JPS6232783B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6232783B2 JPS6232783B2 JP11710679A JP11710679A JPS6232783B2 JP S6232783 B2 JPS6232783 B2 JP S6232783B2 JP 11710679 A JP11710679 A JP 11710679A JP 11710679 A JP11710679 A JP 11710679A JP S6232783 B2 JPS6232783 B2 JP S6232783B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- patterns
- dimensions
- mask
- photo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の検査方法に関するもので
あり、その目的とするところは、ホトマスクのパ
ターン設計寸法に対するホトレジストパターンの
寸法の忠実度および位置合せの良否を目視検査等
にて極めて簡単に判断することにある。
あり、その目的とするところは、ホトマスクのパ
ターン設計寸法に対するホトレジストパターンの
寸法の忠実度および位置合せの良否を目視検査等
にて極めて簡単に判断することにある。
半導体IC、LSIの製造プロセス中のホトエツチ
工程にて、ホトレジストパターンのホトマスクパ
ターンに対する忠実度は、微小寸法ルールになれ
ばなるほど厳しくなつてきている。ホトレジスト
パターンのパターン寸法はそのパターンに対応す
るホトマスクパターン寸法によつてほぼ決定され
るが、露光条件、現像条件、ベーキング条件等に
よつて、±１μｍ程度は十分制御できる。それ
故、適性なパターン寸法を得るために、例えば露
光量を決定したい時、種々の露光条件のウエハを
作成しそのパターン寸法をマスクパターン中の適
当な場所の寸法を寸法測定器（例えばテレコンパ
レーター）で測定し、ホトマスクパターンのパタ
ーン寸法と比較していた。
工程にて、ホトレジストパターンのホトマスクパ
ターンに対する忠実度は、微小寸法ルールになれ
ばなるほど厳しくなつてきている。ホトレジスト
パターンのパターン寸法はそのパターンに対応す
るホトマスクパターン寸法によつてほぼ決定され
るが、露光条件、現像条件、ベーキング条件等に
よつて、±１μｍ程度は十分制御できる。それ
故、適性なパターン寸法を得るために、例えば露
光量を決定したい時、種々の露光条件のウエハを
作成しそのパターン寸法をマスクパターン中の適
当な場所の寸法を寸法測定器（例えばテレコンパ
レーター）で測定し、ホトマスクパターンのパタ
ーン寸法と比較していた。
この方法では、その度に何枚ものウエハのパタ
ーン寸法を測定しなければならず、又その寸法に
相当するマスクパターン寸法を覚えておかなけれ
ばならず、露光量を決定するだけでも非常に作業
能率が悪かつた。
ーン寸法を測定しなければならず、又その寸法に
相当するマスクパターン寸法を覚えておかなけれ
ばならず、露光量を決定するだけでも非常に作業
能率が悪かつた。
本発明は、上述のような従来の欠点に鑑みこれ
を改良するものである。以下、第１図〜第３図を
用いて本発明を説明する。
を改良するものである。以下、第１図〜第３図を
用いて本発明を説明する。
第１図において１を文字Ｂ、Ｂパターンに対応
するレジスターマークを２とする。ホトＢ工程
（Ｂマスクを用いてウエハ上にパターンニングす
る工程）に用いるＢマスク内のマスク合せ用アラ
イメントキーは第２図のようになり、３はアライ
メントキー、４は文字Ｂ、Ｂパターン内で一番重
要なパターンたとえば最小寸法等着目すべき寸法
名５を記入する（例えば2.8μｍと記入する）。そ
して、例えばその着目すべき寸法名５の幅をもつ
た適当な長さのパターン７，８，９，１０をＸ方
向、Ｙ方向に２個ずつ及びパターン残し、抜きを
２個ずつ計４個設ける。第２図において斜線部は
マスク上例えばCrが蒸着されたところで白ヌキ
部が透明部とする。従つて、ポジレジストを用い
た場合パターンニングされたウエハ上ではパター
ン７，１０は残し、パターン８，９は抜きとな
る。寸法判断領域６及び寸法名５の形状は任意で
あるがそのアライメント領域での配置は着目すべ
きホトエツチ工程のアライメントキー３のすぐ近
くにパターン設計し、他のホトエツチ工程のそれ
と混同せずかつ、例えば目視検査において合せ精
度、パターン寸法忠実度を顕微鏡の同一視野内で
見えるようにする。
するレジスターマークを２とする。ホトＢ工程
（Ｂマスクを用いてウエハ上にパターンニングす
る工程）に用いるＢマスク内のマスク合せ用アラ
イメントキーは第２図のようになり、３はアライ
メントキー、４は文字Ｂ、Ｂパターン内で一番重
要なパターンたとえば最小寸法等着目すべき寸法
名５を記入する（例えば2.8μｍと記入する）。そ
して、例えばその着目すべき寸法名５の幅をもつ
た適当な長さのパターン７，８，９，１０をＸ方
向、Ｙ方向に２個ずつ及びパターン残し、抜きを
２個ずつ計４個設ける。第２図において斜線部は
マスク上例えばCrが蒸着されたところで白ヌキ
部が透明部とする。従つて、ポジレジストを用い
た場合パターンニングされたウエハ上ではパター
ン７，１０は残し、パターン８，９は抜きとな
る。寸法判断領域６及び寸法名５の形状は任意で
あるがそのアライメント領域での配置は着目すべ
きホトエツチ工程のアライメントキー３のすぐ近
くにパターン設計し、他のホトエツチ工程のそれ
と混同せずかつ、例えば目視検査において合せ精
度、パターン寸法忠実度を顕微鏡の同一視野内で
見えるようにする。
一方、パターン抜き、残しの同一パターン７と
８及び９と１０を設けたのは、通常、適性露光だ
と例えばこれらのマスクパターンがパターンニン
グされたウエハ上ではパターン７，８に対応して
形成されたパターンの幅が等しくなり、露光オー
バーだと、仮にポジ型レジストを使用していると
技きパターン８に対応するパターンの幅の寸法が
残しパターン７に対応するパターンの幅より広く
パターンニングされ、露光オーバーであることは
すぐに判断できる。人間の目というものは絶対寸
法の測定の誤差は大きいが、寸法の相対比較の誤
差は非常に少なく、本発明この原理を有効に利用
することが可能となる。
８及び９と１０を設けたのは、通常、適性露光だ
と例えばこれらのマスクパターンがパターンニン
グされたウエハ上ではパターン７，８に対応して
形成されたパターンの幅が等しくなり、露光オー
バーだと、仮にポジ型レジストを使用していると
技きパターン８に対応するパターンの幅の寸法が
残しパターン７に対応するパターンの幅より広く
パターンニングされ、露光オーバーであることは
すぐに判断できる。人間の目というものは絶対寸
法の測定の誤差は大きいが、寸法の相対比較の誤
差は非常に少なく、本発明この原理を有効に利用
することが可能となる。
本実施において、Ｘ、Y2方向に設けたのは、
マスク露光装置の方式によりパターン寸法に指向
性があるものもあり、着目すべき寸法の実際のパ
ターンがＸ方向かＹ方向にあるのか、露光装置の
指向性と実際パターンの配置を考慮してＸ、Y2
方向に設けた。
マスク露光装置の方式によりパターン寸法に指向
性があるものもあり、着目すべき寸法の実際のパ
ターンがＸ方向かＹ方向にあるのか、露光装置の
指向性と実際パターンの配置を考慮してＸ、Y2
方向に設けた。
尚、第３図はホト工程３工程（Ｂ、Ｃ、Ｄ工
程）のマスク合せを終了した後のウエハ上形成パ
ターンの様子であるが１１がＣ、１２がＤ、１３
がＤ、１４が寸法2.0μｍ、１５，１６，１７，
１８がそれぞれ寸法2.0μｍに対する判定パター
ンである。
程）のマスク合せを終了した後のウエハ上形成パ
ターンの様子であるが１１がＣ、１２がＤ、１３
がＤ、１４が寸法2.0μｍ、１５，１６，１７，
１８がそれぞれ寸法2.0μｍに対する判定パター
ンである。
本発明によれば、抜き、残しパターンの幅を正
確に比較でき、微細加工のホトレジストパターン
のパターン寸法の判定が、ホトレジストパターン
寸法がマスク寸法に忠実かどうか、その都度、パ
ターン幅測定器（例えばテレコンパレータ）で測
定しなくても、顕微鏡を用いての目視検査で、そ
の判定が一目瞭然であるとともに、パターン幅測
定器等を使つてより正確な測定が可能となる。第
３図のように全体的に見た場合、どのホトエツチ
工程はマスク寸法に忠実であり、あるいはパター
ン寸法が大きめであるとかが全て、極めてわかり
やすくチツプの一場所にエツチング工程後は履歴
として残り、後の不良解析に対してもプロセス
（特にホトエツチ工程）に関する十分な資料とな
る。
確に比較でき、微細加工のホトレジストパターン
のパターン寸法の判定が、ホトレジストパターン
寸法がマスク寸法に忠実かどうか、その都度、パ
ターン幅測定器（例えばテレコンパレータ）で測
定しなくても、顕微鏡を用いての目視検査で、そ
の判定が一目瞭然であるとともに、パターン幅測
定器等を使つてより正確な測定が可能となる。第
３図のように全体的に見た場合、どのホトエツチ
工程はマスク寸法に忠実であり、あるいはパター
ン寸法が大きめであるとかが全て、極めてわかり
やすくチツプの一場所にエツチング工程後は履歴
として残り、後の不良解析に対してもプロセス
（特にホトエツチ工程）に関する十分な資料とな
る。
このように本発明はこれからの半導体装置の高
精度、微細加工技術に関し、ホトマスクのウエハ
上への形成パターン寸法の忠実度の検査方法の観
点から非常に重要なものであることがわかる。
精度、微細加工技術に関し、ホトマスクのウエハ
上への形成パターン寸法の忠実度の検査方法の観
点から非常に重要なものであることがわかる。
第１図は本発明を説明するためのマスクの構成
図の一部の平面図、第２図は本発明の一実施例に
おけるマスク合せ用キー付近の平面図、第３図は
Ｂ、Ｃ、Ｄのホト工程を終了した（パターンニン
グされた）後のウエハ上のマスク合せ用キー付近
の平面図である。 ５……着目寸法表示、６……寸法パターン表示
領域、７，１０……パターン残し表示パターン、
８，９……パターン抜き表示パターン。
図の一部の平面図、第２図は本発明の一実施例に
おけるマスク合せ用キー付近の平面図、第３図は
Ｂ、Ｃ、Ｄのホト工程を終了した（パターンニン
グされた）後のウエハ上のマスク合せ用キー付近
の平面図である。 ５……着目寸法表示、６……寸法パターン表示
領域、７，１０……パターン残し表示パターン、
８，９……パターン抜き表示パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスク合せキーの近傍にパターン寸法チエツ
ク用の抜き及び残しパターンを設けたホトマスク
を用い、前記マスクによるホトエツチング工程で
形成されたキーパターンとチエツク用の抜き及び
残しパターンを顕微鏡の同一視野内で目視検査す
ることを特徴とする半導体装置の検査方法。 ２ 垂直ならびに水平方向にチエツク用パターン
を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11710679A JPS5640242A (en) | 1979-09-11 | 1979-09-11 | Mask for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11710679A JPS5640242A (en) | 1979-09-11 | 1979-09-11 | Mask for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5640242A JPS5640242A (en) | 1981-04-16 |
| JPS6232783B2 true JPS6232783B2 (ja) | 1987-07-16 |
Family
ID=14703542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11710679A Granted JPS5640242A (en) | 1979-09-11 | 1979-09-11 | Mask for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5640242A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5960439A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Fujitsu Ltd | フオト・マスク |
| JPS59143159A (ja) * | 1983-02-07 | 1984-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 写真製版技術におけるパタ−ン重ね合わせ方法 |
| JPS60202933A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-14 | Fujitsu Ltd | レチクルの検査方法 |
| JPH07111953B2 (ja) * | 1988-12-13 | 1995-11-29 | 富士通株式会社 | ホトリソグラフィのパターン寸法管理方法 |
-
1979
- 1979-09-11 JP JP11710679A patent/JPS5640242A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5640242A (en) | 1981-04-16 |
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