ
ウム、タンタルまたはタングステンを含有する化
合物のような他の材料で前記VO2フイルムをドー
ピングすると、スイツチング温度領域の低下がお
こる。
℃の通常の転移温度よりも低いスイツチング温度
を有するVO2を含有するサーモクロミツクフイル
ムであつてもよい。ニオブ、モリブデン、イリジ
ウム、タンタルまたはタングステンを含有する化
合物のような他の材料で前記VO2フイルムをドー
ピングすると、スイツチング温度領域の低下がお
こる。
本発明の酸化バナジウムフイルムでコーテイン
グしたガラスは、受動的な太陽光線エネルギーコ
ントロールにとくに有用である。なぜならば、前
記ガラスは半導体相の赤外線透過率と比較して、
電導体相においてはきわめて低い赤外線透過率を
有し、広汎な天候状態において有用な充分低い転
移温度を有する。
グしたガラスは、受動的な太陽光線エネルギーコ
ントロールにとくに有用である。なぜならば、前
記ガラスは半導体相の赤外線透過率と比較して、
電導体相においてはきわめて低い赤外線透過率を
有し、広汎な天候状態において有用な充分低い転
移温度を有する。
本発明の製品を図面を用いて説明する。
第１図は直接化学蒸着法によつて形成した酸化
バナジウム（VO2）フイルムの光学的スイツチン
グを示すグラフ、 第２図は電気抵抗スイツチングを示すグラフで
あり、第１図に示した光学的スイツチングに随伴
するものである。
バナジウム（VO2）フイルムの光学的スイツチン
グを示すグラフ、 第２図は電気抵抗スイツチングを示すグラフで
あり、第１図に示した光学的スイツチングに随伴
するものである。
第３図はコーテイングしたガラス試料の周面温
度での太陽光線エネルギー透過率と転移温度をこ
える温度に加熱された該試料の該透過率とを比較
するばあいと同様にして、酸化バナジウムフイル
ムをドーピングしたものについての光学的スイツ
チングを示すグラフである。
度での太陽光線エネルギー透過率と転移温度をこ
える温度に加熱された該試料の該透過率とを比較
するばあいと同様にして、酸化バナジウムフイル
ムをドーピングしたものについての光学的スイツ
チングを示すグラフである。
第４図は本発明におけるドーピングされた酸化
バナジウムフイルムの転移温度範囲について、電
気抵抗を温度の関数として示したものである。
バナジウムフイルムの転移温度範囲について、電
気抵抗を温度の関数として示したものである。
多くの金属および（または）金属酸化物のコー
テイング物が太陽光線エネルギーコントロールに
有用であることは知られている。そのようなコー
テイング物は構造物の内部での熱増加を減少させ
るため、典型的には入射してくる太陽光線エネル
ギーの大部分を反射し、一方、インテリア照明用
に充分なスペクトルの可視部を透過させる。受動
的な太陽光線エネルギーコントロール用にとくに
望まれる建築用の窓は気温が高く、入射する太陽
光線エネルギーが最大の夏に透過率を最小にし、
温度の低いときには太陽光線エネルギーを透過さ
せるものである。ウインドガラスにおける可変透
過率は典型的には銀ハライドを用いることで太陽
光紫外線照射により黒くなるフオトクロミズムに
より逐行しうる。しかしながら、全スペクトル領
域にわたるガラスによる太陽光線の吸収により、
前記ガラスのフオトクロミツクな性質を劣化させ
る加熱や漂白が結果としておこる。本発明は酸化
バナジウムフイルムが吸収した太陽光線エネルギ
ーによつて加熱されるときの光学的スイツチング
の結果であるサーモクロミツク応答性を利用する
ことにより、可変透過率を達成するものである。
テイング物が太陽光線エネルギーコントロールに
有用であることは知られている。そのようなコー
テイング物は構造物の内部での熱増加を減少させ
るため、典型的には入射してくる太陽光線エネル
ギーの大部分を反射し、一方、インテリア照明用
に充分なスペクトルの可視部を透過させる。受動
的な太陽光線エネルギーコントロール用にとくに
望まれる建築用の窓は気温が高く、入射する太陽
光線エネルギーが最大の夏に透過率を最小にし、
温度の低いときには太陽光線エネルギーを透過さ
せるものである。ウインドガラスにおける可変透
過率は典型的には銀ハライドを用いることで太陽
光紫外線照射により黒くなるフオトクロミズムに
より逐行しうる。しかしながら、全スペクトル領
域にわたるガラスによる太陽光線の吸収により、
前記ガラスのフオトクロミツクな性質を劣化させ
る加熱や漂白が結果としておこる。本発明は酸化
バナジウムフイルムが吸収した太陽光線エネルギ
ーによつて加熱されるときの光学的スイツチング
の結果であるサーモクロミツク応答性を利用する
ことにより、可変透過率を達成するものである。
酸化バナジウム（VO2）は68℃というわずかな
温度で単斜晶系の結晶学的クラスから正方晶系へ
相転移する。その相転移は半導体挙動から金属挙
動にすばやくスイツチングされることによりおこ
る。そのとき単結晶中の電気抵抗は103〜105倍変
化する。電導的なスイツチングに加え、酸化バナ
ジウム（VO2）フイルムはまた、第１図、第２図
に示したように、可視光線のスペクトル領域では
微量なスイツチング性しか有さないが、赤外線ス
ペクトル領域においては本質的に光学的スイツチ
ング性を有する。
温度で単斜晶系の結晶学的クラスから正方晶系へ
相転移する。その相転移は半導体挙動から金属挙
動にすばやくスイツチングされることによりおこ
る。そのとき単結晶中の電気抵抗は103〜105倍変
化する。電導的なスイツチングに加え、酸化バナ
ジウム（VO2）フイルムはまた、第１図、第２図
に示したように、可視光線のスペクトル領域では
微量なスイツチング性しか有さないが、赤外線ス
ペクトル領域においては本質的に光学的スイツチ
ング性を有する。
本発明における酸化バナジウムフイルムは液体
のバナジウム―ｉ―プロピレートやバナジウム―
ｎ―プロピレートなどのような有機バナジウム化
合物から化学蒸着法によつて製造される。サーモ
クロミツクウインドガラスを受動的な太陽光線エ
ネルギーコントロールに役立たせるためには、酸
化バナジウムコーテイングは太陽光赤外線スペク
トル領域で広い光学的スイツチング性を有すべき
である。すなわち、太陽光に曝露されるウインド
ガラスにおいて達せられる実際の温度と呼応する
スイツチングのための温度領域および真珠光を避
けるのに充分なフイルムの薄さにおける適正なス
イツチング性を有すべきである。フイルムの厚さ
としては約100〜1500Åが好ましい。前記性質は
本発明における酸化バナジウムフイルムにより達
成されうる。
のバナジウム―ｉ―プロピレートやバナジウム―
ｎ―プロピレートなどのような有機バナジウム化
合物から化学蒸着法によつて製造される。サーモ
クロミツクウインドガラスを受動的な太陽光線エ
ネルギーコントロールに役立たせるためには、酸
化バナジウムコーテイングは太陽光赤外線スペク
トル領域で広い光学的スイツチング性を有すべき
である。すなわち、太陽光に曝露されるウインド
ガラスにおいて達せられる実際の温度と呼応する
スイツチングのための温度領域および真珠光を避
けるのに充分なフイルムの薄さにおける適正なス
イツチング性を有すべきである。フイルムの厚さ
としては約100〜1500Åが好ましい。前記性質は
本発明における酸化バナジウムフイルムにより達
成されうる。
本発明における酸化バナジウムフイルムは、た
とえば (a) バナジウム化合物を酸化バナジウムに変換す
るために充分な温度にガラス基体を加熱するこ
と (b) 液状バナジウム化合物を蒸発させること (c) 前記加熱ガラス基体の表面と前記バナジウム
化合物の蒸気とをガラス表面に酸化バナジウム
のフイルムを蒸着させるために接触させること
の各ステツプからなる化学蒸着法により製造さ
れうる。
とえば (a) バナジウム化合物を酸化バナジウムに変換す
るために充分な温度にガラス基体を加熱するこ
と (b) 液状バナジウム化合物を蒸発させること (c) 前記加熱ガラス基体の表面と前記バナジウム
化合物の蒸気とをガラス表面に酸化バナジウム
のフイルムを蒸着させるために接触させること
の各ステツプからなる化学蒸着法により製造さ
れうる。
すなわち、酸化バナジウムの薄いフイルムは、
好ましくは標準温度、標準気圧下で液体である多
くの有機バナジウム化合物を使つて化学蒸着法に
よりガラス基体に形成されうる。ソーダ石灰―シ
リカフロートガラスとホウケイ酸ガラスは基体と
して有用である。該ガラス基体は該基体の入口と
出口として両端の開いている通常のチユーブ型炉
の中でも典型的には少なくとも約350℃に予熱さ
れる。気動式プツシヤー（pusher）アームが加
熱領域に基体を入れたり、排気フードの下にある
CVDコーテイング室に基体を運ぶコンベアベル
トに出したりするのに用いられる。CVDコーテ
イング室には、液体のバナジウム―ｉ―プロピレ
ート、バナジウム―ｎ―プロピレートなどのよう
な有機バナジウム化合物があつて、それらは充分
高温に加熱され、蒸気化される。前記有機バナジ
ウム化合物の蒸気は加熱された基体までガス流に
より運ばれ、そこで有機バナジウム化合物は熱分
解し、酸化バナジウムを形成する。
好ましくは標準温度、標準気圧下で液体である多
くの有機バナジウム化合物を使つて化学蒸着法に
よりガラス基体に形成されうる。ソーダ石灰―シ
リカフロートガラスとホウケイ酸ガラスは基体と
して有用である。該ガラス基体は該基体の入口と
出口として両端の開いている通常のチユーブ型炉
の中でも典型的には少なくとも約350℃に予熱さ
れる。気動式プツシヤー（pusher）アームが加
熱領域に基体を入れたり、排気フードの下にある
CVDコーテイング室に基体を運ぶコンベアベル
トに出したりするのに用いられる。CVDコーテ
イング室には、液体のバナジウム―ｉ―プロピレ
ート、バナジウム―ｎ―プロピレートなどのよう
な有機バナジウム化合物があつて、それらは充分
高温に加熱され、蒸気化される。前記有機バナジ
ウム化合物の蒸気は加熱された基体までガス流に
より運ばれ、そこで有機バナジウム化合物は熱分
解し、酸化バナジウムを形成する。
本発明における酸化バナジウムコーテイングを
形成するのに好ましい実施態様においては、バナ
ジウム―ｉ―プロピレートが蒸気化され、加熱さ
れたガラス基体までチツ素や形成ガスなどのよう
な非酸化性ガスの気流にて運搬され、ガラス基体
と接触せしめられる。酸化バナジウムコーテイン
グがガラス表面に形成されたのち、形成ガスがフ
ラツシユされながらガラスはトンネルを過ぎ、焼
きなまし炉へ向かい、ここでコーテイングされた
ガラスは周囲温度まで冷却される。バナジウム―
ｉ―プロピレートからVO2が形成されるとき、結
果として生じる酸化バナジウムをコーテイングし
たガラスは周囲温度で波長が0.8〜2.2μｍで太陽
光赤外線の透過率は典型的には30％をこえ、半導
体であり、わずか68℃の転移温度をこえるとVO2
を含有するフイルムは特異的に電導性で、総太陽
光赤外線透過率は15％より少なくなる。
形成するのに好ましい実施態様においては、バナ
ジウム―ｉ―プロピレートが蒸気化され、加熱さ
れたガラス基体までチツ素や形成ガスなどのよう
な非酸化性ガスの気流にて運搬され、ガラス基体
と接触せしめられる。酸化バナジウムコーテイン
グがガラス表面に形成されたのち、形成ガスがフ
ラツシユされながらガラスはトンネルを過ぎ、焼
きなまし炉へ向かい、ここでコーテイングされた
ガラスは周囲温度まで冷却される。バナジウム―
ｉ―プロピレートからVO2が形成されるとき、結
果として生じる酸化バナジウムをコーテイングし
たガラスは周囲温度で波長が0.8〜2.2μｍで太陽
光赤外線の透過率は典型的には30％をこえ、半導
体であり、わずか68℃の転移温度をこえるとVO2
を含有するフイルムは特異的に電導性で、総太陽
光赤外線透過率は15％より少なくなる。
このようなサーモクロミツクVO2コーテイング
ガラスはウインドユニツト用ガラスなどに使用し
うるが、マルチプルグレイズド
（multipleglazd）ウインドユニツト配置において
ガラス基体の内側表面に存在するのが好ましい。
ガラスはウインドユニツト用ガラスなどに使用し
うるが、マルチプルグレイズド
（multipleglazd）ウインドユニツト配置において
ガラス基体の内側表面に存在するのが好ましい。
酸化バナジウムフイルムの光学的応答性を高め
るため、酸化バナジウムコーテイングの化学蒸着
に先だつて、ガラス表面にプライマーを塗付する
ことが有用である。最適のプライマーは厚さ700
〜800Åの酸化スズコーテイングによりえられ
る。酸化スズプライマーコーテイングは有機スズ
化合物の熱分解析出により形成される。シリコン
やチタンの酸化物のフイルムもまたプライマーと
して有用である。そのようなプライマーフイルム
の使用、とくにSnO2フイルムの使用は他の酸化
バナジウムよりもVO2の形成および結晶化性を向
上させることができ、それにより光学的スイツチ
ング性のよいVO2に富んだフイルムが形成される
結果となる。
るため、酸化バナジウムコーテイングの化学蒸着
に先だつて、ガラス表面にプライマーを塗付する
ことが有用である。最適のプライマーは厚さ700
〜800Åの酸化スズコーテイングによりえられ
る。酸化スズプライマーコーテイングは有機スズ
化合物の熱分解析出により形成される。シリコン
やチタンの酸化物のフイルムもまたプライマーと
して有用である。そのようなプライマーフイルム
の使用、とくにSnO2フイルムの使用は他の酸化
バナジウムよりもVO2の形成および結晶化性を向
上させることができ、それにより光学的スイツチ
ング性のよいVO2に富んだフイルムが形成される
結果となる。
酸化バナジウムコーテイングによる光学的スイ
ツチングは、カーリー（Cary）14スペクトルフ
オトメータ（バリアン・アソシエイツ（Varian
Associates）から市販）を使い、0.8〜2.2μｍの
スペクトル領域で透過率モードにてスキヤンさせ
て決定される。前記酸化バナジウムをコーテイン
グしたガラス試料をビームパスをオープンにした
まま隔離したホルダーに保持する。ビームパスを
オープンにしたすぐ外側のガラスの端と接触させ
た２個の円柱状の25Wのヒータはスイツチング温
度範囲の間中、酸化バナジウムをコーテイングし
たガラス試料を加熱するのに使用される。スペク
トルスキヤンは試料を動かさず加熱する前と加熱
したのちの両方で行なわれる。典型的な結果を第
１図に示す。
ツチングは、カーリー（Cary）14スペクトルフ
オトメータ（バリアン・アソシエイツ（Varian
Associates）から市販）を使い、0.8〜2.2μｍの
スペクトル領域で透過率モードにてスキヤンさせ
て決定される。前記酸化バナジウムをコーテイン
グしたガラス試料をビームパスをオープンにした
まま隔離したホルダーに保持する。ビームパスを
オープンにしたすぐ外側のガラスの端と接触させ
た２個の円柱状の25Wのヒータはスイツチング温
度範囲の間中、酸化バナジウムをコーテイングし
たガラス試料を加熱するのに使用される。スペク
トルスキヤンは試料を動かさず加熱する前と加熱
したのちの両方で行なわれる。典型的な結果を第
１図に示す。
光学的スイツチングの温度範囲は別の実験で決
定される。該実験は熱的抵抗スイツチングの値を
も提供する。商標名オメガ・アンプローブ・フア
ステンプ（Omega Amprobe Fastemp）なるフ
ラツト―ヘツド・プローブ型温度測定器（オメ
ガ・エンジニアリング（Omega Engineering）
社製、コネチカツト州スタンフオード）を酸化バ
ナジウムフイルム表面を狭い幅ではがしたところ
にぴつたり接触させてクリツプでとめる。前記プ
ローブの両わきの近傍において、ワニ皮製のクリ
ツプで抵抗を測定するため該プローブを抵抗計に
接続する。該抵抗は、コーテイングされた試料が
転移温度領域中加熱されているため、温度の関数
として測定される。該サンプル測定結果を第２図
に示す。
定される。該実験は熱的抵抗スイツチングの値を
も提供する。商標名オメガ・アンプローブ・フア
ステンプ（Omega Amprobe Fastemp）なるフ
ラツト―ヘツド・プローブ型温度測定器（オメ
ガ・エンジニアリング（Omega Engineering）
社製、コネチカツト州スタンフオード）を酸化バ
ナジウムフイルム表面を狭い幅ではがしたところ
にぴつたり接触させてクリツプでとめる。前記プ
ローブの両わきの近傍において、ワニ皮製のクリ
ツプで抵抗を測定するため該プローブを抵抗計に
接続する。該抵抗は、コーテイングされた試料が
転移温度領域中加熱されているため、温度の関数
として測定される。該サンプル測定結果を第２図
に示す。
一般に103〜105倍の熱的抵抗スイツチング能力
を有する酸化バナジウム（VO2）では0.8〜2.2μｍ
のスペクトル領域の受動的な太陽光線エネルギー
コントロールに要求される程度の光学的スイツチ
ングを提供するのに約２倍のオーダーの熱的抵抗
スイツチングで充分であることがわかる。比較的
純度の高い酸化バナジウム（VO2）の単結晶のも
のとして知られているわずか68℃付近という光学
的スイツチングのための温度は夏期の南向きの窓
で実際にえられる約45〜60℃の温度範囲に近い。
また、光学的スイツチングは可視の真珠光を避け
るために充分な薄さの酸化バナジウムフイルムに
よつてえられることは明白である。
を有する酸化バナジウム（VO2）では0.8〜2.2μｍ
のスペクトル領域の受動的な太陽光線エネルギー
コントロールに要求される程度の光学的スイツチ
ングを提供するのに約２倍のオーダーの熱的抵抗
スイツチングで充分であることがわかる。比較的
純度の高い酸化バナジウム（VO2）の単結晶のも
のとして知られているわずか68℃付近という光学
的スイツチングのための温度は夏期の南向きの窓
で実際にえられる約45〜60℃の温度範囲に近い。
また、光学的スイツチングは可視の真珠光を避け
るために充分な薄さの酸化バナジウムフイルムに
よつてえられることは明白である。
ガラス基体の表面とバナジウム化合物、たとえ
ばバナジウム―ｎ―プロピレート、バナジウムエ
チレート、バナジウムオキシクロリドおよびそれ
らの混合物よりなる群からえらばれたバナジウム
化合物とを接触させることおよびVO2からなる酸
化バナジウムフイルムをうるために充分な温度に
ガラス基体を加熱することの各ステツプからなる
サーモクロミツクウインドガラスを製造する方法
において、スイツチング温度の低下したVO2フイ
ルムはバナジウムのカチオン半径よりも大きなカ
チオン半径をもつた金属、たとえばニオブ、モリ
ブデン、イリジウム、タンタルまたはタングステ
ンなどを含有する化合物、たとえば酸化物でドー
ピングすることにより製造しうる。
ばバナジウム―ｎ―プロピレート、バナジウムエ
チレート、バナジウムオキシクロリドおよびそれ
らの混合物よりなる群からえらばれたバナジウム
化合物とを接触させることおよびVO2からなる酸
化バナジウムフイルムをうるために充分な温度に
ガラス基体を加熱することの各ステツプからなる
サーモクロミツクウインドガラスを製造する方法
において、スイツチング温度の低下したVO2フイ
ルムはバナジウムのカチオン半径よりも大きなカ
チオン半径をもつた金属、たとえばニオブ、モリ
ブデン、イリジウム、タンタルまたはタングステ
ンなどを含有する化合物、たとえば酸化物でドー
ピングすることにより製造しうる。
本発明の実施態様として、タングステンでドー
ピングされたVO2からなるサーモクロミツクフイ
ルムをうるために、実質的に加熱されるフイルム
を形成するために前記ガラスとバナジウム―ｉ―
プロピレートおよびタングステンオキシクロリド
からなる組成物とが周囲温度で接触せしめられ
る。具体的にはガラス基体がバナジウム―ｉ―プ
ロピレート１部（容量部、以下同様）、２―プロ
パノール３部、WOCl4約2.5〜４g/を含有する
溶液に浸漬される。フイルム形成が周囲の空気中
で加水分解により進行する。コーテイングされた
ガラスはついで加熱される。その加熱は好ましく
は還元性雰囲気中、さらに好ましくは芳香族炭化
水素を含む形成ガス雰囲気中で特徴的な68℃未満
で室温をこえた温度範囲全般にわたりスイツチン
グするサーモクロミツクVO2フイルムを形成する
のに充分な時間をかけて行なわれる。該VO2フイ
ルムは周囲温度では、第３図に示すように、全太
陽光赤外線透過率に関して半導体であるが、一
方、転移温度範囲をこえるとVO2含有フイルムは
特徴的に電導体となり、第３図に示すように、約
10％未満の太陽光赤外線透過率をもつようにな
る。
ピングされたVO2からなるサーモクロミツクフイ
ルムをうるために、実質的に加熱されるフイルム
を形成するために前記ガラスとバナジウム―ｉ―
プロピレートおよびタングステンオキシクロリド
からなる組成物とが周囲温度で接触せしめられ
る。具体的にはガラス基体がバナジウム―ｉ―プ
ロピレート１部（容量部、以下同様）、２―プロ
パノール３部、WOCl4約2.5〜４g/を含有する
溶液に浸漬される。フイルム形成が周囲の空気中
で加水分解により進行する。コーテイングされた
ガラスはついで加熱される。その加熱は好ましく
は還元性雰囲気中、さらに好ましくは芳香族炭化
水素を含む形成ガス雰囲気中で特徴的な68℃未満
で室温をこえた温度範囲全般にわたりスイツチン
グするサーモクロミツクVO2フイルムを形成する
のに充分な時間をかけて行なわれる。該VO2フイ
ルムは周囲温度では、第３図に示すように、全太
陽光赤外線透過率に関して半導体であるが、一
方、転移温度範囲をこえるとVO2含有フイルムは
特徴的に電導体となり、第３図に示すように、約
10％未満の太陽光赤外線透過率をもつようにな
る。
さらに高度の熱的抵抗スイツチングは少なくと
も約300℃に加熱されたガラス表面上に高度に酸
化された酸化バナジウム（V2O5）を形成するため
にチツ素によつて運搬される液体バナジウム―ｉ
―プロピレートを利用することによりえられる。
も約300℃に加熱されたガラス表面上に高度に酸
化された酸化バナジウム（V2O5）を形成するため
にチツ素によつて運搬される液体バナジウム―ｉ
―プロピレートを利用することによりえられる。
酸化バナジウムによりコーテイングされたガラ
スは空気にフラツシユされるなどして酸化性雰囲
気中にさらされ、トンネル内を焼きなまし炉へと
向かい、焼きなまし炉では空気がフラツシユされ
るなどして酸化性雰囲気中にさらされる。その中
でコーテイングされたガラスは周囲温度に冷却さ
れる。結果として生ずる酸化バナジウムコーテイ
ングは主としてV2O5である。サーモクロミツク
VO2をうるには該酸化バナジウムコーテイングを
還元性雰囲気中、好ましくは芳香族炭化水素を少
量含む形成ガス雰囲気中、約325〜475℃の温度で
還元する。前記方法でえられるサーモクロミツク
VO2フイルムは、第１図に示すように、周囲温度
で太陽光赤外線透過率に関して半導体であるが、
転移温度をこえるとVO2フイルムは特徴的に電導
体となり、全太陽光赤外線透過率は約10％未満に
なる。熱的抵抗スイツチングは第２図に示すよう
に約1000倍である。
スは空気にフラツシユされるなどして酸化性雰囲
気中にさらされ、トンネル内を焼きなまし炉へと
向かい、焼きなまし炉では空気がフラツシユされ
るなどして酸化性雰囲気中にさらされる。その中
でコーテイングされたガラスは周囲温度に冷却さ
れる。結果として生ずる酸化バナジウムコーテイ
ングは主としてV2O5である。サーモクロミツク
VO2をうるには該酸化バナジウムコーテイングを
還元性雰囲気中、好ましくは芳香族炭化水素を少
量含む形成ガス雰囲気中、約325〜475℃の温度で
還元する。前記方法でえられるサーモクロミツク
VO2フイルムは、第１図に示すように、周囲温度
で太陽光赤外線透過率に関して半導体であるが、
転移温度をこえるとVO2フイルムは特徴的に電導
体となり、全太陽光赤外線透過率は約10％未満に
なる。熱的抵抗スイツチングは第２図に示すよう
に約1000倍である。
V2O3を含有する酸化バナジウムの伝導性の薄
いフイルムはバナジウム―ｎ―プロピレートを使
つて化学蒸着法により製造されうる。ガラス基体
は該基体が進入し、出てゆけるように両端が開い
ている通常のチユーブ型炉の中で特徴的には少な
くとも約450℃温度に予備加熱せしめられる。液
体バナジウム―ｎ―プロピレートは蒸発せしめら
れ、チツ素気流によつて加熱された基体まで運搬
され、そこで有機バナジウム化合物は熱分解し、
酸化バナジウムを形成する。酸化バナジウムをコ
ーテイングしたガラスは形成ガスがフラツシユさ
れているごとき非酸化性雰囲気のトンネル内を移
動し、やはり形成ガスがフラツシユされているご
とき非酸化性雰囲気のきなまし炉を通過する。そ
の中でコーテイングされたガラスは周囲温度まで
冷却される。
いフイルムはバナジウム―ｎ―プロピレートを使
つて化学蒸着法により製造されうる。ガラス基体
は該基体が進入し、出てゆけるように両端が開い
ている通常のチユーブ型炉の中で特徴的には少な
くとも約450℃温度に予備加熱せしめられる。液
体バナジウム―ｎ―プロピレートは蒸発せしめら
れ、チツ素気流によつて加熱された基体まで運搬
され、そこで有機バナジウム化合物は熱分解し、
酸化バナジウムを形成する。酸化バナジウムをコ
ーテイングしたガラスは形成ガスがフラツシユさ
れているごとき非酸化性雰囲気のトンネル内を移
動し、やはり形成ガスがフラツシユされているご
とき非酸化性雰囲気のきなまし炉を通過する。そ
の中でコーテイングされたガラスは周囲温度まで
冷却される。
えられた伝導性V2O3フイルムの透過光は特徴
的に灰色となり（VO2のばあいは黄色ないしは茶
色である）、該フイルムの電気抵抗は約200〜300
Ω／□を示す。好ましいフイルムの厚さは約200
〜1500Åである。
的に灰色となり（VO2のばあいは黄色ないしは茶
色である）、該フイルムの電気抵抗は約200〜300
Ω／□を示す。好ましいフイルムの厚さは約200
〜1500Åである。
本発明における酸化バナジウムの好ましい製造
方法としては、たとえば (a) 少なくとも約350℃までガラス基体を加熱す
ること (b) バナジウム―ｉ―プロピレートを蒸着させる
こと (c) 前記基体への非酸化ガス流により、蒸発させ
たバナジウム―ｉ―プロピレートを該ガス流中
に含有させて運搬すること (d) 前記加熱ガラス基体の表面と前記蒸発させた
バナジウム―ｉ―プロピレートを非酸化雰囲気
中でガラス基体表面に酸化バナジウムフイルム
を蒸着させるために接触させること (e) 還元ガス雰囲気中でVO2を含有するサーモク
ロミツクフイルムをうるために前記酸化バナジ
ウムコーテイングガラスを冷却すること の各ステツプからなる酸化バナジウムフイルムを
蒸着させる方法や、 (a) 少なくとも約300℃までガラス基体を加熱す
ること (b) バナジウム―ｉ―プロピレートを蒸発させる
こと (c) 前記基体への不活性ガス流により、蒸発させ
たバナジウム―ｉ―プロピレートを該ガス流中
に含有させて運搬すること (d) 前記基体の表面と蒸発させたバナジウム―ｉ
―プロピレートとを酸化バナジウムフイルムを
形成させるために接触させること (e) 前記酸化バナジウムコーテイングガラスを
V2O5含有フイルムをうるために空気中で冷却
すること の各ステツプからなる蒸着方法で酸化バナジウム
フイルムを蒸着させたのち、形成されたV2O5フ
イルムを形成ガスや形成ガスにさらに芳香族炭化
水素を含有させたもののごとき還元雰囲気中で
VO2に還元する方法、さらには (a) 少なくとも約400℃までガラス基体を加熱す
ること (b) バナジウム―ｎ―プロピレートを蒸発させる
こと (c) チツ素気流中の前記蒸発させたバナジウム―
ｎ―プロピレートを前記基体に運搬すること (d) 前記加熱ガラス基体の表面と蒸発させたバナ
ジウム―ｎ―プロピレートとを、V2O3を含有
するフイルム、好ましくは厚さが約200〜1500
Å、抵抗が100Ω／□より少なくなるフイルム
を基体表面に蒸着させるために接触させること (e) 前記コーテイングガラス製品を酸化性が充分
でない雰囲気中、好ましくは成形ガス中で
V2O3をVO2に変換するために冷却すること の各ステツプからなる伝導性コーテイングガラス
を製造する方法、 (a) バナジウム―ｎ―プロピレートを酸化バナジ
ウムに変換するために充分な温度、好ましくは
少なくとも400℃、さらに好ましくは少なくと
も500℃にガラス基体を加熱すること (b) バナジウム―ｎ―プロピレートを蒸発させる
こと (c) VO2からなるサーモクロミツクフイルムを形
成するために充分に酸化性雰囲気であるが、
V2O5の割合の結果としてのサーモクロミツク
でないフイルムを形成するのに充分に酸化性で
ない雰囲気中、好ましくは不活性ガスと酸素と
の混合物、さらに好ましくはチツ素と酸素との
混合物、ことに好ましくはチツ素90容量％と酸
素10容量％ととからなる雰囲気中の前記基体に
蒸発させたバナジウム―ｎ―プロピレートを運
搬すること (d) 前記加熱ガラス基体の表面と前記バナジウム
―ｎ―プロピレートの蒸気とをVO2を含有する
フイルム、好ましくは厚さ約100〜1500Åのフ
イルムを基体表面上に蒸着させるために前記酸
化性雰囲気中で接触させること の各ステツプからなるサーモクロミツクウインド
ガラスを製造するための方法 などがあげられる。
方法としては、たとえば (a) 少なくとも約350℃までガラス基体を加熱す
ること (b) バナジウム―ｉ―プロピレートを蒸着させる
こと (c) 前記基体への非酸化ガス流により、蒸発させ
たバナジウム―ｉ―プロピレートを該ガス流中
に含有させて運搬すること (d) 前記加熱ガラス基体の表面と前記蒸発させた
バナジウム―ｉ―プロピレートを非酸化雰囲気
中でガラス基体表面に酸化バナジウムフイルム
を蒸着させるために接触させること (e) 還元ガス雰囲気中でVO2を含有するサーモク
ロミツクフイルムをうるために前記酸化バナジ
ウムコーテイングガラスを冷却すること の各ステツプからなる酸化バナジウムフイルムを
蒸着させる方法や、 (a) 少なくとも約300℃までガラス基体を加熱す
ること (b) バナジウム―ｉ―プロピレートを蒸発させる
こと (c) 前記基体への不活性ガス流により、蒸発させ
たバナジウム―ｉ―プロピレートを該ガス流中
に含有させて運搬すること (d) 前記基体の表面と蒸発させたバナジウム―ｉ
―プロピレートとを酸化バナジウムフイルムを
形成させるために接触させること (e) 前記酸化バナジウムコーテイングガラスを
V2O5含有フイルムをうるために空気中で冷却
すること の各ステツプからなる蒸着方法で酸化バナジウム
フイルムを蒸着させたのち、形成されたV2O5フ
イルムを形成ガスや形成ガスにさらに芳香族炭化
水素を含有させたもののごとき還元雰囲気中で
VO2に還元する方法、さらには (a) 少なくとも約400℃までガラス基体を加熱す
ること (b) バナジウム―ｎ―プロピレートを蒸発させる
こと (c) チツ素気流中の前記蒸発させたバナジウム―
ｎ―プロピレートを前記基体に運搬すること (d) 前記加熱ガラス基体の表面と蒸発させたバナ
ジウム―ｎ―プロピレートとを、V2O3を含有
するフイルム、好ましくは厚さが約200〜1500
Å、抵抗が100Ω／□より少なくなるフイルム
を基体表面に蒸着させるために接触させること (e) 前記コーテイングガラス製品を酸化性が充分
でない雰囲気中、好ましくは成形ガス中で
V2O3をVO2に変換するために冷却すること の各ステツプからなる伝導性コーテイングガラス
を製造する方法、 (a) バナジウム―ｎ―プロピレートを酸化バナジ
ウムに変換するために充分な温度、好ましくは
少なくとも400℃、さらに好ましくは少なくと
も500℃にガラス基体を加熱すること (b) バナジウム―ｎ―プロピレートを蒸発させる
こと (c) VO2からなるサーモクロミツクフイルムを形
成するために充分に酸化性雰囲気であるが、
V2O5の割合の結果としてのサーモクロミツク
でないフイルムを形成するのに充分に酸化性で
ない雰囲気中、好ましくは不活性ガスと酸素と
の混合物、さらに好ましくはチツ素と酸素との
混合物、ことに好ましくはチツ素90容量％と酸
素10容量％ととからなる雰囲気中の前記基体に
蒸発させたバナジウム―ｎ―プロピレートを運
搬すること (d) 前記加熱ガラス基体の表面と前記バナジウム
―ｎ―プロピレートの蒸気とをVO2を含有する
フイルム、好ましくは厚さ約100〜1500Åのフ
イルムを基体表面上に蒸着させるために前記酸
化性雰囲気中で接触させること の各ステツプからなるサーモクロミツクウインド
ガラスを製造するための方法 などがあげられる。
次に、本発明の製品を実施例にもとづき説明す
るが、本発明は該記載に限定されるものではな
く、より広い意味で理解されるべきものである。
るが、本発明は該記載に限定されるものではな
く、より広い意味で理解されるべきものである。
実施例 １
ガラス基体を約635℃の温度に加熱し、ジブチ
ルスズジアセテート２部とメタノール１部とから
なる溶液に接触させた。厚さ約700〜800Åの酸化
スズコーテイングを該ガラス表面に形成した。液
体バナジウム―ｉ―プロピレートを有し、該有機
バナジウム化合物を蒸発させるため127℃に加熱
した化学蒸着室に酸化スズをプライマーとして塗
付したガラスを通した。チツ素中の該有機バナジ
ウム化合物の蒸気を移動する約530℃のガラス基
体まで運搬した。ガラス基体表面に形成された酸
化バナジウムフイルムの螢光照明法における透過
光は黄色であつた。酸化バナジウムフイルムは約
55〜75℃の温度範囲にわたり転移を示した。該フ
イルムの電気的スイツチングは周囲温度での約
13000Ωから転移温度範囲をこえたばあいの約
5000Ωまでであつた。電気的スイツチングに随伴
する光学的スイツチングの結果を第１図に示す。
ルスズジアセテート２部とメタノール１部とから
なる溶液に接触させた。厚さ約700〜800Åの酸化
スズコーテイングを該ガラス表面に形成した。液
体バナジウム―ｉ―プロピレートを有し、該有機
バナジウム化合物を蒸発させるため127℃に加熱
した化学蒸着室に酸化スズをプライマーとして塗
付したガラスを通した。チツ素中の該有機バナジ
ウム化合物の蒸気を移動する約530℃のガラス基
体まで運搬した。ガラス基体表面に形成された酸
化バナジウムフイルムの螢光照明法における透過
光は黄色であつた。酸化バナジウムフイルムは約
55〜75℃の温度範囲にわたり転移を示した。該フ
イルムの電気的スイツチングは周囲温度での約
13000Ωから転移温度範囲をこえたばあいの約
5000Ωまでであつた。電気的スイツチングに随伴
する光学的スイツチングの結果を第１図に示す。
実施例 ２
バナジウム―ｉ―プロピレートを化学蒸着室で
127℃に加熱した。酸化バナジウムフイルムをガ
ラス基体に蒸着させるため、該有機バナジウム化
合物蒸気を約400℃の温度にあらかじめ加熱され
た移動するガラス基体までチツ素に含有させて運
搬した。コーテイングされたガラスを空気中で周
囲温度まで冷却すると、V2O5からなる酸化バナ
ジウム組成物が生成した。該V2O5フイルムはカ
リフラツクス（Califlux）TT（プロセス油、ウ
イトコ（Witco）ケミカル社製、カリフオルニア
州ロスアンゼルス）浴を160℃に加熱してえられ
る芳香族炭化水素を含有する形成ガス雰囲気中で
約450〜463℃の温度で約23分間加熱することによ
り、サーモクロミツクVO2に還元した。該VO2フ
イルムは第２図に示すように周囲温度で105Ωを
こえる電気抵抗から68℃をこえたばあいの約500
〜800Ωまでの電気抵抗である電気的スイツチン
グを示し、約500〜800Ωのとき0.8〜2.2μｍの太
陽光線放射エネルギーの透過率は10％未満であつ
た。なお、周囲温度での太陽光線放射エネルギー
の透過率は実施例１のものについての第１図の結
果とほぼ同じであつた。
127℃に加熱した。酸化バナジウムフイルムをガ
ラス基体に蒸着させるため、該有機バナジウム化
合物蒸気を約400℃の温度にあらかじめ加熱され
た移動するガラス基体までチツ素に含有させて運
搬した。コーテイングされたガラスを空気中で周
囲温度まで冷却すると、V2O5からなる酸化バナ
ジウム組成物が生成した。該V2O5フイルムはカ
リフラツクス（Califlux）TT（プロセス油、ウ
イトコ（Witco）ケミカル社製、カリフオルニア
州ロスアンゼルス）浴を160℃に加熱してえられ
る芳香族炭化水素を含有する形成ガス雰囲気中で
約450〜463℃の温度で約23分間加熱することによ
り、サーモクロミツクVO2に還元した。該VO2フ
イルムは第２図に示すように周囲温度で105Ωを
こえる電気抵抗から68℃をこえたばあいの約500
〜800Ωまでの電気抵抗である電気的スイツチン
グを示し、約500〜800Ωのとき0.8〜2.2μｍの太
陽光線放射エネルギーの透過率は10％未満であつ
た。なお、周囲温度での太陽光線放射エネルギー
の透過率は実施例１のものについての第１図の結
果とほぼ同じであつた。
実施例 ３
バナジウム―ｎ―プロピレートを127℃に加熱
して蒸発させ、該蒸気を約530℃の温度に予備加
熱した移動するガラス基体までチツ素に含有させ
て運搬した。電導性酸化バナジウム（V2O3）フイ
ルムがガラス基体上に形成された。該コーテイン
グされたガラスを形成ガス雰囲気中で冷却した。
酸化バナジウムフイルムは螢光照明法における透
過において灰色であり、光透過率が約24％である
厚さにおいて、周囲温度中で約150〜190Ω／□の
抵抗を示した。なお、68℃をこえる温度での太陽
光線放射エネルギーの透過率は実施例１のものに
ついての第１図の結果とほぼ同じであつた。
して蒸発させ、該蒸気を約530℃の温度に予備加
熱した移動するガラス基体までチツ素に含有させ
て運搬した。電導性酸化バナジウム（V2O3）フイ
ルムがガラス基体上に形成された。該コーテイン
グされたガラスを形成ガス雰囲気中で冷却した。
酸化バナジウムフイルムは螢光照明法における透
過において灰色であり、光透過率が約24％である
厚さにおいて、周囲温度中で約150〜190Ω／□の
抵抗を示した。なお、68℃をこえる温度での太陽
光線放射エネルギーの透過率は実施例１のものに
ついての第１図の結果とほぼ同じであつた。
実施例 ４
フロートガラスの透明なシートを周囲温度でバ
ナジウム―ｉ―プロピレート１部、２―プロパノ
ール３部、WOCl4約４g/lを含有する溶液に浸漬
し、引きあげた。透明フイルムを形成するための
周囲の空気中で加水分解させた。該フイルムの透
過光は黄色であつた。ついで該コーテイングガラ
スを形成ガス中、375℃に加熱した。形成ガス気
流中に含有されて運搬された炭化水素蒸気に該コ
ーテイングガラスを１分間さらした。該炭化水素
蒸気は、前記カリフラツクスTT浴を160℃に加
熱することによりえられた。結果としてえられた
酸化バナジウム（VO2）でコーテイングされたガ
ラスは第３図に示すような光学的スイツチング性
を示し、第４図に示すような転移温度を有してい
た。
ナジウム―ｉ―プロピレート１部、２―プロパノ
ール３部、WOCl4約４g/lを含有する溶液に浸漬
し、引きあげた。透明フイルムを形成するための
周囲の空気中で加水分解させた。該フイルムの透
過光は黄色であつた。ついで該コーテイングガラ
スを形成ガス中、375℃に加熱した。形成ガス気
流中に含有されて運搬された炭化水素蒸気に該コ
ーテイングガラスを１分間さらした。該炭化水素
蒸気は、前記カリフラツクスTT浴を160℃に加
熱することによりえられた。結果としてえられた
酸化バナジウム（VO2）でコーテイングされたガ
ラスは第３図に示すような光学的スイツチング性
を示し、第４図に示すような転移温度を有してい
た。
前記各実施例は、本発明を説明するためのもの
である。ホウケイ酸ガラスなどのような他の多く
の基体も本発明によれば酸化バナジウムフイルム
の製造に使用しうる。他の有機バナジウム化合
物、たとえばバナジウムエチレート
（ethylate）、、バナジウムブチレート
（butylate）、バナジウムオキシクロリド、VOCl3
なども使用しうる。V2O5ののちの蒸着還元は蒸
着中のチヤンバーの雰囲気中に芳香族炭化水素の
ような還元剤を共存させることにより避けられ
る。ニオブ、モリブデン、イリジウム、タンタル
化合物のような他のドーパントもタングステン化
合物と同様使用しうる。本発明の化学蒸着法は連
続したフロートガラスの工程などにおける移動す
るガラスリボンのコーテイングにとくに有用であ
る。化学蒸着に関する有用な方法や装置は米国特
許第3850679号明細書、米国特許第3951100号明細
書に記載されており、それらの開示はここでは参
考文献としてあげてある。多くの雰囲気、たとえ
ば空気のような酸化性雰囲気、チツ素、アルゴン
のような不活性雰囲気、および形成ガスまたは不
活性ガスと還元剤との混合物などによる還元性雰
囲気が使用されうる。真空蒸着のような他のコー
テイング方法も使用されうる。前記サーモクロミ
ツクVO2フイルムは該フイルムの赤外線透過率変
動による太陽光線エネルギーコントロールのた
め、マルチプルグレイズドウインドユニツトにと
くに好ましく使用される。マルチプルグレイズウ
インドユニツト配置について米国特許第3919023
号明細書に記載されており、その開示をここでは
参考文献としてあげる。
である。ホウケイ酸ガラスなどのような他の多く
の基体も本発明によれば酸化バナジウムフイルム
の製造に使用しうる。他の有機バナジウム化合
物、たとえばバナジウムエチレート
（ethylate）、、バナジウムブチレート
（butylate）、バナジウムオキシクロリド、VOCl3
なども使用しうる。V2O5ののちの蒸着還元は蒸
着中のチヤンバーの雰囲気中に芳香族炭化水素の
ような還元剤を共存させることにより避けられ
る。ニオブ、モリブデン、イリジウム、タンタル
化合物のような他のドーパントもタングステン化
合物と同様使用しうる。本発明の化学蒸着法は連
続したフロートガラスの工程などにおける移動す
るガラスリボンのコーテイングにとくに有用であ
る。化学蒸着に関する有用な方法や装置は米国特
許第3850679号明細書、米国特許第3951100号明細
書に記載されており、それらの開示はここでは参
考文献としてあげてある。多くの雰囲気、たとえ
ば空気のような酸化性雰囲気、チツ素、アルゴン
のような不活性雰囲気、および形成ガスまたは不
活性ガスと還元剤との混合物などによる還元性雰
囲気が使用されうる。真空蒸着のような他のコー
テイング方法も使用されうる。前記サーモクロミ
ツクVO2フイルムは該フイルムの赤外線透過率変
動による太陽光線エネルギーコントロールのた
め、マルチプルグレイズドウインドユニツトにと
くに好ましく使用される。マルチプルグレイズウ
インドユニツト配置について米国特許第3919023
号明細書に記載されており、その開示をここでは
参考文献としてあげる。
第１図は化学蒸着法によつて直接形成した酸化
バナジウム（VO2）フイルムの光学的スイツチン
グを示すグラフ、第２図は酸化バナジウムフイル
ムの電気抵抗スイツチングを示すグラフ、第３図
は酸化バナジウムフイルムの表面をドーピングし
たものの光学的スイツチングを示すグラフ、第４
図はドーピングした酸化バナジウムフイルムの転
移温度領域における電気抵抗と温度との関係を示
すグラフである。
バナジウム（VO2）フイルムの光学的スイツチン
グを示すグラフ、第２図は酸化バナジウムフイル
ムの電気抵抗スイツチングを示すグラフ、第３図
は酸化バナジウムフイルムの表面をドーピングし
たものの光学的スイツチングを示すグラフ、第４
図はドーピングした酸化バナジウムフイルムの転
移温度領域における電気抵抗と温度との関係を示
すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) ガラス基体 (b) 25〜75℃の範囲で光学的スイツチングにより
特徴づけられているVO2を含有するコーテイン
グであつて、該コーテイングがその転移温度領
域を通つて加熱されるとき赤外線領域における
総太陽光線エネルギー透過率が少なくとも1/2
に減少するようなコーテイング からなる太陽光線放射エネルギーの透過率が変化
しうる酸化バナジウムコーテイング製品。 ２ 酸化バナジウムを含有する前記コーテイング
の厚さが100〜1500Åである特許請求の範囲第１
項記載の製品。 ３ 0.8〜2.2μｍのスペクトル領域、周囲温度に
て前記総太陽光線エネルギー透過率が30％をこ
え、転移温度をこえる温度における前記総太陽光
線エネルギー透過率が15％よりも少ない特許請求
の範囲第２項記載の製品。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US344906 | 1982-02-01 | ||
| US06/344,257 US4393095A (en) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | Chemical vapor deposition of vanadium oxide coatings |
| US344860 | 1982-02-01 | ||
| US344257 | 1982-02-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135154A JPS58135154A (ja) | 1983-08-11 |
| JPS6238313B2 true JPS6238313B2 (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=23349727
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58016008A Granted JPS58135154A (ja) | 1982-02-01 | 1983-02-01 | 酸化バナジウムコ−ティング製品 |
| JP62062350A Pending JPS62256743A (ja) | 1982-02-01 | 1987-03-17 | サ−モクロミツクウインドガラスの製法 |
| JP62062349A Pending JPS62256742A (ja) | 1982-02-01 | 1987-03-17 | 酸化バナジウムフイルムの化学蒸着法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62062350A Pending JPS62256743A (ja) | 1982-02-01 | 1987-03-17 | サ−モクロミツクウインドガラスの製法 |
| JP62062349A Pending JPS62256742A (ja) | 1982-02-01 | 1987-03-17 | 酸化バナジウムフイルムの化学蒸着法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4393095A (ja) |
| JP (3) | JPS58135154A (ja) |
| BE (1) | BE895752A (ja) |
| CA (1) | CA1198019A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH041926U (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-09 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4838984A (en) * | 1987-07-16 | 1989-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching films of mercury-cadmium-telluride and zinc sulfid |
| US4837113A (en) * | 1987-07-16 | 1989-06-06 | Texas Instruments Incorporated | Method for depositing compound from group II-VI |
| US4832779A (en) * | 1987-07-16 | 1989-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus |
| US4842676A (en) * | 1987-07-16 | 1989-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Process for etch of tungsten |
| US4830705A (en) * | 1987-07-16 | 1989-05-16 | Texas Instruments Incorporated | Method for etch of GaAs |
| US4872938A (en) * | 1987-07-16 | 1989-10-10 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus |
| US4849067A (en) * | 1987-07-16 | 1989-07-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching tungsten |
| US4818326A (en) * | 1987-07-16 | 1989-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus |
| US4855160A (en) * | 1987-07-16 | 1989-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Method for passivating wafer |
| US4844773A (en) * | 1987-07-16 | 1989-07-04 | Texas Instruments Incorporated | Process for etching silicon nitride film |
| US4832778A (en) * | 1987-07-16 | 1989-05-23 | Texas Instruments Inc. | Processing apparatus for wafers |
| US4828649A (en) * | 1987-07-16 | 1989-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching an aluminum film doped with silicon |
| US4867841A (en) * | 1987-07-16 | 1989-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Method for etch of polysilicon film |
| US4904621A (en) * | 1987-07-16 | 1990-02-27 | Texas Instruments Incorporated | Remote plasma generation process using a two-stage showerhead |
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| US4832777A (en) * | 1987-07-16 | 1989-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
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| US4842687A (en) * | 1987-07-16 | 1989-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching tungsten |
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| US4857132A (en) * | 1987-07-16 | 1989-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus for wafers |
| US4816098A (en) * | 1987-07-16 | 1989-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for transferring workpieces |
| US4838990A (en) * | 1987-07-16 | 1989-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Method for plasma etching tungsten |
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| US4842686A (en) * | 1987-07-17 | 1989-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Wafer processing apparatus and method |
| JP2588910B2 (ja) * | 1987-10-26 | 1997-03-12 | 日本板硝子株式会社 | 改良された調光体 |
| US5318108A (en) * | 1988-04-15 | 1994-06-07 | Midwest Research Institute | Gas-controlled dynamic vacuum insulation with gas gate |
| US4988533A (en) * | 1988-05-27 | 1991-01-29 | Texas Instruments Incorporated | Method for deposition of silicon oxide on a wafer |
| JPH0723235B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1995-03-15 | 旭硝子株式会社 | 熱線反射物品 |
| US5274241A (en) * | 1990-07-19 | 1993-12-28 | Westinghouse Electric Corp. | Optical and electromagnetic field |
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| JP2764539B2 (ja) * | 1994-06-24 | 1998-06-11 | 工業技術院長 | サーモクロミック材料の製造方法 |
| US5580662A (en) * | 1995-03-09 | 1996-12-03 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Antistatic coating for video display screen |
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