JPS6232345Y2

JPS6232345Y2 -

Info

Publication number: JPS6232345Y2
Application number: JP1980000665U
Authority: JP
Priority date: 1980-01-08
Filing date: 1980-01-08
Publication date: 1987-08-19
Also published as: JPS56103927U

Description

【考案の詳細な説明】この考案は、例えばヘリカルスキヤン型の
VTRにおいて、再生時、映像トラツクに対して
ダイナミツクトラツキングを行う場合に使用して
好適な磁気ヘツド装置に関する。

まず、ダイナミツクトラツキングについて説明
しよう。

第１図Ａにおいて、１は再生ヘツド、９は磁気
トラツクを示す。そして、これらヘツド１及びト
ラツク９のトラツク幅が共にＴ_wで等しく、ま
た、トラツク９には、映像信号がFM信号に変換
された状態で一定のレベルで記録されているとす
る。すると、ヘツド１とトラツク９との中心間隔
をｘとして、この間隔ｘと、ヘツド１の再生レベ
ルＥとの関係を示すと、第１図Ｂの特性８のよう
になる。

従つて、ヘツド１の再生レベルＥは、ヘツド１
のトラツキングずれの大きさを示しているので、
このレベルＥに基づいてヘツド１をトラツク幅方
向に偏移させれば、正しいトラツキングができ
る。

しかし、第１図Ｂの特性８においては、ヘツド
１が正方向（図の右方向）にずれても、負方向
（図の左方向）にずれても、レベルＥは同じよう
に変化するので、ヘツド１のずれの方向を検出で
きず、従つて、ヘツド１をトラツク幅方向に偏移
させるといつても、どちらの方向へ偏移させれば
よいか決らない。

第２図に示すように（曲線１Ｃはヘツド１の中
心の走査軌跡を示す）、ヘツド１をトラツク幅方
向に振動させながらトラツク９を走査させる。な
お、この振動の周波数をω、振幅をΔｗとする。
また、振幅Δｗはトラツク幅Ｔ_wの例えば10％で
ある。

従つて、ヘツド１の振動の中心とトラツク９の
中心との間隔、すなわち、平均的な中心間隔を
とすると、第３図Ａに示すように、＝０で、ヘ
ツド１がトラツク９の中心を振動の中心としなが
らトラツク９を走査している場合には、再生レベ
ルＥは、第３図Ｂに示すように変化する。

また、第４図Ａに示すように、ヘツド１が＝
x₁（０＜x₁≦Δｗ）だけ正方向にずれて走査して
いる場合には、再生レベルＥは、第４図Ｂに示す
ように変化する。

さらに、第５図Ａ及び第６図Ａに示すように、
ヘツド１のずれが大きくなるにつれて、再生レベ
ルＥは、第５図Ｂ及び第６図Ｂに示すように変化
する。

一方、第７図Ａに示すように、ヘツド１が＝
−x₂だけ負方向にずれている場合には、再生レベ
ルＥは、第７図Ｂに示すように変化する。

従つて、再生レベルＥの変化ΔＥ（エンベロー
プ）を取り出し、これを周波数ωの信号で同期検
波すると、その検波出力Ｅωは、平均的な中心間
隔に対して第８図に示すような特性となる。す
なわち、＝０の場合（第３図）には、再生レベ
ルＥの変化ΔＥに周波数ωの成分が含まれないの
で、Ｅω＝０となる。

また、＝x₁の場合（第４図）には、再生レベ
ルＥの変化ΔＥに周波数ωの成分が含まれると共
に、この成分のレベルは間隔が大きくなるにつ
れて大きくなる。

さらに、＝x₂の場合（第５図）には、再生レ
ベルＥの変化ΔＥは周波数ωの成分だけになると
共に、間隔が変化してもこの成分のレベルは変
化しない。

そして、＝x₃の場合（第６図）には、再生レ
ベルＥの変化ΔＥに周波数ωの成分が含まれる
が、間隔が大きくなるにつれて小さくなる。

従つて、まず、＞０の場合には、第８図の右
半分の特性となる。

一方、第５図Ａと第７図Ａとでは、ヘツド１の
振動の位相は同じであるが、第５図Ｂと第７図Ｂ
とでは、レベルＥの変化ΔＥの位相が逆になつて
いる。従つて、＜０の場合には、同期検波出力
Ｅωは、＞０の場合と同レベルであるが、極性
が反転する。

従つて、同期検波出力Ｅωと、間隔との関係
は、第８図に示すようになる。

従つて、この検波出力Ｅωの極性に基づいてヘ
ツド１の偏移方向を制御すると共に、検波出力Ｅ
ωのレベルに基づいてヘツド１の偏移量を制御す
れば、トラツク９の全長に対してヘツド１のトラ
ツキングサーボができる。

そして、このようなダイナミツクトラツキング
をヘリカルスキヤン型のVTRの回転ヘツドにつ
いて行う場合、そのヘツド装置は、例えば第９図
〜第１１図に示すように構成される。

すなわち、これらの図において、１１，１２は
電圧屈曲型のピエゾ・セラミツク板を示し、これ
らはその厚さ方向１５が分極の方向となるように
台形ないし帯状に形成されると共に、その一端に
ねじ止め用の切欠１３が形成される。そして、こ
のセラミツク板１１，１２の両面には、第１１図
にクロスハツチで示すように、全面にわたつて電
極２１，２２が形成されると共に、分極の方向が
互いに同方向となるように例えばシアノアクリレ
ートモノマー系の接着剤により互いに接着されて
バイモルフ素子１０とされる。

また、この素子１０の切欠１３とは反対側の端
部に、磁気ヘツド１が例えば接着剤により取り付
けられ、素子１０の切欠１３側の端部が支持部材
３１，３２により挟持されると共に、ねじ３３
が、支持部材３１，３２の透孔及び素子１０の切
欠１３を貫通して回転ドラム３４にねじ込まれ、
素子１０はドラム３４に取り付けられる。

従つて、この素子１０の電極２１，２２に周波
数ωの交番電圧が供給されれば、素子１０はその
電界によつて厚さ方向１５にたわみ、周波数ωで
振動するので、ヘツド１は第２図に示すように周
波数ωでトラツク幅方向に振動しながらトラツク
９を走査する。

従つて、このとき、電圧Ｅωが素子１０の電極
２１，２２に供給されれば、ヘツド１はトラツク
９を自動トラツキングする。

ところが、このようなヘツド装置では、第１２
図に示すように、セラミツク板１１，１２の切欠
１３の付近に、放射状あるいは貝がら状にひび割
れ１９を生じることがあつた。

そこで、このひび割れ１９の発生原因につい
て、本考案者が、実験を行つたところ、これは次
のような理由によることが判明した。すなわち、
素子１０にウオブリング用の交番電圧及びトラツ
キング用の電圧Ｅωが供給されると、素子１０は
これらの電圧によつて厚さ方向１５にたわむ。そ
して、このとき、電極２１，２２は、セラミツク
１１，１２の全面にわたつて形成されているの
で、セラミツク板１１，１２は全体がたわもうと
するが、切欠１３の周囲は支持部材３１，３２に
よつて挟持されている。このため、セラミツク板
１１，１２の支持部材３１，３２によつて挟持さ
れている部分には、大きな応力が発生し、これに
よつてセラミツク板１１，１２の切欠１３の周囲
にはひび割れ１９を生じてしまう。

この考案は、このような実験結果に基づき、素
子１０のひび割れ１９を防止しようとするもので
ある。

このため、この考案においては、第１３図及び
第１４図にクロスハツチで示すように電極２１，
２２を選択的に形成する。すなわち、電極２１，
２２を、セラミツク板１１，１２の切欠１３側の
端部まで形成するが、この端部では両側部２１
Ａ，２２Ａのみとし、切欠１３の周囲には形成し
ない。また、このとき、電極２１，２２は、セラ
ミツク板１１，１２の長さ方向の中心線に関して
対称に形成すると共に、電極２１と２２とが対向
するようにセラミツク板の表裏同位置に形成す
る。

なお、電極２１，２２をこのように選択的に形
成するには、例えば、セラミツク板１１，１２に
銀粒子をスクリーン印刷したのちに焼き付ける
か、あるいは、ニツケルを無電解メツキすればよ
く、電極形成時にマスクをかけることにより上述
のパターンにできる。

さらに、例えば、支持部材３１，３２の少なく
とも一方は、素子１０との対接部分が電極２１，
２２に接触しない形状及び大きさとする。

また、両側部２１Ａ，２２Ａに外部リード線２
３、２４を接続すると共に、このリード線２３，
２４を第１５図に示すように逆極性に並列接続す
る。

なお、この素子１０は第９図において説明した
ように組み立てる。

このような構成によれば、素子１０にウオブリ
ング用の交番電圧及びトラツキング用の電圧Ｅω
が供給されると、これにより素子１０はたわむ
が、このとき、支持部材３１，３２で挟持されて
いる部分には、電極２１，２２を形成していない
ので、ここに応力が発生することがなく、従つ
て、ひび割れ１９を生じることがない。

また、電極２１，２２に両側部２１Ａ，２２Ａ
を形成しているので、リード線２３，２４を容易
に引き出すことができる。しかも、この場合、両
側部２１Ａ，２２Ａを対称に、かつ、表裏同位置
に形成しているので、セラミツク板１１，１２が
ねじれたり、よじれたりすることがなく、従つ
て、ヘツド１の走査位置がずれたり、アジマスが
ずれたりすることがない。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１２図はこの考案を説明するための
図、第１３図〜第１５図はこの考案の一例の図で
ある。１０はバイモルフ素子である。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

板状の電歪素子の長さ方向の一端に磁気ヘツド
が設けられ、他端が基部に固定されると共に、上
記電歪素子には、これに電界を与える電極が設け
られ、この電極に制御電圧を供給することにより
上記電歪素子にたわみを生じて上記磁気ヘツドが
偏移するようにされた磁気ヘツド装置において、
上記電極は、上記電歪素子が上記基部に固定され
る部分には形成されないと共に、上記基部の固定
部分において、上記磁気ヘツドと上記基部の固定
部分とを結ぶ中心線に関して対称に形成されたヘ
ツド装置。