JPS6230190B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6230190B2 JPS6230190B2 JP8416178A JP8416178A JPS6230190B2 JP S6230190 B2 JPS6230190 B2 JP S6230190B2 JP 8416178 A JP8416178 A JP 8416178A JP 8416178 A JP8416178 A JP 8416178A JP S6230190 B2 JPS6230190 B2 JP S6230190B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- methylbenzothiazolone
- methoxybenzothiazole
- formula
- dimethyl sulfate
- methylthiobenzothiazole
- Prior art date
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- Expired
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- Thiazole And Isothizaole Compounds (AREA)
Description
本発明は、一般式（）
で示される２−メトキシベンゾチアゾール誘導体
を、ジアルキル硫酸存在下に熱転位させて、一般
式（） で示されるＮ−メチルベンゾチアゾロン誘導体を
得ることを特徴とするＮ−メチルベンゾチアゾロ
ン誘導体の製造方法に関するものである。 （上記一般式（）、（）において、Ｒは水素
原子、ハロゲン原子または低級アルキル基を示
す。） 従来、２−メトキシベンゾチアゾールを経るＮ
−メチルベンゾチアゾロンの製法としては、W.
H.Davis etal.、J.Chem.Soc.、p304（1942）に示
される如く、無溶媒にて、高温、長時間加熱し
て、Ｎ−メチルベンゾチアゾロンを得る方法が知
られているにすぎず、触媒に関しては沃素で試み
ているが、効果なしとの記述がある。 また、ジアルキル硫酸を用いて、Ｎ−メチルベ
ンゾチアゾロン誘導体を合成する方法としては、
２−メチルチオベンゾチアゾールに等モル以上の
ジメチル硫酸を加温下作用させ、２−メチルチオ
ベンゾチアゾールのジメチル硫酸塩とし、その
後、水酸化ナトリウム水溶液で加水分解する方法
が知られている（W.A.Sexton J.Chem.Soc.、
1939、p470）。 さらにまた、類縁化合物である２−メチルチオ
ベンゾチアゾールの熱転位の例として、沃化メチ
ルを２−メチルチオベンゾチアゾールに作用させ
て合成した２−メチルチオベンゾチアゾールの沃
化メチル塩を触媒として用いる例も知られている
（K.J.Morgan、J.Chem.Soc.1954、p.854；D.J.
Fryetal.、J.Chem.Soc、1951、p1716etc）。 しかしながら、これら公知の方法では、転位に
際して高温で長時間の加熱を必要とし、また類縁
化合物である２−メチルチオベンゾチアゾールに
対して用いられている方法を転用した場合にも、
ジメチル硫酸を少なくとも等モル以上必要とした
り、触媒である四塩化塩を合成したりしなければ
ならないなど、操作が頻雑となつたり、また収
率、経済性等の面で、工業的規模で実施するには
多くの困難を有していた。 本発明者らは、上記の欠点を克服すべく研究を
重ねた結果、ジアルキル硫酸の存在下に転位を行
なわせることにより、非常に緩和な条件下で容易
に目的とするＮ−メチルベンゾチアゾロン誘導体
をほぼ定量的に得ることができることを見出し、
本発明を完成するに至つたのである。 以下に本発明の実施態様を述べ、さらに詳しく
説明する。 本発明で使用されるジアルキル硫酸としては、
ジメチル硫酸、ジエチル硫酸などを例示すること
ができるが、ジメチル硫酸のほうが効果が高い。 使用するジアルキル硫酸の量は、反応基質であ
る２−メトキシベンゾチアゾールに対して広い範
囲において任意であり、同一温度条件下では、添
加量の多いほど反応速度的に有利であるが、実用
上は２−メトキシベンゾチアゾール１モルに対し
1/100〜1/10モルが適当である。 反応は有機溶媒の存在下、非存在下のいずれで
も実施可能である。 有機溶媒としては非プロトン性有機溶媒を用い
ることができ、好適な溶媒としては原料である２
−メトキシベンゾチアゾール誘導体の溶解度の高
いトルエン、ｏ−、ｍ−およびｐ−キシレン等の
芳香族炭化水素類ならびに、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼン等塩素化炭化水素類を例示
することができる。 反応温度は、溶媒の非存在下では、生成物であ
るＮ−メチルベンゾチアゾロン誘導体の融点以上
任意であり、通常は融点より10〜20℃高めの温度
で、また溶媒の存在下では、溶媒の還流温度近傍
でと、比較的緩和な条件下で実施される。 本発明で得られるＮ−メチルベンゾチアゾロン
誘導体は、農薬、医薬などとして有用な化合物で
ある。 以下に制御化合物の具体例の若干をあげる。
を、ジアルキル硫酸存在下に熱転位させて、一般
式（） で示されるＮ−メチルベンゾチアゾロン誘導体を
得ることを特徴とするＮ−メチルベンゾチアゾロ
ン誘導体の製造方法に関するものである。 （上記一般式（）、（）において、Ｒは水素
原子、ハロゲン原子または低級アルキル基を示
す。） 従来、２−メトキシベンゾチアゾールを経るＮ
−メチルベンゾチアゾロンの製法としては、W.
H.Davis etal.、J.Chem.Soc.、p304（1942）に示
される如く、無溶媒にて、高温、長時間加熱し
て、Ｎ−メチルベンゾチアゾロンを得る方法が知
られているにすぎず、触媒に関しては沃素で試み
ているが、効果なしとの記述がある。 また、ジアルキル硫酸を用いて、Ｎ−メチルベ
ンゾチアゾロン誘導体を合成する方法としては、
２−メチルチオベンゾチアゾールに等モル以上の
ジメチル硫酸を加温下作用させ、２−メチルチオ
ベンゾチアゾールのジメチル硫酸塩とし、その
後、水酸化ナトリウム水溶液で加水分解する方法
が知られている（W.A.Sexton J.Chem.Soc.、
1939、p470）。 さらにまた、類縁化合物である２−メチルチオ
ベンゾチアゾールの熱転位の例として、沃化メチ
ルを２−メチルチオベンゾチアゾールに作用させ
て合成した２−メチルチオベンゾチアゾールの沃
化メチル塩を触媒として用いる例も知られている
（K.J.Morgan、J.Chem.Soc.1954、p.854；D.J.
Fryetal.、J.Chem.Soc、1951、p1716etc）。 しかしながら、これら公知の方法では、転位に
際して高温で長時間の加熱を必要とし、また類縁
化合物である２−メチルチオベンゾチアゾールに
対して用いられている方法を転用した場合にも、
ジメチル硫酸を少なくとも等モル以上必要とした
り、触媒である四塩化塩を合成したりしなければ
ならないなど、操作が頻雑となつたり、また収
率、経済性等の面で、工業的規模で実施するには
多くの困難を有していた。 本発明者らは、上記の欠点を克服すべく研究を
重ねた結果、ジアルキル硫酸の存在下に転位を行
なわせることにより、非常に緩和な条件下で容易
に目的とするＮ−メチルベンゾチアゾロン誘導体
をほぼ定量的に得ることができることを見出し、
本発明を完成するに至つたのである。 以下に本発明の実施態様を述べ、さらに詳しく
説明する。 本発明で使用されるジアルキル硫酸としては、
ジメチル硫酸、ジエチル硫酸などを例示すること
ができるが、ジメチル硫酸のほうが効果が高い。 使用するジアルキル硫酸の量は、反応基質であ
る２−メトキシベンゾチアゾールに対して広い範
囲において任意であり、同一温度条件下では、添
加量の多いほど反応速度的に有利であるが、実用
上は２−メトキシベンゾチアゾール１モルに対し
1/100〜1/10モルが適当である。 反応は有機溶媒の存在下、非存在下のいずれで
も実施可能である。 有機溶媒としては非プロトン性有機溶媒を用い
ることができ、好適な溶媒としては原料である２
−メトキシベンゾチアゾール誘導体の溶解度の高
いトルエン、ｏ−、ｍ−およびｐ−キシレン等の
芳香族炭化水素類ならびに、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼン等塩素化炭化水素類を例示
することができる。 反応温度は、溶媒の非存在下では、生成物であ
るＮ−メチルベンゾチアゾロン誘導体の融点以上
任意であり、通常は融点より10〜20℃高めの温度
で、また溶媒の存在下では、溶媒の還流温度近傍
でと、比較的緩和な条件下で実施される。 本発明で得られるＮ−メチルベンゾチアゾロン
誘導体は、農薬、医薬などとして有用な化合物で
ある。 以下に制御化合物の具体例の若干をあげる。
【表】
定されるものではない。
実施例 １
２−メトキシベンゾチアゾール2.48ｇ
（0.015mol）にジメチル硫酸95mg（7.5×
10-4mol）を加え、150℃にて３時間加熱撹拌す
る。冷却した後、クロロホルムに溶解させ、クロ
ロホルム層を飽和炭酸ナトリウム水溶液、さらに
水で洗浄して、減圧下溶媒を留去して、融点73〜
75℃の白色結晶としてＮ−メチルベンゾチアゾロ
ン2.46ｇを得る。収率99.2％、純度99.2％ 実施例 ２ ４−クロロ−２−メトキシベンゾチアゾール
3.00ｇ（0.015mol）にジメチル硫酸95mg（7.5×
10-4mol）を加え、150℃にて３時間加熱撹拌す
る。 冷却した後、クロロホルムに溶解させ、クロロ
ホルム層を飽和炭酸ナトリウム水溶液、さらに水
で洗浄して、減圧下溶媒を留去して、融点130〜
132℃の白色結晶として４−クロロＮ−メチルベ
ンゾチアゾロン2.99ｇを得る。収率99.7％、純度
99.0％ 実施例 ３ ４−クロロ−２−メトキシベンゾチアゾール
1.50ｇ（7.5×10-3mol）にジエチル硫酸66mg（４
×10-4mol）を加え、150℃にて３時間加熱撹拌
した後、ガスクロマトグラフイーにて、４−クロ
ロ−Ｎ−メチルベンゾチアゾロンへの転化率を分
析した値を比較例と共に表に示した。
（0.015mol）にジメチル硫酸95mg（7.5×
10-4mol）を加え、150℃にて３時間加熱撹拌す
る。冷却した後、クロロホルムに溶解させ、クロ
ロホルム層を飽和炭酸ナトリウム水溶液、さらに
水で洗浄して、減圧下溶媒を留去して、融点73〜
75℃の白色結晶としてＮ−メチルベンゾチアゾロ
ン2.46ｇを得る。収率99.2％、純度99.2％ 実施例 ２ ４−クロロ−２−メトキシベンゾチアゾール
3.00ｇ（0.015mol）にジメチル硫酸95mg（7.5×
10-4mol）を加え、150℃にて３時間加熱撹拌す
る。 冷却した後、クロロホルムに溶解させ、クロロ
ホルム層を飽和炭酸ナトリウム水溶液、さらに水
で洗浄して、減圧下溶媒を留去して、融点130〜
132℃の白色結晶として４−クロロＮ−メチルベ
ンゾチアゾロン2.99ｇを得る。収率99.7％、純度
99.0％ 実施例 ３ ４−クロロ−２−メトキシベンゾチアゾール
1.50ｇ（7.5×10-3mol）にジエチル硫酸66mg（４
×10-4mol）を加え、150℃にて３時間加熱撹拌
した後、ガスクロマトグラフイーにて、４−クロ
ロ−Ｎ−メチルベンゾチアゾロンへの転化率を分
析した値を比較例と共に表に示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子または低級
アルキル基を示す。） で表わされる２−メトキシベンゾチアゾール誘導
体を熱転位させ、一般式 （式中、Ｒは前記の意味を有する。） で表わされるＮ−メチルベンゾチアゾロン誘導体
を製造する方法において、転位をジアルキル硫酸
の存在下に行なうことを特徴とするＮ−メチルベ
ンゾチアゾロン誘導体の製造方法。 ２ ジアルキル硫酸がジメチル硫酸である特許請
求の範囲第１項記載の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8416178A JPS5511532A (en) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | Preparation of n-methyl-benzthiazolone derivative |
| US06/049,634 US4293702A (en) | 1978-06-19 | 1979-06-18 | Method for preparing 4-substituted-N-methylbenzothiazolone derivatives |
| NL7904750A NL7904750A (nl) | 1978-06-19 | 1979-06-18 | Werkwijze ter bereiding van n-alkylbenzothiazolonderi- vaten. |
| IT7968299A IT7968299A0 (it) | 1978-06-19 | 1979-06-18 | Procedimento per la preparazione di derivati di n alchilbenzotiazoloni particolarmente utili come fungicidi |
| GB7921150A GB2026475A (en) | 1978-06-19 | 1979-06-18 | Method of preparing n-alkyl benzothiazolone derivatives |
| FR7915594A FR2429211A1 (fr) | 1978-06-19 | 1979-06-18 | Procede de production de derives de n-methylbenzothiazolone substitues en position 4 |
| DE19792924712 DE2924712A1 (de) | 1978-06-19 | 1979-06-19 | Verfahren zur herstellung von n-alkylbenzothiazolonderivaten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8416178A JPS5511532A (en) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | Preparation of n-methyl-benzthiazolone derivative |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5511532A JPS5511532A (en) | 1980-01-26 |
| JPS6230190B2 true JPS6230190B2 (ja) | 1987-07-01 |
Family
ID=13822765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8416178A Granted JPS5511532A (en) | 1978-06-19 | 1978-07-10 | Preparation of n-methyl-benzthiazolone derivative |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5511532A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4698486A (en) * | 1984-02-28 | 1987-10-06 | Tamarack Scientific Co., Inc. | Method of heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc. |
-
1978
- 1978-07-10 JP JP8416178A patent/JPS5511532A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5511532A (en) | 1980-01-26 |
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