JPS62295438A - コンタクトホ−ルの形成方法 - Google Patents
コンタクトホ−ルの形成方法Info
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- JPS62295438A JPS62295438A JP13878186A JP13878186A JPS62295438A JP S62295438 A JPS62295438 A JP S62295438A JP 13878186 A JP13878186 A JP 13878186A JP 13878186 A JP13878186 A JP 13878186A JP S62295438 A JPS62295438 A JP S62295438A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体装置におけるコンタクトホールの形成
方法に関する。
方法に関する。
〈従来の技術〉
集積回路の高密度化に伴い、コンタクトホールの形成即
ち絶１ｔｌｆｆの開口において、サイドエッチが少ない
のでスペースマージンを縮小できる異方性エツチング手
段、すなわち反応性イオンエ・ノチング、平行平板型プ
ラズマエツチング等が活用されている。しかし、異方性
エツチングによれば絶縁膜は重重に蝕刻されるので、形
成されたコンタクトホールの上縁角部は急峻となり、ア
ルミニウムなどの電極層を配したとき断線を起こし易い
。
ち絶１ｔｌｆｆの開口において、サイドエッチが少ない
のでスペースマージンを縮小できる異方性エツチング手
段、すなわち反応性イオンエ・ノチング、平行平板型プ
ラズマエツチング等が活用されている。しかし、異方性
エツチングによれば絶縁膜は重重に蝕刻されるので、形
成されたコンタクトホールの上縁角部は急峻となり、ア
ルミニウムなどの電極層を配したとき断線を起こし易い
。
そこでコンタクトホールにおけるステソパカハレソジを
良好にするため、等方性と異方性のエツチング手段を組
み合わせて上縁がテーバ形状となったコンタクトホール
の形成が行われている。例えば特開昭５７−１０９３６
号公報にみられるように酸化シリコン膜上に窒化シリコ
ン膜を形成し、バターニングしたレジスト層をマスクと
して窒化シリコン膜を等方性エツチングした後、同しマ
スクで酸化シリコン膜を異方性エツチングするものであ
る。
良好にするため、等方性と異方性のエツチング手段を組
み合わせて上縁がテーバ形状となったコンタクトホール
の形成が行われている。例えば特開昭５７−１０９３６
号公報にみられるように酸化シリコン膜上に窒化シリコ
ン膜を形成し、バターニングしたレジスト層をマスクと
して窒化シリコン膜を等方性エツチングした後、同しマ
スクで酸化シリコン膜を異方性エツチングするものであ
る。
この方法は開口する絶縁層を二層にするので、単層の絶
縁膜を等方性と異方性のエツチング手法を組み合わせて
蝕刻する場合に比べるとエツチング条件の制御が簡便で
ウェハの各部で均一なテーパを形成できる利点がある。
縁膜を等方性と異方性のエツチング手法を組み合わせて
蝕刻する場合に比べるとエツチング条件の制御が簡便で
ウェハの各部で均一なテーパを形成できる利点がある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
絶縁層の開口に際し、等方性と異方性のエツチング手法
を併用するので工程数が多くそれだけエツチング条件の
制御も依然として煩雑である。
を併用するので工程数が多くそれだけエツチング条件の
制御も依然として煩雑である。
本発明の目的は少ない工程でステップカバレッジの良好
となる微細なコンタクトホールを高精度に形成すること
である。
となる微細なコンタクトホールを高精度に形成すること
である。
〈問題点を解決するための手段〉
絶縁膜上にスピン塗布法により塗布ガラス層を形成して
開口すべき絶縁膜を二層とし、バターニングしたレジス
ト層をマスクとして反応性イオンエツチング法により塗
布ガラス層と絶縁層を除去してコンタクトホールを形成
する。
開口すべき絶縁膜を二層とし、バターニングしたレジス
ト層をマスクとして反応性イオンエツチング法により塗
布ガラス層と絶縁層を除去してコンタクトホールを形成
する。
〈作用〉
塗布ガラス層はエッチャントガスとの化学反応により等
友釣にエツチングされるが、絶縁層はマスクパターンに
相応して異方的にエツチングされる。これにより一種の
エツチング工程で上縁がテーパ状のコンタクトホールが
形成され、このときテーパ形状は絶縁層と塗布ガラス層
の膜厚により制御できる。
友釣にエツチングされるが、絶縁層はマスクパターンに
相応して異方的にエツチングされる。これにより一種の
エツチング工程で上縁がテーパ状のコンタクトホールが
形成され、このときテーパ形状は絶縁層と塗布ガラス層
の膜厚により制御できる。
〈実施例〉
第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の実施例を示す各段階
の工程説明図である。
の工程説明図である。
（ａ）トランジスタなどの回路素子を構成する不純物領
域が形成されたＳｉ基板１上にはＣＶＤにより厚さ３０
００人の酸化シリコン１ｌｆｉ２が形成されている。
域が形成されたＳｉ基板１上にはＣＶＤにより厚さ３０
００人の酸化シリコン１ｌｆｉ２が形成されている。
（ｂ）酸化シリコン膜２の上にスピン塗布法でシラノー
ル系化合物にソルベントとしてアルコール系有機溶剤を
加えた塗布液を２０００〜３０００ｒｐｍで塗布し、４
００〜４５０℃、３０分間の熱処理により有機溶剤を蒸
発させるとともにガラス化を施して膜厚２０００〜２５
００人のスピンオン塗布ガラス層３を形成する。この塗
布ガラス層の誘電率は約３．８であり、窒化シリコンの
７〜８と比べても小さいので、静電容量を低減するため
にテーパの形成に必要な厚さ以上に積層する必要はない
。
ル系化合物にソルベントとしてアルコール系有機溶剤を
加えた塗布液を２０００〜３０００ｒｐｍで塗布し、４
００〜４５０℃、３０分間の熱処理により有機溶剤を蒸
発させるとともにガラス化を施して膜厚２０００〜２５
００人のスピンオン塗布ガラス層３を形成する。この塗
布ガラス層の誘電率は約３．８であり、窒化シリコンの
７〜８と比べても小さいので、静電容量を低減するため
にテーパの形成に必要な厚さ以上に積層する必要はない
。
（ｃ）塗布ガラスＮ３上にレジスト層４を被着し、ホト
リソグラフィで所望パターンの透孔５を形成する。
リソグラフィで所望パターンの透孔５を形成する。
（ｄ） レジストＭ４をマスクとして反応性イオンエツ
チング法所謂ＲＩＥにより透孔５の下部領域の塗布ガラ
ス層３および酸化シリコン膜２を除去する。このときの
エツチング条件は真空度を１０−’〜１０’Ｔｏｒｒに
保ちながらフロン系ガスを加速電圧５００〜１０００
Ｖで１０〜３０分間照射するものである。
チング法所謂ＲＩＥにより透孔５の下部領域の塗布ガラ
ス層３および酸化シリコン膜２を除去する。このときの
エツチング条件は真空度を１０−’〜１０’Ｔｏｒｒに
保ちながらフロン系ガスを加速電圧５００〜１０００
Ｖで１０〜３０分間照射するものである。
このようにしてコンタクトホールを形成しレジスト層４
を除去した後、アルミニウム等の金属層を蒸着し、パタ
ーニングを施して電極または配線層を配する。
を除去した後、アルミニウム等の金属層を蒸着し、パタ
ーニングを施して電極または配線層を配する。
なお、コンタクトホールを形成後、リフローを行って塗
布ガラス層を融解させてテーパ部を清らかにすることも
容易に行え為。
布ガラス層を融解させてテーパ部を清らかにすることも
容易に行え為。
〈発明の効果〉
絶縁膜上に塗布ガラス層を形成し、これらをＲ■Ｅによ
り蝕刻することにより、微細加工に適した異方性エツチ
ングの利点を生かしながらも一種のエツチング工程で上
縁がテーパ状のステップカバレッジの良好となるコンタ
クトホールを形成することができる。
り蝕刻することにより、微細加工に適した異方性エツチ
ングの利点を生かしながらも一種のエツチング工程で上
縁がテーパ状のステップカバレッジの良好となるコンタ
クトホールを形成することができる。
第１図は本発明の実施例を示す説明図である。
２ ・・・酸化シリコン膜（絶縁膜）
３ ・・・塗布ガラス層
４ ・・・レジスト層
Claims (1)
- （１）絶縁層上に塗布ガラス層を形成し、反応性イオン
エッチング法により所望領域の塗布ガラス層と絶縁層を
除去するコンタクトホールの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61138781A JP2535148B2 (ja) | 1986-06-14 | 1986-06-14 | コンタクトホ−ルの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61138781A JP2535148B2 (ja) | 1986-06-14 | 1986-06-14 | コンタクトホ−ルの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62295438A true JPS62295438A (ja) | 1987-12-22 |
| JP2535148B2 JP2535148B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=15230053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61138781A Expired - Lifetime JP2535148B2 (ja) | 1986-06-14 | 1986-06-14 | コンタクトホ−ルの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2535148B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000027225A (ko) * | 1998-10-27 | 2000-05-15 | 김영환 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717550A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-29 | Matsushita Electronics Corp | High pressure sodium lamp |
| JPS59184548A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-14 JP JP61138781A patent/JP2535148B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717550A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-29 | Matsushita Electronics Corp | High pressure sodium lamp |
| JPS59184548A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000027225A (ko) * | 1998-10-27 | 2000-05-15 | 김영환 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2535148B2 (ja) | 1996-09-18 |
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