JPS6235655A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS6235655A JPS6235655A JP60174130A JP17413085A JPS6235655A JP S6235655 A JPS6235655 A JP S6235655A JP 60174130 A JP60174130 A JP 60174130A JP 17413085 A JP17413085 A JP 17413085A JP S6235655 A JPS6235655 A JP S6235655A
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- resin
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- semiconductor integrated
- circuit device
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、半導体集積回路装置技術さらには樹脂封止
型のパッケージ構造を有する半導体集積回路装置に適用
して特に有効な技術に関するもので、例えば樹脂封止さ
れた表面実装型の半導体集積回路装置技術用して有効な
技術に関するものである。
型のパッケージ構造を有する半導体集積回路装置に適用
して特に有効な技術に関するもので、例えば樹脂封止さ
れた表面実装型の半導体集積回路装置技術用して有効な
技術に関するものである。
一般に、半導体集積回路装置のパッケージ構造としては
、例えば第３図に示すような樹脂封止型のものが多く採
用されている。
、例えば第３図に示すような樹脂封止型のものが多く採
用されている。
第３図に示す半導体集積回路装置ＩＣは表面実装型のも
のであって、半導体チップ４が載置・固着された金Ｉ；
製タブ２が、端子リード３０基端側およびボンディング
ワイヤ５などとともに、モールド樹脂１内に封止されて
いる。端子リード３の先端側は、プリント配線基板６の
導体ランド７の面に直接ハンダ付けされる。同図におい
て、８はハンダを、９はハンダ付けに先立って半導体集
積回路装置ＩＣを基板６に仮固定するための接着剤を示
す。
のであって、半導体チップ４が載置・固着された金Ｉ；
製タブ２が、端子リード３０基端側およびボンディング
ワイヤ５などとともに、モールド樹脂１内に封止されて
いる。端子リード３の先端側は、プリント配線基板６の
導体ランド７の面に直接ハンダ付けされる。同図におい
て、８はハンダを、９はハンダ付けに先立って半導体集
積回路装置ＩＣを基板６に仮固定するための接着剤を示
す。
なお、表面実装型の半導体集積回路装置については、例
えば、ＣＱ出版社刊行「トランジスタ技術１９８０年９
月号４２５８，２５９頁（ぽ二フラットＩＣ）などに記
載されている。
えば、ＣＱ出版社刊行「トランジスタ技術１９８０年９
月号４２５８，２５９頁（ぽ二フラットＩＣ）などに記
載されている。
ところで、上述した表面実装型半導体集積回路装置ＩＣ
を基板６の導体ランド７面にハンダ付けする方法として
は、ハンダ接合しようとする部分を溶融ハンダ中に浸漬
させるフローハンダ付は法、あるいはハンダ接合しよう
とする部分に予め配設された成形ハンダを加熱によシ再
溶融させるリフロー・ハンダ付は法とがある。しかし、
いずれの方法によっても、そのハンダ付けに際しては、
半導体集積回路装置ＩＣの外側全体が少なくともハンダ
の溶融温度以上に加熱される。
を基板６の導体ランド７面にハンダ付けする方法として
は、ハンダ接合しようとする部分を溶融ハンダ中に浸漬
させるフローハンダ付は法、あるいはハンダ接合しよう
とする部分に予め配設された成形ハンダを加熱によシ再
溶融させるリフロー・ハンダ付は法とがある。しかし、
いずれの方法によっても、そのハンダ付けに際しては、
半導体集積回路装置ＩＣの外側全体が少なくともハンダ
の溶融温度以上に加熱される。
ここで、上述した樹脂封止型の半導体集積回路装置ＩＣ
では、次のような問題を生じることが本発明者によって
明らかとされた。
では、次のような問題を生じることが本発明者によって
明らかとされた。
すなわち、上述した樹脂封止型の半導体集積回路装置Ｉ
Ｃでは、そのパッケージ部分をなす封止樹脂ＩＫ耐熱性
のエポキシ系樹脂を使用しであるので、ハンダ付けの温
度には十分に耐えるはずである。ところが、第３図に示
すように、そのハンダ付けの温度に耐えるはずの封止樹
脂の一部にクラック１０が頻繁に生じることが判明した
。このクラック１０はそれほど大きなものではないが、
樹脂封止の効果を損ねるものであって、半導体集積回路
装置の信頼性たとえば、耐湿性を大幅に低下させる。そ
こで、そのクラック１０が生じる原因を究明したところ
、熱膨張の大きさが金属製タブ２と封止樹脂１との間で
異なるとともに、上記ハンダ付けによる加熱が急激であ
るために、外側の封止樹脂１の方が先に加熱されて熱膨
張し、これが両者の熱膨張の差をさらに大きく拡大して
、上記クラック１０を生じるように々る、ということが
判明した。つｉす、ハンダ付けの際に生じる過渡的な加
熱状態、いわゆる熱衝撃が上記クラック１０の発生原因
となっている、ということが本発明者によって明らかと
された。なお、熱膨張係数はエポキシ系樹脂の如き封止
樹脂は２３〜２４×１０ ｃｍ／Ｔ、であシ、Ｃｕ系
の才ブでは１７〜１８×１０ｃｍ／℃、鉄合金（４・２
マロイ）のタブでは４．５〜５．２Ｘ１０ ｃｍ／℃
となシ、熱膨張係数差が大きいことがわかる。
Ｃでは、そのパッケージ部分をなす封止樹脂ＩＫ耐熱性
のエポキシ系樹脂を使用しであるので、ハンダ付けの温
度には十分に耐えるはずである。ところが、第３図に示
すように、そのハンダ付けの温度に耐えるはずの封止樹
脂の一部にクラック１０が頻繁に生じることが判明した
。このクラック１０はそれほど大きなものではないが、
樹脂封止の効果を損ねるものであって、半導体集積回路
装置の信頼性たとえば、耐湿性を大幅に低下させる。そ
こで、そのクラック１０が生じる原因を究明したところ
、熱膨張の大きさが金属製タブ２と封止樹脂１との間で
異なるとともに、上記ハンダ付けによる加熱が急激であ
るために、外側の封止樹脂１の方が先に加熱されて熱膨
張し、これが両者の熱膨張の差をさらに大きく拡大して
、上記クラック１０を生じるように々る、ということが
判明した。つｉす、ハンダ付けの際に生じる過渡的な加
熱状態、いわゆる熱衝撃が上記クラック１０の発生原因
となっている、ということが本発明者によって明らかと
された。なお、熱膨張係数はエポキシ系樹脂の如き封止
樹脂は２３〜２４×１０ ｃｍ／Ｔ、であシ、Ｃｕ系
の才ブでは１７〜１８×１０ｃｍ／℃、鉄合金（４・２
マロイ）のタブでは４．５〜５．２Ｘ１０ ｃｍ／℃
となシ、熱膨張係数差が大きいことがわかる。
この発明の目的は、簡単な構成の付加でもって、樹脂封
止された半導体集積回路装置のパッケージに、熱衝撃に
よるクラックが生じるのを防止する仁とができる技術を
提供するととＫある。
止された半導体集積回路装置のパッケージに、熱衝撃に
よるクラックが生じるのを防止する仁とができる技術を
提供するととＫある。
この発明の前記ならびにその＃１かの目的と新規な特徴
については、本明細書の記述および添付図面から明らか
Ｋなるであろう。
については、本明細書の記述および添付図面から明らか
Ｋなるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものを簡単
忙説明すれば、下記のとおシである。
忙説明すれば、下記のとおシである。
すなわち、半導体チップが装着される金属製タブと封止
樹脂との間に１例えばポリイミド系樹脂のように、耐熱
性とともに、封止樹脂よりも大きな回層性を有し、かつ
金属と樹脂の両方に対して接着性を有する樹脂の層を設
けることにより、熱衝撃による金属製タブと封止樹脂の
熱膨張の差を樹脂の層で吸収し、パッケージに熱衝撃に
よるクラックが生じるのを防止する、という目的を達成
するものである。
樹脂との間に１例えばポリイミド系樹脂のように、耐熱
性とともに、封止樹脂よりも大きな回層性を有し、かつ
金属と樹脂の両方に対して接着性を有する樹脂の層を設
けることにより、熱衝撃による金属製タブと封止樹脂の
熱膨張の差を樹脂の層で吸収し、パッケージに熱衝撃に
よるクラックが生じるのを防止する、という目的を達成
するものである。
以下、この発明の代表的な実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
なお１図面において同一符号は同一あるいは相当部分を
示す。
示す。
第１図はこの発明による半導体集積回路装置の一実施例
を示す。
を示す。
同図に示す半導体集積回路装置ＩＣは、第３図に示した
ものと同様、表面実装型のものでありて、半導体チップ
４が載置・固着された金属製タブ２が、端子リード３０
基端側およびボンディングワイヤ５などとともに、モー
ルド樹脂１内に封止されている。端子リード３の先端側
は、プリント配線基板６の導体ランド７の面に直接ハン
ダ付けされる。同図忙おいて、８はハンダを、９はハン
ダ付けに先立りて半導体集積回路装置ＩＣを基板６に仮
固定するための接着剤を示す。
ものと同様、表面実装型のものでありて、半導体チップ
４が載置・固着された金属製タブ２が、端子リード３０
基端側およびボンディングワイヤ５などとともに、モー
ルド樹脂１内に封止されている。端子リード３の先端側
は、プリント配線基板６の導体ランド７の面に直接ハン
ダ付けされる。同図忙おいて、８はハンダを、９はハン
ダ付けに先立りて半導体集積回路装置ＩＣを基板６に仮
固定するための接着剤を示す。
ここで、第１図に示した半導体集積回路装置ＩＣでは、
上述し°た構成に加えて、耐熱性とともに１少々くとも
封止樹脂１よシも十分に大きな可塑性を有し、かつ金属
と樹脂の両方に対して接着性を有する樹脂層１１が、金
属性タブ２と封止樹脂】との間に面状に介在させられて
いる。この場合、半導体集積回路装置ＩＣのパッケージ
をなす封止樹脂１としては、エポキシ系樹脂が使用され
ている。また、上記樹脂層１１の樹脂としては、ポリイ
ミド系樹脂が使用されている。
上述し°た構成に加えて、耐熱性とともに１少々くとも
封止樹脂１よシも十分に大きな可塑性を有し、かつ金属
と樹脂の両方に対して接着性を有する樹脂層１１が、金
属性タブ２と封止樹脂】との間に面状に介在させられて
いる。この場合、半導体集積回路装置ＩＣのパッケージ
をなす封止樹脂１としては、エポキシ系樹脂が使用され
ている。また、上記樹脂層１１の樹脂としては、ポリイ
ミド系樹脂が使用されている。
以上のように、金属製タブ２と封止樹脂１０間にポリイ
ミド系の樹脂層１１を介在させると、ハンダ付けの際の
過渡的な加熱によって封止樹脂１と金属製タブ２との間
の熱膨張差が大きくなっても、その膨張差は上記樹脂層
１１の塑性変形によって吸収されるようになる。これに
よシ、封止樹脂１と金属製タブ２間の熱膨張歪みが低減
されて、前述したクラックの発生が防止されるようにな
る。
ミド系の樹脂層１１を介在させると、ハンダ付けの際の
過渡的な加熱によって封止樹脂１と金属製タブ２との間
の熱膨張差が大きくなっても、その膨張差は上記樹脂層
１１の塑性変形によって吸収されるようになる。これに
よシ、封止樹脂１と金属製タブ２間の熱膨張歪みが低減
されて、前述したクラックの発生が防止されるようにな
る。
第２図（ａ）（ｂ）（Ｃ）は上記樹脂層１１の形成方法
の一例を示す。
の一例を示す。
上記樹脂層１１は、同図に示すように、金属製タブ２の
背面に塗付によシ予め形成することができる。その塗付
け、同図（ａ）に示すように、半導体チップが装着され
る前の金属製タブ２の裏面忙、適度に粘度調節されたポ
リイミド系樹脂溶液１１ａを滴下することにより行える
。滴下された樹脂溶液１１ａは、金属製タブ２の背面全
体に面状に広がって均一な塗膜を形成する。この塗膜を
焼付は処理すると、上述した樹脂層１１が所定の厚みで
薄く形成される。この後、同図（ｂ）Ｋ示すように、樹
脂層１１が形成された金属製タブ２０表面に半導体チッ
プ４が固着され、さらにその半導体チップ４と端子リー
ド３との間がボンディングワイヤ５で接続される。そし
て、同図（Ｃ）に示すように、モールド金型１２によっ
て樹脂１による封止が行われる。
背面に塗付によシ予め形成することができる。その塗付
け、同図（ａ）に示すように、半導体チップが装着され
る前の金属製タブ２の裏面忙、適度に粘度調節されたポ
リイミド系樹脂溶液１１ａを滴下することにより行える
。滴下された樹脂溶液１１ａは、金属製タブ２の背面全
体に面状に広がって均一な塗膜を形成する。この塗膜を
焼付は処理すると、上述した樹脂層１１が所定の厚みで
薄く形成される。この後、同図（ｂ）Ｋ示すように、樹
脂層１１が形成された金属製タブ２０表面に半導体チッ
プ４が固着され、さらにその半導体チップ４と端子リー
ド３との間がボンディングワイヤ５で接続される。そし
て、同図（Ｃ）に示すように、モールド金型１２によっ
て樹脂１による封止が行われる。
（１）半導体チップが装着される金属製タブと封止樹脂
との間に、例えばポリイミド系樹脂のように、耐熱性と
ともに、封止樹脂よ、りも大きな可塑性を有し、かつ金
属と樹脂の両方に対して接着性を有する樹脂の層を設け
ること【より、金属製タブと封止樹脂の熱膨張差を樹脂
層で吸収できることよシ、その封止樹脂によるパッケー
ジに熱衝撃によるクラックが生じるのを防止することが
できるように々る、という効果が得られる。
との間に、例えばポリイミド系樹脂のように、耐熱性と
ともに、封止樹脂よ、りも大きな可塑性を有し、かつ金
属と樹脂の両方に対して接着性を有する樹脂の層を設け
ること【より、金属製タブと封止樹脂の熱膨張差を樹脂
層で吸収できることよシ、その封止樹脂によるパッケー
ジに熱衝撃によるクラックが生じるのを防止することが
できるように々る、という効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、上記樹脂層１
１はポリイミド系以外の樹脂層であってもよい。また、
その樹脂層１１の形成は、金属製タブ２に半導体チップ
を装着し′ト後にボッティングで滴下して形成してもよ
い。
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、上記樹脂層１
１はポリイミド系以外の樹脂層であってもよい。また、
その樹脂層１１の形成は、金属製タブ２に半導体チップ
を装着し′ト後にボッティングで滴下して形成してもよ
い。
以上、本発明者によってなされた発明をその背景となっ
た利用分野である表面実装型の半導体集積回路装置に適
用した場合について説明したが、−それに限定されるも
のではなく、例えば基板挿入型の端子リードを有する半
導体集積回路装置゛などにも適用できる。
た利用分野である表面実装型の半導体集積回路装置に適
用した場合について説明したが、−それに限定されるも
のではなく、例えば基板挿入型の端子リードを有する半
導体集積回路装置゛などにも適用できる。
第１図はこの発明が適用された表面実装型半導体集積回
路装置の実装状態を示す断面図、第２図（ａ）（ｂ）（
Ｃ）は第１図の半導体集積回路装置の樹脂封止が行われ
る付近の工程を順に示す断面図、第３図は従来の表面実
装型半導体集積回路装置の実装状態を示す断面図である
。 ＩＣ・・・表面実装型半導体集積回路装置、１・・・封
止樹脂、２・・・金属製タブ、３・・・端子リード、４
・・・半導体チップ、５・・・ボンディングワイヤ、６
・・・プリント配線基板、７・・・導体ランド、８・・
・ハンダ、１１・・・樹脂層（ポリイミド系樹脂層）。 第 １ 図 第 ２ 図 （どｔ−）
路装置の実装状態を示す断面図、第２図（ａ）（ｂ）（
Ｃ）は第１図の半導体集積回路装置の樹脂封止が行われ
る付近の工程を順に示す断面図、第３図は従来の表面実
装型半導体集積回路装置の実装状態を示す断面図である
。 ＩＣ・・・表面実装型半導体集積回路装置、１・・・封
止樹脂、２・・・金属製タブ、３・・・端子リード、４
・・・半導体チップ、５・・・ボンディングワイヤ、６
・・・プリント配線基板、７・・・導体ランド、８・・
・ハンダ、１１・・・樹脂層（ポリイミド系樹脂層）。 第 １ 図 第 ２ 図 （どｔ−）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップが装着された金属製タブを樹脂で封止
・固定してなる半導体集積回路装置であって、耐熱性と
ともに、封止樹脂よりも大きな可塑性を有し、かつ金属
と樹脂の両方に対して接着性を有する樹脂層を、金属製
タブと封止樹脂との間に面状に介在させたことを特徴と
する半導体集積回路装置。 ２、上記樹脂層がポリイミド系樹脂からなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体集積回路装置
。 ３、上記金属製タブの背面に上記樹脂層が全面的に塗付
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60174130A JPS6235655A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60174130A JPS6235655A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235655A true JPS6235655A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=15973180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60174130A Pending JPS6235655A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235655A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084753A (en) * | 1989-01-23 | 1992-01-28 | Analog Devices, Inc. | Packaging for multiple chips on a single leadframe |
| US5089878A (en) * | 1989-06-09 | 1992-02-18 | Lee Jaesup N | Low impedance packaging |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58440B2 (ja) * | 1971-11-20 | 1983-01-06 | フエルナオ・アウグスト・デ・アラウ−ホ・ヴイセンテ | １７，２１−ジヒドロキシ−２０−ケトプレグナン類の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60174130A patent/JPS6235655A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58440B2 (ja) * | 1971-11-20 | 1983-01-06 | フエルナオ・アウグスト・デ・アラウ−ホ・ヴイセンテ | １７，２１−ジヒドロキシ−２０−ケトプレグナン類の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084753A (en) * | 1989-01-23 | 1992-01-28 | Analog Devices, Inc. | Packaging for multiple chips on a single leadframe |
| US5089878A (en) * | 1989-06-09 | 1992-02-18 | Lee Jaesup N | Low impedance packaging |
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