JPS6231118A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 この発明は、電子ビーム露光方法において、一つの偏向
器に生ずる過渡現象を電流によって検知し、他の偏向器
の信号を補正することにより、損失時間を短縮し、スル
ープットを向上するものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は電子ビーム露光方法にかかり、主偏向系に生ず
る過渡現象を副偏向系で補正することにより従来より待
ち時間を短縮し、スループットを向上する電子ビーム露
光方法に関する。

半導体集積回路装置（以下ｒｃと略称する）等の微細で
高密度のパターンを実現する微細加工技術は、レジスト
をパターニングする技術と、このレジストパターンをマ
スクとして半導体基体等をエツチングする技術との複合
技術である。

レジストをパターニングするための露光方法として、電
子ビーム露光方法は単に高解像力であるのみならず、パ
ターンジェネレータの機能を備えかつ製作時間が短縮さ
れる利点を有し、ＩＣ等のレチクルマスク、マスターマ
スク及びウェーハ直接描画の何れにも適用されるが、そ
のスループットの一層の向上が要望されている。

〔従来の技術〕

ＩＣ等の各パターンの設計データに基づく電子ビ−ム露
光処理は、例えば第２図に示すブロック図の如〈実施さ
れる。

すなわち、磁気ディスク２１に記録された設計データは
プロセッサ２２によってパンツアメモリ２３に移され、
パターンゼネレータ２４において露光処理単位とする通
常は矩形の画素の組合せに分解される。この分解された
各画素のデータに補正演算回路２５においてパターンの
歪の発生を除去するための座標変換が行われて、各画素
の座標を決定する主偏向、副偏向及び矩形の辺長を決定
するビーム成形偏向の１組のデータが決定される。

ついでこれらのデータはそれぞれドライバ２６ａ。

ｂ、ｃ　、レシーバ２７ａ、ｂ、ｃにより移送され、ラ
ッチング回路２８ａ、ｂ、ｃを介してデジタル／アナロ
グコンバータ２９ａ、ｂ、ｃでアナログ信号に変換され
る。

アナログ化された信号は増幅器３０ａ＋ｂ、ｃで増幅さ
れ、主偏向器３１ａ、副偏向器３１ｂ及びビーム成形偏
向器３１ｃにそれぞれ入力される。

この偏向器への入力に同期して、ブランキング電極３３
による電子ビームのブランキングが解除され、その成形
、偏向がこれらの偏向器３１ａ、　ｂ、　ｃで行われて
所要の露光が実施される。

電子ビームは通常上述の如く、主偏向器３１ａにより例
えば１辺が１００μｍの正方形のサブフィールドの中心
に偏向され、この中心を基準として副偏向器３１ｂによ
りサブフィールド内の照射位置に偏向される。通常この
主偏向器３１ａは電磁偏向器、副偏向器３１ｂは静電偏
向器であり、これらは電気回路的にリアクタンスを含ん
で、偏向信号を入力したときに顕著な過渡現象を伴い、
或いは雑音の混入により過渡現象を含むレスポンスを生
ずる。

偏向信号の入力から過渡現象が収束するまでの時間は出
力整定時間と呼ばれ、電子ビームはその経過を待って出
射されるが、この出力整定時間は電子ビーム偏向位置の
移動量が大きく、通常電磁型である主偏向器において特
に著しい。

〔発明が解決しようとする問題点〕

電子ビーム露光に際して、偏向信号入力後などの過渡現
象の影響を排除することは当然に必要であり、従来その
ための待ち時間をそれぞれ設定しているが、電子ビーム
露光のスループットを向上することは規模の大幅な増大
を続けているＩＣの製造プロセスにおいては重要な問題
であり、特に待ち時間が大きい主偏向器についてその短
縮が強く要望されている。

〔問題点を解決するための手段〕

前記問題点は、第１の電子ビーム偏向器を流れる電流に
含まれる過渡的成分を検知し、第２の電子ビーム偏向器
に入力する信号に該過渡的成分を相殺する補正を加えて
、電子ビームを偏向する本発明による電子ビーム露光方
法により解決される。

〔作　用〕

本発明によれば少なくとも２段の電子ビーム偏向器を用
いる電子ビーム露光方法において、第１の電子ビーム偏
向器に生ずる過渡現象をこれを流れる電流によって検知
し、電子ビームに対するこの過渡現象の効果を相殺する
補正を、第２の電子ビーム偏向器に入力する信号に加え
ることにより、第１の電子ビーム偏向器に生ずる過渡現
象の収束を待つことなく電子ビーム露光を行い、スルー
プットの向上を実現する。

電磁型偏向器による磁界の検出にはこれを流れる電流が
最も適しており、例えば偏向コイルに直列に接続された
抵抗にかかる電圧により検出する従来一般に行われてい
る方法に比較して、過渡現象については特に高精度であ
る。また静電型偏向器の過渡現象の検出についても、こ
れを流れる電流による検出が最も高精度である。

この電流中の過渡的成分は、例えば偏向器の如くリアク
タンス負荷ではない別に設けられた増幅器に、偏向器を
駆動する増幅器と同一の信号を同時に入力し、その出力
と比較することにより検知することができる。

〔実施例〕 以下本発明を実施例により具体的に説明する。

第１図は本発明の実施例に用いる偏向系を示すブロック
図である。

本偏向系では、主偏向系にデジタル／アナログ変換器１
、増幅器２、偏向コイル３、抵抗器ｒ。

ｒ２＋ｒ３、副偏向系にデジタル／アナログ変換器６、
増幅器７、偏向電極８、抵抗器ｒ６＋　ｒ　？＋　ｒ　
Ｉｆを従来と同様に備え、電流検出コイル１０、増幅器
１１〜１３及び抵抗器ｒｌＬ　　’１６が新たに設けら
れている。

本実施例では、増幅器１２に増幅器２と同一の信号が同
時に入力されるが、これはりアクタンス負荷ではなく過
渡現象は急速に収束する。他方偏向コイル３を流れる電
流を電流検出コイル１０で検出し、増幅器１工でその出
力電流の主偏向系における過渡現象酸８束後の値を増幅
器１２の過渡現象収束後の値に一敗させる。

この増幅器１１及び増幅器１２の出力を増幅器１３で比
較して差を検知し、デジタル／アナログ変換器６から増
幅器７に送出する副偏向信号をこの差で補正する。この
補正は増幅器１１及び増幅器１２の出力レベルを予め選
択することにより、例えば前記差電流を副偏向信号電流
に加える簡明な構成とすることが可能である。

この本発明による補正により、出力整定時間が長い主偏
向系の過渡現象の収束を待つことなく、副偏向系の動作
を開始し露光処理に進むことが可能となる。この結果、
ウェーハ当たり例えば２５秒程度と従来の所要時間の約
３０％程度に達する時間短縮が実現される。

更に本発明によれば、雑音等に起因する主偏向系の予期
しない過渡現象も同様に補正され、露光パターン精度が
向上する効果も得られる。

〔発明の効果〕

以上説明した如く本発明によれば、従来時間損失の大き
い要因であった偏向系の過渡現象のための待ち時間が短
縮されてスループットが向上し、更に雑音等に起因する
パターンの乱れが抑制されて、電子ビーム露光処理の効
率が顕著に改善される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に用いる偏向系を示すブロック
図、 第２図は電子ビーム露光装置の従来例を示すブロック図
である。 図において、 ■及び６はデジタル／アナログ変換器、２．７．１１〜
１３は増幅器、 ３は偏向コイル、 ８は偏向電極、 １０は電流検出コイルを示す。 稟ｌ因

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 第１の電子ビーム偏向器を流れる電流に含まれる過渡的
   成分を検知し、 第２の電子ビーム偏向器に入力する信号に該過渡的成分
   を相殺する補正を加えて、電子ビームを偏向することを
   特徴とする電子ビーム露光方法。