JPS58440B2 - 17,21−ジヒドロキシ−20−ケトプレグナン類の製造方法 - Google Patents

17,21−ジヒドロキシ−20−ケトプレグナン類の製造方法

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JPS58440B2
JPS58440B2 JP5964881A JP5964881A JPS58440B2 JP S58440 B2 JPS58440 B2 JP S58440B2 JP 5964881 A JP5964881 A JP 5964881A JP 5964881 A JP5964881 A JP 5964881A JP S58440 B2 JPS58440 B2 JP S58440B2
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JP
Japan
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hydroxy
acid
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JP5964881A
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JPS5718699A (en
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フエルナオ・アウグスト・デ・アラウーホ・ヴイセンテ
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F1/00Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table
    • C07F1/02Lithium compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Steroid Compounds (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、17−位にケト基を有するステロイドへコル
チコステロイドに特有のジヒドロキシケト基を導入する
方法に係る。
この工程は、コルチコステロイドの全合金に於ける重要
な工程であるので、工業的に極めて重要である。
本発明は、 a)予め他の存在可能なケト基を保護した17−ケトス
テロイドと下記式で示されるα−リチウムアルキルビニ
ルエーテルとを 〔式中、Rは炭素数1〜5の直鎖又は分岐鎖のアルキル
基を示す〕 不活性有機溶媒中で反応させて17−ヒドロキシ−20
−メチルエノールエーテルを生成し、b)前記17−ヒ
ドロキシ−20−メチルエノールエーテルを、過酸好ま
しくはm−クロル過安息香酸で酸化し、次に酸好ましく
は酢酸の存在下で加水分解することを特徴とする17.
21−ジヒドロキシ−20−ケトプレグナン類の製造方
法を提供する。
本発明のこの新規な方法は、上記反応にα−リチウムア
ルキルビニルエーテルが適当な試薬であることを知見し
たことに基づくものである。
このα−リチウムアルキルビニルエーテルは、アルキル
ビニルエーテルを適当な不活性溶媒中、低温度でリチウ
ム化することによって簡単に得られる。
好ましい方法としては、有機リチウム化合物を過剰のメ
チルビニルエーテルと反応させる。
この反応を次式に示す。
〔式中、Rは1から5の炭素原子を有する直鎖又は分岐
鎖アルキル基、例えばメチル、エチル、n−プロピル、
イソプロピル、ブチル又はペンチル基を示し、R′は有
機残基を示す〕 この反応は低温度、好ましくは−60から0℃で行なわ
れ、この場合テトラヒドロフランが溶媒としては特に有
益である。
エーテル類(資)は、その高い反応性の故に、実際には
単離できない。
そして、その溶液もまた、暖めたり或いは長時間放置し
ておくと、分解して主として低分子量の炭化水素になり
やすい。
しかしながら、(4)が存在することは、その溶液の物
理的化学的性質から明らかである。
前記式(資)と予め他の存在可能なケト基を保護した1
7−ケトステロイドとを好ましくは一20℃以下の温度
で反応させると、20,21側鎖が新しく導入される。
新たに導入された20.21側鎖の立体配位は主に16
位の置換基例えばβ−メチル基の存在に依存し、α−及
びβ−配位のいずれも有しうる。
以下に20,21側鎖がβ一位に配位されて17−ヒド
ロキシ−20−メチルエノールエーテル閏が得られるエ
ーテル類(4)の適用を次式に示す。
〔式中、Sは場合によって置換されたiA、BおよびC
を有するステロイド分子の残基を示す〕次いで式凹を過
酸好ましくはm−クロル過安息香酸で酸化し、酸の存在
下で加水分解すると、次式に従って21一位に水酸基を
導入し、20一位ケト基(式〔独)を得る。
20.21側鎖がα一位に配位されるエーテル類〔独の
適用を次式に示す。
〔式中、Sは場合によって置換された環A、BおよびC
を有するステロイド分子の残基を示す〕しかしながら、
2個の炭素原子の鎖を含む17−α位に導入された基の
配位は、スルフィネートの転位を利用する方法によって
β−配位に逆転できる。
化合物■をスルフィン酸誘導体、例えばp−ニトロフェ
ニルスルフィン酸クロライドと反応させると、次式に従
ってスルフィネート噂が形成され、加熱すると、17.
20一位に二重結合を有するスルホン(7)へ転位する
〔式中、Sは前記に同じ、R1はスルフィン酸の有機残
基、例えばp−ニトロフェニル基を示す〕次いで、エノ
ールエーテル端を酸化すると、次式に従って、17−β
配位の20.21側鎖、17−α配位の水酸基および2
0一位ケト基が得られる。
〔式中、R2C03Hは、過安息香酸のような有機過酸
化物或いはm−クロル過安息香酸のような置換過安息香
酸を示す〕 21−スルホン〔幻のコルチコステロイド〔功へ)転化
は、必要ならば、アルミニウムアマルガム処理によって
行なわれる。
最終生成物は、17−α−ヒドロキシル−20−ケトン
であり、側鎖はβ−配位を有している。
ステロイドに20.21側鎖を導入する本発明方法の1
つの利点は、他の置換基特に炭素原子16の置換基を、
後で置換するとしばしば製造上の重大な困難さに出合う
ために、始めに導入しておくことができるという点にあ
る。
次に実施例で本発明の詳細な説明する。
実施例 1 a) α−リチウム−メチルビニルエーテルの生成t
ert、−ブチル−リチウムの1.8Mペンタン溶液4
17m1を、あらかじめ−60℃まで冷却した乾燥テト
ラヒドロフラン300m1へ添加した。
黄色沈澱が生じた。この混合物へ、メチルビニルエーテ
ル60m1を加え、固体沈澱物が溶解するまで(−26
℃)温度を上昇せしめると、溶液は澄明な黄色となつた
次いで、この溶液を1時間攪拌後、0°Cに保持した。
ギルマン試験によって、tert、−ブチル−リチウム
が完全に消費されたことがわかった。
この溶液は、分解することなしに数時間0℃で保存し得
た。
b)3.20−ジメトキシ−17β−ヒドロキシ−19
−ツルー17α−プレグナ−1,4,9(10) 、
20−テトラエン a)で製造したリチウムメチルビニルエーテルのテトラ
ヒドロフラン溶液を一20℃まで冷却シた後、エストロ
ン−3−メチルエーテル45gを含むテトラヒドロフラ
ン600m1をゆっくりと加えた。
この混合物を加熱して0℃として、1時間攪拌し続けた
後、再び一20℃まで冷却し、塩化アンモニウムの飽和
水溶液をゆっくりと混合した。
有機層を分離し、固体残渣をジイソプロピルエーテルで
洗浄し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃
縮し30m1とした。
攪拌しながらヘキサン500m1へ滴下すると、微小結
晶生成物(m、p、145℃)が90%の収率で得られ
た。
c) 3−メトキシ−17β、21−ジヒドロキシ−
19−ノルプレグナ−1,4、9(10)−トリエン−
20−オン b)で製造した3、20−ジメトキシ−17β−ヒドロ
キシ−19−ツルー17α−プレグナ−1,4,9αc
i)、2o−テトラエン34gを二塩化メタン中に溶解
し、0℃に冷却した。
その後直ちに、m−クロル過安息香酸12gを溶解した
二塩化メタン溶液を攪拌下に添加する。
室温で8時間攪拌した後、この溶液を重炭酸ナトリウム
溶液で洗浄し、二塩化メタンを留去し、残渣を酢酸16
0m1及び水40m1中に入れ、環流温度で10分間加
熱した。
この溶液を再び減圧下で濃縮し、クロロホルム中に入れ
、次いで重炭酸ナトリウム溶液で洗浄した。
硫酸ナトリウムで乾燥し、クロロホルム/ヘキサンから
再結晶した後、標題の化合物m、p193℃、31gを
得た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 a)予め他の存在可能なケト基を保護した17−
    ケトステロイドと下記式で示されるα−リチウムアルキ
    ルビニルエーテルとを 〔式中、Rは炭素数1〜5の直鎖又は分岐鎖のアルキル
    基を示す〕 不活性有機溶媒中で反応させて17−ヒドロキシ−20
    −メチルエノールエーテルを生成し、b) 前記17
    −ヒドロキシ−20−メチルエノールエーテルを、過酸
    好ましくはm−クロル過安息香酸で酸化し、次に酸好ま
    しくは酢酸の存在下で加水分解することを特徴とする1
    7.21−ヒドロキシ−20−ケトプレグナン類の製造
    方法。
JP5964881A 1971-11-20 1981-04-20 17,21−ジヒドロキシ−20−ケトプレグナン類の製造方法 Expired JPS58440B2 (ja)

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PT5681671 1971-11-20

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JPS5718699A JPS5718699A (en) 1982-01-30
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JP11707872A Expired JPS5439370B2 (ja) 1971-11-20 1972-11-20
JP14915377A Granted JPS53121754A (en) 1971-11-20 1977-12-12 Process for preparing 17alpha or 17betahydroxy compound of 200ketopregnane or 17alphaapregnane
JP5964881A Expired JPS58440B2 (ja) 1971-11-20 1981-04-20 17,21−ジヒドロキシ−20−ケトプレグナン類の製造方法

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JPS6235655A (ja) * 1985-08-09 1987-02-16 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPS6365655A (ja) * 1986-09-05 1988-03-24 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH01120343U (ja) * 1988-02-09 1989-08-15
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JPS4861410A (ja) 1973-08-28
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JPS53121754A (en) 1978-10-24
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JPS5718699A (en) 1982-01-30

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