JPS62290185A - フオトカプラ - Google Patents
フオトカプラInfo
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- JPS62290185A JPS62290185A JP61131784A JP13178486A JPS62290185A JP S62290185 A JPS62290185 A JP S62290185A JP 61131784 A JP61131784 A JP 61131784A JP 13178486 A JP13178486 A JP 13178486A JP S62290185 A JPS62290185 A JP S62290185A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
この発明はフォトカプラに関し、論理回路結合。
アナログ・リレー、モータコントロール等の光電変換装
置に用いられる。
置に用いられる。
(従来の技術)
従来広く用いられているフォトカプラの内部構造を第4
図および第5図に示す、第4図において、101は入力
側リード(リードフレームによって形成されたリード)
でその一つは外囲器内の端部が広い面積のチップベッド
に形成され、ここに発光半導体素子102(以下発光チ
ップと略称する)がチップボンディングされ、この発光
チップの電極は他のリードにワイヤボンディングされて
いる。また、111は出力側リードでその一つは外囲器
内の端部が広い面積で、かつ、上記発光チップのチップ
ベッドに対向するチップベッドに形成されここに受光半
導体素子112(以下受光チップと略称する)がチップ
ボンディングされ、この受光チップの電極は他のリード
にワイヤボンディングされている。
図および第5図に示す、第4図において、101は入力
側リード(リードフレームによって形成されたリード)
でその一つは外囲器内の端部が広い面積のチップベッド
に形成され、ここに発光半導体素子102(以下発光チ
ップと略称する)がチップボンディングされ、この発光
チップの電極は他のリードにワイヤボンディングされて
いる。また、111は出力側リードでその一つは外囲器
内の端部が広い面積で、かつ、上記発光チップのチップ
ベッドに対向するチップベッドに形成されここに受光半
導体素子112(以下受光チップと略称する)がチップ
ボンディングされ、この受光チップの電極は他のリード
にワイヤボンディングされている。
次に、第5図に示す103は透光性樹脂で上記両チップ
102,112を一体に被包し光学的に結合させており
、さらにこれらは外囲器となるエポキシ系の樹脂封止体
104(モールド樹脂)でモールド成形されている。
次に、このホトカプラの構成と動作につき第5図および
第6図を参照して説明する。
102,112を一体に被包し光学的に結合させており
、さらにこれらは外囲器となるエポキシ系の樹脂封止体
104(モールド樹脂)でモールド成形されている。
次に、このホトカプラの構成と動作につき第5図および
第6図を参照して説明する。
ホトカプラの入力側に印加した電気信号が発光チップ1
02により光信号に変換され、受光チップ112がこの
光信号を受けて電気信号に変換し出力するもので、入出
力間で信号は伝達されるが電気的には絶縁されている点
を活かし、グランド電位の異なる装置間を結ぶインタフ
ェイス回路等に多く用いられている。
02により光信号に変換され、受光チップ112がこの
光信号を受けて電気信号に変換し出力するもので、入出
力間で信号は伝達されるが電気的には絶縁されている点
を活かし、グランド電位の異なる装置間を結ぶインタフ
ェイス回路等に多く用いられている。
上記ホトカプラの特性に重要なものは、入力に対する出
力の割合を示す電流伝達率と、入力と出力の電気的絶縁
強度を示す絶縁耐圧の二つであり、ともに高い値のもの
が望まれる。
力の割合を示す電流伝達率と、入力と出力の電気的絶縁
強度を示す絶縁耐圧の二つであり、ともに高い値のもの
が望まれる。
低い製造コストで叙上の電流伝達率および絶縁耐圧を高
めたホトカプラとして発明者は従前透光性樹脂を囲む樹
脂封止体としてエポキシ樹脂に酸化チタニウムとシリカ
を充填剤として加えたものを出願(特公昭57−671
1公報)しており、広く用いられている。
めたホトカプラとして発明者は従前透光性樹脂を囲む樹
脂封止体としてエポキシ樹脂に酸化チタニウムとシリカ
を充填剤として加えたものを出願(特公昭57−671
1公報)しており、広く用いられている。
(発明が解決しようとする問題点)
上記外囲器の樹脂封止体の充填剤を酸化チタニウムとシ
リカとしたホトカプラは、電流伝達率および絶縁耐圧は
極めて高い(良い)特性値を示すものであるが、強い外
部光の照射により誤動作を生ずるという問題がある。こ
れは、例えば太陽光など強い光、特に赤外光が照射され
るとわずかに透過し上記誤動作につながるのである。こ
の対策として実公昭60−8432号公報に、受光素子
への外部光の入射を低減する改良が示されている。これ
は第6図に示されるように、実質的に外部光の入射方向
に受光素子の受光面を対向させないようにしたもので、
漏れ電流が1/1000程度に低減できるが、第6図に
破線で外部光の入射光を示すように。
リカとしたホトカプラは、電流伝達率および絶縁耐圧は
極めて高い(良い)特性値を示すものであるが、強い外
部光の照射により誤動作を生ずるという問題がある。こ
れは、例えば太陽光など強い光、特に赤外光が照射され
るとわずかに透過し上記誤動作につながるのである。こ
の対策として実公昭60−8432号公報に、受光素子
への外部光の入射を低減する改良が示されている。これ
は第6図に示されるように、実質的に外部光の入射方向
に受光素子の受光面を対向させないようにしたもので、
漏れ電流が1/1000程度に低減できるが、第6図に
破線で外部光の入射光を示すように。
この受光素子に対向する発光素子102のリード101
による反射光等が発生するので、完全な対策でなく、受
光素子の感度が高く、かつ、ホトカプラに強い直射光、
例えば日光などが照射された場合等に誤動作を起こすと
いう問題がある。
による反射光等が発生するので、完全な対策でなく、受
光素子の感度が高く、かつ、ホトカプラに強い直射光、
例えば日光などが照射された場合等に誤動作を起こすと
いう問題がある。
この発明は上記問題点に鑑み改良されたホトカプラの構
造を提供するものである。
造を提供するものである。
(問題点を解決するための手段)
この発明にかかるフォトカプラは、リードによって電極
が導出された発光素子(102)および受光素子(11
2) 、前記両素子間を連接し光の導路を形成する透光
性部材(103) 、この透光性部材に接しかつこれを
包囲する樹脂封止体(104)の外囲器を備えたフォト
カプラにおいて、外部光を遮蔽する遮光層(11)樹脂
封止体(104)内に有することを特徴とする。
が導出された発光素子(102)および受光素子(11
2) 、前記両素子間を連接し光の導路を形成する透光
性部材(103) 、この透光性部材に接しかつこれを
包囲する樹脂封止体(104)の外囲器を備えたフォト
カプラにおいて、外部光を遮蔽する遮光層(11)樹脂
封止体(104)内に有することを特徴とする。
(作用)
この発明は、フォトカプラの樹脂封止体内に光透過性の
低い、すなわち樹脂封止体よりも光透過率が小さく光吸
収性や光反射性の高い物質で形成されたフィルムや薄板
を内装させ、上記樹脂封止体中を透過する外来光を阻止
して受光素子への光入射を著しく低減させ誤動作を防止
するものである。
低い、すなわち樹脂封止体よりも光透過率が小さく光吸
収性や光反射性の高い物質で形成されたフィルムや薄板
を内装させ、上記樹脂封止体中を透過する外来光を阻止
して受光素子への光入射を著しく低減させ誤動作を防止
するものである。
(実施例)
以下、この発明を一実施例につき図面を参照して説明す
る。なお、説明において従来と変わらない部分について
は図面に従来と同じ符号をつけて示し説明を省略する。
る。なお、説明において従来と変わらない部分について
は図面に従来と同じ符号をつけて示し説明を省略する。
第1図に示す一実施例のフォトカプラは外囲器の樹脂封
止体104に酸化チタニウムとシリカが充填剤として加
えられて白色のエポキシ系モールド樹脂(特公昭57−
6711号公報に記載)を用いている。
止体104に酸化チタニウムとシリカが充填剤として加
えられて白色のエポキシ系モールド樹脂(特公昭57−
6711号公報に記載)を用いている。
そして、外部からこのフォトカプラに当たる外部光を遮
蔽する遮光層11が樹脂封止体104内に設けられてい
る。この遮光層11は、例えばカーボンが0.3%添加
されたエポキシ樹脂フィルムでよく、その装着にはリー
ドフレームにダイボンディング。
蔽する遮光層11が樹脂封止体104内に設けられてい
る。この遮光層11は、例えばカーボンが0.3%添加
されたエポキシ樹脂フィルムでよく、その装着にはリー
ドフレームにダイボンディング。
ワイヤボンディングされた発光素子102と発光素子1
12を結ぶ透光性(樹脂)部材103を形成する時に適
宜の大きさ、望ましくは素子のマウントベッドよりも充
分大きい大きさのフィルムを透光性樹脂の粘性を利用し
てフレームに貼り付けることができる。
12を結ぶ透光性(樹脂)部材103を形成する時に適
宜の大きさ、望ましくは素子のマウントベッドよりも充
分大きい大きさのフィルムを透光性樹脂の粘性を利用し
てフレームに貼り付けることができる。
なお、遮光層の材質は上記エポキシ樹脂に限定されるも
のでなく、ポリイミドやポリカーボネート等の樹脂でつ
くられたものでもよく、また、装着手段に遮光層フィル
ムに前もって接着剤を塗着した接着フィルムとして用い
てもよい。
のでなく、ポリイミドやポリカーボネート等の樹脂でつ
くられたものでもよく、また、装着手段に遮光層フィル
ムに前もって接着剤を塗着した接着フィルムとして用い
てもよい。
次に、上記遮光層11は第1図では実質的に外部光の入
射しやすいフォトカプラの上面側に配されたものを例示
したが、より高い効果を得るためにフォトカプラの上下
両面側に設は第2図に示される如く遮光膜11.21を
形成してもよい、また、発光素子と受光素子をほぼ同一
平面に配置された第3図に示される構造のフォトカプラ
においても上記と同様に遮光層31を形成される。
射しやすいフォトカプラの上面側に配されたものを例示
したが、より高い効果を得るためにフォトカプラの上下
両面側に設は第2図に示される如く遮光膜11.21を
形成してもよい、また、発光素子と受光素子をほぼ同一
平面に配置された第3図に示される構造のフォトカプラ
においても上記と同様に遮光層31を形成される。
取上は遮光層としてカーボンが添加されたエポキシ樹脂
のフィルムを例示したが、上記外囲器のモールド樹脂(
エポキシ樹脂)より高濃度の酸化チタニウムを添加した
エポキシ樹脂板等を用いてもよい、また、他の光反射性
物質1例えば炭酸カルシウム等を高濃度に添加した樹脂
でもよい、これらは外囲器樹脂より光反射率が高いので
外部から入射した光がこの層で反射し光の遮光効果が得
られるものである。特に上記第3図に示したような発光
素子と受光素子が同一平面上に配置されたフォトカプラ
では、透光性樹脂103と外囲器の樹脂封止体界面の光
反射により光を発光素子から受光素子へ導くのが一般的
である。このため、遮光層11が光反射性物質の場合は
都合がよい、これは遮光層が透光性樹脂部材103に接
しても光反射に悪影響を与えないばかりか、より良い光
反射を利用できるからである。
のフィルムを例示したが、上記外囲器のモールド樹脂(
エポキシ樹脂)より高濃度の酸化チタニウムを添加した
エポキシ樹脂板等を用いてもよい、また、他の光反射性
物質1例えば炭酸カルシウム等を高濃度に添加した樹脂
でもよい、これらは外囲器樹脂より光反射率が高いので
外部から入射した光がこの層で反射し光の遮光効果が得
られるものである。特に上記第3図に示したような発光
素子と受光素子が同一平面上に配置されたフォトカプラ
では、透光性樹脂103と外囲器の樹脂封止体界面の光
反射により光を発光素子から受光素子へ導くのが一般的
である。このため、遮光層11が光反射性物質の場合は
都合がよい、これは遮光層が透光性樹脂部材103に接
しても光反射に悪影響を与えないばかりか、より良い光
反射を利用できるからである。
この発明によれば、外囲器の樹脂封止体を透過した外部
光を遮光層により吸収または反射させて受光素子への入
射光を著しく低減できるため、外部光によるフォトカプ
ラの誤動作が防止できる顕著な利点がある。この外部光
の低減については、カーボンが0.3%添加されたエポ
キシ樹脂板で大きさを3■X4閣の方形に、厚さを10
0−に形成したものを装着した場合、外部光の影響を従
来の5000分の1に低減できた。これは実質的に外部
光の影響は受けていないと等しい値である。
光を遮光層により吸収または反射させて受光素子への入
射光を著しく低減できるため、外部光によるフォトカプ
ラの誤動作が防止できる顕著な利点がある。この外部光
の低減については、カーボンが0.3%添加されたエポ
キシ樹脂板で大きさを3■X4閣の方形に、厚さを10
0−に形成したものを装着した場合、外部光の影響を従
来の5000分の1に低減できた。これは実質的に外部
光の影響は受けていないと等しい値である。
次に、遮光層゛はフィルム状の樹脂を透光性樹脂部形成
時にフレーム上に置くだけでよく、自動化に適し低コス
トのフォトカプラを提供でき、さらに信頼性、特性に対
してこの遮光層は何ら悪影響を与えるものでないから、
上記特公昭57−6711号公報に記載の発明の利点は
そのままに備えて外部光による誤動作の問題点を解決す
るとしλう効果が附加される。
時にフレーム上に置くだけでよく、自動化に適し低コス
トのフォトカプラを提供でき、さらに信頼性、特性に対
してこの遮光層は何ら悪影響を与えるものでないから、
上記特公昭57−6711号公報に記載の発明の利点は
そのままに備えて外部光による誤動作の問題点を解決す
るとしλう効果が附加される。
次に、遮光層は外囲器に内装されるので、フォトカプラ
の耐湿性等の信頼性を低下させることがない利点がある
。
の耐湿性等の信頼性を低下させることがない利点がある
。
第1図ないし第3図はいずれも夫々がこの発明の実施例
のフォトカプラを示す断面図、第4図はフォトカプラの
一部を断面で示す斜視図、第5図と第6図はいずれも従
来のフォトカプラの断面図である。 101 入力端リード 111 出力側リード 102 発光素子 112 受光素子 103 透光性樹脂 104 樹脂封止体 11.21 遮光層
のフォトカプラを示す断面図、第4図はフォトカプラの
一部を断面で示す斜視図、第5図と第6図はいずれも従
来のフォトカプラの断面図である。 101 入力端リード 111 出力側リード 102 発光素子 112 受光素子 103 透光性樹脂 104 樹脂封止体 11.21 遮光層
Claims (3)
- (1)リードによって電極が導出された発光半導体素子
および受光半導体素子、前記両素子間を連接し光の導路
を形成する透光性部材、この透光性部材に接しかつこれ
を包囲する樹脂封止体の外囲器を備えたフォトカプラに
おいて、外部光を遮蔽する遮光層を樹脂封止体内に有す
ることを特徴とするフォトカプラ。 - (2)遮光層の光透過率が樹脂封止体の光透過率よりも
小さいことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフ
ォトカプラ。 - (3)遮光層はカーボンが添加された樹脂のフィルムま
たは薄板であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のフォトカプラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61131784A JPS62290185A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | フオトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61131784A JPS62290185A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | フオトカプラ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62290185A true JPS62290185A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15066065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61131784A Pending JPS62290185A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | フオトカプラ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62290185A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102401945A (zh) * | 2010-09-13 | 2012-04-04 | 沈震强 | 提高光电耦合器内部传输效率的一种封装结构 |
-
1986
- 1986-06-09 JP JP61131784A patent/JPS62290185A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102401945A (zh) * | 2010-09-13 | 2012-04-04 | 沈震强 | 提高光电耦合器内部传输效率的一种封装结构 |
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