JPS6237713B2 - - Google Patents

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JPS6237713B2
JPS6237713B2 JP57087705A JP8770582A JPS6237713B2 JP S6237713 B2 JPS6237713 B2 JP S6237713B2 JP 57087705 A JP57087705 A JP 57087705A JP 8770582 A JP8770582 A JP 8770582A JP S6237713 B2 JPS6237713 B2 JP S6237713B2
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layer
adhesive
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    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
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    • H05K3/061—Etching masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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    • C23F1/02—Local etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は例えば印刷配線に適する化学的蝕刻
方法に関し、特に被蝕刻体における導体の占有率
の高いものを得ようとするものである。
従来の印刷配線においては例えば第１図に示す
ように絶縁基板１１上に導体層１２が全面に形成
されており、その導体層１２上に目的とするパタ
ーン形状とした耐エツチング層、いわゆるレジス
ト層１３を形成する。そのレジスト層１３の形成
は例えばスクリーン印刷や写真技術によつて行な
われる。その後そのレジスト層１３をマスクとし
て導体層１２を化学的にエツチングしていた。
この場合、第２図に示すようにレジスト層１３
にマスクされてない部分の導体層１２がその板面
に対して直角方向、第２図のｙ方向にエツチング
されるのみならず、その板面に沿う方向、第２図
においてｘ方向においてもエツチングされる。こ
の板面に沿う方向のエツチングはいわゆるサイド
エツチングと呼ばれており、このサイドエツチン
グの速度は板面と直角な方向、図においてｙ方向
のエツチング速度とほゞ同じ速度であつて、エツ
チングされた導体層１２の側面１４は断面が円弧
状の凹曲面となる。
本来はレジスト層１３のそのパターンの縁の部
分より導体層に対して直角にエツチングされるこ
とが望ましく、図に示すサイドエツチング部分１
５は好ましくない。このようなサイドエツチング
部分１５が存在すると、エツチングにより形成さ
れた導体層パターン１６の幅を狭くすることが困
難になり、微細なパターンでしかも高密度に導体
層パターン１６を形成することが困難となる。
このようなサイドエツチングの問題を解決する
ために、レジスト層１３の材質として熱軟化性の
ものを使用し、途中までエツチングを行つた後に
加熱によりサイドエツチング部１５にレジストを
付着させて再びエツチングを行なうことが提案さ
れている。しかしこの方法においては第３図に拡
大して示すように、レジスト層１３を加熱硬化さ
せた際に、サイドエツチング部１５において重力
によりレジスト層１３を下に曲げようとする力
F1と、表面張力によりサイドエツチング部１５
より導体層１２の上面側に引く力F2との合力が
作用する。この場合力F1より力F2の方がはるか
に大きく、第３図に示すように、サイドエツチン
グ部１５のレジスト層１３は加熱軟化によりあた
かも液滴のような形になり、この状態から加熱温
度をさらに高くするか、又は過熱時間を長くする
とサイドエツチング部１５からレジスト層１３が
なくなつてしまう。このためレジスト層１３の厚
さと同程度のエツチング深さよりも深いエツチン
グに対しては効果は全くない。実験によればレジ
スト層１３の厚さが５μ、エツチング深さ90μ
（この90μを１回に分けてエツチングした）の
時、加熱処理を行なわないで、90μの深さを一度
にエツチングした方が、サイドエツチングがむし
ろ少なかつた。
また従来のサイドエツチングの問題を解決する
方法として次のものがある。即ち第４図に示すよ
うに途中までエツチングを行つた後に、マスク層
（レジスト層）１３を含む被蝕刻体１２の全体を
例えばパラフイン系の炭化水素、いわゆる白灯油
或いは芳香族炭化水素、例えばキシレン、トルエ
ン等の膨潤液の中に入れてマスク層１３を膨潤さ
せる。その浸漬時間は数秒乃至十数秒とする。そ
の膨潤の後に乾燥させてサイドエツチング部分１
７の被蝕刻体１２の側面にマスク層１３を被着さ
せて第５図に示すように耐蝕層１８を形成する。
これは膨潤液を乾燥により除去する場合にサイド
エツチング部分１７を含みエツチングされた部分
に第４図に点線で示すように膨潤液１９が残り、
その膨潤液１９が徐々に蒸発される際に表面張力
によつてマスク層１３のサイドエツチング部分１
７に突出している部分がサイドエツチングの面２
１側に引張られて被着し第５図に示すようにサイ
ドエツチング面に耐蝕層１８が形成される。この
後、再びエツチングを行つて第６図に示すよう
に、一度のエツチングを行う場合よりもサイドエ
ツチングが小さい導体２２を得ようとするもので
ある。
しかし、この従来法は次の欠点があつた。即ち
第７図に拡大して示すように、膨潤乾燥により折
れ曲つたマスク層１３、つまり耐蝕層１８の密着
の悪い個所２３，２４が発生し、この個所２３，
２４にエツチング液がしみ込み、エツチングが進
むにつれ、耐蝕層１８とその対向面との隙間が広
がる。そのため二回目のエツチング前の隙間の小
さい所との差が増大される。例えばエツチングの
仕上りが第８図Ａに示すように円形穴２５とする
場合に、サイドエツチング防止が不良となつた個
所２６がランダムに発生し、円形穴２５の円に凹
所２６が発生する。第８図Ｂに示すようにＬ字形
溝２７をエツチングで形成する場合も同様にサイ
ドエツチング防止不良による凹所２６がランダム
に発生する。特にこの場合は溝２７の曲り角や、
両端の隅はサイドエツチング防止不良となり易
い。
この方法におけるサイドエツチング防止のむら
はエツチングにより細い導線を形成する場合は抵
抗値を高くしてしまう。即ち例えば第８図Ｃに示
すように形成されるべき導体線の側面に形成した
耐蝕層１８に密着不良部２３と、密着良好部２８
とが存在していると、密着不良部２３では密着が
悪いからｘ方向、導体線の幅方向のエツチングも
進行する。一方、密着良好部２８においても密着
不良部２３においてもエツチング液の供給総量は
変わらないから、密着不良部２３の方が密着良好
部２８よりｙ方向、厚み方向のエツチング速度が
小となる。しかるにコイル等の電気部品をエツチ
ングによる作る場合においては、エツチングが絶
縁基板１１まで達し、そのエツチング溝により完
全に分離されなければならない。したがつて密着
不良部２３において絶縁基板１１までエツチング
すると、密着良好部２８は過剰にエツチングされ
る。このため例えばコイルにおいてはその密着良
好部２８が所定の寸法より導体幅の狭い所とな
り、このような所が多数発生し、高抵抗になつて
しまう。
この発明の目的はサイドエツチングを確実に、
かつ各部均一に抑圧することができ、高い精度の
エツチング加工を可能にした化学的蝕刻方法を提
供するものである。
この発明によればエツチングにより形成された
サイドエツチング部分の耐エツチングマスク層を
接着剤で被蝕刻体に接着させ、その後再びエツチ
ングを行う。
更に詳しく述べれば、被蝕刻体に例えば耐エツ
チング剤の感光性レジストを形成し、これに対し
て露光現像を行つて所定のパターンの耐エツチン
グマスク層を被蝕刻体に形成する。この他にスク
リーン印刷等の技術を利用して耐エツチングマス
ク層を形成することができる。次に第１エツチン
グを行う。これは最終的に必要とするエツチング
深さの数分の１までエツチングする。その後必要
に応じて水洗などを行い、接着剤溶液に浸漬す
る。接着剤溶液は水溶液であることがのぞまし
く、例えばグリコールと有機酸の0.2％〜１％水
溶液が用いられる。又上記水溶液の水の一部を、
メチルアルコール、エチルアルコール、アセトン
等の水に可溶な有機溶剤におき変えたもの、すな
わち、水と水に可溶な有機溶剤の混合物に接着剤
としてのグリコールと有機酸を加えたものも良好
な結果が得られる。なお、接着剤の有機溶剤の溶
液も良好な結果が得られるが、大量に処理する場
合に爆発の危険がある。グリコールと有機酸の溶
液の具体例としては次のものがある。
第１例 グリセリン 0.24％ マレイン酸 0.238％ フマル酸 0.238％ アクリル酸 0.133％ 水 99.15％ 第２例 グリセリン 0.34％ マレイン酸 0.238％ フマル酸 0.238％ アクリル酸 0.133％ 水 60％ ジオキサン 39.15％ この発明で言う接着剤とは、化学反応により接
着剤となる接着剤の前駆物をも含むものであり、
グリコールと有機酸はその例である。
グリコールと有機酸以外の接着剤としてエポキ
シ化合物（特に低分子量のもの）と有機酸等の加
熱により蒸発するものが使用される。
接着剤溶液に対する浸漬後、加熱乾燥させて、
第１エツチングにより生じたサイドエツチング部
分のマスク層を被蝕刻体に接着させる。即ち例え
ば第１図に示したようにマスク層１３を形成し、
これに対して第１エツチングを施し、それを接着
剤溶液に浸漬して引き上げた状態は第９図に示す
ように第１エツチングにより形成された溝３０に
接着剤溶液３１が溜る。加熱乾燥により第１０図
に示すように溝３０の内面に接着剤薄膜３２が形
成されると共に、表面張力によりサイドエツチン
グ部分のマスク層１３が被蝕刻体１２の溝３０の
側面に折れ曲る。そのマスク層１３におおわれた
所の接着剤薄膜３２、例えばグリコールと有機酸
はエステル反応し、強固な耐蝕層３３となると共
にマスク層１３を強固に被蝕刻体１２に接着す
る。接着剤薄膜３２のマスク層１３におおわれな
い部分は蒸発が防止されることなく蒸発し去り、
例えばグリコールと有機酸のどちらか一方が蒸発
し去れば、エツチング液に対して何らの抵抗も表
わさなくなる。グリコールと有機酸の場合、加熱
乾燥を100℃〜180℃、15分〜30分で良好な結果が
得られた。
次に第２のエツチングを行ない、更に必要に応
じて接着剤溶液に浸漬……第３エツチングと何回
でもくりかえす。
この発明は上述のように接着剤を使用するため
レジスト（マスク層１３）の材質としてはゴム
系、ポリエステル系、塩化ビニル系、ポリビニル
アルコール系等はほとんどすべてのものを用いる
ことができ、しかも良好にサイドエツチングを防
止でき、微細なエツチング加工が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は従来の化学的蝕刻法の工程
を示す断面図、第３図は従来のサイドエツチング
抑圧法を示す断面図、第４図乃至第６図はそれぞ
れ従来の他のサイドエツチング抑圧法の工程を示
す断面図、第７図は第４図乃至第６図に示した従
来法における耐蝕層１８の被蝕刻体との接触状態
を示す拡大断面図、第８図Ａ，Ｂは従来法による
不良発生を示す平面図、第８図Ｃは従来法の欠点
を説明するための斜視図、第９図乃至第１１図は
この発明による化学的蝕刻法における要部の工程
を示す断面図である。 １１：絶縁基板、１２：被蝕刻体、１３：マス
ク層、１５，１７：サイドエツチング部、３０：
溝、３１：接着剤溶液、３２：接着剤薄膜、３
３：接着剤層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 被蝕刻体に所定のパターンの耐エツチングマ
    スク層を形成する工程と、 そのマスク層をマスクとして上記被蝕刻体に対
    し化学的蝕刻を施す工程と、 その化学的蝕刻により形成された際のサイドエ
    ツチング部分のマスク層をグリコール及び有機酸
    よりなる接着剤で被蝕刻体に接着する工程と、 その後マスク層に覆われない部分の接着剤を蒸
    発して取り去つた後、上記被蝕刻体に対し再び化
    学的蝕刻を施す工程 とを具備する化学的蝕刻方法。
JP57087705A 1982-05-24 1982-05-24 化学的蝕刻方法 Granted JPS58204176A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57087705A JPS58204176A (ja) 1982-05-24 1982-05-24 化学的蝕刻方法
US06/495,911 US4470872A (en) 1982-05-24 1983-05-18 Preventing side-etching by adhering an overhang mask to the sidewall with adhesive
DE8383105052T DE3375672D1 (en) 1982-05-24 1983-05-21 Chemical etching method
EP83105052A EP0095172B1 (en) 1982-05-24 1983-05-21 Chemical etching method

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JPS58204176A JPS58204176A (ja) 1983-11-28
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EP (1) EP0095172B1 (ja)
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS616817A (ja) * 1984-06-20 1986-01-13 Canon Inc シ−トコイルの製造方法
DE3430075A1 (de) * 1984-08-16 1986-02-27 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum herstellen einer messsonde zur verwendung bei der messung der temperatur oder masse eines stroemenden mediums
US4733079A (en) * 1985-12-13 1988-03-22 Lockheed Corporation Method of and apparatus for thermographic identification of parts
US4690833A (en) * 1986-03-28 1987-09-01 International Business Machines Corporation Providing circuit lines on a substrate
DE69111002T2 (de) * 1990-09-20 1995-11-02 Dainippon Screen Mfg Verfahren zur Herstellung von kleinen Durchgangslöchern in dünne Metallplatten.
US5312456A (en) * 1991-01-31 1994-05-17 Carnegie Mellon University Micromechanical barb and method for making the same
US5294520A (en) * 1992-08-25 1994-03-15 International Business Machines Corporation Zero undercut etch process
ES2140310B1 (es) * 1997-07-30 2000-10-16 Mecanismos Aux Es Ind S A Perfeccionamientos en los diseños de entrepistas en los circuitos impresos de potencia.
US6280555B1 (en) * 1999-03-30 2001-08-28 Robert L. Wilbur Method of forming a printed circuit board
US7018418B2 (en) * 2001-01-25 2006-03-28 Tecomet, Inc. Textured surface having undercut micro recesses in a surface
US6599322B1 (en) * 2001-01-25 2003-07-29 Tecomet, Inc. Method for producing undercut micro recesses in a surface, a surgical implant made thereby, and method for fixing an implant to bone
US6620332B2 (en) 2001-01-25 2003-09-16 Tecomet, Inc. Method for making a mesh-and-plate surgical implant
CN111526666B (zh) * 2020-04-30 2021-07-02 生益电子股份有限公司 一种pcb制作方法
CN114686884B (zh) * 2020-12-29 2023-07-07 苏州运宏电子有限公司 一种精密防侧蚀的蚀刻区域控制方法
CN114203544A (zh) * 2021-10-31 2022-03-18 苏州焜原光电有限公司 一种能减轻晶片横向腐蚀程度的刻蚀方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5716169A (en) * 1980-07-02 1982-01-27 Kangiyou Denki Kiki Kk Chemical etching process

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3006796A (en) * 1958-04-18 1961-10-31 Jones Graphic Products Of Ohio Etching method
US3544401A (en) * 1967-05-16 1970-12-01 Texas Instruments Inc High depth-to-width ratio etching process
NL6903930A (ja) * 1969-03-14 1970-09-16
US3736197A (en) * 1972-03-29 1973-05-29 Mona Industries Inc Powderless etching bath compositions and additives
JPS5377848A (en) * 1976-12-21 1978-07-10 Showa Denko Kk Etching method that prevent side etch
JPS556833A (en) * 1978-06-29 1980-01-18 Nippon Mektron Kk Cirucit board and method of manufacturing same
JPS5570835A (en) * 1978-11-22 1980-05-28 Hitachi Ltd Photoresist material and etching method
JPS56114319A (en) * 1980-02-14 1981-09-08 Fujitsu Ltd Method for forming contact hole
JPS56131929A (en) * 1980-03-19 1981-10-15 Fujitsu Ltd Selective etching method of laminar structure

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5716169A (en) * 1980-07-02 1982-01-27 Kangiyou Denki Kiki Kk Chemical etching process

Also Published As

Publication number Publication date
EP0095172B1 (en) 1988-02-10
EP0095172A3 (en) 1985-06-19
JPS58204176A (ja) 1983-11-28
US4470872A (en) 1984-09-11
DE3375672D1 (en) 1988-03-17
EP0095172A2 (en) 1983-11-30

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