JPS62290131A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
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- JPS62290131A JPS62290131A JP61132653A JP13265386A JPS62290131A JP S62290131 A JPS62290131 A JP S62290131A JP 61132653 A JP61132653 A JP 61132653A JP 13265386 A JP13265386 A JP 13265386A JP S62290131 A JPS62290131 A JP S62290131A
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- rays
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は電子のシンクロトロン放射によるＸ線の露光方
法に関する。
法に関する。
（従来の技術）
半導体素子の製造において、パターン転写等のために一
般にＸ線露光装置が用いられている。そのＸ線源として
は、電子のシンクロトロン放射によるＸ線が現在のとこ
ろ有力である。
般にＸ線露光装置が用いられている。そのＸ線源として
は、電子のシンクロトロン放射によるＸ線が現在のとこ
ろ有力である。
しかしながら、第７図に示すようにこのＸ線の縦方向の
広がりは１ ｍｒａｄ程度であり１例えばＸ線発生点（
２０）と試料上の照射領域（２１）との間の距離が１０
ｍの場合、試料上の照射領域（２１）のＸｔＡの縦方向
の広がりは１ｃ＋ｏ程度しか得られない。又、Ｘ線の横
方向の広がりは図示しないアパーチャにより限定されて
試料に照射される。
広がりは１ ｍｒａｄ程度であり１例えばＸ線発生点（
２０）と試料上の照射領域（２１）との間の距離が１０
ｍの場合、試料上の照射領域（２１）のＸｔＡの縦方向
の広がりは１ｃ＋ｏ程度しか得られない。又、Ｘ線の横
方向の広がりは図示しないアパーチャにより限定されて
試料に照射される。
そこで、試料上でのＸ線領域を縦方向に広げるために第
８図及び第９図に示すようにｘｉ発生点（２０）と試料
（２２）の間の光路上にＸ線ミラー（２３）を設け、こ
のＸ線ミラー（２３）を揺動させることにより試料上の
広範囲な露光を行なっていた。（２５）は横方向の広が
りを制限するアパーチャである。しかし、この場合、Ｘ
線（２４）の強度を減衰させないようにＸ線（２４）の
全反射を利用してミラー（２３）でＸ線（２４）の方向
を変えるため、Ｘ １ｉＡ（２４）の入射角（ミラー（
２３）と入射するＸ線（２４）とのなす角）０は数１０
ｗｒａｄと小さく、また揺動して試料（２２）に照射で
きる角度章も小さくなる。このためミラーを揺動してＸ
線（２４）の縦方向の広がりを増加させる方法には限界
があった。ここで第９図は、Ｘ線（２４）がアパーチャ
（２５）を通してミラー（２３）で反射されて試料（２
２）に照射される様子を模式的に示す斜視図、第８図は
その側面図である。
８図及び第９図に示すようにｘｉ発生点（２０）と試料
（２２）の間の光路上にＸ線ミラー（２３）を設け、こ
のＸ線ミラー（２３）を揺動させることにより試料上の
広範囲な露光を行なっていた。（２５）は横方向の広が
りを制限するアパーチャである。しかし、この場合、Ｘ
線（２４）の強度を減衰させないようにＸ線（２４）の
全反射を利用してミラー（２３）でＸ線（２４）の方向
を変えるため、Ｘ １ｉＡ（２４）の入射角（ミラー（
２３）と入射するＸ線（２４）とのなす角）０は数１０
ｗｒａｄと小さく、また揺動して試料（２２）に照射で
きる角度章も小さくなる。このためミラーを揺動してＸ
線（２４）の縦方向の広がりを増加させる方法には限界
があった。ここで第９図は、Ｘ線（２４）がアパーチャ
（２５）を通してミラー（２３）で反射されて試料（２
２）に照射される様子を模式的に示す斜視図、第８図は
その側面図である。
又、現在のところ有力である電子のシンクロトロン放射
によるＸ線によってもその強度は十分であるとは言えず
、そのため露光のための時間がかかる等の問題があった
。
によるＸ線によってもその強度は十分であるとは言えず
、そのため露光のための時間がかかる等の問題があった
。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上記した従来のＸ線の縦方向の広がりが小さ
い、或いはＸ線の強度が小さいために露光時間がかかる
等の問題を解決しスループットを向上させることを目的
とする。
い、或いはＸ線の強度が小さいために露光時間がかかる
等の問題を解決しスループットを向上させることを目的
とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するために電子のシンクロトロ
ン放射により発生したＸ線をアパーチャによりＮ本（Ｎ
２２）のＸ線ビームとし、そのビームをＸ線ミラーの制
御により同一試料上に照射して露光するＸ線露光方法を
提供する。
ン放射により発生したＸ線をアパーチャによりＮ本（Ｎ
２２）のＸ線ビームとし、そのビームをＸ線ミラーの制
御により同一試料上に照射して露光するＸ線露光方法を
提供する。
（作 用）
本発明によればＸ線発生点からのＸ線をアパーチャによ
りＮ本のＸ線とし、これらＮ本のＸｇをミラーにより制
御できる。故に、試料上に上下に並べる等して照射領域
を増加させる或いは同一領域に前記Ｘ線を照射してＸ線
強度を高め露光時間を短縮してスループットを向上させ
ることができる。
りＮ本のＸ線とし、これらＮ本のＸｇをミラーにより制
御できる。故に、試料上に上下に並べる等して照射領域
を増加させる或いは同一領域に前記Ｘ線を照射してＸ線
強度を高め露光時間を短縮してスループットを向上させ
ることができる。
（実 施 例）
・実施例１
本発明１こよる一実施例を第１図乃至第３図を用いて説
明する。
明する。
第１図は本発明に係るｘｍａ光方法を模式的に示す斜視
図、第２図及び第３図はその様子を側面から見た模式図
及び平面的な模式図である。
図、第２図及び第３図はその様子を側面から見た模式図
及び平面的な模式図である。
Ｘ線発生点ωから発生したｘｉ■をＸ線発生点■から２
ｍの距離に垂直に設けられたアパーチャ（３）により分
けて２本のＸ線ビーム（イ）、■とじて形成する。ここ
で、Ｘ線（イ）、■は１本あたり１０ｍｗ／ｄの強度で
あり、アパーチャ■には横の長さ１００ｍ、縦の長さ５
ｅ＋ｍの開口部が２つ横に並列して設けられている。こ
のアパーチャ■の開口部の憂さは、Ｘａ（２）の縦方向
の広がりよりも制限しないような長さにしている。
ｍの距離に垂直に設けられたアパーチャ（３）により分
けて２本のＸ線ビーム（イ）、■とじて形成する。ここ
で、Ｘ線（イ）、■は１本あたり１０ｍｗ／ｄの強度で
あり、アパーチャ■には横の長さ１００ｍ、縦の長さ５
ｅ＋ｍの開口部が２つ横に並列して設けられている。こ
のアパーチャ■の開口部の憂さは、Ｘａ（２）の縦方向
の広がりよりも制限しないような長さにしている。
このアパーチャ■を通過したＸ線０）、■はそれぞ九第
１のミラー０．■に照射され、このミラーリ、■で全反
射するように制御された後、第２のミラー（ハ）、（９
）に照射されろ。Ｘ 、ｔｌｉｌ Ｈ） 、■はこの第
２のミラー（８）、■）で再び全反射するように制御さ
れた試料（１１）上の所望の領域Ａに上下に並んで照射
される。第２図及び第３＠において第１のミラー■、第
２のミラー■）は、説明上、省略した。
１のミラー０．■に照射され、このミラーリ、■で全反
射するように制御された後、第２のミラー（ハ）、（９
）に照射されろ。Ｘ 、ｔｌｉｌ Ｈ） 、■はこの第
２のミラー（８）、■）で再び全反射するように制御さ
れた試料（１１）上の所望の領域Ａに上下に並んで照射
される。第２図及び第３＠において第１のミラー■、第
２のミラー■）は、説明上、省略した。
ここで、第１のミラー（６）、（’７１はＸ線発生点■
から５ｍの位置にＸ線（イ）、■の光束の下部及び上部
で反射するように水平方向に対してそれぞれ対称に３０
ｍｒａｄの角度をもたせ、アパーチャ■によって分けら
れたＸ線Ｇ）、■を全反射する如く設けられている。そ
してこの第１のミラー０．■で反射されたｘｉ（イ）、
■をＸＩＲ発生発生点心１０ｍの距離に設けられた第２
のミラーの）、■）で再び全反射させてこの第２のミラ
ー（８）、（９）から５ｍの位置にある前述した所望の
領域Ａに照射する。第２のミラー（へ）、■）の角度は
ｘｉ（イ）、■が所望の領域Ａｕこ照射されるように設
定するにこでは、第１のミラー０、■及び第２のミラー
（８）、■）はＳｉＣ製のものを用いたがシリコン基板
に金を蒸着したもの等、Ｘ線を反射するものであれば何
でもよい。この様にして照射された領域Ａは縦２ｃｍ、
横２ｃ＋ｎの範囲をカバーすることができた。
から５ｍの位置にＸ線（イ）、■の光束の下部及び上部
で反射するように水平方向に対してそれぞれ対称に３０
ｍｒａｄの角度をもたせ、アパーチャ■によって分けら
れたＸ線Ｇ）、■を全反射する如く設けられている。そ
してこの第１のミラー０．■で反射されたｘｉ（イ）、
■をＸＩＲ発生発生点心１０ｍの距離に設けられた第２
のミラーの）、■）で再び全反射させてこの第２のミラ
ー（８）、（９）から５ｍの位置にある前述した所望の
領域Ａに照射する。第２のミラー（へ）、■）の角度は
ｘｉ（イ）、■が所望の領域Ａｕこ照射されるように設
定するにこでは、第１のミラー０、■及び第２のミラー
（８）、■）はＳｉＣ製のものを用いたがシリコン基板
に金を蒸着したもの等、Ｘ線を反射するものであれば何
でもよい。この様にして照射された領域Ａは縦２ｃｍ、
横２ｃ＋ｎの範囲をカバーすることができた。
同様の条件で１本のＸ線の場合、照射範囲は縦ｌｃｍ、
横２ｃｔａであるので露光時間は約１７２ に低減する
ことができた。
横２ｃｔａであるので露光時間は約１７２ に低減する
ことができた。
更に所望によりミラー（８）、■）を揺動するようにす
れば、更に広い範囲の照射領域を得ることもできる。
れば、更に広い範囲の照射領域を得ることもできる。
又、ミラーの傾斜角はＸ線発生点とミラーとの間の距離
とミラニと試料との間の距離に依存することを考慮して
、ｘｉの全反射領域内の角度を距離に応じて適宜変えれ
ばよく、アパーチャ■の開口部の数等も適宜変更可能で
ある。
とミラニと試料との間の距離に依存することを考慮して
、ｘｉの全反射領域内の角度を距離に応じて適宜変えれ
ばよく、アパーチャ■の開口部の数等も適宜変更可能で
ある。
・実施例２
本発明の別の実施例を第４図乃至第６図を用いて説明す
る。第４図は本発明方法を模式的に示す斜視図、第５図
及び第６図はその平面的な模式図１及び側面的な模式図
である。
る。第４図は本発明方法を模式的に示す斜視図、第５図
及び第６図はその平面的な模式図１及び側面的な模式図
である。
Ｘ線発生点■から発生したＸａ■をＸＭ発生点（ト）か
ら２ｍの距離に設けられたアパーチャ（３ａ）により３
本のＸ線ビーム（１１）、 （１２）、 （１３）とし
て形成する。ここでＸ線（１１）、 （１２）、 （１
３）は１本あたりｌＯｒｍｗ／ｄの強度であり、アパー
チャ（３ａ）には横１ｃｍ、縦５１１１１１の開口部が
３つ横に並列して設けられている。
ら２ｍの距離に設けられたアパーチャ（３ａ）により３
本のＸ線ビーム（１１）、 （１２）、 （１３）とし
て形成する。ここでＸ線（１１）、 （１２）、 （１
３）は１本あたりｌＯｒｍｗ／ｄの強度であり、アパー
チャ（３ａ）には横１ｃｍ、縦５１１１１１の開口部が
３つ横に並列して設けられている。
このアパーチャ（３ａ）を通過したＸ線のうち外側のビ
ーム（１１）、 （１３）はＸ線発生点■から５ｍの位
置に設けられた第１のミラー（１４）、 （１５）によ
ってそれぞれ制御されて３０ｍｒａｄ内側に曲げられる
。そしてこの曲げられたＸｌ（１１）、 （１３）トＸ
線（１２）ｉ！、Ｘ線発生点■から７．５ｍの距離にあ
る第２のミラー（１６）、 （１８）及び（１７）によ
ってそれぞれ制御されて試料（１９）上の領域Ｂに同時
に照射される。第２のミラー（１６）、 （１８）、
（１７）の角度はＸ線（１１）、 （１３）。
ーム（１１）、 （１３）はＸ線発生点■から５ｍの位
置に設けられた第１のミラー（１４）、 （１５）によ
ってそれぞれ制御されて３０ｍｒａｄ内側に曲げられる
。そしてこの曲げられたＸｌ（１１）、 （１３）トＸ
線（１２）ｉ！、Ｘ線発生点■から７．５ｍの距離にあ
る第２のミラー（１６）、 （１８）及び（１７）によ
ってそれぞれ制御されて試料（１９）上の領域Ｂに同時
に照射される。第２のミラー（１６）、 （１８）、
（１７）の角度はＸ線（１１）、 （１３）。
（１２）がＸ線発生点■から１０ｍの距離にある試料の
所望の領域Ｂに照射されるように設定する。ここでは、
第２のミラー（１６）、 （１８）、 （１７）は水平
方向に対し２０＋＊ｒａｄの角度に設定し、それらを±
１０ｍｒａｄの角度で振動させることによって試料」−
で約５ｃ＋１Ｘ５ｃ＋＋の領域を照射できるようにした
。又、第１のミラー（１４）、 （１５）及び第２のミ
ラー（１６） 、 （１８） 。
所望の領域Ｂに照射されるように設定する。ここでは、
第２のミラー（１６）、 （１８）、 （１７）は水平
方向に対し２０＋＊ｒａｄの角度に設定し、それらを±
１０ｍｒａｄの角度で振動させることによって試料」−
で約５ｃ＋１Ｘ５ｃ＋＋の領域を照射できるようにした
。又、第１のミラー（１４）、 （１５）及び第２のミ
ラー（１６） 、 （１８） 。
（１７）は、実施例１と同様にＳｉＣ製のものを用いた
がシリコン基板に金を蒸着したもの等、Ｘａを反射する
ものであれば何でもよい。
がシリコン基板に金を蒸着したもの等、Ｘａを反射する
ものであれば何でもよい。
この実施例においては、従来の一本のＸ線ビームで照射
する時よりも約３倍のＸ線照射量で試料を露光すること
ができるので露光時間を約１八に短縮することができた
。
する時よりも約３倍のＸ線照射量で試料を露光すること
ができるので露光時間を約１八に短縮することができた
。
本発明は上記実施例１及び実施例２に限定されるもので
はなく本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能で
あり、例えばアパーチャの開口部の形状、数、或いは配
列は種々変形が可能である。
はなく本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能で
あり、例えばアパーチャの開口部の形状、数、或いは配
列は種々変形が可能である。
以上述べたように本発明によれば、複数の開口部を有す
るアパーチャとそれら開口部から照射されるＸ線ビーム
をミラーによって制御することにより露光面積を増大す
る。或いは照射量を増加してスルーブツトを向上するこ
とができる。
るアパーチャとそれら開口部から照射されるＸ線ビーム
をミラーによって制御することにより露光面積を増大す
る。或いは照射量を増加してスルーブツトを向上するこ
とができる。
第１図乃至第３図は本発明方法の−＼実施例を説明する
ための図、第４図乃至第６図は本発明方法の他の実施例
を説明するための図、第７図乃至第９図は従来例を説明
するための図である。 ２、４．５．１１．１２．１３・・・Ｘ線、３．３ａ・
・・７パーチヤ、 ６ 、７ 、８ 、９．１４，１５，１６，１７．１８
・・・Ｘ線ミラー、１０、１９・・・試料。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第１図 第２図 第６図 ２ρ 第７図 第８図
ための図、第４図乃至第６図は本発明方法の他の実施例
を説明するための図、第７図乃至第９図は従来例を説明
するための図である。 ２、４．５．１１．１２．１３・・・Ｘ線、３．３ａ・
・・７パーチヤ、 ６ 、７ 、８ 、９．１４，１５，１６，１７．１８
・・・Ｘ線ミラー、１０、１９・・・試料。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第１図 第２図 第６図 ２ρ 第７図 第８図
Claims (5)
- （１）電子のシンクロトロン放射により発生したＸ線を
アパーチャによりＮ本の（Ｎ≧２）のＸ線ビームとし、
そのビームをＸ線ミラーの制御により同一試料上に照射
して露光するＸ線露光方法。 - （２）前記Ｎ本のビームが同一試料上のそれぞれ異なる
領域を露光することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のＸ線露光方法。 - （３）前記試料はウェハである特許請求の範囲第１項記
載のＸ線露光方法。 - （４）前記Ｘ線ミラーは、少なくともＸ線ビームを縦方
向と横方向に制御する２枚のミラーからなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光方法。 - （５）前記Ｎ本のビームが同一試料上の少なくとも同一
の領域を照射することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132653A JPS62290131A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132653A JPS62290131A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62290131A true JPS62290131A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15086350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61132653A Pending JPS62290131A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62290131A (ja) |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP61132653A patent/JPS62290131A/ja active Pending
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