JPS6010723A - 電子ビ−ム露光方式 - Google Patents

電子ビ−ム露光方式

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Publication number
JPS6010723A
JPS6010723A JP58119086A JP11908683A JPS6010723A JP S6010723 A JPS6010723 A JP S6010723A JP 58119086 A JP58119086 A JP 58119086A JP 11908683 A JP11908683 A JP 11908683A JP S6010723 A JPS6010723 A JP S6010723A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
magnetic field
coil
deflection
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP58119086A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Osada
俊彦 長田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP58119086A priority Critical patent/JPS6010723A/ja
Publication of JPS6010723A publication Critical patent/JPS6010723A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は電磁偏向の遅れを補正できるようにした電子ビ
ーム露光方式に関する。
(2) 技術の背景 LSIなどの超小型電子回路の製造技術の急速な発展に
伴い。電子ビーム露光装置が注目されている。従来はレ
ーザーなどの光ビームを用いて回路パターンを試料の上
に焼きつけていたが、電子回路のより超小型化の要求に
伴い光ビームのかわりに電子ビームを用いる方式が考え
られた。電子ビームは光ビームと比較して波長が短いた
め、より細かいパターンを試料に露光することが可能で
あり、さらに電子ビームは電界または磁界によって容易
に制御することができるため、コンピュータなどの制御
装置を用いて電子ビームを電子的に制御することによっ
てさまざまな回路パターンを試料に露光することが可能
であるという特徴をもつものである。
(3) 従来技術と問題点 このような電子ビーム露光装置における電子ビームの走
査方式としては、電磁偏向と静電偏向の2つの方式を2
段にした方式が用いられている。
静電偏向は2つの電磁板に電圧をかけ、電界を形成させ
、その間に電子ビームを通過させることによって電子ビ
ームを走査させようとするものである。この方式は走査
のスピードは速いが電子ビームを大きく走査させたい場
合には電極板の面積を大きくするか、または高電圧を付
加しなければならないため、走査量は小さくスピードが
速い走査のために用いられる。これに対して大きな走査
を行なう場合には電磁偏向が用いられる。電磁偏向はコ
イルにより磁界を形成させ、その間に電子ビームを通過
させるこによって電子ビームを走査させようとするもの
で、大きく走査させたい場合に°もコイルの巻数を増す
ことによって実現できるため、静電偏向と併用して用い
られる。しかしコイルの巻数が増えると電圧をかけた場
合にコイルの鉄心などの強磁性体内にうず電流が発生し
、これが出力磁界を不安定にするという問題があった。
第1図はその説明図である。まず第1図(alは入力電
圧の時間変化を示した図であり1時刻t1で立ち上がり
時刻t2で定常状態(Eiボルト)になるものとする。
この入力電圧に対する偏向量、すなわち磁界強度の変化
を示したのが同図(b)である。
出力磁界は時刻t1で立ち上がるがうず電流などによる
磁界の影響を受け3時刻t2では定常状態にはならない
。したがって時刻t2では電子ビームが試料上の正しい
位置に走査されないため1時刻t3で出力磁界が定常状
態になるまで電子ビームの走査を待たねばならず走査ス
ピードが遅くなるという問題点があった。
(4) 発明の目的 本発明は前記欠点を除くために電磁偏向方式に関し出力
磁界を検知するコイルを偏向コイルの近傍に配置し、そ
の検知出力で偏向アンプに負帰還をかけることによって
うず電流などによる磁界の影響を除去し、安定な偏向を
行なえるような電子ビーム露光方式を提供することを目
的とする。
(5) 発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば電子ビーム露光装置に
おける電磁偏向方式において、偏向コイルの近傍に磁界
変化を検知する検出コイルを配設し、この出力により前
記偏向コイルを駆動する手段を制御することを特徴とす
る電子ビーム露光方式を提供することによって達成され
る。
(6) 発明の実施例 以下本発明の実施例について説明をする。
第2図は本発明による電子ビーム露光装置の構成図であ
る。1が装置の本体であり電子銃(特に図示せず)から
発射された電子ビーム18はまず静電偏向板2の間で静
電偏向される。静電偏向板2は制御回路4からの信号線
5によって制御される静電偏向回路3によって、信号線
6及び7を介して駆動される。その主な働きは前述した
が゛、この部分は本発明には直接関連はしていないので
詳細な説明は省略する。静電偏向板2の間を通過した電
子ビーム18は次に電磁偏向コイル8によって電磁偏向
される。電磁偏向コイル8は制御回路4からの信号線1
0によって制御される電磁偏向回路9によって、信号線
11笈び12を介して駆動されるとともに、電磁偏向コ
イル8の近傍に配5− 置された検知コイル13によって磁界変化が検知され信
号線14及び15を介して電磁偏向面rIFr9に負帰
還される。また磁界補正のための信号が制御回路4から
信号線16を介して電磁偏向回路9に与えられる。電磁
偏向コイル8の間を通過した電子ビーム18は最終的に
試料17の特定位置に照射される。
次に第3図は電磁偏向回路9(第2図)の部分の詳細な
回路構成図である。この回路は主に演算増幅器によって
構成される偏向アンプである。この図では簡単のため第
2図の偏向コイル8及び検知コイル13の一方のみの回
路について説明し。
もう一方は同じ回路構成なので省略する。まず制御回路
4 (第2図参照)からの入力電圧eIは演算増幅器1
8逆相入力に入力するとともに、正相入力には出力電圧
e1を電圧帰還率βの電圧負帰還回路21に通した出力
電圧が入力する。次に演算増幅器19の逆相入力には検
知コイル13からの磁界の時間変化に対応した誘導起電
力dφ/dt(φ:磁束強度)が入力し、同じく正相入
力6− には制御回路4からの設定電圧eOが入力する。
演算増幅器18及び19の出力電圧e1及びe2はそれ
ぞれ演算増幅器20逆相及び正相入力に入力する。その
出力は偏向コイル8(第2図参照)に入力する。以上の
ような回路において出力電圧eoを計算する。ここで演
算増幅器18.19及び20の電圧増幅率をAとする。
まず演算増幅器18の出力電圧e1は。
e+=−A−ei+A・βeO・・・・・・・・・■と
なり、また演算増幅器19の出力電圧e2は。
e2=A−dφ/d t +A −e G””・・■と
なる。さらに演算増幅器20の出力電圧eOはeo= 
A−6++A−e2・・・・・・Φ・・・・・■となる
ので0式及び0式を0式に代入して整理すると。
となる。ここで演算増幅器の電圧増幅率Aは一般に非常
に大きな値なのでβ・A’>>、1であり。
したがって上式は。
となる。次にこの出力電圧eOの過渡応答を計算する。
まず0式の両辺をt (時間)で微分する。
設定電圧ec(第3図参照)は一定値と考えてよいので
ここで検知コイル13による誘導起電力dφ/dtの時
間変化は偏向コイル8に加えられる電圧6[1の変化に
よる相互誘導と、うず電流などの磁界変化による誘導電
圧の変化の和として表わせるので と表わせる。ただしαは偏向コイル8と検知コイル13
の巻線比などで決まる定数、八〇はうず電流などによる
誘導電圧である。0式を0式に代入して整理すると となる。以上0式及び0式が出力電圧eoの特性を与え
る近似式である。これらの式を見るとまず0式より入力
電圧eiが変化した場合うず電流などの原因による誘導
電圧の分d(Δe)/dtが差し引かれ、うず電流など
による磁界の変化を抑制する方向に出力電圧eoが変化
することがわかる。すなわち0式において検知コイルの
出力電圧dφ/dtは偏光アンプ(電磁偏光回路9;第
2図、または第3図)の出力電圧eflの負帰還とうず
電流による磁界変化にもとづく誘導起電力の和であるか
ら偏光アンプの出力電圧eoはうず電流による磁界変化
を常に抑制するように出力される。
これにより第1図(blで説明したような偏光量1.す
なわち磁界強度の不安定な変化が抑制される。また0式
より入力電圧が定常状態になった場合において、何らか
の原因で磁界が変化し検知コイル13の出力電圧dφ/
dtが検知された場合、その変化を抑制する方向に出力
電圧eoが決定され9− 出力磁界は常に一定となる。また同様に0式より制御回
路4(第2図及び第3図)から設定電圧ecを与えるこ
とにより、出力電圧eoを補正することも可能である。
第41!]は本発明による方式を用いた場合の入力電圧
eiの時間変化に対する偏向コイル8の出力である偏向
量、すなわち磁界強度の時間変化を示した図である。同
図18)より入力電圧eiは時刻t1で立ち上がり時刻
t2で定常状態になる。これに対して同図1b)より出
力磁界は時刻t1で立ち上がり9時刻t2より少し遅れ
た時刻t1で定常状態になる。このように少し遅れる理
由は0式の検知コイルの出力電圧dφ/dtに偏向アン
プ(電磁偏向回路9)の出力電圧eoの一部が負帰還さ
れることにより出力電圧eoの変化が遅れることによる
が、この負帰還率を適当に設定することによって1時刻
t4とtlの差は第1図+b)での時刻t3とt2の差
に比べて十分小さくすることができるため1本発明によ
る出力磁界の方が入力電圧の変化に対して従来の場合よ
り速く定常状態10− になり、電子ビームの走査開始時刻を第1図中)のt3
から第4図(blのt4に短縮することができる。
また前記したようにうず電流などによる磁界変化が抑制
されるため、第4図(blに示すように出力磁界の変化
は安定なものとなり、安定な電子ビームの走査が可能と
なる。
(7) 発明の効果 本発明によれば出力磁界の変化を偏向アンプに帰還させ
ることにより、入力電圧の変化に対する出力磁界の変化
が従来方式に比べて安定かつ速くなり、迅速な電子ビー
ムの走査が可能となる。
また制御回路から設定電圧を偏向アンプに与えることに
より、走査量の補正を容易に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図ta+ (blは従来の電磁偏向方式の入出力特
性を示した特性図、第2図は本発明による電子ビーム露
光装置−実施の構成図、第3図は本発明による電磁偏向
回路の詳細な構成を示した図、第4図は本発明による電
磁偏向方式の入出力特性を示した特性図である。 1・・・電子ビーム露光装置、 8・・電磁偏向コイル
、 9・・・電磁偏向回路。 13・・・検知コイル、 18,19.20・・・演算
増幅器 第1図 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 電子ビーム露光装置における電磁偏向方式にお
    いて、偏向コイルの近傍に磁界変化を検知する検出コイ
    ルを配設し、この出力により前記偏向コイルを駆動する
    手段を制御することを特徴とする電子ビーム露光方式。
  2. (2) 前記偏向コイルを駆動する手段は偏向アンプを
    含んでなり、検出コイルの出力を負帰還をかけて偏向ア
    ンプに入力することを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の電子ビーム露光方式。
  3. (3) 前記偏向アンプの入力に検出コイルの出力の他
    に、設定電圧入力値を入力することにより。 偏向アンプの出力電圧値を補正することを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の電子ビーム露光方式。
JP58119086A 1983-06-30 1983-06-30 電子ビ−ム露光方式 Pending JPS6010723A (ja)

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JP58119086A JPS6010723A (ja) 1983-06-30 1983-06-30 電子ビ−ム露光方式

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JP58119086A JPS6010723A (ja) 1983-06-30 1983-06-30 電子ビ−ム露光方式

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JPS6010723A true JPS6010723A (ja) 1985-01-19

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Cited By (3)

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