JPS6230335A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6230335A JPS6230335A JP16883385A JP16883385A JPS6230335A JP S6230335 A JPS6230335 A JP S6230335A JP 16883385 A JP16883385 A JP 16883385A JP 16883385 A JP16883385 A JP 16883385A JP S6230335 A JPS6230335 A JP S6230335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cover film
- wirings
- film
- wiring
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置を保護するために形成されるカバー膜の不連
続線をなくし、カバー膜の耐湿性を向上する。
続線をなくし、カバー膜の耐湿性を向上する。
本発明は半導体装置の製造方法に関するもので、更に詳
しく言えば当該装置の保護のためにその最上層に形成さ
れるカバー膜に不連続線が発生することを防止する方法
に関する。
しく言えば当該装置の保護のためにその最上層に形成さ
れるカバー膜に不連続線が発生することを防止する方法
に関する。
半導体装置の配線形成は、もともとエツチング液を用い
る等方性のウェットエツチングによってなされていた。
る等方性のウェットエツチングによってなされていた。
それを第３図の断面図を参照して説明すると、半導体基
板１１上に例えばアルミニウム（Ａ１）を被着し、それ
をパターニングするのであるが、それを等方性のウェッ
トエツチングによってなすと、Ａｌは上下方向だけでな
く横方向にもエツチングされ、同図に示すように両側が
テーパしたまたは末広がりになったＡｌ配線１２が形成
される。次いでカバー膜１３をｌ配線１２を覆う如くに
形成する。
板１１上に例えばアルミニウム（Ａ１）を被着し、それ
をパターニングするのであるが、それを等方性のウェッ
トエツチングによってなすと、Ａｌは上下方向だけでな
く横方向にもエツチングされ、同図に示すように両側が
テーパしたまたは末広がりになったＡｌ配線１２が形成
される。次いでカバー膜１３をｌ配線１２を覆う如くに
形成する。
第３図から理解される如＜ Ａｌ配線１２は実効的な
配線幅が大であり、半導体装置の高集積化を妨げるので
、ウェットエツチングに代りリアクティブ・イオン・エ
ツチング（ＲＩＥ）による異方性エツチングが行われる
ようになった。第４図はＩＩＩＨによって形成されたＡ
Ｎ配線１２を示すが、異方性エツチングでは上下方向の
みにエツチングがなされ横方向のエツチングがないので
、両側が真直ぐ′ に立ち上がったｌ配線が作られ、半
導体装置の高集積化が実現された。
配線幅が大であり、半導体装置の高集積化を妨げるので
、ウェットエツチングに代りリアクティブ・イオン・エ
ツチング（ＲＩＥ）による異方性エツチングが行われる
ようになった。第４図はＩＩＩＨによって形成されたＡ
Ｎ配線１２を示すが、異方性エツチングでは上下方向の
みにエツチングがなされ横方向のエツチングがないので
、両側が真直ぐ′ に立ち上がったｌ配線が作られ、半
導体装置の高集積化が実現された。
ＲＩＥによるｌ配線の形成は半導体装置の高集積化に有
効である一面、それの段差が急峻である点に問題がある
。かかるｌ配線をカバー膜で覆う場合、化学気相成長（
ＣＶＤ ）法、プラズマ法などによってＰＳＧ、 Ｓ
ｉｎ、 ５ｉＯＮ、 ＳｉＮなどの薄膜を成長して第４
図のカバー膜１３を成長するが、へβ配線１２の段差部
をカバー膜１３で覆うとき、第４図に円Ａで示す部分の
段差部においては、図にｘ、ｙで示す方向に膜が成長し
、カバー膜がぶつかりながら成長するので、化学的結合
の弱い不連続線１４が発生する。なお、不連続線はＡ１
配線１２の左方にも現れるが、それは簡明化のため図示
しない。
効である一面、それの段差が急峻である点に問題がある
。かかるｌ配線をカバー膜で覆う場合、化学気相成長（
ＣＶＤ ）法、プラズマ法などによってＰＳＧ、 Ｓ
ｉｎ、 ５ｉＯＮ、 ＳｉＮなどの薄膜を成長して第４
図のカバー膜１３を成長するが、へβ配線１２の段差部
をカバー膜１３で覆うとき、第４図に円Ａで示す部分の
段差部においては、図にｘ、ｙで示す方向に膜が成長し
、カバー膜がぶつかりながら成長するので、化学的結合
の弱い不連続線１４が発生する。なお、不連続線はＡ１
配線１２の左方にも現れるが、それは簡明化のため図示
しない。
この不連続線を通って外部の湿気が入るので、不連続線
は半導体装置の信頼度上の耐湿性を決める要因であり、
第３図に示したカバー膜に比べ信頼性が劣る問題がある
。加えて、第４図のｌ配線１２の上方にＰＳＧのカバー
膜を１μｍ程度の膜厚に成長すると、それは耐湿性、強
度共に優れたカバー膜であるが、同図のＸ方向にはカバ
ー膜は０．７μｍ程度しか成長せず、不連続線１４の近
くではカバー膜の強度も劣化する問題がある。
は半導体装置の信頼度上の耐湿性を決める要因であり、
第３図に示したカバー膜に比べ信頼性が劣る問題がある
。加えて、第４図のｌ配線１２の上方にＰＳＧのカバー
膜を１μｍ程度の膜厚に成長すると、それは耐湿性、強
度共に優れたカバー膜であるが、同図のＸ方向にはカバ
ー膜は０．７μｍ程度しか成長せず、不連続線１４の近
くではカバー膜の強度も劣化する問題がある。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、耐湿
性に優れたカバー膜を成長する方法を提供することを目
的とする。
性に優れたカバー膜を成長する方法を提供することを目
的とする。
第１図（ａ）と（ｂｌは本発明の方法を実施する工程に
おける半導体装置の配線部分の断面図である。
おける半導体装置の配線部分の断面図である。
第１図（ａ）において、半導体基板１１上にｉを被着し
、ＲＩＢによってＡ７！配線１２を形成した後に、適当
な粘度をもった絶縁性樹脂、例えばシリコン樹脂１５を
スピンコーティング法によってごく薄（ｌ配線１２上に
塗布させ、同図に円Ａで示す部分にシリコン樹脂１５の
たまりを作り、次いで同図（ｂ）に示す如くカバー膜１
３を成長する。
、ＲＩＢによってＡ７！配線１２を形成した後に、適当
な粘度をもった絶縁性樹脂、例えばシリコン樹脂１５を
スピンコーティング法によってごく薄（ｌ配線１２上に
塗布させ、同図に円Ａで示す部分にシリコン樹脂１５の
たまりを作り、次いで同図（ｂ）に示す如くカバー膜１
３を成長する。
上記方法においては、ｌ配線１２の段差部にシリコン樹
脂１５のたまりが存在するため、 へｌ配線１２とその
両側部は、第３図に示したへβ配線の形状と同様に緩や
かに傾斜しているので、その上にカバー膜を成長すると
きカバー膜は全体的にほぼ均一に第４図のＸ方向にのみ
成長するものであり、カバー膜に不連続線が発生しなく
なる。
脂１５のたまりが存在するため、 へｌ配線１２とその
両側部は、第３図に示したへβ配線の形状と同様に緩や
かに傾斜しているので、その上にカバー膜を成長すると
きカバー膜は全体的にほぼ均一に第４図のＸ方向にのみ
成長するものであり、カバー膜に不連続線が発生しなく
なる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
再び第１図を参照すると、同図（ａ）に示される如く、
従来例の場合と同様に、基板（例えば半導体基板）１１
上にＡＩ！を被着し、それをＲＩＢでパターニングして
電気的配線すなわちＡβ配線１２を形成する。このｌ配
線１２の図にＡで示す部分はほぼ真直ぐに立つ急峻な段
差部となっている。
従来例の場合と同様に、基板（例えば半導体基板）１１
上にＡＩ！を被着し、それをＲＩＢでパターニングして
電気的配線すなわちＡβ配線１２を形成する。このｌ配
線１２の図にＡで示す部分はほぼ真直ぐに立つ急峻な段
差部となっている。
ここで、絶縁性樹脂１５（例えばシリコン樹脂）をスピ
ンコーティング法で、 ｌ配線１２の表面上にごく薄い
膜が作られる程度に塗布する。シリコン樹脂１５に適当
な粘度をもたせることによって、段差部にはシリコン樹
脂１５のたまりが作られ、シリコン樹脂１５の表面形状
は、ｉを等方性エツチングした第３図に示すへβ配線の
形状とほぼ同じになり、全体的になだらかな表面を作る
。
ンコーティング法で、 ｌ配線１２の表面上にごく薄い
膜が作られる程度に塗布する。シリコン樹脂１５に適当
な粘度をもたせることによって、段差部にはシリコン樹
脂１５のたまりが作られ、シリコン樹脂１５の表面形状
は、ｉを等方性エツチングした第３図に示すへβ配線の
形状とほぼ同じになり、全体的になだらかな表面を作る
。
次に、同図（ｂ）に示される如く、例えばＰＳＧを従来
と同様にＣＶＤ法で成長すると、シリコン樹脂１５の表
面は前記した如くなだらかになっているので、ＰＳＧは
上下方向（第４図のＸ方向）にのみ堆積し、不連続線の
ないカバー膜１３が形成される。
と同様にＣＶＤ法で成長すると、シリコン樹脂１５の表
面は前記した如くなだらかになっているので、ＰＳＧは
上下方向（第４図のＸ方向）にのみ堆積し、不連続線の
ないカバー膜１３が形成される。
本発明の応用例は第２図に示され、この例においては、
へβ配線１２の上に例えばＰＳＧの層間絶縁膜１６を形
成すると、眉間絶縁膜１７の表面にも急峻な段差部１７
が現れる。そこで、上記した方法によって、段差部に絶
縁性樹脂１５のたまりを作り、次いで上層のカバー１１
Ａ１８を従来と同様にプラズマＳｒＮで作ると、このカ
バー膜には子連Ｕ１３Ｍが発生することなく、耐湿性に
優れたカバー膜が作られる。
へβ配線１２の上に例えばＰＳＧの層間絶縁膜１６を形
成すると、眉間絶縁膜１７の表面にも急峻な段差部１７
が現れる。そこで、上記した方法によって、段差部に絶
縁性樹脂１５のたまりを作り、次いで上層のカバー１１
Ａ１８を従来と同様にプラズマＳｒＮで作ると、このカ
バー膜には子連Ｕ１３Ｍが発生することなく、耐湿性に
優れたカバー膜が作られる。
前記の絶縁性樹脂に何を用いるか、またその粘度をどの
値に設定するかは、配線幅、配線相互間のピッチなどを
考慮してその都度適宜選定する。
値に設定するかは、配線幅、配線相互間のピッチなどを
考慮してその都度適宜選定する。
以上述べてきたように、本発明によれば、不連続線のな
い耐湿性に優れたカバー膜が、従来の工程をなんら変更
することなく形成され、半導体装置の信頼性向上に効果
大である。
い耐湿性に優れたカバー膜が、従来の工程をなんら変更
することなく形成され、半導体装置の信頼性向上に効果
大である。
第１図（ａ）とｆｂ）は本発明実施例の断面図、第２図
は本発明応用例の断面図、 第３図と第４図は従来例の断面図である。 第１図ないし第４図において、 １１は半導体基板、 １２はｌ配線、 １３はカバー膜、 １４は不連続線、 Ｉ５は絶縁性樹脂、 １６は眉間絶縁膜、 １７は段差部、 １８はプラズマＳｉＮのカバー膜である。
は本発明応用例の断面図、 第３図と第４図は従来例の断面図である。 第１図ないし第４図において、 １１は半導体基板、 １２はｌ配線、 １３はカバー膜、 １４は不連続線、 Ｉ５は絶縁性樹脂、 １６は眉間絶縁膜、 １７は段差部、 １８はプラズマＳｉＮのカバー膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（１１）上の電気的配線（１２）を覆うカバー膜（
１３）を作るに際し、基板（１１）上にほぼ真直ぐに立
つ段差部をもった電気的配線（１２）を形成する工程、 前記配線（１２）を覆う絶縁性樹脂（１５）の膜を形成
し、前記段差部に絶縁性樹脂（１５）のたまりを作る工
程、および 全面にカバー膜（１３）を形成する工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16883385A JPS6230335A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16883385A JPS6230335A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230335A true JPS6230335A (ja) | 1987-02-09 |
Family
ID=15875365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16883385A Pending JPS6230335A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230335A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906592A (en) * | 1985-10-03 | 1990-03-06 | Bull S.A. | Method for forming a multilayered metal network for bonding components of a high-density integrated circuit using a spin on glass layer |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5348675A (en) * | 1976-10-15 | 1978-05-02 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS57100748A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS586139A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-13 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58125834A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5957437A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | 酸化珪素膜の形成方法 |
| JPS60124943A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Fujitsu Ltd | 酸化珪素膜の形成方法 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16883385A patent/JPS6230335A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5348675A (en) * | 1976-10-15 | 1978-05-02 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS57100748A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS586139A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-13 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58125834A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5957437A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | 酸化珪素膜の形成方法 |
| JPS60124943A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Fujitsu Ltd | 酸化珪素膜の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906592A (en) * | 1985-10-03 | 1990-03-06 | Bull S.A. | Method for forming a multilayered metal network for bonding components of a high-density integrated circuit using a spin on glass layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5819129B2 (ja) | ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ | |
| JPS6230335A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58135645A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59227118A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0419707B2 (ja) | ||
| JPS6174352A (ja) | 多層配線を有する半導体装置の製造方法 | |
| JPS61196555A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPS62136072A (ja) | シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法 | |
| JPS62171139A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63155625A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6154645A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63107141A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59232443A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63292658A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0290621A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62115744A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03159125A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60195950A (ja) | 多層配線部材 | |
| JPS5843538A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS63226041A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS58213454A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63261854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60254749A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02174250A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0319228A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |