JPH06204127A - 荷電粒子ビーム露光装置の熱補償用電流の決定方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光装置の熱補償用電流の決定方法Info
- Publication number
- JPH06204127A JPH06204127A JP133593A JP133593A JPH06204127A JP H06204127 A JPH06204127 A JP H06204127A JP 133593 A JP133593 A JP 133593A JP 133593 A JP133593 A JP 133593A JP H06204127 A JPH06204127 A JP H06204127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- charged particle
- thermal compensation
- particle beam
- drift amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱補償コイルの補償電流を正確に決定し、電
磁偏向コイルの発熱に起因する電子ビームの位置ドリフ
トを小さくし、位置合わせ精度を向上させる。 【構成】 電磁偏向手段近傍に配置される複数の部分熱
補償手段を有し熱補償用電流により駆動される熱補償手
段と、電磁偏向手段に供給する駆動電流に対応して荷電
粒子ビームの照射位置のずれを補正するために熱補償用
電流を制御する制御回路と、を有する荷電粒子ビーム露
光装置の熱補償用電流の決定方法であって、各部分熱補
償手段に供給される熱補償用電流をそれぞれ独立に変化
させて、その時の荷電粒子ビームのドリフト量を測定し
ドリフト量マップを作成するドリフト量測定工程と、得
られた複数のドリフト量のうち最小のドリフト量に対応
する熱補償用電流の組合わせを各部分熱補償手段に供給
する熱補償用電流の組合わせとして決定する熱補償電流
決定工程と、を備える。
磁偏向コイルの発熱に起因する電子ビームの位置ドリフ
トを小さくし、位置合わせ精度を向上させる。 【構成】 電磁偏向手段近傍に配置される複数の部分熱
補償手段を有し熱補償用電流により駆動される熱補償手
段と、電磁偏向手段に供給する駆動電流に対応して荷電
粒子ビームの照射位置のずれを補正するために熱補償用
電流を制御する制御回路と、を有する荷電粒子ビーム露
光装置の熱補償用電流の決定方法であって、各部分熱補
償手段に供給される熱補償用電流をそれぞれ独立に変化
させて、その時の荷電粒子ビームのドリフト量を測定し
ドリフト量マップを作成するドリフト量測定工程と、得
られた複数のドリフト量のうち最小のドリフト量に対応
する熱補償用電流の組合わせを各部分熱補償手段に供給
する熱補償用電流の組合わせとして決定する熱補償電流
決定工程と、を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子ビーム露光装
置の熱補償用電流の決定方法に関する。微細なＬＳＩパ
ターンを描画する装置として電子ビーム露光装置が使用
されている。近年のＬＳＩにはより微細なパターンが要
求されており、電子ビーム露光装置は微細なＬＳＩパタ
ーンを高速に精度よく露光することができ、高信頼度で
あることが望まれている。
置の熱補償用電流の決定方法に関する。微細なＬＳＩパ
ターンを描画する装置として電子ビーム露光装置が使用
されている。近年のＬＳＩにはより微細なパターンが要
求されており、電子ビーム露光装置は微細なＬＳＩパタ
ーンを高速に精度よく露光することができ、高信頼度で
あることが望まれている。
【０００２】電子ビーム露光装置の位置精度に影響を与
える要因には各種あるが、その中でも、電子ビームを偏
向する電磁偏向コイルの発熱による影響が大きな問題と
なっている。このため、電磁偏向コイルの発熱による電
子ビームの位置ずれを出来るだけ小さくすることが求め
られている。
える要因には各種あるが、その中でも、電子ビームを偏
向する電磁偏向コイルの発熱による影響が大きな問題と
なっている。このため、電磁偏向コイルの発熱による電
子ビームの位置ずれを出来るだけ小さくすることが求め
られている。
【０００３】
【従来の技術】電子ビーム露光装置は、通常、矩形ある
いは任意のパターン形状に成形した電子ビームを用いて
被露光対象物上にパターンを描く装置である。
いは任意のパターン形状に成形した電子ビームを用いて
被露光対象物上にパターンを描く装置である。
【０００４】このビーム露光装置において、電子ビーム
を偏向するには電磁偏向と静電偏向があり、電磁偏向は
偏向速度は早くないが大きく偏向できるという特徴を有
する。このため、大きく偏向する必要がある場合には、
一般に、電磁偏向が用いらている。
を偏向するには電磁偏向と静電偏向があり、電磁偏向は
偏向速度は早くないが大きく偏向できるという特徴を有
する。このため、大きく偏向する必要がある場合には、
一般に、電磁偏向が用いらている。
【０００５】また、一度に大面積を露光する電子ビーム
露光装置においては、荷電粒子相互のクーロン相互作用
が問題になる。このクーロン相互作用による解像度の制
限を解決するため、光学系を短焦点化する必要が有り、
電磁偏向コイル及び静電偏向電極は電磁レンズの内側に
配置されるようになっている。しかしながら、短焦点化
は偏向器の偏向能率を低下させるため、所望の偏向量を
得ようとするためには、電磁偏向コイルに流す電流を大
きくする必要がある。
露光装置においては、荷電粒子相互のクーロン相互作用
が問題になる。このクーロン相互作用による解像度の制
限を解決するため、光学系を短焦点化する必要が有り、
電磁偏向コイル及び静電偏向電極は電磁レンズの内側に
配置されるようになっている。しかしながら、短焦点化
は偏向器の偏向能率を低下させるため、所望の偏向量を
得ようとするためには、電磁偏向コイルに流す電流を大
きくする必要がある。
【０００６】ところで、この様な電子ビーム露光装置を
使用する場合には、電磁偏向コイル内を流れる偏向電流
により、局所的な発熱が生じ、電子ビームの偏向位置及
び合焦位置が時間とともに変動し、ドリフトが生じてし
まうという問題点があった。
使用する場合には、電磁偏向コイル内を流れる偏向電流
により、局所的な発熱が生じ、電子ビームの偏向位置及
び合焦位置が時間とともに変動し、ドリフトが生じてし
まうという問題点があった。
【０００７】このドリフトの原因としては、１）アン
プ、レンズ電源の出力変化、２）電磁偏向コイルが発生
する磁束の変化に伴う金属製の周辺部品に流れる渦電
流、３）電子ビームの通過部分のチャージアップ、４）
電磁偏向コイルの位置、寸法の変動、５）電磁偏向コイ
ルの発熱に伴う電磁偏向コイル自体、ボビン、その他の
構造物の位置、寸法の変動等が挙げられる。
プ、レンズ電源の出力変化、２）電磁偏向コイルが発生
する磁束の変化に伴う金属製の周辺部品に流れる渦電
流、３）電子ビームの通過部分のチャージアップ、４）
電磁偏向コイルの位置、寸法の変動、５）電磁偏向コイ
ルの発熱に伴う電磁偏向コイル自体、ボビン、その他の
構造物の位置、寸法の変動等が挙げられる。
【０００８】ここで、電磁偏向コイルに電流を流し、こ
の電磁偏向コイルにより発生した磁界内に電子ビームを
入射させ、基板上の所定の位置に電子ビームを偏向する
場合について具体的に考えてみる。
の電磁偏向コイルにより発生した磁界内に電子ビームを
入射させ、基板上の所定の位置に電子ビームを偏向する
場合について具体的に考えてみる。
【０００９】偏向信号として電磁偏向コイルに流す偏向
電流をＩ、電磁偏向コイルの抵抗をＲとすると、電磁偏
向コイルにはＩ2 Ｒの熱が発生する。この熱の発生によ
り電磁偏向コイルおよび電磁偏向コイル近傍の物体は温
められて膨脹することとなる。
電流をＩ、電磁偏向コイルの抵抗をＲとすると、電磁偏
向コイルにはＩ2 Ｒの熱が発生する。この熱の発生によ
り電磁偏向コイルおよび電磁偏向コイル近傍の物体は温
められて膨脹することとなる。
【００１０】また、偏向信号、即ち、偏向電流Ｉが変わ
ると発熱量の変化のために電磁偏向コイルおよび電磁偏
向コイル近傍の物体は膨脹あるいは収縮し、電磁偏向コ
イルおよび電磁偏向コイル近傍の物体の位置が僅かでは
あるが変動する。
ると発熱量の変化のために電磁偏向コイルおよび電磁偏
向コイル近傍の物体は膨脹あるいは収縮し、電磁偏向コ
イルおよび電磁偏向コイル近傍の物体の位置が僅かでは
あるが変動する。
【００１１】これらの結果、電子ビームを偏向する電磁
偏向コイルの位置が変動し、基板上に到達する電子ビー
ムの位置が変動することとなる。さらに、偏向コイル近
傍にある電子レンズのポールピースの透磁率が熱変動の
ため変化し、電子ビームの収束状態が変わり、基板上に
到達する電子ビームの位置が変動することとなる。
偏向コイルの位置が変動し、基板上に到達する電子ビー
ムの位置が変動することとなる。さらに、偏向コイル近
傍にある電子レンズのポールピースの透磁率が熱変動の
ため変化し、電子ビームの収束状態が変わり、基板上に
到達する電子ビームの位置が変動することとなる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記課題を解
決するための一方法として、電磁偏向コイルの近傍に熱
補償コイルを設ける場合を説明する。以下の説明におい
ては、Ｘ，Ｙ方向の電磁偏向コイルの電流を各々ＩX ，
ＩY とし、抵抗を各々ＲX ，ＲY とする。
決するための一方法として、電磁偏向コイルの近傍に熱
補償コイルを設ける場合を説明する。以下の説明におい
ては、Ｘ，Ｙ方向の電磁偏向コイルの電流を各々ＩX ，
ＩY とし、抵抗を各々ＲX ，ＲY とする。
【００１３】この時の電磁偏向コイルの発熱量Ｑは、 Ｑ＝ＩX 2 ＲX ＋ＩY 2 ＲY となる。
【００１４】また、無誘導巻の熱補償コイルを電磁偏向
コイルの近傍に巻き、その熱補償電流と抵抗をＩC ，Ｒ
c とする。この時、次式 ＩX 2 ＲX ＋ＩY 2 ＲX ＋ＩC 2 ＲC ＝Ａ（定数） が成り立つとすれば、この式から、熱補償電流ＩC は、 ＩC ＝ （１／ＲC ）［Ａ−（ＩX 2 ＲX ＋ＩY 2 ＲY ）］ …（１） となる。この例は、熱補償コイルが１個の場合である。
コイルの近傍に巻き、その熱補償電流と抵抗をＩC ，Ｒ
c とする。この時、次式 ＩX 2 ＲX ＋ＩY 2 ＲX ＋ＩC 2 ＲC ＝Ａ（定数） が成り立つとすれば、この式から、熱補償電流ＩC は、 ＩC ＝ （１／ＲC ）［Ａ−（ＩX 2 ＲX ＋ＩY 2 ＲY ）］ …（１） となる。この例は、熱補償コイルが１個の場合である。
【００１５】電磁偏向コイルは、コイルの部分によって
発熱状態が異なり、実験データによれば、１個の熱補償
コイルだけで十分に補償するのは困難である。そこで、
熱補償コイルを分割し、補償を行なえば、より緻密な補
償を行うことが可能である。
発熱状態が異なり、実験データによれば、１個の熱補償
コイルだけで十分に補償するのは困難である。そこで、
熱補償コイルを分割し、補償を行なえば、より緻密な補
償を行うことが可能である。
【００１６】例えば、熱補償コイルを２分割し、各熱補
償コイルに流す熱補償電流をＩC1，ＩC2とすると、これ
らの熱補償電流ＩC1，ＩC2は例えば次式のようになる。 ＩC1＝ａ√［ｄ1 −（ＩX 2 ＲX ＋ＩY 2 ＲY ）］ …（２） ＩC2＝ａ√［ｄ2 −（ＩX 2 ＲX ＋ＩY 2 ＲY ）］ …（３） ここで、ａ，ｄ1 ，ｄ2 は定数である。
償コイルに流す熱補償電流をＩC1，ＩC2とすると、これ
らの熱補償電流ＩC1，ＩC2は例えば次式のようになる。 ＩC1＝ａ√［ｄ1 −（ＩX 2 ＲX ＋ＩY 2 ＲY ）］ …（２） ＩC2＝ａ√［ｄ2 −（ＩX 2 ＲX ＋ＩY 2 ＲY ）］ …（３） ここで、ａ，ｄ1 ，ｄ2 は定数である。
【００１７】演算回路から各々並列に出力を取った場合
の例を図２に示す。図２においては、Ｘ，Ｙ方向の電磁
偏向コイルが離れた位置にあるが、実際には熱的に結合
されている。例えば、Ｘ，Ｙ方向の電磁偏向コイルは各
々３段、あるいは、４段よりなっている。また、円筒形
のセラミックのコイル支持ケースの上にＸ方向電磁偏向
コイルが巻いてあり、さらに、Ｘ方向電磁偏向コイルの
光軸に対し、９０゜回転した位置にＹ方向電磁偏向コイ
ルが巻いてある。
の例を図２に示す。図２においては、Ｘ，Ｙ方向の電磁
偏向コイルが離れた位置にあるが、実際には熱的に結合
されている。例えば、Ｘ，Ｙ方向の電磁偏向コイルは各
々３段、あるいは、４段よりなっている。また、円筒形
のセラミックのコイル支持ケースの上にＸ方向電磁偏向
コイルが巻いてあり、さらに、Ｘ方向電磁偏向コイルの
光軸に対し、９０゜回転した位置にＹ方向電磁偏向コイ
ルが巻いてある。
【００１８】上記（２）、（３）式において、ＩX ＝Ｉ
Y ＝０の時、 ＩC1＝ａ√ｄ1 ＩC2＝ａ√ｄ2 である。この値は定数であるから、最適値を決定する必
要がある。
Y ＝０の時、 ＩC1＝ａ√ｄ1 ＩC2＝ａ√ｄ2 である。この値は定数であるから、最適値を決定する必
要がある。
【００１９】最適値を決定する方法として、まずＩC1，
ＩC2の値をある値に設定し、電子ビームを偏向してドリ
フトを測定し、さらにＩC1あるいはＩC2の一方のみを適
宜変化させて、電子ビームのドリフトが一番小さくなる
ときのＩC1、ＩC2を最適値とする方法がある。
ＩC2の値をある値に設定し、電子ビームを偏向してドリ
フトを測定し、さらにＩC1あるいはＩC2の一方のみを適
宜変化させて、電子ビームのドリフトが一番小さくなる
ときのＩC1、ＩC2を最適値とする方法がある。
【００２０】上記最適値決定方法は、試行錯誤的に最適
値を求めているため、熱補償コイルに流す電流値を正確
に決定出来ないといった課題が生じていた。そのため、
電磁偏向コイルの発熱による電子ビームの位置ドリフト
のためＬＳＩの位置合わせ精度は悪くなり、得られる製
品の信頼度が低くなってしまう等の問題を生じていた。
値を求めているため、熱補償コイルに流す電流値を正確
に決定出来ないといった課題が生じていた。そのため、
電磁偏向コイルの発熱による電子ビームの位置ドリフト
のためＬＳＩの位置合わせ精度は悪くなり、得られる製
品の信頼度が低くなってしまう等の問題を生じていた。
【００２１】そこで本発明の目的は、熱補償コイルの補
償電流を正確に決定し、電子ビーム露光装置における電
磁偏向コイルの発熱に起因する電子ビームの位置ドリフ
トを小さくし、位置合わせ精度を向上させることができ
る電子ビーム露光装置の熱補償電流の決定方法を提供す
ることにある。
償電流を正確に決定し、電子ビーム露光装置における電
磁偏向コイルの発熱に起因する電子ビームの位置ドリフ
トを小さくし、位置合わせ精度を向上させることができ
る電子ビーム露光装置の熱補償電流の決定方法を提供す
ることにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、第１の発明は、荷電粒子ビームを偏向して対象物上
の所望の位置に照射するための電磁偏向手段と、前記電
磁偏向手段近傍に配置される複数の部分熱補償手段を有
し熱補償用電流により駆動される熱補償手段と、前記電
磁偏向手段に供給する駆動電流に対応して前記荷電粒子
ビームの照射位置のずれを補正するために前記熱補償用
電流を制御する制御回路と、を有する荷電粒子ビーム露
光装置の熱補償用電流の決定方法であって、前記各部分
熱補償手段に供給される熱補償用電流をそれぞれ独立に
変化させて、その時の前記荷電粒子ビームのドリフト量
を測定しドリフト量マップを作成するドリフト量測定工
程と、前記得られたドリフト量マップを用いて、得られ
た複数のドリフト量のうち最小の前記ドリフト量に対応
する熱補償用電流の組合わせを前記各部分熱補償手段に
供給する熱補償用電流の組合わせとして決定する熱補償
電流決定工程と、を備えて構成する。
め、第１の発明は、荷電粒子ビームを偏向して対象物上
の所望の位置に照射するための電磁偏向手段と、前記電
磁偏向手段近傍に配置される複数の部分熱補償手段を有
し熱補償用電流により駆動される熱補償手段と、前記電
磁偏向手段に供給する駆動電流に対応して前記荷電粒子
ビームの照射位置のずれを補正するために前記熱補償用
電流を制御する制御回路と、を有する荷電粒子ビーム露
光装置の熱補償用電流の決定方法であって、前記各部分
熱補償手段に供給される熱補償用電流をそれぞれ独立に
変化させて、その時の前記荷電粒子ビームのドリフト量
を測定しドリフト量マップを作成するドリフト量測定工
程と、前記得られたドリフト量マップを用いて、得られ
た複数のドリフト量のうち最小の前記ドリフト量に対応
する熱補償用電流の組合わせを前記各部分熱補償手段に
供給する熱補償用電流の組合わせとして決定する熱補償
電流決定工程と、を備えて構成する。
【００２３】また、第２の発明は、荷電粒子ビームを偏
向して対象物上の所望の位置に照射するための電磁偏向
手段と、前記電磁偏向手段近傍に配置される複数の部分
熱補償手段を有し熱補償用電流により駆動される熱補償
手段と、前記電磁偏向手段に供給する駆動電流に対応し
て前記荷電粒子ビームの照射位置のずれを補正するため
に前記熱補償用電流を制御する制御回路と、を有する荷
電粒子ビーム露光装置の熱補償用電流の決定方法であっ
て、前記電磁偏向手段により、予め定めた複数の所定位
置に前記荷電粒子ビームを予め定めた所定時間偏向位置
を保持する偏向保持工程を含み、それぞれの偏向保持位
置ごとに、前記各部分熱補償手段に供給される熱補償用
電流をそれぞれ独立に変化させて、偏向位置保持後の前
記荷電粒子ビームのドリフト量を測定して複数のドリフ
ト量マップを作成するドリフト量測定工程と、前記得ら
れた複数のドリフト量マップを用いて、同一の熱補償用
電流の組合わせ毎にドリフト量の平均値を求める平均ド
リフト量演算工程と、前記得られた複数のドリフト量の
平均値のうち最小の平均値を有する前記ドリフト量に対
応する熱補償用電流の組合わせを前記各部分熱補償手段
に供給する熱補償用電流の組合わせとして決定する熱補
償電流決定工程と、を備えて構成する。
向して対象物上の所望の位置に照射するための電磁偏向
手段と、前記電磁偏向手段近傍に配置される複数の部分
熱補償手段を有し熱補償用電流により駆動される熱補償
手段と、前記電磁偏向手段に供給する駆動電流に対応し
て前記荷電粒子ビームの照射位置のずれを補正するため
に前記熱補償用電流を制御する制御回路と、を有する荷
電粒子ビーム露光装置の熱補償用電流の決定方法であっ
て、前記電磁偏向手段により、予め定めた複数の所定位
置に前記荷電粒子ビームを予め定めた所定時間偏向位置
を保持する偏向保持工程を含み、それぞれの偏向保持位
置ごとに、前記各部分熱補償手段に供給される熱補償用
電流をそれぞれ独立に変化させて、偏向位置保持後の前
記荷電粒子ビームのドリフト量を測定して複数のドリフ
ト量マップを作成するドリフト量測定工程と、前記得ら
れた複数のドリフト量マップを用いて、同一の熱補償用
電流の組合わせ毎にドリフト量の平均値を求める平均ド
リフト量演算工程と、前記得られた複数のドリフト量の
平均値のうち最小の平均値を有する前記ドリフト量に対
応する熱補償用電流の組合わせを前記各部分熱補償手段
に供給する熱補償用電流の組合わせとして決定する熱補
償電流決定工程と、を備えて構成する。
【００２４】
【作用】第１の発明によれば、ドリフト量測定工程は、
各部分熱補償手段に供給される熱補償用電流をそれぞれ
独立に変化させて、その時の前記荷電粒子ビームのドリ
フト量を測定しドリフト量マップを作成する。
各部分熱補償手段に供給される熱補償用電流をそれぞれ
独立に変化させて、その時の前記荷電粒子ビームのドリ
フト量を測定しドリフト量マップを作成する。
【００２５】この結果、熱補償電流決定工程は、得られ
たドリフト量マップを用いて、得られた複数のドリフト
量のうち最小の前記ドリフト量に対応する熱補償用電流
の組合わせを前記各部分熱補償手段に供給する熱補償用
電流の組合わせとして決定する。
たドリフト量マップを用いて、得られた複数のドリフト
量のうち最小の前記ドリフト量に対応する熱補償用電流
の組合わせを前記各部分熱補償手段に供給する熱補償用
電流の組合わせとして決定する。
【００２６】従って、熱補償手段が複数の部分熱補償手
段に分割されている場合でも正確に各部分熱補償手段に
流すべき熱補償電流を決定することができる。また、第
２の発明によれば、ドリフト量測定工程は、偏向保持工
程において、電磁偏向手段により、予め定めた複数の所
定位置に前記荷電粒子ビームを予め定めた所定時間偏向
位置を保持し、それぞれの偏向保持位置ごとに、各部分
熱補償手段に供給される熱補償用電流をそれぞれ独立に
変化させて、偏向位置保持後の前記荷電粒子ビームのド
リフト量を測定して複数のドリフト量マップを作成す
る。
段に分割されている場合でも正確に各部分熱補償手段に
流すべき熱補償電流を決定することができる。また、第
２の発明によれば、ドリフト量測定工程は、偏向保持工
程において、電磁偏向手段により、予め定めた複数の所
定位置に前記荷電粒子ビームを予め定めた所定時間偏向
位置を保持し、それぞれの偏向保持位置ごとに、各部分
熱補償手段に供給される熱補償用電流をそれぞれ独立に
変化させて、偏向位置保持後の前記荷電粒子ビームのド
リフト量を測定して複数のドリフト量マップを作成す
る。
【００２７】また、平均ドリフト量演算工程は、得られ
た複数のドリフト量マップを用いて、同一の熱補償用電
流の組合わせ毎にドリフト量の平均値を求める。この結
果、熱補償電流決定工程は、得られた複数のドリフト量
の平均値のうち最小の平均値を有するドリフト量に対応
する熱補償用電流の組合わせを各部分熱補償手段に供給
する熱補償用電流の組合わせとして決定する。
た複数のドリフト量マップを用いて、同一の熱補償用電
流の組合わせ毎にドリフト量の平均値を求める。この結
果、熱補償電流決定工程は、得られた複数のドリフト量
の平均値のうち最小の平均値を有するドリフト量に対応
する熱補償用電流の組合わせを各部分熱補償手段に供給
する熱補償用電流の組合わせとして決定する。
【００２８】従って、第１の発明の作用に加えて、電磁
偏向手段で荷電粒子ビームを偏向する象限により荷電粒
子ビームのドリフト量が異なることまで考慮して熱補償
手段を構成する部分熱補償手段のそれぞれに流す熱補償
電流を容易かつ正確に決定することができる。
偏向手段で荷電粒子ビームを偏向する象限により荷電粒
子ビームのドリフト量が異なることまで考慮して熱補償
手段を構成する部分熱補償手段のそれぞれに流す熱補償
電流を容易かつ正確に決定することができる。
【００２９】
【実施例】次に図面を参照して本発明の好適な実施例を
説明する。図１に電子ビーム露光装置の主要部の構成図
を示す。
説明する。図１に電子ビーム露光装置の主要部の構成図
を示す。
【００３０】電子ビーム露光装置１において、レンズコ
イル２は鉄ヨーク３と磁気的に結合しており、鉄ヨーク
３の先端部にはフェライト等で構成されたポールピース
４が磁気的に結合している。レンズコイル２にはコイル
支持板５が内挿されており、コイル支持板５の外周側に
は電磁偏向コイル６が取付けられ、さらに外周側には電
磁偏向コイル６の近傍に熱補償コイル７が取付けられて
いる。
イル２は鉄ヨーク３と磁気的に結合しており、鉄ヨーク
３の先端部にはフェライト等で構成されたポールピース
４が磁気的に結合している。レンズコイル２にはコイル
支持板５が内挿されており、コイル支持板５の外周側に
は電磁偏向コイル６が取付けられ、さらに外周側には電
磁偏向コイル６の近傍に熱補償コイル７が取付けられて
いる。
【００３１】熱補償コイル７は、電流を流すことによっ
てジュール熱を発生し、熱補償を行なう。図２に電子ビ
ーム露光装置の制御系の主要部の構成ブロックを示す。
てジュール熱を発生し、熱補償を行なう。図２に電子ビ
ーム露光装置の制御系の主要部の構成ブロックを示す。
【００３２】電子ビーム露光装置１は、電子ビーム露光
装置１全体を制御するＣＰＵ１０と、このＣＰＵ１０の
制御下で所望のＸ方向及びＹ方向の露光パターンデータ
を生成し出力するパターンジェネレータ１１と、Ｘ方向
露光パターンデータのディジタル／アナログ（以下、Ｄ
／Ａという。）変換を行ない、Ｘ方向アナログ露光信号
として出力するＸ方向Ｄ／Ａコンバータ１２と、Ｙ方向
露光パターンデータのＤ／Ａ変換を行ない、Ｙ方向アナ
ログ露光信号として出力するＹ方向Ｄ／Ａコンバータ１
３と、Ｘ方向アナログ信号を増幅して偏向制御信号ＶX
として出力する第１増幅器１４と、Ｙ方向アナログ露光
信号を増幅して偏向制御信号ＶY として出力する第２増
幅器１５と、Ｘ方向電磁偏向コイル６Ｘの熱補償を行な
うＸ方向熱補償コイル７Ｘと、Ｙ方向電磁偏向コイル６
Ｙの熱補償を行なうＹ方向熱補償コイル７Ｙと、Ｘ方向
Ｄ／Ａコンバータ１２を介して得られるＸ方向露光パタ
ーンデータ及びＹ方向Ｄ／Ａコンバータ１３を介して得
られるＹ方向露光パターンデータに基づいてＸ方向熱補
償コイル７Ｘに流す第１熱補償用電流ＩC1及びＹ方向熱
補償コイル７Ｙに流す第２熱補償用電流ＩC2を演算する
ととともに、各熱補償コイル７Ｘ、７Ｙに供給する演算
回路１６と、を備えて構成されている。
装置１全体を制御するＣＰＵ１０と、このＣＰＵ１０の
制御下で所望のＸ方向及びＹ方向の露光パターンデータ
を生成し出力するパターンジェネレータ１１と、Ｘ方向
露光パターンデータのディジタル／アナログ（以下、Ｄ
／Ａという。）変換を行ない、Ｘ方向アナログ露光信号
として出力するＸ方向Ｄ／Ａコンバータ１２と、Ｙ方向
露光パターンデータのＤ／Ａ変換を行ない、Ｙ方向アナ
ログ露光信号として出力するＹ方向Ｄ／Ａコンバータ１
３と、Ｘ方向アナログ信号を増幅して偏向制御信号ＶX
として出力する第１増幅器１４と、Ｙ方向アナログ露光
信号を増幅して偏向制御信号ＶY として出力する第２増
幅器１５と、Ｘ方向電磁偏向コイル６Ｘの熱補償を行な
うＸ方向熱補償コイル７Ｘと、Ｙ方向電磁偏向コイル６
Ｙの熱補償を行なうＹ方向熱補償コイル７Ｙと、Ｘ方向
Ｄ／Ａコンバータ１２を介して得られるＸ方向露光パタ
ーンデータ及びＹ方向Ｄ／Ａコンバータ１３を介して得
られるＹ方向露光パターンデータに基づいてＸ方向熱補
償コイル７Ｘに流す第１熱補償用電流ＩC1及びＹ方向熱
補償コイル７Ｙに流す第２熱補償用電流ＩC2を演算する
ととともに、各熱補償コイル７Ｘ、７Ｙに供給する演算
回路１６と、を備えて構成されている。
【００３３】ここで、詳細な動作を説明するに先立っ
て、熱補償用電流の決定方法の原理を説明する。（I ）第１の原理説明 例えば、第１、第２熱補償電流ＩC1，ＩC2の値を各々横
軸と縦軸にとり、第１、第２熱補償電流ＩC1，ＩC2の値
のある組合わせに相当するある座標点（ＩC1X、
ＩC2Y ）における電子ビームのドリフトの量を測定し、
ドリフト量が一番小さくなる座標点、すなわち、ドリフ
ト量が最小の第１、第２熱補償電流ＩC1，ＩC2の値の組
合わせを決定する。
て、熱補償用電流の決定方法の原理を説明する。（I ）第１の原理説明 例えば、第１、第２熱補償電流ＩC1，ＩC2の値を各々横
軸と縦軸にとり、第１、第２熱補償電流ＩC1，ＩC2の値
のある組合わせに相当するある座標点（ＩC1X、
ＩC2Y ）における電子ビームのドリフトの量を測定し、
ドリフト量が一番小さくなる座標点、すなわち、ドリフ
ト量が最小の第１、第２熱補償電流ＩC1，ＩC2の値の組
合わせを決定する。
【００３４】具体的には、次のように行なう。まず、第
１、第２熱補償電流ＩC1，ＩC2の値を各々横軸と縦軸に
とり、第１熱補償用電流ＩC1及び第２熱補償用電流ＩC2
の値の組合わせをある値＝（ＩC1X 、ＩC2Y ）に設定す
る〔但し、（Ｘ、Ｙ）は電子ビームのＸ方向及びＹ方向
の偏向量に相当する。以下、同じ。〕。ここでＩC1X 、
ＩC2Y は、それぞれ第１熱補償電流ＩC1の実際の電流
値、第２熱補償電流ＩC2の実際の電流値である。
１、第２熱補償電流ＩC1，ＩC2の値を各々横軸と縦軸に
とり、第１熱補償用電流ＩC1及び第２熱補償用電流ＩC2
の値の組合わせをある値＝（ＩC1X 、ＩC2Y ）に設定す
る〔但し、（Ｘ、Ｙ）は電子ビームのＸ方向及びＹ方向
の偏向量に相当する。以下、同じ。〕。ここでＩC1X 、
ＩC2Y は、それぞれ第１熱補償電流ＩC1の実際の電流
値、第２熱補償電流ＩC2の実際の電流値である。
【００３５】次に、電子ビームを偏向基準座標位置＝
（０μｍ，０μｍ）に一定時間留置し、電磁偏向コイル
近傍の温度を安定にし、電子ビームの位置の変動が起き
ない状態とする。
（０μｍ，０μｍ）に一定時間留置し、電磁偏向コイル
近傍の温度を安定にし、電子ビームの位置の変動が起き
ない状態とする。
【００３６】その後、電子ビームを所定の座標位置に偏
向させる。この所定の座標位置としては、電磁偏向フィ
ールドコーナ座標（ＭX ，ＭY ）の位置に偏向するのが
好ましいが、実際に露光を行なう最大偏向座標位置とす
ることも可能である。具体的には、当該電子ビーム露光
装置の偏向可能範囲がＸ方向に（―５０００μｍ〜＋５
０００μｍ）であり、Ｙ方向に（―５０００μｍ〜＋５
０００μｍ）である場合には、ＭX ＝ＭY ＝５０００μ
ｍのように設定すればよい。
向させる。この所定の座標位置としては、電磁偏向フィ
ールドコーナ座標（ＭX ，ＭY ）の位置に偏向するのが
好ましいが、実際に露光を行なう最大偏向座標位置とす
ることも可能である。具体的には、当該電子ビーム露光
装置の偏向可能範囲がＸ方向に（―５０００μｍ〜＋５
０００μｍ）であり、Ｙ方向に（―５０００μｍ〜＋５
０００μｍ）である場合には、ＭX ＝ＭY ＝５０００μ
ｍのように設定すればよい。
【００３７】次に、再び、偏向基準座標位置＝（０μ
ｍ，０μｍ）に電子ビームを振り戻させる。この時、実
際の電子ビームの位置は、指定した偏向基準座標位置
（０μｍ，０μｍ）から１μｍ程度ドリフトしている。
ｍ，０μｍ）に電子ビームを振り戻させる。この時、実
際の電子ビームの位置は、指定した偏向基準座標位置
（０μｍ，０μｍ）から１μｍ程度ドリフトしている。
【００３８】このドリフト量を複数の熱補償電流値の組
合わせ＝（ＩC1X ，ＩC2Y ）において測定し、座標全体
にわたるドリフト量のマップを完成し、電子ビームのド
リフトがより小さくなるときの熱補償電流値の組合わせ
＝（ＩC1X ，ＩC2Y ）を最適な第１熱補償電流ＩC1及び
第２熱補償電流ＩC2として決定する。（II）第２の原理説明 ところで、上記第１の原理説明においては、電子ビーム
のドリフト量を測定する際に、電子ビームを偏向して保
持する偏向座標位置＝（５０００μｍ，５０００μｍ）
としていたが、実際には電子ビームを偏向して保持する
偏向座標位置＝（５０００μｍ，５０００μｍ）にする
か、偏向座標位置＝（−５０００μｍ，−５０００μ
ｍ）にするかで電子ビームのドリフト量が最も小さくな
る熱補償電流の最適値（ＩC1，ＩC2）は異なってしま
う。
合わせ＝（ＩC1X ，ＩC2Y ）において測定し、座標全体
にわたるドリフト量のマップを完成し、電子ビームのド
リフトがより小さくなるときの熱補償電流値の組合わせ
＝（ＩC1X ，ＩC2Y ）を最適な第１熱補償電流ＩC1及び
第２熱補償電流ＩC2として決定する。（II）第２の原理説明 ところで、上記第１の原理説明においては、電子ビーム
のドリフト量を測定する際に、電子ビームを偏向して保
持する偏向座標位置＝（５０００μｍ，５０００μｍ）
としていたが、実際には電子ビームを偏向して保持する
偏向座標位置＝（５０００μｍ，５０００μｍ）にする
か、偏向座標位置＝（−５０００μｍ，−５０００μ
ｍ）にするかで電子ビームのドリフト量が最も小さくな
る熱補償電流の最適値（ＩC1，ＩC2）は異なってしま
う。
【００３９】その原因は、例えば、電磁偏向器の増幅器
の熱ドリフト特性が、５０００μｍ偏向する場合と−５
０００μｍ偏向する場合で異なることにある。この問題
点を解決するためには、更に、次のようにすれば良い。
の熱ドリフト特性が、５０００μｍ偏向する場合と−５
０００μｍ偏向する場合で異なることにある。この問題
点を解決するためには、更に、次のようにすれば良い。
【００４０】電子ビームを（ＭX ，ＭY ）、（−ＭX ，
ＭY ）、（ＭX ，−ＭY ）、（−Ｍ X ，−ＭY ）の各象
限に振った時の各座標点（ＩC1，ＩC2）における電子ビ
ームの位置ドリフトを測定した後、座標点（ＩC1，
ＩC2）において各象限の電子ビームのドリフト量を加算
平均し平均値が一番小さくなる点を探しだす。
ＭY ）、（ＭX ，−ＭY ）、（−Ｍ X ，−ＭY ）の各象
限に振った時の各座標点（ＩC1，ＩC2）における電子ビ
ームの位置ドリフトを測定した後、座標点（ＩC1，
ＩC2）において各象限の電子ビームのドリフト量を加算
平均し平均値が一番小さくなる点を探しだす。
【００４１】これにより、より最適な熱補償電流の組合
わせを決定することができる。第１実施例 次に第１の原理に基づく、より具体的な実施例を図３を
参照して説明する。
わせを決定することができる。第１実施例 次に第１の原理に基づく、より具体的な実施例を図３を
参照して説明する。
【００４２】以下の説明においては、ＩX ＝ＩY ＝０の
時のＩC1＝ａ√ｄ1 、ＩC2＝ａ√ｄ 2 の値を変えてゆ
き、ドリフト量が最小になるようにＩC1，ＩC2の値を決
定する場合について説明する。 （ａ） まず、ＩC1，ＩC2の値を適当なある値に設定
し、電磁偏向器の出力を偏向基準座標位置＝（０μｍ，
０μｍ）に設定し、電子ビームにブランキングを掛けた
状態でコラムが熱的に安定するのを待つ。
時のＩC1＝ａ√ｄ1 、ＩC2＝ａ√ｄ 2 の値を変えてゆ
き、ドリフト量が最小になるようにＩC1，ＩC2の値を決
定する場合について説明する。 （ａ） まず、ＩC1，ＩC2の値を適当なある値に設定
し、電磁偏向器の出力を偏向基準座標位置＝（０μｍ，
０μｍ）に設定し、電子ビームにブランキングを掛けた
状態でコラムが熱的に安定するのを待つ。
【００４３】熱的に安定したかどうかは偏向基準座標位
置＝（０μｍ，０μｍ）にマークを設定しておきその位
置ずれを検出すれば良い。 （ｂ） 次に、電子ビームを偏向座標位置＝（５０００
μｍ，５０００μｍ）の位置に３０秒間偏向しておき、
その後、再び、偏向基準座標位置＝（０μｍ，０μｍ）
に電子ビームの偏向位置を指定し、偏向基準座標位置＝
（０μｍ，０μｍ）の位置にあるべきマークの位置との
ずれ量を検出する。
置＝（０μｍ，０μｍ）にマークを設定しておきその位
置ずれを検出すれば良い。 （ｂ） 次に、電子ビームを偏向座標位置＝（５０００
μｍ，５０００μｍ）の位置に３０秒間偏向しておき、
その後、再び、偏向基準座標位置＝（０μｍ，０μｍ）
に電子ビームの偏向位置を指定し、偏向基準座標位置＝
（０μｍ，０μｍ）の位置にあるべきマークの位置との
ずれ量を検出する。
【００４４】この時の、偏向基準座標位置＝（０μｍ，
０μｍ）からのずれ量が電磁偏向コイルの発熱による電
子ビームのドリフト量である。 （ｃ） （ｂ）の処理においてドリフト量の検出後、す
ぐに偏向座標位置＝（５０００μｍ，５０００μｍ）に
電子ビームを偏向し３０秒間留置する。その後、再び、
偏向基準座標位置＝（０μｍ，０μｍ）に電子ビームの
偏向位置を指定し、偏向基準座標位置＝（０μｍ，０μ
ｍ）にあるマークの位置と電子ビームの詳細値とのずれ
量を検出する。
０μｍ）からのずれ量が電磁偏向コイルの発熱による電
子ビームのドリフト量である。 （ｃ） （ｂ）の処理においてドリフト量の検出後、す
ぐに偏向座標位置＝（５０００μｍ，５０００μｍ）に
電子ビームを偏向し３０秒間留置する。その後、再び、
偏向基準座標位置＝（０μｍ，０μｍ）に電子ビームの
偏向位置を指定し、偏向基準座標位置＝（０μｍ，０μ
ｍ）にあるマークの位置と電子ビームの詳細値とのずれ
量を検出する。
【００４５】以後、（ｂ）で説明した測定を測定時刻を
変えて繰返すと、例えば、時刻ｔ1、ｔ2 、ｔ3 におけ
る電磁偏向コイルの発熱による電子ビームのドリフト量
の測定が行なえる。 （ｄ） 次に、熱補償電流ＩC1、ＩC2の値の組合わせを
変更して、上記（ａ）〜（ｃ）の測定（処理）を繰り返
す。
変えて繰返すと、例えば、時刻ｔ1、ｔ2 、ｔ3 におけ
る電磁偏向コイルの発熱による電子ビームのドリフト量
の測定が行なえる。 （ｄ） 次に、熱補償電流ＩC1、ＩC2の値の組合わせを
変更して、上記（ａ）〜（ｃ）の測定（処理）を繰り返
す。
【００４６】熱補償電流ＩC1，ＩC2の値の組合わせの設
定は、例えば、図３に示すように、熱補償電流ＩC1，Ｉ
C2を各々横軸，縦軸にとりメッシュの交点に相当する組
合わせに設定すれば良い。図３において各交点でのＸ，
Ｙ方向の電子ビームのドリフト量を（ΔＸm,n ，ΔＹ
m,n ）とする。ここで、ｍは第１熱補償電流ＩC1の値、
ｎは第２熱補償電流ＩC2の値を示す。
定は、例えば、図３に示すように、熱補償電流ＩC1，Ｉ
C2を各々横軸，縦軸にとりメッシュの交点に相当する組
合わせに設定すれば良い。図３において各交点でのＸ，
Ｙ方向の電子ビームのドリフト量を（ΔＸm,n ，ΔＹ
m,n ）とする。ここで、ｍは第１熱補償電流ＩC1の値、
ｎは第２熱補償電流ＩC2の値を示す。
【００４７】上記（ａ）〜（ｄ）の測定結果をまとめる
と、変更座標位置＝（５０００μｍ，５０００μｍ）に
電子ビームを偏向後、ある測定開始時刻ｔ0 後の時刻ｔ
1 、ｔ2 、ｔ3 における電子ビームのドリフト量のマッ
プとして得られる。
と、変更座標位置＝（５０００μｍ，５０００μｍ）に
電子ビームを偏向後、ある測定開始時刻ｔ0 後の時刻ｔ
1 、ｔ2 、ｔ3 における電子ビームのドリフト量のマッ
プとして得られる。
【００４８】実際の露光においては、例えば、上記
（ａ）〜（ｄ）の測定結果が時刻ｔ1 ＝１分、時刻ｔ2
＝２分、時刻ｔ3 ＝３分であり、３分おきにマーク検出
を行い位置合わせを行う場合には、３分後の電子ビーム
のドリフト量（ΔＸm,n ，ΔＹm, n ）のマップである時
刻ｔ3 の測定結果であるマップから（ΔＸm,n ，ΔＹ
m,n）が最も小さくなる時の熱補償電流ＩC1，ＩC2の値
を決定する。
（ａ）〜（ｄ）の測定結果が時刻ｔ1 ＝１分、時刻ｔ2
＝２分、時刻ｔ3 ＝３分であり、３分おきにマーク検出
を行い位置合わせを行う場合には、３分後の電子ビーム
のドリフト量（ΔＸm,n ，ΔＹm, n ）のマップである時
刻ｔ3 の測定結果であるマップから（ΔＸm,n ，ΔＹ
m,n）が最も小さくなる時の熱補償電流ＩC1，ＩC2の値
を決定する。
【００４９】以上の説明のように、本第１実施例によれ
ば、実際の露光において検定を行なう必要がある時間に
合せて、対応するマップから最も電子ビームのドリフト
量が小さくなるように熱補償電流を的確に求めることが
可能となり、より精度の高い露光を行なうことができ
る。第２実施例 次に第２の原理に基づく第２実施例を具体的に説明す
る。
ば、実際の露光において検定を行なう必要がある時間に
合せて、対応するマップから最も電子ビームのドリフト
量が小さくなるように熱補償電流を的確に求めることが
可能となり、より精度の高い露光を行なうことができ
る。第２実施例 次に第２の原理に基づく第２実施例を具体的に説明す
る。
【００５０】上記第１実施例においては、電子ビームド
リフト量の測定に際し、特定の偏向座標位置、すなわ
ち、上記第１実施例では偏向座標位置＝（５０００μ
ｍ，５０００μｍ）に電子ビームを偏向したときのマッ
プのみを用いて熱補償電流ＩC1、ＩC2を決定していた
が、本第２実施例は、複数の偏向座標位置に電子ビーム
を偏向した場合に得られる複数のマップを用いて最適な
熱補償電流を決定する場合の実施例である。
リフト量の測定に際し、特定の偏向座標位置、すなわ
ち、上記第１実施例では偏向座標位置＝（５０００μ
ｍ，５０００μｍ）に電子ビームを偏向したときのマッ
プのみを用いて熱補償電流ＩC1、ＩC2を決定していた
が、本第２実施例は、複数の偏向座標位置に電子ビーム
を偏向した場合に得られる複数のマップを用いて最適な
熱補償電流を決定する場合の実施例である。
【００５１】まず、上記第２の原理を用いて本第２実施
例を実施すべき理由についてより詳細に説明する。例え
ば、電子ビームを第１の偏向座標位置＝（５０００μ
ｍ，５０００μｍ）に偏向して測定した時の電子ビーム
のドリフト量（ΔＸm,n ，ΔＹm,n ）のマップと、電子
ビームを第２の偏向座標位置＝（−５０００μｍ，−５
０００μｍ）に偏向して測定した時の電子ビームのドリ
フト量（ΔＸ’m,n ，ΔＹ’m,n ）のマップとは、明ら
かに異なっている。
例を実施すべき理由についてより詳細に説明する。例え
ば、電子ビームを第１の偏向座標位置＝（５０００μ
ｍ，５０００μｍ）に偏向して測定した時の電子ビーム
のドリフト量（ΔＸm,n ，ΔＹm,n ）のマップと、電子
ビームを第２の偏向座標位置＝（−５０００μｍ，−５
０００μｍ）に偏向して測定した時の電子ビームのドリ
フト量（ΔＸ’m,n ，ΔＹ’m,n ）のマップとは、明ら
かに異なっている。
【００５２】ところで、理論的には電磁偏向コイルの発
熱の大きさは電流の向きには依存しないはずである。電
子ビームを第１の偏向座標位置＝（５０００μｍ，５０
００μｍ）に偏向して測定した時の電子ビームのドリフ
ト量（ΔＸm,n ，ΔＹm,n ）のマップと電子ビームを第
２の偏向座標位置＝（−５０００μｍ，−５０００μ
ｍ）に偏向して測定した時の電子ビームのドリフト量
（ΔＸ’m,n ，ΔＹ’m,n）のマップとが異なるのは、
例えば、電子偏向アンプの特性が正負偏向方向で異なる
等、他の原因によるものと考えられる。
熱の大きさは電流の向きには依存しないはずである。電
子ビームを第１の偏向座標位置＝（５０００μｍ，５０
００μｍ）に偏向して測定した時の電子ビームのドリフ
ト量（ΔＸm,n ，ΔＹm,n ）のマップと電子ビームを第
２の偏向座標位置＝（−５０００μｍ，−５０００μ
ｍ）に偏向して測定した時の電子ビームのドリフト量
（ΔＸ’m,n ，ΔＹ’m,n）のマップとが異なるのは、
例えば、電子偏向アンプの特性が正負偏向方向で異なる
等、他の原因によるものと考えられる。
【００５３】そこで、これらの特性の差も含めて熱補償
を行うことが好ましいと考えられるのである。次に図４
及び図５を参照して動作を説明する。
を行うことが好ましいと考えられるのである。次に図４
及び図５を参照して動作を説明する。
【００５４】上記第１実施例と同様に（ａ）〜（ｄ）の
測定を行ない、その測定結果をまとめると、電子ビーム
を第１の偏向座標位置＝（５０００μｍ，５０００μ
ｍ）に偏向後、ある時間後における電子ビームのドリフ
ト量の第１のマップが得られる。
測定を行ない、その測定結果をまとめると、電子ビーム
を第１の偏向座標位置＝（５０００μｍ，５０００μ
ｍ）に偏向後、ある時間後における電子ビームのドリフ
ト量の第１のマップが得られる。
【００５５】同様にして、電子ビームを第２の偏向座標
位置＝（−５０００μｍ，５０００μｍ）、第３の偏向
座標位置＝（−５０００μｍ，−５０００μｍ）、第３
の偏向座標位置（５０００μｍ，−５０００μｍ）にそ
れぞれ偏向した後、ある時間後における電子ビームのド
リフト量の第２〜第３のマップを得る。
位置＝（−５０００μｍ，５０００μｍ）、第３の偏向
座標位置＝（−５０００μｍ，−５０００μｍ）、第３
の偏向座標位置（５０００μｍ，−５０００μｍ）にそ
れぞれ偏向した後、ある時間後における電子ビームのド
リフト量の第２〜第３のマップを得る。
【００５６】次に、熱補償電流の組合わせ電流値が（Ｉ
C1，ＩC2）の時の４つの象限における各ドリフト量から
平均値を求めて、図５の総合マップを完成する。この総
合マップにおいて一番ドリフト量が小さくなる熱補償電
流値の組（ＩC1，ＩC2）が最適な熱補償電流値の組合わ
せとなる。
C1，ＩC2）の時の４つの象限における各ドリフト量から
平均値を求めて、図５の総合マップを完成する。この総
合マップにおいて一番ドリフト量が小さくなる熱補償電
流値の組（ＩC1，ＩC2）が最適な熱補償電流値の組合わ
せとなる。
【００５７】以上の説明のように、本第２実施例によれ
ば、電子ビームが偏向される全ての領域（象限）におい
て、最も最適と思われる熱補償電流値の組合わせを選択
することができ、電子ビーム露光装置における電磁偏向
コイルの発熱に起因する電子ビームの位置ドリフトをよ
り小さくし、位置合わせ精度をさらに向上させることが
できる。
ば、電子ビームが偏向される全ての領域（象限）におい
て、最も最適と思われる熱補償電流値の組合わせを選択
することができ、電子ビーム露光装置における電磁偏向
コイルの発熱に起因する電子ビームの位置ドリフトをよ
り小さくし、位置合わせ精度をさらに向上させることが
できる。
【００５８】以上の第２実施例においては、最適な熱補
償電流値の組合わせを決定するに際し、ドリフト量の単
純平均値等の平均値を用いていたが、分布をも考慮した
値を用いて判別するように構成することも可能である。
償電流値の組合わせを決定するに際し、ドリフト量の単
純平均値等の平均値を用いていたが、分布をも考慮した
値を用いて判別するように構成することも可能である。
【００５９】以上の各実施例の説明においては、最適な
熱補償電流値の組合わせを決定するに際し、所定の電流
値間隔でマップを作成していたが、得られたマップによ
り最適な熱補償電流値の組合わせと認められた組合わせ
が存在するマップ内の領域近傍についてさらに詳細なマ
ップを作成してより最適な組合わせを見つけるように構
成することも可能である。
熱補償電流値の組合わせを決定するに際し、所定の電流
値間隔でマップを作成していたが、得られたマップによ
り最適な熱補償電流値の組合わせと認められた組合わせ
が存在するマップ内の領域近傍についてさらに詳細なマ
ップを作成してより最適な組合わせを見つけるように構
成することも可能である。
【００６０】また、以上の各実施例においては、熱補償
コイルを２分割する場合についてのみ述べたが、３分割
以上に分割しても、同様な方法により、最適な熱補償電
流を決定することが可能である。
コイルを２分割する場合についてのみ述べたが、３分割
以上に分割しても、同様な方法により、最適な熱補償電
流を決定することが可能である。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、第１及び第２の発
明によれば、熱補償コイルに流す電流の最適値を精度良
く決定することが出来る。これにより、電磁偏向コイル
の発熱に起因する電子ビームの位置ずれが小さくなる。
従って、ＬＳＩの位置合わせ精度等が良くなり、信頼度
の良い製品を生産することが可能となる。
明によれば、熱補償コイルに流す電流の最適値を精度良
く決定することが出来る。これにより、電磁偏向コイル
の発熱に起因する電子ビームの位置ずれが小さくなる。
従って、ＬＳＩの位置合わせ精度等が良くなり、信頼度
の良い製品を生産することが可能となる。
【図１】電子ビーム露光装置の主要部の構成を示す図で
ある。
ある。
【図２】電子ビーム露光装置の制御系のブロック図であ
る。
る。
【図３】最適な熱補償電流の決定に用いるマップであ
る。
る。
【図４】第２実施例の最適な熱補償電流の決定に用いる
マップ群である。
マップ群である。
【図５】図４のマップ群から得られる平均値マップであ
る。
る。
【符号の説明】 １…電子ビーム露光装置 ２…レンズコイル ３…鉄ヨーク ４…ポールピース ５…コイル支持板 ６…電磁偏向コイル ６Ｘ…Ｘ方向電磁偏向コイル ６Ｙ…Ｙ方向電磁偏向コイル ７…熱補償コイル ７Ｘ…Ｘ方向熱補償コイル ７Ｙ…Ｙ方向熱補償コイル １０…ＣＰＵ １１…パターンジェネレータ １２…Ｘ方向Ｄ／Ａコンバータ １３…Ｙ方向Ｄ／Ａコンバータ １４…第１増幅器 １５…第２増幅器 １６…演算回路
Claims (5)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームを偏向して対象物上の所
望の位置に照射するための電磁偏向手段と、前記電磁偏
向手段近傍に配置される複数の部分熱補償手段を有し熱
補償用電流により駆動される熱補償手段と、前記電磁偏
向手段に供給する駆動電流に対応して前記荷電粒子ビー
ムの照射位置のずれを補正するために前記熱補償用電流
を制御する制御回路と、を有する荷電粒子ビーム露光装
置の熱補償用電流の決定方法であって、 前記各部分熱補償手段に供給される熱補償用電流をそれ
ぞれ独立に変化させて、その時の前記荷電粒子ビームの
ドリフト量を測定しドリフト量マップを作成するドリフ
ト量測定工程と、 前記得られたドリフト量マップを用いて、得られた複数
のドリフト量のうち最小の前記ドリフト量に対応する熱
補償用電流の組合わせを前記各部分熱補償手段に供給す
る熱補償用電流の組合わせとして決定する熱補償電流決
定工程と、 を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置の熱
補償用電流の決定方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の荷電粒子ビーム露光装置
の熱補償用電流の決定方法において、 前記ドリフト量測定工程は、前記ドリフト量の測定前に
前記電磁偏向手段により予め定めた一または複数の所定
位置に前記荷電粒子ビームを予め定めた所定時間偏向位
置を保持する偏向保持工程を含むことを特徴とする荷電
粒子ビーム露光装置の熱補償用電流の決定方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の荷電粒子
ビーム露光装置の熱補償用電流の決定方法において、 前記ドリフト量測定工程は、予め定めた所定時間間隔毎
に前記ドリフト量を測定する間隔測定工程を含むことを
特徴とする荷電粒子ビーム露光装置の熱補償用電流の決
定方法。 - 【請求項４】 荷電粒子ビームを偏向して対象物上の所
望の位置に照射するための電磁偏向手段と、前記電磁偏
向手段近傍に配置される複数の部分熱補償手段を有し熱
補償用電流により駆動される熱補償手段と、前記電磁偏
向手段に供給する駆動電流に対応して前記荷電粒子ビー
ムの照射位置のずれを補正するために前記熱補償用電流
を制御する制御回路と、を有する荷電粒子ビーム露光装
置の熱補償用電流の決定方法であって、 前記電磁偏向手段により、予め定めた複数の所定位置に
前記荷電粒子ビームを予め定めた所定時間偏向位置を保
持する偏向保持工程を含み、それぞれの偏向保持位置ご
とに、前記各部分熱補償手段に供給される熱補償用電流
をそれぞれ独立に変化させて、偏向位置保持後の前記荷
電粒子ビームのドリフト量を測定して複数のドリフト量
マップを作成するドリフト量測定工程と、 前記得られた複数のドリフト量マップを用いて、同一の
熱補償用電流の組合わせ毎にドリフト量の平均値を求め
る平均ドリフト量演算工程と、 前記得られた複数のドリフト量の平均値のうち最小の平
均値を有する前記ドリフト量に対応する熱補償用電流の
組合わせを前記各部分熱補償手段に供給する熱補償用電
流の組合わせとして決定する熱補償電流決定工程と、 を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置の熱
補償用電流の決定方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の荷電粒子ビーム露光装置
の熱補償用電流の決定方法において、 前記ドリフト量測定工程は、予め定めた所定時間間隔毎
に前記ドリフト量を測定する間隔測定工程を含むことを
特徴とする荷電粒子ビーム露光装置の熱補償用電流の決
定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP133593A JPH06204127A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 荷電粒子ビーム露光装置の熱補償用電流の決定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP133593A JPH06204127A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 荷電粒子ビーム露光装置の熱補償用電流の決定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204127A true JPH06204127A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=11498634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP133593A Withdrawn JPH06204127A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 荷電粒子ビーム露光装置の熱補償用電流の決定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260256A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置 |
| GB2405524A (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-02 | Leica Microsys Lithography Ltd | Thermal compensation in magnetic field influencing of an electron beam |
| US7019308B2 (en) | 2004-09-01 | 2006-03-28 | Leica Microsystems Lithography Ltd. | Thermal compensation in magnetic field influencing of an electron beam |
-
1993
- 1993-01-07 JP JP133593A patent/JPH06204127A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260256A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置 |
| GB2405524A (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-02 | Leica Microsys Lithography Ltd | Thermal compensation in magnetic field influencing of an electron beam |
| JP2005079092A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Leica Microsystems Lithography Ltd | 電子ビームの磁場作用における熱補償 |
| GB2405524B (en) * | 2003-08-29 | 2005-08-17 | Leica Microsys Lithography Ltd | Thermal compensation in magnetic field influencing of an electron beam |
| US7019308B2 (en) | 2004-09-01 | 2006-03-28 | Leica Microsystems Lithography Ltd. | Thermal compensation in magnetic field influencing of an electron beam |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3894271A (en) | Method and apparatus for aligning electron beams | |
| JP4410871B2 (ja) | 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
| JP2008521221A (ja) | 粒子ビーム露光装置のためのパターンロック装置 | |
| JP4074240B2 (ja) | 偏向歪み補正システム、偏向歪み補正方法、偏向歪み補正プログラム及び半導体装置の製造方法 | |
| US6583430B1 (en) | Electron beam exposure method and apparatus | |
| US4443703A (en) | Method and apparatus of deflection calibration for a charged particle beam exposure apparatus | |
| US4149085A (en) | Automatic overlay measurements using an electronic beam system as a measurement tool | |
| US5798528A (en) | Correction of pattern dependent position errors in electron beam lithography | |
| US4380703A (en) | Method and device for the regulation of a magnetic deflection system | |
| US6624430B2 (en) | Method of measuring and calibrating inclination of electron beam in electron beam proximity exposure apparatus, and electron beam proximity exposure apparatus | |
| EP0097016B1 (en) | Electron beam exposure apparatus | |
| JP3480829B2 (ja) | ダイナミック・フォーカス・コイルを有する粒子ビーム・システム | |
| JPH06204127A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置の熱補償用電流の決定方法 | |
| JP2006294962A (ja) | 電子ビーム描画装置および描画方法 | |
| JPH0744143B2 (ja) | 電子線描画装置の外部磁気補正方法 | |
| US6376137B1 (en) | Charged-particle-beam microlithography apparatus and methods including correction of stage-positioning errors using a deflector | |
| JP2786660B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP3174796B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置及びその制御方法 | |
| JP3194539B2 (ja) | 電子ビーム露光装置及び露光方法 | |
| JP2008042173A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム | |
| JPH01248617A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JPH07262953A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法 | |
| JP3044843B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JP2010135248A (ja) | 荷電粒子ビームの評価基板 | |
| JPH11126700A (ja) | サーチコイルおよびそれを用いた加速空胴制御装置並びにイオンシンクロトロン |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |