JPH0722108B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH0722108B2 JPH0722108B2 JP61058223A JP5822386A JPH0722108B2 JP H0722108 B2 JPH0722108 B2 JP H0722108B2 JP 61058223 A JP61058223 A JP 61058223A JP 5822386 A JP5822386 A JP 5822386A JP H0722108 B2 JPH0722108 B2 JP H0722108B2
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- JP
- Japan
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- magnetic field
- deflection
- exposure apparatus
- field fluctuation
- electron beam
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 露光装置であって、磁界変動検出回路（２）と偏向量補
正回路（３）を備え、該露光装置近傍の磁界変動を検出
し、該磁界変動による荷電粒子線の偏向量を打消すよう
補正することにより、高精度な位置合せおよび露光を可
能とする。
正回路（３）を備え、該露光装置近傍の磁界変動を検出
し、該磁界変動による荷電粒子線の偏向量を打消すよう
補正することにより、高精度な位置合せおよび露光を可
能とする。
本発明は露光装置に関し、特に、荷電粒子線（電子ビー
ム、イオンビーム等）が通過する経路を挾んで互いに対
向配置された少なくとも２組の偏向器を有する露光装置
に関する。本発明による装置は、例えば半導体ウェハ上
のレジストへ回路パターンを精度良く位置決めし、露光
する電子ビーム露光装置として利用される。
ム、イオンビーム等）が通過する経路を挾んで互いに対
向配置された少なくとも２組の偏向器を有する露光装置
に関する。本発明による装置は、例えば半導体ウェハ上
のレジストへ回路パターンを精度良く位置決めし、露光
する電子ビーム露光装置として利用される。
例えば電子ビームを用いた露光装置を例にとると、該装
置においては、電子銃から放出された電子ビームを、該
ビームが通過する経路を挾んで互いに対向配置された少
なくとも２組の偏向器（例えば静電偏向プレート）の間
を通過させ、ターゲツト（半導体フェア上のレジスト
等）の所望の位置に照射させるようにしている。このタ
ーゲット上の電子ビームの照射位置は、偏向器に印加す
る電圧すなわち該偏向器間に生じる電界のみを制御する
ことにより、任意に変更される。
置においては、電子銃から放出された電子ビームを、該
ビームが通過する経路を挾んで互いに対向配置された少
なくとも２組の偏向器（例えば静電偏向プレート）の間
を通過させ、ターゲツト（半導体フェア上のレジスト
等）の所望の位置に照射させるようにしている。このタ
ーゲット上の電子ビームの照射位置は、偏向器に印加す
る電圧すなわち該偏向器間に生じる電界のみを制御する
ことにより、任意に変更される。
上述した従来形の電子ビームを用いた露光装置において
は、荷電粒子からなる電子ビームの照射を何らかの磁界
が発生している空間あるいは領域において行った場合に
は、フレミングの左手の法則に基づいて該電子ビームが
偏向させられ、その結果としてターゲット上の所定の位
置へのビーム照射を高精度に行うことができないという
問題があった。この問題は、分電盤等の電源設備の近く
に露光装置が設置されているような場合には一層顕著で
ある。
は、荷電粒子からなる電子ビームの照射を何らかの磁界
が発生している空間あるいは領域において行った場合に
は、フレミングの左手の法則に基づいて該電子ビームが
偏向させられ、その結果としてターゲット上の所定の位
置へのビーム照射を高精度に行うことができないという
問題があった。この問題は、分電盤等の電源設備の近く
に露光装置が設置されているような場合には一層顕著で
ある。
また、このような問題点を考慮して、露光装置の設置条
件として磁界変動の小さい場所を設定したとしても、そ
の後の周囲の状況により磁界変動が許容値以上に大きく
なる場合もある。
件として磁界変動の小さい場所を設定したとしても、そ
の後の周囲の状況により磁界変動が許容値以上に大きく
なる場合もある。
本発明は、上述した従来形における問題点に鑑み創作さ
れたもので、周囲の磁界変動に影響されることなく高精
度に位置合せして露光を行うことができる露光装置を提
供することを目的としている。
れたもので、周囲の磁界変動に影響されることなく高精
度に位置合せして露光を行うことができる露光装置を提
供することを目的としている。
第１図には本発明に係る露光装置の原理構成が示され、
また第２図には本発明の好適な実施例の構成が示され
る。
また第２図には本発明の好適な実施例の構成が示され
る。
上述した従来技術の問題点を解決するため、本発明によ
れば、荷電粒子線が通過する経路を挟んで互いに対向配
置された少なくとも２組の偏向器１（静電偏向プレート
11x,12x,11y,12y）を有する露光装置において、該露光
装置の近傍の外部環境における磁界変動を少なくとも所
定の方向（Ｘ方向）とそれに直交する方向（Ｙ方向）の
２方向において検出し、その検出信号S1（磁界変動検出
信号S1X,S1Y）を出力する磁界変動検出回路２（コイル2
1,22）と、前記検出信号に基づき、前記荷電粒子線が前
記外部環境における磁界変動に起因して偏向する量を打
ち消すように前記少なくとも２組の偏向器に制御信号S2
（S2x,S2y）を供給する偏向量補正回路３（位相変換器3
3）とを備えたことを特徴とする露光装置が提供され
る。
れば、荷電粒子線が通過する経路を挟んで互いに対向配
置された少なくとも２組の偏向器１（静電偏向プレート
11x,12x,11y,12y）を有する露光装置において、該露光
装置の近傍の外部環境における磁界変動を少なくとも所
定の方向（Ｘ方向）とそれに直交する方向（Ｙ方向）の
２方向において検出し、その検出信号S1（磁界変動検出
信号S1X,S1Y）を出力する磁界変動検出回路２（コイル2
1,22）と、前記検出信号に基づき、前記荷電粒子線が前
記外部環境における磁界変動に起因して偏向する量を打
ち消すように前記少なくとも２組の偏向器に制御信号S2
（S2x,S2y）を供給する偏向量補正回路３（位相変換器3
3）とを備えたことを特徴とする露光装置が提供され
る。
すなわち、本発明の装置は全体として、露光装置の外部
の近傍の環境磁界変動に起因する荷電粒子線の偏向量が
補正されるように制御がなされている。
の近傍の環境磁界変動に起因する荷電粒子線の偏向量が
補正されるように制御がなされている。
本発明による露光装置においては、仮に周囲の磁界が変
動してそれにより荷電粒子線が偏向させられたとして
も、磁界変動検出回路２において周囲の磁界変動が検出
され、その検出結果に基づき偏向量補正回路３において
上述の荷電粒子線の偏向量が打消されるようになってい
るため、高精度な位置合せおよび露光が可能となる。
動してそれにより荷電粒子線が偏向させられたとして
も、磁界変動検出回路２において周囲の磁界変動が検出
され、その検出結果に基づき偏向量補正回路３において
上述の荷電粒子線の偏向量が打消されるようになってい
るため、高精度な位置合せおよび露光が可能となる。
第２図には本発明の一実施例としての電子ビームを用い
た露光装置が概略的に示され、第３図には第２図のIII
−III線、III′−III′線から見た平面図が示される。
た露光装置が概略的に示され、第３図には第２図のIII
−III線、III′−III′線から見た平面図が示される。
第２図において11x,11y,12xおよび12yは静電偏向プレー
トであり、該偏向プレート11x,12xおよび11y,12yはそれ
ぞれ、電子銃41から放出された電子ビーム42が通過する
経路を挾いで互いに直交する方向に対向配置されてお
り、各々位相変換器33から信号を印加されている。第２
図では省略されているが、一般に偏向プレート11xと12
x,11yと12yに印加される信号は符号が正，負逆の電圧信
号である。43は電子ビームが照射されるべきターゲット
であり、該ターゲット43上での電子ビーム42の照射位置
は、制御装置（図示せず）により偏向プレート11xおよ
び11yに印加する電圧、言い換えると偏向プレート11x,1
2x間に生じる電界および偏向プレート11y,12y間に生じ
る電界、を制御することにより、任意に変更され得るよ
うになっている。
トであり、該偏向プレート11x,12xおよび11y,12yはそれ
ぞれ、電子銃41から放出された電子ビーム42が通過する
経路を挾いで互いに直交する方向に対向配置されてお
り、各々位相変換器33から信号を印加されている。第２
図では省略されているが、一般に偏向プレート11xと12
x,11yと12yに印加される信号は符号が正，負逆の電圧信
号である。43は電子ビームが照射されるべきターゲット
であり、該ターゲット43上での電子ビーム42の照射位置
は、制御装置（図示せず）により偏向プレート11xおよ
び11yに印加する電圧、言い換えると偏向プレート11x,1
2x間に生じる電界および偏向プレート11y,12y間に生じ
る電界、を制御することにより、任意に変更され得るよ
うになっている。
21,22は露光装置近傍の磁界を検出するためのコイルで
ある。コイル21は所定の方向（Ｘ方向とする）に対して
垂直な面内に配置され、従って、Ｘ方向成分の磁界BXに
より該コイル21には磁界BXの大きさに応じた電流が誘導
されるようになっている。コイル22はＸ方向と直交する
Ｙ方向に対して垂直な面内に配置され、従って、Ｙ方向
成分の磁界BYにより該コイル22には磁界BYの大きさに応
じた電流が誘導されるようになっている。この誘導電流
信号すなわち磁界変動検出信号をS1X,S1Yとする。
ある。コイル21は所定の方向（Ｘ方向とする）に対して
垂直な面内に配置され、従って、Ｘ方向成分の磁界BXに
より該コイル21には磁界BXの大きさに応じた電流が誘導
されるようになっている。コイル22はＸ方向と直交する
Ｙ方向に対して垂直な面内に配置され、従って、Ｙ方向
成分の磁界BYにより該コイル22には磁界BYの大きさに応
じた電流が誘導されるようになっている。この誘導電流
信号すなわち磁界変動検出信号をS1X,S1Yとする。
31,32は増幅器であり、それぞれコイル21、コイル22か
らの出力信号S1X,S1Yを増幅する。増幅器31,32には位相
変換器33が接続され、この位相変換器33は偏向プレート
11x,11yに接続されている。位相変換器33は、コイル21,
22が配置されているＸ−Ｙ平面（第３図（ａ）参照）と
偏向プレート11x,11y,12x,12yが配置されているｘ−ｙ
平面（第３図（ｂ）参照）との間の位相のずれθ（第３
図（ｃ）参照）を補正し、増幅器31、32からの信号を逆
位相にし、さらにゲイン調整を行った後で偏向プレート
11x,11yに制御信号S2x,S2yとして供給する機能を有して
いる。すなわち位相変換器33においては、 の演算が行われる。
らの出力信号S1X,S1Yを増幅する。増幅器31,32には位相
変換器33が接続され、この位相変換器33は偏向プレート
11x,11yに接続されている。位相変換器33は、コイル21,
22が配置されているＸ−Ｙ平面（第３図（ａ）参照）と
偏向プレート11x,11y,12x,12yが配置されているｘ−ｙ
平面（第３図（ｂ）参照）との間の位相のずれθ（第３
図（ｃ）参照）を補正し、増幅器31、32からの信号を逆
位相にし、さらにゲイン調整を行った後で偏向プレート
11x,11yに制御信号S2x,S2yとして供給する機能を有して
いる。すなわち位相変換器33においては、 の演算が行われる。
第４図に位相変換器の一例としての回路が示される。こ
の回路は２個の演算増幅器OP1,OP2と、５個の入力用可
変抵抗R1〜R4およびR7と、２個のフィードバック用抵抗
R5,R6とで構成される。今仮に、X,Y,x,yを信号のレベル
として扱うと、 と表わされる。ただし、ここで とする。この関係から明らかなように、露光装置本体の
配置すなわち偏向プレートの配置とコイルの配置との間
に生じる位相のずれθの調整は、可変抵抗R1〜R4および
R7の値を適宜調整することにより容易に行われる。この
調整は実際においては電子ビームをナイフエッジ法によ
り観測しつつ行われるもので、一度調整を行うとその後
の調整は不要となる。
の回路は２個の演算増幅器OP1,OP2と、５個の入力用可
変抵抗R1〜R4およびR7と、２個のフィードバック用抵抗
R5,R6とで構成される。今仮に、X,Y,x,yを信号のレベル
として扱うと、 と表わされる。ただし、ここで とする。この関係から明らかなように、露光装置本体の
配置すなわち偏向プレートの配置とコイルの配置との間
に生じる位相のずれθの調整は、可変抵抗R1〜R4および
R7の値を適宜調整することにより容易に行われる。この
調整は実際においては電子ビームをナイフエッジ法によ
り観測しつつ行われるもので、一度調整を行うとその後
の調整は不要となる。
従って、第２図に示される露光装置を比較的高レベルの
磁界変動が生じている電源設備等の近傍に仮に設置した
場合でも、コイル21,22により検出された磁界変動に相
応する信号S1X,S1Yが位相変換器33において逆位相に変
換され、そしてその逆位相変換された信号S2x,S2yがそ
れぞれ偏向プレート11x,11yに印加されるようになって
いるため、磁界変動に起因する電子ビーム42の偏向量は
偏向プレート11x,11yに印加された制御信号S2x,S2yによ
り補正され得る。これによって、周囲の磁界変動に関係
なく、電子ビーム42をターゲット43上の所望の位置に高
精度に照射することができる。
磁界変動が生じている電源設備等の近傍に仮に設置した
場合でも、コイル21,22により検出された磁界変動に相
応する信号S1X,S1Yが位相変換器33において逆位相に変
換され、そしてその逆位相変換された信号S2x,S2yがそ
れぞれ偏向プレート11x,11yに印加されるようになって
いるため、磁界変動に起因する電子ビーム42の偏向量は
偏向プレート11x,11yに印加された制御信号S2x,S2yによ
り補正され得る。これによって、周囲の磁界変動に関係
なく、電子ビーム42をターゲット43上の所望の位置に高
精度に照射することができる。
第５図にはコイル21において検出された磁界BXに相応す
る信号S1Xの波形と偏向プレート11xに印加される制御信
号S2xの波形との関係が示される。電子ビームは信号S1X
の波形に応じて偏向されるが、その一方では信号S2xに
基づき偏向プレート11x,12x間の電界により該偏向が補
正される。第５図の波形はｘ方向（Ｘ方向）成分のみを
示しているが、ｙ方向（Ｙ方向）についても同様であ
る。
る信号S1Xの波形と偏向プレート11xに印加される制御信
号S2xの波形との関係が示される。電子ビームは信号S1X
の波形に応じて偏向されるが、その一方では信号S2xに
基づき偏向プレート11x,12x間の電界により該偏向が補
正される。第５図の波形はｘ方向（Ｘ方向）成分のみを
示しているが、ｙ方向（Ｙ方向）についても同様であ
る。
なお、第２図に示される装置においては偏向器１として
静電偏向プレートを例にとって説明したが、磁気偏向コ
イルの場合にも同様に適用され得ることはもちろんであ
る。
静電偏向プレートを例にとって説明したが、磁気偏向コ
イルの場合にも同様に適用され得ることはもちろんであ
る。
さらに、第２図に示される装置においては磁界のＸ方向
成分およびＹ方向成分のみについて説明したが、それに
限らず、Ｚ方向成分も考慮して３次元的に本装置を適用
することもできる。
成分およびＹ方向成分のみについて説明したが、それに
限らず、Ｚ方向成分も考慮して３次元的に本装置を適用
することもできる。
以上説明したように本発明によれば、周囲の磁界の存在
あるいは磁界変動に影響されることなく高精度な位置合
せおよび露光を行うことができる。
あるいは磁界変動に影響されることなく高精度な位置合
せおよび露光を行うことができる。
第１図は本発明による露光装置の原理ブロック図、 第２図は本発明の一実施例を示す概略的な構成図、 第３図は第２図のIII−III線、III′−III′線から見た
平面図であって、コイルおよび偏向プレートの配置関係
を示す図、 第４図は第２図に示される位相変換器の一例を示す回路
図、 第５図は磁界変動検出信号S1Xの波形と制御信号S2xの波
形との関係を示す信号波形図、である。 １……偏向器、２……磁界変動検出回路、 ３……偏向量補正回路、 S1……磁界変動検出信号,S2……制御信号。
平面図であって、コイルおよび偏向プレートの配置関係
を示す図、 第４図は第２図に示される位相変換器の一例を示す回路
図、 第５図は磁界変動検出信号S1Xの波形と制御信号S2xの波
形との関係を示す信号波形図、である。 １……偏向器、２……磁界変動検出回路、 ３……偏向量補正回路、 S1……磁界変動検出信号,S2……制御信号。
Claims (1)
- 【請求項１】荷電粒子線が通過する経路を挟んで互いに
対抗配置された少なくとも２組の偏向器（1;11x,12x,11
y,12y）を有する露光装置において、 該露光装置の近傍の外部環境における磁界変動を少なく
とも所定の方向及びそれに直交する方向の２方向におい
て検出し、その検出信号（S1;S1X,S1Y）を出力する磁界
変動検出回路（2;21,22）と、 前記検出信号に基づき、前記荷電粒子線が前記外部環境
における磁界変動に起因して偏向する量を打ち消すよう
に前記少なくとも２組の偏向器に制御信号（S2;S2x,S2
y）を供給する偏向量補正回路（3;33）とを備えたこと
を特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058223A JPH0722108B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058223A JPH0722108B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216324A JPS62216324A (ja) | 1987-09-22 |
| JPH0722108B2 true JPH0722108B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=13078078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61058223A Expired - Fee Related JPH0722108B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722108B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2992688B2 (ja) | 1998-05-19 | 1999-12-20 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 複合荷電粒子ビーム装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2936911A1 (de) * | 1979-09-12 | 1981-04-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zur regelung eines magnetischen ablenksystems |
| JPS6010723A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方式 |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP61058223A patent/JPH0722108B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62216324A (ja) | 1987-09-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |