JPS62287227A - エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS62287227A JPS62287227A JP13089886A JP13089886A JPS62287227A JP S62287227 A JPS62287227 A JP S62287227A JP 13089886 A JP13089886 A JP 13089886A JP 13089886 A JP13089886 A JP 13089886A JP S62287227 A JPS62287227 A JP S62287227A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セル組工程が簡素化されたエレクトロクロミ
ック素子(以後EC素子と略称する)の製造方法に関し
、特に大面積の全固体gc素子を製造するのに適したg
c素子の製造方法に関する。
ック素子(以後EC素子と略称する)の製造方法に関し
、特に大面積の全固体gc素子を製造するのに適したg
c素子の製造方法に関する。
従来、全固体EC素子に用いられている代表的な電解質
としては、酸化第ニクロム(Or 203 )、五酸化
タンタル(Ta205)、および酸化アルミニウム(A
1203)に代表される酸化物およびツク化すチウム(
t、 : F) 、フッ化バリウム(B a F 2)
などのフッ化物が知られている。
としては、酸化第ニクロム(Or 203 )、五酸化
タンタル(Ta205)、および酸化アルミニウム(A
1203)に代表される酸化物およびツク化すチウム(
t、 : F) 、フッ化バリウム(B a F 2)
などのフッ化物が知られている。
前記の無機酸化物およびフッ化物の様な固体電解質は、
通常、真空蒸着法、スパッタ法などのいわゆるPVD法
(Physical Vapor Deposi +’
ionの略)により作成されていた。
通常、真空蒸着法、スパッタ法などのいわゆるPVD法
(Physical Vapor Deposi +’
ionの略)により作成されていた。
上記従来のEC素子の製造方法によれば、電解質溶液の
流出などの心配のない全固体体型EC素子を製造できる
利点を有するものの、その製造工程は煩雑であり、又真
空装置等を用いるために大面積であり、かつ均質なEC
素子を製造することができないという問題点を有してい
た。
流出などの心配のない全固体体型EC素子を製造できる
利点を有するものの、その製造工程は煩雑であり、又真
空装置等を用いるために大面積であり、かつ均質なEC
素子を製造することができないという問題点を有してい
た。
C問題点を解決するための手段〕
本発明は上記問題点を解決するために、エレクトロクロ
ミック膜を有する導電性基板と対向電極基板との間に電
解質形成用の光硬化性液体を挾んだ後、光を照射して該
光硬化性液体を固体電解質としてEC素子を製造してい
る。
ミック膜を有する導電性基板と対向電極基板との間に電
解質形成用の光硬化性液体を挾んだ後、光を照射して該
光硬化性液体を固体電解質としてEC素子を製造してい
る。
本発明に用いる光硬化性液体としては、光照射により固
体化して導電性を示すものであれば、任意のものが使用
できる。内でも可視光照射により固体化する有機物質を
含有する光硬化性液体が作業上の取扱いが安易であるの
で好ましい。内でもアルカリ金属塩およびポリエチレン
グリコールアクリレートおよび光開始剤からなる光硬化
性液体が比穀的高導電率の固体電解質が簡単に得られる
ので望ましい。
体化して導電性を示すものであれば、任意のものが使用
できる。内でも可視光照射により固体化する有機物質を
含有する光硬化性液体が作業上の取扱いが安易であるの
で好ましい。内でもアルカリ金属塩およびポリエチレン
グリコールアクリレートおよび光開始剤からなる光硬化
性液体が比穀的高導電率の固体電解質が簡単に得られる
ので望ましい。
上記アルカリ金属塩およびポリエチレングリフ−ルアク
リレート(以後 PEAと略称する)および光開始剤か
らなる光硬化性液体の光硬化のメカニズムは、PEA
(アルカリ金属塩をエチレンオキサイド部分に溶解した
PE人)の(1)式で表わされる様な光照射で生成した
ラジカルカップリングによる光重合及び架橋反応に基づ
いている。
リレート(以後 PEAと略称する)および光開始剤か
らなる光硬化性液体の光硬化のメカニズムは、PEA
(アルカリ金属塩をエチレンオキサイド部分に溶解した
PE人)の(1)式で表わされる様な光照射で生成した
ラジカルカップリングによる光重合及び架橋反応に基づ
いている。
lの吸収スペクトルを
測定すると、吸収極大はjjOnmよりも短波長に存在
する。従って、透明導電膜付ガラス又はEC膜を積層し
た透明導電膜付ガラス(これは約3乙Onm以下の波長
の光をほとんどカッとする)にこの溶液状態の電解質1
を挾んで、透明導電膜付ガラスを通して光照射しても、
光硬化反応はほとんど起こらない。しかしながら、可視
光を吸収して安定なラジカルを生成する光開始剤を電解
質中に添加しておけば、透明導電膜付ガラス又はEC膜
を積層した透明導電膜付ガラスに挾んだ状態の1であっ
ても可視光を透明導電膜付ガラスを通して照射すること
によって光硬化反応を起こさせることができるっ上記可
視光を吸収し安定なラジカルを生成する光開始剤として
は、ベンジル、カン7アーキノン、α−す7チル、アセ
ナ7セン、p、p’−ジメトキシベンジル、2−クロロ
チオキサンソン、2.It−ジェトキシチオキサンソン
、トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオキサイド
などがあり、すべて杢糸に使用することが可能である。
する。従って、透明導電膜付ガラス又はEC膜を積層し
た透明導電膜付ガラス(これは約3乙Onm以下の波長
の光をほとんどカッとする)にこの溶液状態の電解質1
を挾んで、透明導電膜付ガラスを通して光照射しても、
光硬化反応はほとんど起こらない。しかしながら、可視
光を吸収して安定なラジカルを生成する光開始剤を電解
質中に添加しておけば、透明導電膜付ガラス又はEC膜
を積層した透明導電膜付ガラスに挾んだ状態の1であっ
ても可視光を透明導電膜付ガラスを通して照射すること
によって光硬化反応を起こさせることができるっ上記可
視光を吸収し安定なラジカルを生成する光開始剤として
は、ベンジル、カン7アーキノン、α−す7チル、アセ
ナ7セン、p、p’−ジメトキシベンジル、2−クロロ
チオキサンソン、2.It−ジェトキシチオキサンソン
、トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオキサイド
などがあり、すべて杢糸に使用することが可能である。
本発明によれば、固体電解質を光硬化性液体を光照射に
より固化して作成しているので、大面積のEC素子であ
っても、その2枚の電極基板の間隔を一定に保つことに
より均一厚さの固体電解質を得ることがで青る、y、一
枚の電極基板とのフンタクトを取ることも簡単であり、
製造工程も非常に簡単である。又、光硬化性液体は遮光
して保存しておけば硬化等の変質をおさえることが容易
であるため、一度調合した光硬化性液体を長期にわたり
使用することが可能である。
より固化して作成しているので、大面積のEC素子であ
っても、その2枚の電極基板の間隔を一定に保つことに
より均一厚さの固体電解質を得ることがで青る、y、一
枚の電極基板とのフンタクトを取ることも簡単であり、
製造工程も非常に簡単である。又、光硬化性液体は遮光
して保存しておけば硬化等の変質をおさえることが容易
であるため、一度調合した光硬化性液体を長期にわたり
使用することが可能である。
o、 o、!mol/lの塩化第2鉄の水溶液と同体積
の0、02rno1/lのフェリシアン化カリウムの水
溶液とを混合し電解用溶液とした。この液中にインジウ
ム・スズ酸化物膜付ガラス(以後 x’ro透明電極付
ガラスと呼ぶ)と白金板を浸漬し、電着により約/りO
nm厚の プクシアンプルー膜(以後PB膜と略称する
。)を ITO上に形成した。次に、タングステン酸カ
リウムがo、osmo1/l、 修酸が0、 / m
ol/lのタングステン酸カリウムと修酸の混合水溶液
を作成し、この溶液を70″Cに保持した後、電極を浸
漬し電極間に20に7m2の電流密度でt時間通電して
溶液を溶液中のタングステン酸カリウムを還元するのに
必要な理論電気量の/、5倍の電気量で還元した。還元
後同溶液を/j’cに冷却し、 ITO透明電極付ガラ
ス基板を約/を時間浸漬して ITO上に約7170n
m厚のタングステンのシュウ酸化合物膜を形成した。次
に、分子量が7!rのポリエチレングリフールジアクリ
レート、2り、分子量が/1I211のポリエチレング
リフールモノアクリレート!;、6119、トリフルオ
ロメタンスルホン(Inリウムo、rtrり、ベンジル
o、 os g の混合物を約60℃に加熱しながら攪
拌することによって光硬化性電解質溶液を得た。この電
解質溶液をPB膜付 ITOガラスCM2omrs、横
somm) とタングステンシュウ酸錯体膜付I’ro
カ5 ス(EF 20mm、横jOmm)の間に挾ん
だ状態で高圧水銀灯を用いて膜付 ITOガラスを通し
て光照射することによって全固体透過型ECセルを作成
した。
の0、02rno1/lのフェリシアン化カリウムの水
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ガラスと呼ぶ)と白金板を浸漬し、電着により約/りO
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。)を ITO上に形成した。次に、タングステン酸カ
リウムがo、osmo1/l、 修酸が0、 / m
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を作成し、この溶液を70″Cに保持した後、電極を浸
漬し電極間に20に7m2の電流密度でt時間通電して
溶液を溶液中のタングステン酸カリウムを還元するのに
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後同溶液を/j’cに冷却し、 ITO透明電極付ガラ
ス基板を約/を時間浸漬して ITO上に約7170n
m厚のタングステンのシュウ酸化合物膜を形成した。次
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レート、2り、分子量が/1I211のポリエチレング
リフールモノアクリレート!;、6119、トリフルオ
ロメタンスルホン(Inリウムo、rtrり、ベンジル
o、 os g の混合物を約60℃に加熱しながら攪
拌することによって光硬化性電解質溶液を得た。この電
解質溶液をPB膜付 ITOガラスCM2omrs、横
somm) とタングステンシュウ酸錯体膜付I’ro
カ5 ス(EF 20mm、横jOmm)の間に挾ん
だ状態で高圧水銀灯を用いて膜付 ITOガラスを通し
て光照射することによって全固体透過型ECセルを作成
した。
第1図は、このセルに士/、5vの直流電圧’tti。
秒間づつ印加した場合の632. I nm におけ
る透過率を化を示している。これは応答速度が約5〜1
0秒であることを表わしている。この値は透過型ECセ
ルを例えば、調光ガラス(透過率可変ガラス)に応用し
ようとする場合には十分である。更に、メモリー性能を
調べたところ、非常に良好であることが明らかになった
。
る透過率を化を示している。これは応答速度が約5〜1
0秒であることを表わしている。この値は透過型ECセ
ルを例えば、調光ガラス(透過率可変ガラス)に応用し
ようとする場合には十分である。更に、メモリー性能を
調べたところ、非常に良好であることが明らかになった
。
本発明によれば、真空法等のはんざつな製造方法を用い
ずに固体電解質を得ることができ、又大面積にわたって
均一厚みの固体電解質を簡単に得ることができる。又、
光硬化性液体は保存が簡単であるために、電解質の一時
保存等が可能となり、製造工程を安定化させることがで
きる。又、光硬化は熱硬化とくらべて速い硬化スピード
が得られるので製造速度を向上させることもできる。
ずに固体電解質を得ることができ、又大面積にわたって
均一厚みの固体電解質を簡単に得ることができる。又、
光硬化性液体は保存が簡単であるために、電解質の一時
保存等が可能となり、製造工程を安定化させることがで
きる。又、光硬化は熱硬化とくらべて速い硬化スピード
が得られるので製造速度を向上させることもできる。
第1図は実施例/で作成した透過型EC素子の透過率の
時間変化を示す図である。 特許出顆入 日本板硝子株式会社
時間変化を示す図である。 特許出顆入 日本板硝子株式会社
Claims (3)
- (1)エレクトロクロミック膜を有する導電性基板と対
向電極板との間に電解質形成用の光硬化性液体を挾んだ
後、光を照射して該光硬化液体を固体電解質とするエレ
クトロクロミック素子の製造方法。 - (2)該光硬化性液体がアルカリ金属塩およびポリエチ
レングリコールアクリレートおよび光開始剤からなる特
許請求の範囲第1項記載のエレクトロクロミック素子の
製造方法。 - (3)該光開始剤がベンジル、カンファーキノン、α−
ナフチル、アセナフセン、P,P′−ジメトキシベンジ
ル、2−クロロチオキサンソン、2,4−ジエトキシチ
オサントン、メチルチオキサンソン、トリメチルベンゾ
イルジフェニルホスフィンオキサイドからなる群より選
ばれた少なくとも1つよりなる特許請求の範囲第2項記
載のエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13089886A JPS62287227A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13089886A JPS62287227A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62287227A true JPS62287227A (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=15045295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13089886A Pending JPS62287227A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62287227A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS581130A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-06 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 完全固体型エレクトロクロミツク表示セルの製造方法 |
JPS6141129A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-27 | Asahi Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-05 JP JP13089886A patent/JPS62287227A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS581130A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-06 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 完全固体型エレクトロクロミツク表示セルの製造方法 |
JPS6141129A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-27 | Asahi Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク装置の製造方法 |
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