JPS62282250A - 回路板の検査方法及び装置 - Google Patents
回路板の検査方法及び装置Info
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- JPS62282250A JPS62282250A JP61316053A JP31605386A JPS62282250A JP S62282250 A JPS62282250 A JP S62282250A JP 61316053 A JP61316053 A JP 61316053A JP 31605386 A JP31605386 A JP 31605386A JP S62282250 A JPS62282250 A JP S62282250A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/08—Monitoring manufacture of assemblages
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
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-
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- G06T2207/30141—Printed circuit board [PCB]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は基板上の所定領域の欠陥を検査する方法及び装
置に関する。
置に関する。
発明の背景
最近の電子機器には、いろいろな電子部品を塔載した回
路基板が一枚以上内蔵されている。これらの電子部品は
、リード線を二個以上有し、これらのリード線は回路基
板の開口を貫通挿入され金属被覆部に半田付けされてい
る。ところが電子部品の寸法を小さくして回路基板上に
塔載される部品数をますます増大する傾向にあるので、
これに伴−・、回路基板の金属被覆部に接続されるリー
ド線の数もますます多くなってきている。例えば、典型
的な回路基板では、電子部品が50〜100も塔載され
、回路基板の開口を貫通挿入されるリード線の数は50
00にも達することがある。
路基板が一枚以上内蔵されている。これらの電子部品は
、リード線を二個以上有し、これらのリード線は回路基
板の開口を貫通挿入され金属被覆部に半田付けされてい
る。ところが電子部品の寸法を小さくして回路基板上に
塔載される部品数をますます増大する傾向にあるので、
これに伴−・、回路基板の金属被覆部に接続されるリー
ド線の数もますます多くなってきている。例えば、典型
的な回路基板では、電子部品が50〜100も塔載され
、回路基板の開口を貫通挿入されるリード線の数は50
00にも達することがある。
従来は、各リード線が対応する開口に貫通挿入され金属
被覆部に接続されたかどうかを調べる回路基板検査作業
は、作業員の目視によって行われていた。しかしながら
、回路基板に塔載される電子部品が増加するだつれて、
作業員の目視による回路基板の検査が非常に困難になっ
てきている。時には、熟練作業者でさえもリード線が開
口から抜は出たり間違って挿入されるといった欠陥を検
査できないこともある。更に回路基板の検査を製造時の
スピードで行うことのできる作業者はほとんどいない。
被覆部に接続されたかどうかを調べる回路基板検査作業
は、作業員の目視によって行われていた。しかしながら
、回路基板に塔載される電子部品が増加するだつれて、
作業員の目視による回路基板の検査が非常に困難になっ
てきている。時には、熟練作業者でさえもリード線が開
口から抜は出たり間違って挿入されるといった欠陥を検
査できないこともある。更に回路基板の検査を製造時の
スピードで行うことのできる作業者はほとんどいない。
このように回路基板の目視検査はいろいろな困難を伴う
ので、このような作業を機械化する映像装置に開発が精
力的に行われている。
ので、このような作業を機械化する映像装置に開発が精
力的に行われている。
現在使用されている回路基板検査用映像装置は、テレビ
カメラとこれに接続された映像処理装置とから構成され
ている。このテレビカメラは、回路基板の像をビデオ信
号に変換し、映像処理装置がこのビデオ信号を処理して
電子部品リード線の抜は出しや接続不良のような欠陥を
検出する。
カメラとこれに接続された映像処理装置とから構成され
ている。このテレビカメラは、回路基板の像をビデオ信
号に変換し、映像処理装置がこのビデオ信号を処理して
電子部品リード線の抜は出しや接続不良のような欠陥を
検出する。
ところがテレビカメラを用いた映像装置は解像力が制限
されてしまうという欠点を持つ。
されてしまうという欠点を持つ。
典型的には、解像力を電子部品リード線を充分に羨出で
きる程度に保つとすると、テレビカメラによって観察で
きる回路基板の最大範囲は約2インチ×2インチとなる
。従って回路基板の表面が2インチ×2インチ以上であ
る場合、この全範囲を撮像するためには、テレビカメラ
を回路基板の表面上を移動即ち歩進させなげればならな
い。この為、回路基板の大きさによっては、テレビカメ
ラを移動するのに、1〜2分もの時間を要してしまう。
きる程度に保つとすると、テレビカメラによって観察で
きる回路基板の最大範囲は約2インチ×2インチとなる
。従って回路基板の表面が2インチ×2インチ以上であ
る場合、この全範囲を撮像するためには、テレビカメラ
を回路基板の表面上を移動即ち歩進させなげればならな
い。この為、回路基板の大きさによっては、テレビカメ
ラを移動するのに、1〜2分もの時間を要してしまう。
この結果、このような回路基板検査装置のスループット
は、制限を受けてしまう。
は、制限を受けてしまう。
回路の検査は、テレビカメラの代りに線走査カメラを内
蔵した映像装置を用いても、行うことができる。テレビ
カメラは大きな二次元像を解像できる一つの光撮像素子
を使用するものであったが、線走査カメラは非常に小さ
な二次元像を解像できる複数の電荷結合素子を使用する
ものである。典型的には、線走査カメラは、レンズの像
面に一次元アレイ状に配列された2048個の電荷結合
素子を有する。各電荷結合素子の視野は、そのレンズの
光学特性に依存するが、典型的には非常に小さく0.0
04インチX0.004インチに達するものもある。
蔵した映像装置を用いても、行うことができる。テレビ
カメラは大きな二次元像を解像できる一つの光撮像素子
を使用するものであったが、線走査カメラは非常に小さ
な二次元像を解像できる複数の電荷結合素子を使用する
ものである。典型的には、線走査カメラは、レンズの像
面に一次元アレイ状に配列された2048個の電荷結合
素子を有する。各電荷結合素子の視野は、そのレンズの
光学特性に依存するが、典型的には非常に小さく0.0
04インチX0.004インチに達するものもある。
線走査カメラの各電荷結合素子はその視野内の像に応じ
て強度が変化するアナログ信号を発生する。こうして線
走査カメラの電荷結合素子リニア・アレイは、全体とし
て回路基板表面を横切る細長部(例えば、幅が0.00
4インチ)の像を撮像する。回路基板上を線走査カメラ
を移動(走査)することによって、回路基板表面上の複
数の連続する細長部の各々が撮像される。回路基板の寸
法によっては、線走査カメラを回路基板上を一つの軸に
沿って一度移動するだけで、全範囲を撮像することがで
きる。
て強度が変化するアナログ信号を発生する。こうして線
走査カメラの電荷結合素子リニア・アレイは、全体とし
て回路基板表面を横切る細長部(例えば、幅が0.00
4インチ)の像を撮像する。回路基板上を線走査カメラ
を移動(走査)することによって、回路基板表面上の複
数の連続する細長部の各々が撮像される。回路基板の寸
法によっては、線走査カメラを回路基板上を一つの軸に
沿って一度移動するだけで、全範囲を撮像することがで
きる。
線走査カメラの各電荷結合素子はアナログ信号を一以上
のラインに順次出力する。各アナログ信号は、その後の
処理を容易にする為にデジタル信号に変換される。回路
素子表面の各紙長部が線走査カメラの視野内にある場合
にはデジタル信号の数は2048個になる。
のラインに順次出力する。各アナログ信号は、その後の
処理を容易にする為にデジタル信号に変換される。回路
素子表面の各紙長部が線走査カメラの視野内にある場合
にはデジタル信号の数は2048個になる。
従って線走査カメラが回路基板を走査すると、多量のデ
ジタル信号が発生することになる。
ジタル信号が発生することになる。
線走査カメラによる回路基板の走査中に生ずる多数のデ
ジタル信号を処理する方法としては、一般に二つの方法
がある。その第一の方法ではデジタル信号の発生後直ち
にそれらのデジタル信号を処理しく即ち「オン・ザ・フ
ライで(移動中に)」デジタル信号を処理しン、それか
ら回路基板表面上の一以上の細長部の像に関する非常に
少数のデジタル信号を記憶する。その後、これらの信号
(1、部品リード線の抜けなどの特定の欠陥を検査でき
る特別のアルゴリズムを有する高速プロセッサによって
処理される。しかしこの方法は、線走査カメラから入力
データの処理が特′宕の欠陥の検査に限られるので、適
用範囲が甑めて制限されてしまう。また別種の欠陥を検
査するには、通常アルゴリズム全体を変えなげればなら
ず、この為には映1象処理震置を犬惺にプログラムし直
す必要が生ずることがある。
ジタル信号を処理する方法としては、一般に二つの方法
がある。その第一の方法ではデジタル信号の発生後直ち
にそれらのデジタル信号を処理しく即ち「オン・ザ・フ
ライで(移動中に)」デジタル信号を処理しン、それか
ら回路基板表面上の一以上の細長部の像に関する非常に
少数のデジタル信号を記憶する。その後、これらの信号
(1、部品リード線の抜けなどの特定の欠陥を検査でき
る特別のアルゴリズムを有する高速プロセッサによって
処理される。しかしこの方法は、線走査カメラから入力
データの処理が特′宕の欠陥の検査に限られるので、適
用範囲が甑めて制限されてしまう。また別種の欠陥を検
査するには、通常アルゴリズム全体を変えなげればなら
ず、この為には映1象処理震置を犬惺にプログラムし直
す必要が生ずることがある。
線走査カメラによる回路基板の走査中に生ずるデジタル
信号を処理するもう一つの方法は、全データをメモリに
記憶即ち格納してからその後の処理を行うものである。
信号を処理するもう一つの方法は、全データをメモリに
記憶即ち格納してからその後の処理を行うものである。
このため8インチ×8インチの回路基板の像を表わすデ
ジタル信号を記憶するのには1バイト(8ビツト)のメ
モリが必要となる。この方法の利点は、映像データがメ
モリに格納されるので、入力データの処理方法を必ずし
も変えることなく、データの解析によって種々の欠陥を
検出できることである。しかしながら、最近メモリ素子
の価格が低下していると言っても、線走査カメラによる
回路基板の走査中に生ずるデジタル信号のすべてを記憶
することは、一般的には「オン・ザ・フライ」で信号を
処理する場合に比べて望ましくない。また処理前に線走
査カメラの出力データを記憶すると、検査に多くの時間
を要してしまう。
ジタル信号を記憶するのには1バイト(8ビツト)のメ
モリが必要となる。この方法の利点は、映像データがメ
モリに格納されるので、入力データの処理方法を必ずし
も変えることなく、データの解析によって種々の欠陥を
検出できることである。しかしながら、最近メモリ素子
の価格が低下していると言っても、線走査カメラによる
回路基板の走査中に生ずるデジタル信号のすべてを記憶
することは、一般的には「オン・ザ・フライ」で信号を
処理する場合に比べて望ましくない。また処理前に線走
査カメラの出力データを記憶すると、検査に多くの時間
を要してしまう。
そこで、線走査カメラを用い℃、回路基板のような基板
表面の欠陥を迅速かつ効率的に検査する方法が望まれて
いた。
表面の欠陥を迅速かつ効率的に検査する方法が望まれて
いた。
発明の要約
基板表面を検査してそこの欠陥を検出する公知の方法に
ついての上述の問題は、本発明の方法によって解決され
る。即ち表面を横切る細長部から反射された光の強度は
、上記表面から離間配置された光検知手段で検知される
。この光検知手段と基板とを相対移動させ、これにより
光検知手段は、表面上の複数の連続する細長部の各々か
らの反射光の強度を検知しこの強度に応じて変化する出
力信号を発生する。この出力信号を処理して連続する細
長部の各々を表わす映像データを求め、各細長部aの所
定領域を表わす映像データのみを保持する。こ5LC保
持されたデータを解析して基板表面上の連続する細長部
の各々内の所定領域内の欠陥を検査する。
ついての上述の問題は、本発明の方法によって解決され
る。即ち表面を横切る細長部から反射された光の強度は
、上記表面から離間配置された光検知手段で検知される
。この光検知手段と基板とを相対移動させ、これにより
光検知手段は、表面上の複数の連続する細長部の各々か
らの反射光の強度を検知しこの強度に応じて変化する出
力信号を発生する。この出力信号を処理して連続する細
長部の各々を表わす映像データを求め、各細長部aの所
定領域を表わす映像データのみを保持する。こ5LC保
持されたデータを解析して基板表面上の連続する細長部
の各々内の所定領域内の欠陥を検査する。
本発明の詳細な説明
第1図は、基板10の一部を示した斜視図であり、この
基板10は、実施例では回路基板を有し、この回路基板
は夫々上部表面12と下部表面14とを有する。これら
の表面12と14との間には回路基板1Gを貫通する複
数個の開口16〜16が穿孔されており、これらの開口
16〜16は、メッキ処理されている。その直径は夫々
典型的には0.036インチである。各表面12.14
には、複数の金属被覆リング17〜1Tが設けられ、こ
れらの各リング17〜1Tは対応する一つの開口16〜
16を取囲むと共に、開口内のメッキ部と電気的に接続
されている。導電性金属薄片(不図示)が表面12と1
4の両方又は一方に設けられ、リング17〜17同士を
選択的に接続している。
基板10は、実施例では回路基板を有し、この回路基板
は夫々上部表面12と下部表面14とを有する。これら
の表面12と14との間には回路基板1Gを貫通する複
数個の開口16〜16が穿孔されており、これらの開口
16〜16は、メッキ処理されている。その直径は夫々
典型的には0.036インチである。各表面12.14
には、複数の金属被覆リング17〜1Tが設けられ、こ
れらの各リング17〜1Tは対応する一つの開口16〜
16を取囲むと共に、開口内のメッキ部と電気的に接続
されている。導電性金属薄片(不図示)が表面12と1
4の両方又は一方に設けられ、リング17〜17同士を
選択的に接続している。
開口16〜16の配列パターンは、複数の電子部品20
〜20の夫々のリード線18〜18のパターン如対応し
ている。実際には、これらの部品20〜20のリード線
18〜18(工、部品20〜20が表面12に支持され
るように、開口16〜16内に自動的に挿入される。典
型的には、リード線18〜18の長さは、リード線の先
端部22が開口16〜16への挿入後に回路基板10の
下面14かられずかに突出するように定められている。
〜20の夫々のリード線18〜18のパターン如対応し
ている。実際には、これらの部品20〜20のリード線
18〜18(工、部品20〜20が表面12に支持され
るように、開口16〜16内に自動的に挿入される。典
型的には、リード線18〜18の長さは、リード線の先
端部22が開口16〜16への挿入後に回路基板10の
下面14かられずかに突出するように定められている。
リード線18〜18が開口16〜16から離脱する(抜
は出る〕ことを防止するために、各部品20の一以上の
リード線の先端部22が下面14に接触するように折り
曲げられる。
は出る〕ことを防止するために、各部品20の一以上の
リード線の先端部22が下面14に接触するように折り
曲げられる。
リード線18〜18を開口16〜16に挿入する際に、
誤りが生ずることがある。例えば、リード線18〜18
のうちの一本が位置的にずれてしまうと、それは対応す
る開口16内に挿入されなくなってしまう。たとえたっ
た一本のリード線が正しく挿入されないだけでも、回路
基板10に欠陥が生ずる可能性が高い。回路基板10の
組立工程にお(・て修理すると、この場合の修理コスト
は、回路基板をその使用現場で修理する場合に比べて大
幅に低減されろ。
誤りが生ずることがある。例えば、リード線18〜18
のうちの一本が位置的にずれてしまうと、それは対応す
る開口16内に挿入されなくなってしまう。たとえたっ
た一本のリード線が正しく挿入されないだけでも、回路
基板10に欠陥が生ずる可能性が高い。回路基板10の
組立工程にお(・て修理すると、この場合の修理コスト
は、回路基板をその使用現場で修理する場合に比べて大
幅に低減されろ。
第2図は、上述の部品用リード線18〜18の不整合即
ち挿入不良のような回路基板10の欠陥を検査する本発
明による装置24を示したブロック図である。装置24
はステージ26を有し、回路基板10はその下面14が
上を向くようにこのステージ26に載置されている。ス
テージ26は、ステージ制御器30に従い、双方向矢印
28に示す軸に沿って直線方向に回路基板10を移動さ
せる。好適の実施例では、ステージ26とステージ制御
器30は、それぞれニューヨーク州のハプグ(HaPp
gue )のアノラッド(Anorad) 社製の7
−20型ステージとrA−1型ステージ制御器から構成
される。
ち挿入不良のような回路基板10の欠陥を検査する本発
明による装置24を示したブロック図である。装置24
はステージ26を有し、回路基板10はその下面14が
上を向くようにこのステージ26に載置されている。ス
テージ26は、ステージ制御器30に従い、双方向矢印
28に示す軸に沿って直線方向に回路基板10を移動さ
せる。好適の実施例では、ステージ26とステージ制御
器30は、それぞれニューヨーク州のハプグ(HaPp
gue )のアノラッド(Anorad) 社製の7
−20型ステージとrA−1型ステージ制御器から構成
される。
ランプ32(例えば石英ハロゲン管)が回路基板10の
表面14から離間配置され、このランプ32は複数の平
行光線34〜34を第1の1頃斜方向に沿って表面14
の方に指向させる。光線34〜34は、各リード線18
の突出先端部22と、開口16〜16を囲む表面14の
金属リング17〜17とを照明する。開口16から突出
したリード線18の各々はリング17に入射する光線3
4〜34の一部を遮断して、リング17上に影を作る。
表面14から離間配置され、このランプ32は複数の平
行光線34〜34を第1の1頃斜方向に沿って表面14
の方に指向させる。光線34〜34は、各リード線18
の突出先端部22と、開口16〜16を囲む表面14の
金属リング17〜17とを照明する。開口16から突出
したリード線18の各々はリング17に入射する光線3
4〜34の一部を遮断して、リング17上に影を作る。
線走査カメラ36は、ランプ32かられずかに離間した
表面14から離れており、リード線18〜18の先端部
22〜22と金属リング17〜17とから牙2の傾斜方
向に沿って反射した光線を検出する。この線走査カメラ
36は、好適実施例では、カリフォルニア州のパロアル
ト(Palo Alto)のフェアチャイルド(Fai
rchi ld)社製のCCDl500R型カメラから
構成される。このカメラ36には、複数の電荷結合素子
38〜38(−個のみ図示〕が内蔵されている。
表面14から離れており、リード線18〜18の先端部
22〜22と金属リング17〜17とから牙2の傾斜方
向に沿って反射した光線を検出する。この線走査カメラ
36は、好適実施例では、カリフォルニア州のパロアル
ト(Palo Alto)のフェアチャイルド(Fai
rchi ld)社製のCCDl500R型カメラから
構成される。このカメラ36には、複数の電荷結合素子
38〜38(−個のみ図示〕が内蔵されている。
各電荷結合素子38は、シリコンの露光領域(不図示)
を持つ半導体から構成され、このシリコン露光領域に光
が入射すると自由電子・正孔の対が発生する。これらの
電子・正孔対は入射光の強度に応じて変化する。これら
の自由電子・正孔対(電荷パケットと称される。)は各
条体、すなわち各細長部40の像の小部分即ち画素(絵
素: pixel )を表わしている。この電荷パケッ
トは、電荷結合によって、電荷結合素子38の長いゲー
ト電極(不図示)を介して出力ゲートに転送される。
を持つ半導体から構成され、このシリコン露光領域に光
が入射すると自由電子・正孔の対が発生する。これらの
電子・正孔対は入射光の強度に応じて変化する。これら
の自由電子・正孔対(電荷パケットと称される。)は各
条体、すなわち各細長部40の像の小部分即ち画素(絵
素: pixel )を表わしている。この電荷パケッ
トは、電荷結合によって、電荷結合素子38の長いゲー
ト電極(不図示)を介して出力ゲートに転送される。
増幅器(不図示)は、電荷結合素子38の出力ゲートに
存する電荷をアナログ電圧に変換し、電荷結合素子38
〜38からの各アナログ信号は、カメラ36から順次出
力される。
存する電荷をアナログ電圧に変換し、電荷結合素子38
〜38からの各アナログ信号は、カメラ36から順次出
力される。
この線走査カメラ36は、2048個の電荷結合素子3
8〜38を有し、これらの電荷結合素子は線走査カメラ
36のレンズ(不図示)の像面に水平方向に直線状に配
列されている。このレンズの光学特性は、各電荷結合素
子38の視野が約0.04インチX0.004インチと
なり、これにより各電荷結合素子が表面14上の同寸法
の領域、即ち絵素を撮像するように、選定されている。
8〜38を有し、これらの電荷結合素子は線走査カメラ
36のレンズ(不図示)の像面に水平方向に直線状に配
列されている。このレンズの光学特性は、各電荷結合素
子38の視野が約0.04インチX0.004インチと
なり、これにより各電荷結合素子が表面14上の同寸法
の領域、即ち絵素を撮像するように、選定されている。
カメラ36内i)ぺηシアー;をヨ=ムj釈五で7一つ
O/I”1狛斗万ll+−ヒ訃ワロ1を一壬直な表面1
4の領域の細長部(例えば幅が0.004インチ)40
を同時に撮像することができる。
O/I”1狛斗万ll+−ヒ訃ワロ1を一壬直な表面1
4の領域の細長部(例えば幅が0.004インチ)40
を同時に撮像することができる。
カメラ36の各電荷結合素子38〜38の出力信号は、
映像処理装置42に送られ、この映像処理装置42は、
入力された信号を処理して表面14上の欠陥、例えばリ
ード線18〜18が開口16から突出していない状態を
検出する。映像処理装置42は、゛電荷結合素子38〜
38からのアナログ信号をデジタル信号に変換するイン
ターフェース44を有し、このインターフェース44は
、自走クロック48によって制御されるアナログ・デジ
タル(A/D )コンバータ46を有する。この自走ク
ロック48は11ビツトの出力信号を発生し、この信号
のうちの9個の最上位に0から511まで単調増加カウ
ントを発生する。クロック48の11ビツトの出力信号
が変化する毎に、A/Dコンバータ46はカメラ36の
各電荷結合素子38〜38の出力を;須次7ビツトのデ
ジタル信号に変換する。クロック48の11ビツトの出
力信号は、電荷結合素子38〜38により撮像された表
面14上の各細長部40内の2048個の絵素(0,0
04インチX0.004インチ)の個々を表わし℃いる
ので、形容詞として「絵素」を用いて、クロック48を
記述する。
映像処理装置42に送られ、この映像処理装置42は、
入力された信号を処理して表面14上の欠陥、例えばリ
ード線18〜18が開口16から突出していない状態を
検出する。映像処理装置42は、゛電荷結合素子38〜
38からのアナログ信号をデジタル信号に変換するイン
ターフェース44を有し、このインターフェース44は
、自走クロック48によって制御されるアナログ・デジ
タル(A/D )コンバータ46を有する。この自走ク
ロック48は11ビツトの出力信号を発生し、この信号
のうちの9個の最上位に0から511まで単調増加カウ
ントを発生する。クロック48の11ビツトの出力信号
が変化する毎に、A/Dコンバータ46はカメラ36の
各電荷結合素子38〜38の出力を;須次7ビツトのデ
ジタル信号に変換する。クロック48の11ビツトの出
力信号は、電荷結合素子38〜38により撮像された表
面14上の各細長部40内の2048個の絵素(0,0
04インチX0.004インチ)の個々を表わし℃いる
ので、形容詞として「絵素」を用いて、クロック48を
記述する。
クロック48の9個の最上位ビットの出力カウントと、
A/Dコンバータ46の7ビツトの出力信号とは、強度
調整器50に送られる。
A/Dコンバータ46の7ビツトの出力信号とは、強度
調整器50に送られる。
回路基板10の表面14の照度むらは、映像忙悪影響を
及ぼす恐れがあるので、強度調整器50が、A/Dコン
バータ46の各7ビツト・デジタル出力信号の直を調整
して表面14の照度むらを補償する。好適実施例では、
この強度調整器50は、16本のアドレス・ライン51
〜51(一本のみ図示)と8本のデータ・ライン52〜
52(一本のみ図示)と一本のコントロール・ライン5
3とを有する64KX8ビツトのメモリから構成されて
いる。強度調整器50内には、512ペ一ジ分のデータ
が記憶され、各ページは128個のデータ会ブロック5
6〜56を含んでいる。
及ぼす恐れがあるので、強度調整器50が、A/Dコン
バータ46の各7ビツト・デジタル出力信号の直を調整
して表面14の照度むらを補償する。好適実施例では、
この強度調整器50は、16本のアドレス・ライン51
〜51(一本のみ図示)と8本のデータ・ライン52〜
52(一本のみ図示)と一本のコントロール・ライン5
3とを有する64KX8ビツトのメモリから構成されて
いる。強度調整器50内には、512ペ一ジ分のデータ
が記憶され、各ページは128個のデータ会ブロック5
6〜56を含んでいる。
各ページ54内の各データ6ブロツク56は8ビツト・
ワード(語)から成り、これは、A/bコンバータ46
によって発生される4個の7ビツトデジタル信号から成
るブロックの夫々に対する補償された値を表わしている
。。
ワード(語)から成り、これは、A/bコンバータ46
によって発生される4個の7ビツトデジタル信号から成
るブロックの夫々に対する補償された値を表わしている
。。
強度調整器50による補償を正しくする為に、強度調整
器50016本のアドレス・ライン51〜51のうちの
最下位の7ビツトにA/Dコンバータ4607ビツト出
力信号が供給される。強度調整器5009個の最上位ア
ドレスライン51〜51には、絵素クロック48の出力
信号のうちの9個の最上位ビットが供給される。この絵
素クロック48からの9ビット信号は、強度調整器50
内のページ54〜54の関連するページを指定する。
器50016本のアドレス・ライン51〜51のうちの
最下位の7ビツトにA/Dコンバータ4607ビツト出
力信号が供給される。強度調整器5009個の最上位ア
ドレスライン51〜51には、絵素クロック48の出力
信号のうちの9個の最上位ビットが供給される。この絵
素クロック48からの9ビット信号は、強度調整器50
内のページ54〜54の関連するページを指定する。
A/bコンバータ48の7ビツト出力信号は、4個の電
荷結合素子38〜38から成るブロック内の各電荷結合
素子38〜38に対する正しく補償された強度値を内蔵
する上記指定ページ54内のブロック56〜56の関連
する一つのブロックを指定する。このブロックの4個の
電荷結合素子38〜38は絵素クロック48からの出力
信号の9個の最上位ビットによって同定される。
荷結合素子38〜38から成るブロック内の各電荷結合
素子38〜38に対する正しく補償された強度値を内蔵
する上記指定ページ54内のブロック56〜56の関連
する一つのブロックを指定する。このブロックの4個の
電荷結合素子38〜38は絵素クロック48からの出力
信号の9個の最上位ビットによって同定される。
強度調駿器50のデータ・ライン52〜52とコントロ
ール・ライン53は、夫々データバス57とコントロー
ルφバス58とを介してメモリ61の一組のデータ・ラ
イン59〜59(一本のみ図示)とコントロール・ライ
ン60とに接続されている。こうして強度調整器50か
らのデータはデータ・バス57を通ってメモリ61に転
送され、そこに格納される。このメモリ61は、アドレ
ス・バス64に接続された一組のアドレス・ライン62
〜62(一本のみ図示)を有する。このアドレス・バス
64は、アドレス・清報をメ2:lll1!Q+f’1
7に+、”’j−士ノーノCワ、CすIff’!!=す
、メモリ内のデータの格納位置又は検索位置を特定する
。
ール・ライン53は、夫々データバス57とコントロー
ルφバス58とを介してメモリ61の一組のデータ・ラ
イン59〜59(一本のみ図示)とコントロール・ライ
ン60とに接続されている。こうして強度調整器50か
らのデータはデータ・バス57を通ってメモリ61に転
送され、そこに格納される。このメモリ61は、アドレ
ス・バス64に接続された一組のアドレス・ライン62
〜62(一本のみ図示)を有する。このアドレス・バス
64は、アドレス・清報をメ2:lll1!Q+f’1
7に+、”’j−士ノーノCワ、CすIff’!!=す
、メモリ内のデータの格納位置又は検索位置を特定する
。
メモリ61に格納された情報は、典型的にはマイクロコ
ンピュータから成る中央処理ユニット66によって処理
され、表面14の欠陥を検出する。中央処理ユニット6
6はアドレス−バス64に接続された一組のアドレスラ
イン67〜6γ(一本のみ図示)を有し、これによりメ
モリ61内の情報が中央処理ユニット66に連送され、
そこで処理される。
ンピュータから成る中央処理ユニット66によって処理
され、表面14の欠陥を検出する。中央処理ユニット6
6はアドレス−バス64に接続された一組のアドレスラ
イン67〜6γ(一本のみ図示)を有し、これによりメ
モリ61内の情報が中央処理ユニット66に連送され、
そこで処理される。
アドレス情報は、メモリ61に格納された処理すべきデ
ータの位置を表わすもので、中央処理ユニット66から
アドレス・バス64を介してメモリ61に送られる。
ータの位置を表わすもので、中央処理ユニット66から
アドレス・バス64を介してメモリ61に送られる。
中央処理ユニット66はデーターバス57に接続された
一組のデータ・ライン68〜68(一本のみ図示)を有
し、これらのデータ・ライン68〜68は、メモリ61
に送られたアドレス情報によって特定された立置ンて格
納されていたメモリ61からのデータを中央帆埋ユニッ
ト66に転送する。中央処理ユニット66のコントロー
ル・ライン69はコントロール・バス58に接続され、
これにより中央処理ユニットはコントロール書信号をバ
ス58に出力して、メモリ61が現在アクセス中である
ことを示す。中央処理ユニット66用のプログラム命令
は端末機70を介して中央処理ユニットに入力される。
一組のデータ・ライン68〜68(一本のみ図示)を有
し、これらのデータ・ライン68〜68は、メモリ61
に送られたアドレス情報によって特定された立置ンて格
納されていたメモリ61からのデータを中央帆埋ユニッ
ト66に転送する。中央処理ユニット66のコントロー
ル・ライン69はコントロール・バス58に接続され、
これにより中央処理ユニットはコントロール書信号をバ
ス58に出力して、メモリ61が現在アクセス中である
ことを示す。中央処理ユニット66用のプログラム命令
は端末機70を介して中央処理ユニットに入力される。
中央処理ユニット66は、メモリ61に格納されたデー
タの処理の外にステージ26の移動を制御する。ステー
ジ26の移動を宍わすコマンド信号は、中央処理ユニッ
ト66から入出力カード71を介してステージ制御ユニ
ット30に送られる。ステージ制御ユニット30からの
信号は、軸28に沿ったステージ26の位置、即ち線走
査カメラ36の視野内て位置している表面14上の細長
部40〜40を表わしており、この信号入出力カード7
1を介して中央処理ユニット66に送られろ。映像処理
装置42内にはダイレクト・メモリ・アドレス(DMA
)コントロール回路72が設けられ、このDMAコント
ロール回路72は強度調整器50からメモリ61へのデ
ータ転送を制御する。D M Aコントロール回路72
の一組のアドレス拳ライン73〜73はアドレス・バス
64に接続され、これによって、メモリ61内のデータ
格納位置を示すDMAコントロール回路内のアドレス・
情報がメモリに送られる。DMAコントロール回路72
のコントロール・ライン74はコントロール・バス58
に接続されており、これによってDMAコントロール回
路72は、中央処理ユニット66とメモリ61との間で
のデータ転送の実行を示すコントロール信号が中央処理
ユニット66からコントロール−バスに送られているか
否かを検知する。中央処理ユニット66からのコントロ
ール信号がコントロール−バス58に存在する時には、
メモリ61にアクセスしないようにする。
タの処理の外にステージ26の移動を制御する。ステー
ジ26の移動を宍わすコマンド信号は、中央処理ユニッ
ト66から入出力カード71を介してステージ制御ユニ
ット30に送られる。ステージ制御ユニット30からの
信号は、軸28に沿ったステージ26の位置、即ち線走
査カメラ36の視野内て位置している表面14上の細長
部40〜40を表わしており、この信号入出力カード7
1を介して中央処理ユニット66に送られろ。映像処理
装置42内にはダイレクト・メモリ・アドレス(DMA
)コントロール回路72が設けられ、このDMAコント
ロール回路72は強度調整器50からメモリ61へのデ
ータ転送を制御する。D M Aコントロール回路72
の一組のアドレス拳ライン73〜73はアドレス・バス
64に接続され、これによって、メモリ61内のデータ
格納位置を示すDMAコントロール回路内のアドレス・
情報がメモリに送られる。DMAコントロール回路72
のコントロール・ライン74はコントロール・バス58
に接続されており、これによってDMAコントロール回
路72は、中央処理ユニット66とメモリ61との間で
のデータ転送の実行を示すコントロール信号が中央処理
ユニット66からコントロール−バスに送られているか
否かを検知する。中央処理ユニット66からのコントロ
ール信号がコントロール−バス58に存在する時には、
メモリ61にアクセスしないようにする。
通常、DMAコントロール回路72は、強度調整器50
からのデジタル信号を弁別せずに、それらのデジタル信
号のすべてをデータ・バス5γを介してメモリ61に転
送して、そこに格納させることになるであろう。もしそ
うであると、線走査カメラ36が走査する回路基板10
の大きさに応じて、強度調整器50からの映像データは
4メガバイトにも達するので、メモリ61は強度調整器
50からの全データを格納するために、規模を極めて大
きくしなげればならない。
からのデジタル信号を弁別せずに、それらのデジタル信
号のすべてをデータ・バス5γを介してメモリ61に転
送して、そこに格納させることになるであろう。もしそ
うであると、線走査カメラ36が走査する回路基板10
の大きさに応じて、強度調整器50からの映像データは
4メガバイトにも達するので、メモリ61は強度調整器
50からの全データを格納するために、規模を極めて大
きくしなげればならない。
しかしながら、各細長部40での対象の所定領域75〜
75(想像線で示した)の各々内の絵素な表わす映像デ
ータだけを保持するのでよいならば、メモリ61の記憶
規模を減少することができる。例えば、回路基板10の
リード線18〜18の不整合即ち抜けを検査するのであ
れば、各細長部40内の対象領域は開口16〜16とそ
こを囲むリング17〜1γとを含む領域のみとなる。リ
ード線18〜18が存在するのは、開口16〜16の中
のみであるから、領域75〜75のうち開口又はリング
17〜17以外の部分に関する映像データを保持する必
要はない。実際には、領域75〜75は各々細長部40
(例えば、開口16〜16やその周囲のリング17〜1
7の一部)と同一幅である。
75(想像線で示した)の各々内の絵素な表わす映像デ
ータだけを保持するのでよいならば、メモリ61の記憶
規模を減少することができる。例えば、回路基板10の
リード線18〜18の不整合即ち抜けを検査するのであ
れば、各細長部40内の対象領域は開口16〜16とそ
こを囲むリング17〜1γとを含む領域のみとなる。リ
ード線18〜18が存在するのは、開口16〜16の中
のみであるから、領域75〜75のうち開口又はリング
17〜17以外の部分に関する映像データを保持する必
要はない。実際には、領域75〜75は各々細長部40
(例えば、開口16〜16やその周囲のリング17〜1
7の一部)と同一幅である。
DMAコントロール回路72が、メモリ61内に格納す
べき映像データとそうでない映像データとを弁別するた
めに、映像処理装置42はDMAコントロール回路7’
2に接続されたメモリ・コントローラ76を有スル。
べき映像データとそうでない映像データとを弁別するた
めに、映像処理装置42はDMAコントロール回路7’
2に接続されたメモリ・コントローラ76を有スル。
このメモリ・コントローラ76の詳細を牙3図に明示す
る。この牙3図において、メモリ・コントローラγ6は
セグメンテーション・メモリ78(例えば、64KX1
6ビツト)を有し、このメモリ78は16本のデータ・
ライン79〜79(一本のみ図示)と16本のアドレス
・ライン80〜80(一本のみ図示)とを有している。
る。この牙3図において、メモリ・コントローラγ6は
セグメンテーション・メモリ78(例えば、64KX1
6ビツト)を有し、このメモリ78は16本のデータ・
ライン79〜79(一本のみ図示)と16本のアドレス
・ライン80〜80(一本のみ図示)とを有している。
このセグメンテーション・メモリ78には65.536
11iWの16ビツト伜データ・ワード81〜81が格
納され、これらのワードの各々は細長部40〜40(オ
2図参照ン内の領域75〜γ5(第2図参照)の一つ一
つを表わす情報を含んでいる。
11iWの16ビツト伜データ・ワード81〜81が格
納され、これらのワードの各々は細長部40〜40(オ
2図参照ン内の領域75〜γ5(第2図参照)の一つ一
つを表わす情報を含んでいる。
表1はメモリ78に格納された各データ・ワード81内
の情報の配置を図式的に示したものである。
の情報の配置を図式的に示したものである。
表 1
オン/オフ リンク オン/オフ 繰返ビット ビ
ット カウント カウント 各データ・ワード81内の最高次数ビットは「オン/オ
フ」ビットとして指定されている。
ット カウント カウント 各データ・ワード81内の最高次数ビットは「オン/オ
フ」ビットとして指定されている。
このオン/オフビットの状態(これは二進数のrlJか
「0」のいずれかである。)は、成る領域15の映像を
表わすz1度調整器50(牙2図参照)からのデータが
メモリ61(第2図参照)K格納されるべきか否かを決
定する。
「0」のいずれかである。)は、成る領域15の映像を
表わすz1度調整器50(牙2図参照)からのデータが
メモリ61(第2図参照)K格納されるべきか否かを決
定する。
もしこの領域75が開口16〜16及びその周囲のリン
グ17の一方の一部を含んでいる場合には、オン/オフ
ピットは二進数「1」となり、強度調整器50からのデ
ータが牙2図のメモリ61に格納されるべきであること
を示す。そうでない場合には、オン/オフピットは、「
二進数0」になり、このときのデータは格納されずスキ
ップされる。各データ・ワード81の2番目の最高次数
ビットは、「リンク・ビット(link bit)jと
して指定されている。このリンク・ビットの状態は、デ
ータ・ワード81によって表わされる領域T5が細長部
40(第2図参照)の両端の一方に位置しているか否か
を示している。もしリンク・ビットが二進数の「1」で
ある場合には、領域75は細長部40の端ではなく、逆
に、リンク・ビットが二進数rOJである場合には、上
述の反対である。
グ17の一方の一部を含んでいる場合には、オン/オフ
ピットは二進数「1」となり、強度調整器50からのデ
ータが牙2図のメモリ61に格納されるべきであること
を示す。そうでない場合には、オン/オフピットは、「
二進数0」になり、このときのデータは格納されずスキ
ップされる。各データ・ワード81の2番目の最高次数
ビットは、「リンク・ビット(link bit)jと
して指定されている。このリンク・ビットの状態は、デ
ータ・ワード81によって表わされる領域T5が細長部
40(第2図参照)の両端の一方に位置しているか否か
を示している。もしリンク・ビットが二進数の「1」で
ある場合には、領域75は細長部40の端ではなく、逆
に、リンク・ビットが二進数rOJである場合には、上
述の反対である。
リンク書ビットの次の10ビツトはオン/オフカウント
として指定される。このオン/オフカウントの値は、4
絵素から成るブロックを単位として測ったときの各領域
75の長さを表わしている。−絵素は牙2図の電荷結合
素子38〜38の一つ忙よって撮像された0、004イ
ンチX0.004インチの映像であるので、オン/オフ
カウントは、オン/オフピットの状態に従い、信号がス
キップ又は格納される電荷結合素子の数の1/4を表わ
している。例えばオン/オフピットが二進数「1」であ
る場合、「l」(二進数)の計数によって、4個の隣接
電荷結合素子38〜38が撮像した映像が格納される。
として指定される。このオン/オフカウントの値は、4
絵素から成るブロックを単位として測ったときの各領域
75の長さを表わしている。−絵素は牙2図の電荷結合
素子38〜38の一つ忙よって撮像された0、004イ
ンチX0.004インチの映像であるので、オン/オフ
カウントは、オン/オフピットの状態に従い、信号がス
キップ又は格納される電荷結合素子の数の1/4を表わ
している。例えばオン/オフピットが二進数「1」であ
る場合、「l」(二進数)の計数によって、4個の隣接
電荷結合素子38〜38が撮像した映像が格納される。
各データ令ワード81のうちの4つの最下位ビットは、
「繰返カウント」とし℃指定される。この繰返カウント
は領域75〜T5の同一パターンを有する細長部40〜
40の個数を表わしている。換言すると、−個の細長部
40の領域75〜75は夫々長さがその後続の細長部の
対応する領域と同一であり、しばしば、表面14上の一
個の細長部のパター・ノ日日+−4百hie71’t〜
75は七の傍のいくつかの細長部で繰り返される。この
為、領域75〜T5のパターンがいくつかの細長部40
〜40で同一であるとき、これらの細長部内の領域は、
同一の組のデータ囃ワード81〜81によって記するこ
とができる。
「繰返カウント」とし℃指定される。この繰返カウント
は領域75〜T5の同一パターンを有する細長部40〜
40の個数を表わしている。換言すると、−個の細長部
40の領域75〜75は夫々長さがその後続の細長部の
対応する領域と同一であり、しばしば、表面14上の一
個の細長部のパター・ノ日日+−4百hie71’t〜
75は七の傍のいくつかの細長部で繰り返される。この
為、領域75〜T5のパターンがいくつかの細長部40
〜40で同一であるとき、これらの細長部内の領域は、
同一の組のデータ囃ワード81〜81によって記するこ
とができる。
いくつかの同−細長部40〜400第1番目の細長部に
関連した一組のデータ・ワード81〜81は、その後の
同−細長部40〜40の各々の領域75〜75を記述す
る為に、「繰返しカウント」回数だけ、繰返され得る。
関連した一組のデータ・ワード81〜81は、その後の
同−細長部40〜40の各々の領域75〜75を記述す
る為に、「繰返しカウント」回数だけ、繰返され得る。
繰返しカウントを使用して、細長部40内の領域75〜
75のパターンが何回繰り返されるかを特定すれば、デ
ータ・ワード81〜81の格納に必要なメモリの量を大
幅に低減ずることができる。以上から分るように、リン
クビットは、細長部40の領域75〜75の繰返パター
ンの終りを確認するものである。繰返カウントは常に零
よりも太き(なる。
75のパターンが何回繰り返されるかを特定すれば、デ
ータ・ワード81〜81の格納に必要なメモリの量を大
幅に低減ずることができる。以上から分るように、リン
クビットは、細長部40の領域75〜75の繰返パター
ンの終りを確認するものである。繰返カウントは常に零
よりも太き(なる。
牙3図において、セグメンテーション・メモリ78のア
ドレスeライン80〜80はアドレス・カウンタ82に
接続されている。アドレス・カウンタ82がそのカウン
トをセグメンテーション・メモリ78のアドレス・ライ
ン80〜80に出力すると、セグメンテーション・メモ
リはカウンタ82のカウントに対応したアドレスに格納
されていたデータ・ワード81をデータ・ライン79〜
79に出力する。典型的には、セグメンテーション・メ
モリ78内の第1番目の記述データ・ワード81が第1
番目のアドレス(零)に格納される。アドレス・カウン
タ82の出力カウントはラッチ84にラッチされる。尚
このラッチ64の出力はカウンタ82の入力に接続され
ている。
ドレスeライン80〜80はアドレス・カウンタ82に
接続されている。アドレス・カウンタ82がそのカウン
トをセグメンテーション・メモリ78のアドレス・ライ
ン80〜80に出力すると、セグメンテーション・メモ
リはカウンタ82のカウントに対応したアドレスに格納
されていたデータ・ワード81をデータ・ライン79〜
79に出力する。典型的には、セグメンテーション・メ
モリ78内の第1番目の記述データ・ワード81が第1
番目のアドレス(零)に格納される。アドレス・カウン
タ82の出力カウントはラッチ84にラッチされる。尚
このラッチ64の出力はカウンタ82の入力に接続され
ている。
セグメンテーション・メモリγ8のデータ中ライン79
〜79のづちの最上位(最高次数)のものは、牙2図の
DMAコントロール回路72に接続されている。セグメ
ンテーション・メモリ78の最高次数データ・ラインは
、アドレス・ライン80〜80に出力されたアドレスの
所に格納されたデータ・ワード810オン/オフピツト
を送出する。第3図のDMAコントロール回路72に供
給されたオン/オフピットが二進数「1」である時、D
MAコントロール回路72は牙3図の強度調整器50に
作用し、これにより調整器5aからのデータが22図の
データ・バス57を介して第2図のメモリ61に転送さ
れる。
〜79のづちの最上位(最高次数)のものは、牙2図の
DMAコントロール回路72に接続されている。セグメ
ンテーション・メモリ78の最高次数データ・ラインは
、アドレス・ライン80〜80に出力されたアドレスの
所に格納されたデータ・ワード810オン/オフピツト
を送出する。第3図のDMAコントロール回路72に供
給されたオン/オフピットが二進数「1」である時、D
MAコントロール回路72は牙3図の強度調整器50に
作用し、これにより調整器5aからのデータが22図の
データ・バス57を介して第2図のメモリ61に転送さ
れる。
牙3図のセグメンテーション・メモリ78の最下位の1
4データ・ライン79〜79のうちの最上位の10デー
タ・ラインは、アドレスされたワード81のオン/オフ
カウントをカウンタ86(オン/オフカウンタと称する
。〕に送出する。」・2図の絵素クロック48の最上位
の9ビツトが表わすカウントが変化する毎に、オン/オ
フカウンタ86は自身に格納されていたオン/オフカウ
ントの値を1だけ減ずる。セグメンテーション・メモリ
78の最下位の4データ・ライン79〜79は、アドレ
スされたワード81の繰返カウントをカウンタ88(r
i返゛カウント」カウンタと称する。)に送出する。
4データ・ライン79〜79のうちの最上位の10デー
タ・ラインは、アドレスされたワード81のオン/オフ
カウントをカウンタ86(オン/オフカウンタと称する
。〕に送出する。」・2図の絵素クロック48の最上位
の9ビツトが表わすカウントが変化する毎に、オン/オ
フカウンタ86は自身に格納されていたオン/オフカウ
ントの値を1だけ減ずる。セグメンテーション・メモリ
78の最下位の4データ・ライン79〜79は、アドレ
スされたワード81の繰返カウントをカウンタ88(r
i返゛カウント」カウンタと称する。)に送出する。
アドレスカウンタ82とオン/オフカウンタ86と繰返
カウント・カウンタ88とアドレス・ラッチ84とセグ
メンテーション・メモリ78は夫々論理ユニット90に
接続されている。この論理ユニット90は、アドレスカ
ウンタ82とオン/オフカウンタ86と繰返カウント・
カウンタ88とアドレス・ラッチ84とを、アドレスさ
れたデータ・ワード81のうちのリンク・ビットと繰返
カウントとオン/オフカウンタのオン/オフ・カウント
と繰返カウント・カウンタの繰返カウントとの間の規定
された関係に従い所定の順序で作動させる。好適実施例
では、論理ユニット90は牙4図に示したステップを実
行するようにプログラムされたプログラマブル・アレイ
・論理ゲートから構成される。牙4図において、論理ゲ
ート90i’3図ンは、アトレア、→−1r”−+−J
kyQつ4)→115・tk4勺?IzjnttBS9
することによってプログラムの実行を開始する(ステッ
プ92)。その後、アドレス・カウンタ82のカウント
が牙3図のアドレス・ラッチ84に格納、即ちラッチさ
れる(ステップ94)。
カウント・カウンタ88とアドレス・ラッチ84とセグ
メンテーション・メモリ78は夫々論理ユニット90に
接続されている。この論理ユニット90は、アドレスカ
ウンタ82とオン/オフカウンタ86と繰返カウント・
カウンタ88とアドレス・ラッチ84とを、アドレスさ
れたデータ・ワード81のうちのリンク・ビットと繰返
カウントとオン/オフカウンタのオン/オフ・カウント
と繰返カウント・カウンタの繰返カウントとの間の規定
された関係に従い所定の順序で作動させる。好適実施例
では、論理ユニット90は牙4図に示したステップを実
行するようにプログラムされたプログラマブル・アレイ
・論理ゲートから構成される。牙4図において、論理ゲ
ート90i’3図ンは、アトレア、→−1r”−+−J
kyQつ4)→115・tk4勺?IzjnttBS9
することによってプログラムの実行を開始する(ステッ
プ92)。その後、アドレス・カウンタ82のカウント
が牙3図のアドレス・ラッチ84に格納、即ちラッチさ
れる(ステップ94)。
次いで、セグメンテーション−メモリ78が読み出され
、この読み出されたデータ・ワード81の繰返カウント
とオン/オフカウントとが夫々繰返カウント・カウンタ
88とオン/オフカウンタ86にロードされる(ステッ
プ96)。このステップ96の後洗、データ・ワード8
1の、繰返カウントがテストされ、その値が零より大き
いかどうかが調べられろ(ステップ98)。実際には、
牙3図のセグメンテーション・メモリ78から読み出す
べきデータ・ワードがもはや存在しないことを示す為に
、表面14の最終細長部40内の最後の領域75を表わ
すデータ・ワード81の繰返カウントが零に設定される
。こうして、ギー々、ワーkQ1の品;万七内・116
1党ttrむつたことを論理ゲート90が確認すると、
第2図の強度調整器50から第2図のメモリ61への像
データ、すなわち映像データの転送が完了しているので
プログラム実行が終了する(ステップ100)。
、この読み出されたデータ・ワード81の繰返カウント
とオン/オフカウントとが夫々繰返カウント・カウンタ
88とオン/オフカウンタ86にロードされる(ステッ
プ96)。このステップ96の後洗、データ・ワード8
1の、繰返カウントがテストされ、その値が零より大き
いかどうかが調べられろ(ステップ98)。実際には、
牙3図のセグメンテーション・メモリ78から読み出す
べきデータ・ワードがもはや存在しないことを示す為に
、表面14の最終細長部40内の最後の領域75を表わ
すデータ・ワード81の繰返カウントが零に設定される
。こうして、ギー々、ワーkQ1の品;万七内・116
1党ttrむつたことを論理ゲート90が確認すると、
第2図の強度調整器50から第2図のメモリ61への像
データ、すなわち映像データの転送が完了しているので
プログラム実行が終了する(ステップ100)。
ステップ98で調べたときに繰返カウントが零でないこ
とが分った場合には、オン/オフψカウンタ86のカウ
ントを調べる(ステップ102)。オン/オフ拳ビット
の状態に応じて、格納すべき又はスキップすべき映像デ
ータを発生する細長部40〜40(才2図参照)のうち
の特定の一つの領域75〜75(3−2図参照)のうち
の特定の一つの内の4飼の絵素からなるブロックの個数
は、オン/オフ・カウンタ86のオン/オフ・カウント
によって表わされる。オン/オフ・カウントが零でない
ことは、その領域75に関連する映像データの一部また
は全部が格納又はスキップの為に残存していることを示
している。
とが分った場合には、オン/オフψカウンタ86のカウ
ントを調べる(ステップ102)。オン/オフ拳ビット
の状態に応じて、格納すべき又はスキップすべき映像デ
ータを発生する細長部40〜40(才2図参照)のうち
の特定の一つの領域75〜75(3−2図参照)のうち
の特定の一つの内の4飼の絵素からなるブロックの個数
は、オン/オフ・カウンタ86のオン/オフ・カウント
によって表わされる。オン/オフ・カウントが零でない
ことは、その領域75に関連する映像データの一部また
は全部が格納又はスキップの為に残存していることを示
している。
従って、カウントがステップ102において零でないこ
とが分ったとき、論理ゲート9゜はオン/オフeカウン
タ86を作動し、これによりそのオン/オフ−カウント
が第2図の絵素クロ゛ンク48の9ビツトカウンタに応
じて減少される(ステップ104)。このように、第2
図の線走査カメラ36内の各ブロックの4個の電荷結合
素子38〜38が生ずる映像データは格納又はスキップ
される。
とが分ったとき、論理ゲート9゜はオン/オフeカウン
タ86を作動し、これによりそのオン/オフ−カウント
が第2図の絵素クロ゛ンク48の9ビツトカウンタに応
じて減少される(ステップ104)。このように、第2
図の線走査カメラ36内の各ブロックの4個の電荷結合
素子38〜38が生ずる映像データは格納又はスキップ
される。
ステップ104の後には、プログラムはステップ102
に戻る。ステップ102において再チェックしたときに
オン/オフ・カウンタ88のオン/オフ・カウントが零
になった場合には、論理ゲート90は、第3図のセグメ
ンテーション書メモリT8のデータΦライン79〜79
(矛3図参照)K現在存在するデータ・ワード81のリ
ンク・ビットの状態を調べる(ステップ106)。
に戻る。ステップ102において再チェックしたときに
オン/オフ・カウンタ88のオン/オフ・カウントが零
になった場合には、論理ゲート90は、第3図のセグメ
ンテーション書メモリT8のデータΦライン79〜79
(矛3図参照)K現在存在するデータ・ワード81のリ
ンク・ビットの状態を調べる(ステップ106)。
リンクビットが零でない(これは、第2図の細長部40
内でまだ調べていない領域75〜75について未だ格納
又はスキップされていない映像データが存在することを
示す。)ことが分った場合には、アドレスカウンタ82
が作動される(ステップ108ン。カウンタ82は、作
動されると、そのカウントを1だけ増加する。次いでセ
グメンテーション・メモリ78が読み出され、かつアド
レス・カウンタ82の増加されたカウントに対応するア
ドレスのデータ・ワード81のオン/オフ・カウントが
オン/オフ・カウンタ86にロードされる(ステップ1
10)。その後、プログラムはステップ102に戻って
実行される。
内でまだ調べていない領域75〜75について未だ格納
又はスキップされていない映像データが存在することを
示す。)ことが分った場合には、アドレスカウンタ82
が作動される(ステップ108ン。カウンタ82は、作
動されると、そのカウントを1だけ増加する。次いでセ
グメンテーション・メモリ78が読み出され、かつアド
レス・カウンタ82の増加されたカウントに対応するア
ドレスのデータ・ワード81のオン/オフ・カウントが
オン/オフ・カウンタ86にロードされる(ステップ1
10)。その後、プログラムはステップ102に戻って
実行される。
リンク・ビットの値がステップ106の間に零になった
(これは、特定細長部40内の領域75〜75のすべて
の映像データが格納又はスキップされたことを示してい
る。〕場合には、繰返カウント・カウンタ88が作動さ
れ、その繰返カウントを1だけ減少する。
(これは、特定細長部40内の領域75〜75のすべて
の映像データが格納又はスキップされたことを示してい
る。〕場合には、繰返カウント・カウンタ88が作動さ
れ、その繰返カウントを1だけ減少する。
(ステップ112)。次いで繰返カウント・カウンタ7
8の繰返カウントの現在の値が調カウントが零である場
合には、これは成る細長部の領域15〜75のパターン
が所望の回数(データ・ワード81の繰返カウントに等
しい)だけ既に繰返されたことを示しており、アドレス
・カウンタ82が作動され、これ罠よりそのカウントが
1だけ増加されることになる(ステップ116)。その
後に、プログラムはステップ94に進む。
8の繰返カウントの現在の値が調カウントが零である場
合には、これは成る細長部の領域15〜75のパターン
が所望の回数(データ・ワード81の繰返カウントに等
しい)だけ既に繰返されたことを示しており、アドレス
・カウンタ82が作動され、これ罠よりそのカウントが
1だけ増加されることになる(ステップ116)。その
後に、プログラムはステップ94に進む。
他方、繰返カウント・カウンタ88の繰返カウントが零
でないときには、アドレス・カウンタ82に、アドレス
・ラッチ84に格納されたアドレスがロードされる(ス
テップ118)。これにより、領域75〜75と同一パ
ターンを有する一組の細長部の最初の領域75〜75に
関する映像データが繰返される。アドレス囃ラッチ84
は、繰返すべき領域75〜75の第1番目のものを表わ
す最初のデータ・ワードの最初のアドレスを含んでいる
。ステップ118の後にはプログラムは7−1−”/−
11八1fP5ヱ 〕・5図は、牙2図の中央処理ユニット66が実行する
プログラムのフローチャートを示したもので、このプロ
グラムにより第2図のメモリ61に格納された映像デー
タを解析して、欠陥が牙2図の表面14上の所定領域7
5〜γ5に存在するかどうかを調べる。牙5図のプログ
ラムの実行は以下のように開始される。即ち才2図の回
路基板10の表面14上の各細長部40〜40内に存す
る領域75〜γ5(牙2図参照〕を表わす情報を含む一
組のデータ・ワード81〜81で牙3図のセグメンテー
ション−メモリ78をロードする(ステップ120)。
でないときには、アドレス・カウンタ82に、アドレス
・ラッチ84に格納されたアドレスがロードされる(ス
テップ118)。これにより、領域75〜75と同一パ
ターンを有する一組の細長部の最初の領域75〜75に
関する映像データが繰返される。アドレス囃ラッチ84
は、繰返すべき領域75〜75の第1番目のものを表わ
す最初のデータ・ワードの最初のアドレスを含んでいる
。ステップ118の後にはプログラムは7−1−”/−
11八1fP5ヱ 〕・5図は、牙2図の中央処理ユニット66が実行する
プログラムのフローチャートを示したもので、このプロ
グラムにより第2図のメモリ61に格納された映像デー
タを解析して、欠陥が牙2図の表面14上の所定領域7
5〜γ5に存在するかどうかを調べる。牙5図のプログ
ラムの実行は以下のように開始される。即ち才2図の回
路基板10の表面14上の各細長部40〜40内に存す
る領域75〜γ5(牙2図参照〕を表わす情報を含む一
組のデータ・ワード81〜81で牙3図のセグメンテー
ション−メモリ78をロードする(ステップ120)。
典型的には、各データ・ワード81〜81に関するオン
/オフ・ビット、リンク・ビット、オン/オフ・カウン
ト及び繰返カウントは、コンピュータ支援設計(cAD
)データ・ベース(不図示)内のデータから決定される
。尚、このデータ・ベースには第1図及び牙2図の回路
基板10の表面14上の開口16〜16とその周囲のリ
ング17〜17との位置を表わす情報が含まれている。
/オフ・ビット、リンク・ビット、オン/オフ・カウン
ト及び繰返カウントは、コンピュータ支援設計(cAD
)データ・ベース(不図示)内のデータから決定される
。尚、このデータ・ベースには第1図及び牙2図の回路
基板10の表面14上の開口16〜16とその周囲のリ
ング17〜17との位置を表わす情報が含まれている。
ステップ120の後に、牙2図の中央処理ユニット66
は第2図の軸28に沿って牙2図のステージ26を移動
させる命令を出す(ステップ122)。こうして、牙2
図の回路基板10が牙2図の線走査カメラ36によって
走査される。ステージ26が第2図の軸28に沿つ℃移
動するにつれて、3−2図の各電荷結合素子38〜38
の出力信号は、デジタル化され、次いで補償され、その
後前述した方法により牙2図のメモリ61に格納され又
はスキップされる。ステージ26の41i 28に沿っ
た移動速度は、中央処理ユニット66によって以下のよ
って制御される。即ち、線走査カメラ36の電荷結合素
子38〜38からの出力信号がデジタル化され補償され
て格納された後に、次の細長部が線走査カメラの視野に
入るように制御される。
は第2図の軸28に沿って牙2図のステージ26を移動
させる命令を出す(ステップ122)。こうして、牙2
図の回路基板10が牙2図の線走査カメラ36によって
走査される。ステージ26が第2図の軸28に沿つ℃移
動するにつれて、3−2図の各電荷結合素子38〜38
の出力信号は、デジタル化され、次いで補償され、その
後前述した方法により牙2図のメモリ61に格納され又
はスキップされる。ステージ26の41i 28に沿っ
た移動速度は、中央処理ユニット66によって以下のよ
って制御される。即ち、線走査カメラ36の電荷結合素
子38〜38からの出力信号がデジタル化され補償され
て格納された後に、次の細長部が線走査カメラの視野に
入るように制御される。
回路基板100表面14の映像データが捕捉されている
ときに、牙2図の中央処理ユニット66は、同時にこの
捕捉データを解析して所定の領域75〜75内の欠陥を
検出する。
ときに、牙2図の中央処理ユニット66は、同時にこの
捕捉データを解析して所定の領域75〜75内の欠陥を
検出する。
中央処理ユニット66は、連続変数Mを1に初期化する
ことによってデータ解析を開始する(ステップ124)
。変数Mは3・2図のリング1γと開口16〜16の特
定の一つの像を同定する。各リング1Tの直径(例えば
、0.030インチ〕は典型的には各細長部400幅よ
りも大きいので、リング17と開口16の像は1・2図
の表面14上のいくつかの連続細長部の像から構成され
る。
ことによってデータ解析を開始する(ステップ124)
。変数Mは3・2図のリング1γと開口16〜16の特
定の一つの像を同定する。各リング1Tの直径(例えば
、0.030インチ〕は典型的には各細長部400幅よ
りも大きいので、リング17と開口16の像は1・2図
の表面14上のいくつかの連続細長部の像から構成され
る。
ステップ124の後に、中央処理ユニット66は、M番
目の開口16とこれの周囲のリング17とを表わす映像
データのすべてが捕捉されたかどうかを調べる(ステッ
プ126)。
目の開口16とこれの周囲のリング17とを表わす映像
データのすべてが捕捉されたかどうかを調べる(ステッ
プ126)。
中央処理ユニット66は、上記映像データの捕捉と同時
に牙2図の表面14の映像データを解析するので、M番
目の開口16とそれのII −ノ/7’ 17 iF世
すA呻、イ争デークのナベてをこれから捕捉しなげ′れ
ばならないかもしれない。
に牙2図の表面14の映像データを解析するので、M番
目の開口16とそれのII −ノ/7’ 17 iF世
すA呻、イ争デークのナベてをこれから捕捉しなげ′れ
ばならないかもしれない。
中央処理ユニット66がM番目の開口16とその周囲の
リング17の像を解析する前に、その映像データのすべ
てが使用可能になっていなげればならない。
リング17の像を解析する前に、その映像データのすべ
てが使用可能になっていなげればならない。
必要な映像データが使用可能かど5かを中央処理ユニッ
ト66が決定できるようにする為に、中央処理ユニット
66は、プログラムの実行の最初に、M番目の開口16
〜16とそれぞれを囲むリング17〜1Tの各々の映像
データを含むはずになっているメモリ61内の位置のア
ドレスが与えられる。もしステップ1260間にM番目
の開口16とその周囲のリング17との映像データのす
べてがメモリ61内の対応位置に格納されねばならない
ものでもないことが才2図の中央処理ユニット66によ
って分った場合には、ステップ126が再実行される。
ト66が決定できるようにする為に、中央処理ユニット
66は、プログラムの実行の最初に、M番目の開口16
〜16とそれぞれを囲むリング17〜1Tの各々の映像
データを含むはずになっているメモリ61内の位置のア
ドレスが与えられる。もしステップ1260間にM番目
の開口16とその周囲のリング17との映像データのす
べてがメモリ61内の対応位置に格納されねばならない
ものでもないことが才2図の中央処理ユニット66によ
って分った場合には、ステップ126が再実行される。
M番目の開口16とその周囲のリング17とを構成する
映像データが1吏用可能になると、このデータが処理さ
れ(ステップ128)、リード線18がM番目の開口を
貫通し表面14から突出しているかどうかを検出する。
映像データが1吏用可能になると、このデータが処理さ
れ(ステップ128)、リード線18がM番目の開口を
貫通し表面14から突出しているかどうかを検出する。
こうして、M番目の開口16が「検査」される。リード
線18が検出されるか否かに応じて「合格」又は「失敗
」が夫々記録される(ステップ130)。
線18が検出されるか否かに応じて「合格」又は「失敗
」が夫々記録される(ステップ130)。
ステップ130の後に、変数Mの値が1だけ増加される
(ステップ132)。この後に、Mの値は、牙2図の回
路基板表面14の開口16〜16とその周囲のリング1
7〜17の数に応じた参照値Mf と比較される(ステ
ップ134)。この比較の結果、yxIJ’−yxtよ
り小さい場合には、これは開口16〜16のすべてが検
査されたわけではないことを示しているので、プログラ
ムはステップ126に戻る。他方、MがMfに等しいと
きには、予め記録された結果が第2図の端末器70に出
力され(ステップ136)、これにより回路基板10に
適窪の修理が行われる。ステップ136の後に、次の回
路基板10が牙2図のステージ26に載置される(ステ
ップ138)。
(ステップ132)。この後に、Mの値は、牙2図の回
路基板表面14の開口16〜16とその周囲のリング1
7〜17の数に応じた参照値Mf と比較される(ステ
ップ134)。この比較の結果、yxIJ’−yxtよ
り小さい場合には、これは開口16〜16のすべてが検
査されたわけではないことを示しているので、プログラ
ムはステップ126に戻る。他方、MがMfに等しいと
きには、予め記録された結果が第2図の端末器70に出
力され(ステップ136)、これにより回路基板10に
適窪の修理が行われる。ステップ136の後に、次の回
路基板10が牙2図のステージ26に載置される(ステ
ップ138)。
その後、プログラムはステップ120に戻って実行され
る。しかしながら、もし第2図のステージ26に載置さ
れた回路基板10が、前に検査された回・路基板と同一
である(即ち、開口16〜16が同一位置にある)場合
には、牙2図のセグメンテーション・メモリ7日に前回
と同一のデータ・ワード81〜81を再ロードする代り
に、プログラムを破線で示したようにステップ122に
戻す。
る。しかしながら、もし第2図のステージ26に載置さ
れた回路基板10が、前に検査された回・路基板と同一
である(即ち、開口16〜16が同一位置にある)場合
には、牙2図のセグメンテーション・メモリ7日に前回
と同一のデータ・ワード81〜81を再ロードする代り
に、プログラムを破線で示したようにステップ122に
戻す。
76図は、牙5図のステップ128において中央処理ユ
ニット66が実行するサブルーチンのフローチャートを
示すもので、このサブルーチンによってリード線18が
開口16を貫通し第1図及び牙2図の表面から突出して
いるか否かを確かめる。最初に、第2図の中央処理ユニ
ット66は、M番目の開口16の中心をその開口の縁な
探すことによって見つげようとする(ステップ140)
。この後に、中央処理ユニット66は、開口16の中心
が発見されたかどうかを調べる(ステップ142)。M
番目の開口16の中心が発見できない場合には、その原
因は多分開口を貫通したリード線18が開口の像を歪め
ているからである。従って開口16の中心を発見できな
いときには、プログラムはステップ144に移り、この
ステップ144で合格がセットされる。その後、プログ
ラムの実行は第5図のプログラムに戻る(ステ゛ンプ1
48ン。
ニット66が実行するサブルーチンのフローチャートを
示すもので、このサブルーチンによってリード線18が
開口16を貫通し第1図及び牙2図の表面から突出して
いるか否かを確かめる。最初に、第2図の中央処理ユニ
ット66は、M番目の開口16の中心をその開口の縁な
探すことによって見つげようとする(ステップ140)
。この後に、中央処理ユニット66は、開口16の中心
が発見されたかどうかを調べる(ステップ142)。M
番目の開口16の中心が発見できない場合には、その原
因は多分開口を貫通したリード線18が開口の像を歪め
ているからである。従って開口16の中心を発見できな
いときには、プログラムはステップ144に移り、この
ステップ144で合格がセットされる。その後、プログ
ラムの実行は第5図のプログラムに戻る(ステ゛ンプ1
48ン。
しかしながら、M番目の開口16の中心が発見できた場
合には、プログラムは第6図のステップ150に移り、
このステップにおいて、開口の中心の黒レベルが規格化
され、即ちその強度レベルが測定され、これに従ってス
レッシュホールド値(閾値)がセットされる。このM番
目の開口16の像の規格化は、この開口の中心に最も近
い4個の絵素の強度の平均を求めることによって行われ
る。開口* /I A1% J−4pn JA’
/l−−h L /r’+ 1.+ 14
/ 融/7”l ハLIT (e5@田 されるベース・ラインやカードや強度のイ直を求めるた
めである。
合には、プログラムは第6図のステップ150に移り、
このステップにおいて、開口の中心の黒レベルが規格化
され、即ちその強度レベルが測定され、これに従ってス
レッシュホールド値(閾値)がセットされる。このM番
目の開口16の像の規格化は、この開口の中心に最も近
い4個の絵素の強度の平均を求めることによって行われ
る。開口* /I A1% J−4pn JA’
/l−−h L /r’+ 1.+ 14
/ 融/7”l ハLIT (e5@田 されるベース・ラインやカードや強度のイ直を求めるた
めである。
ステップ150の後に、開口16を取囲むリング17か
らの反射光の強度が測定され、そのリングの・最も暗い
部分の強度が決定される(ステップ152)。その後、
このリング17の最も暗い部分の強度が、影がない時の
りング17の反射光強度を表わす所定の参照値と比較さ
れる(ステップ154)。尚、この参照値はステップ1
50において定めたスレッシュホールド値に従ってセッ
トされる。
らの反射光の強度が測定され、そのリングの・最も暗い
部分の強度が決定される(ステップ152)。その後、
このリング17の最も暗い部分の強度が、影がない時の
りング17の反射光強度を表わす所定の参照値と比較さ
れる(ステップ154)。尚、この参照値はステップ1
50において定めたスレッシュホールド値に従ってセッ
トされる。
上述の比較の結果、リング17の最も暗い部分の強度が
参照値よりも小さい場合には、開口16から突出したリ
ード線18がリングに影を作っているはずであるので、
プログラムはステップ144に移り、合格がセットされ
、それからリターンする(ステップ148)。
参照値よりも小さい場合には、開口16から突出したリ
ード線18がリングに影を作っているはずであるので、
プログラムはステップ144に移り、合格がセットされ
、それからリターンする(ステップ148)。
そうでない場合には、プログラムの実行はステップ15
6に進んで失敗がセットされる。
6に進んで失敗がセットされる。
ステップ144Vば156のいずれかの後−プログラム
の実行は牙5図のプログラムにリターンする(ステップ
148)。以上では牙2図の装置は、回路基板10の特
別な欠陥の検査、即ちリード線18〜18の抜け・挿入
不良の検査について説明したが、本発明装置はその他の
欠陥をも検査することができる。
の実行は牙5図のプログラムにリターンする(ステップ
148)。以上では牙2図の装置は、回路基板10の特
別な欠陥の検査、即ちリード線18〜18の抜け・挿入
不良の検査について説明したが、本発明装置はその他の
欠陥をも検査することができる。
第3図のセグメンテーション・メモリ78に格納されて
いる一組のデータ・カードを用いて領域75〜75内の
別の欠陥を検査するのであれば、この場合には、単に第
6図のプログラムを修正又は変更するだけでよい。牙2
図の電荷結合素子38〜38からの映像データの捕捉及
び補償は、上述と全(同様の方法で行われろ。
いる一組のデータ・カードを用いて領域75〜75内の
別の欠陥を検査するのであれば、この場合には、単に第
6図のプログラムを修正又は変更するだけでよい。牙2
図の電荷結合素子38〜38からの映像データの捕捉及
び補償は、上述と全(同様の方法で行われろ。
他方、セグメンテーション・メモリγ8に格納されてい
るデータ・ワーF:81〜81に関する領域以外の領域
75〜75について検査を行いたい場合には、セグメン
テーションメモリにその検査すべき領域に関する一組の
データ・ワードを新たにロードすればよい。
るデータ・ワーF:81〜81に関する領域以外の領域
75〜75について検査を行いたい場合には、セグメン
テーションメモリにその検査すべき領域に関する一組の
データ・ワードを新たにロードすればよい。
これにより、装置24をプログラムや設計を大幅にし直
すことなく、回路基板100表面14についているいろ
な検査を行うことができる。
すことなく、回路基板100表面14についているいろ
な検査を行うことができる。
実施例においては、3−7図に示すように各表面装置成
分20′は、別個の装置となり、コンデンサもしくは抵
抗器の形をとっている。
分20′は、別個の装置となり、コンデンサもしくは抵
抗器の形をとっている。
j−s図に最も良く示されているように、各成分20’
は矩形断面を有する本体から成る。
は矩形断面を有する本体から成る。
各成分20′上のり一臂線18′〜18′は各々その端
部の別個の1つを取り囲む1対の金属バンドから成って
いる。リード線18′〜18′は成分20′の側面に対
して直角となっている。
部の別個の1つを取り囲む1対の金属バンドから成って
いる。リード線18′〜18′は成分20′の側面に対
して直角となっている。
公知の成分が回路板10上の表面12に載置されている
かどうかを検出するため装置24を使用するためには、
そこから照射される光線34〜34がそれと鋭角(例え
ば10〜15°)を成すように表面12に配向されるよ
ってランプ32を調整しなければならない。
かどうかを検出するため装置24を使用するためには、
そこから照射される光線34〜34がそれと鋭角(例え
ば10〜15°)を成すように表面12に配向されるよ
ってランプ32を調整しなければならない。
回路板10の表面にたいしてほぼ正常に反射される光線
34〜34が見えるように走査カメラ36の位置を調整
しなければならない。
34〜34が見えるように走査カメラ36の位置を調整
しなければならない。
回路板100表面12をより多く照射するには、第2の
ランプを使えばよく、その場合、そこから同角度で回路
板を照射する光線がランプ32からの光線32と反対の
方向に向くようにする必要がある。
ランプを使えばよく、その場合、そこから同角度で回路
板を照射する光線がランプ32からの光線32と反対の
方向に向くようにする必要がある。
上述のようにランプ32とカメラ36とを調整する目的
は、金属領域158〜158によりカメラ内に反射され
る光線34〜340強度を最小とすることである。この
金属領域158〜158は平面部分を除いて鏡面となっ
ている。このようにすると、金属領域158〜158を
鋭角で照射する光線34は、そこから鋭角で反射され、
走査線カメラ36によっては見えない。
は、金属領域158〜158によりカメラ内に反射され
る光線34〜340強度を最小とすることである。この
金属領域158〜158は平面部分を除いて鏡面となっ
ている。このようにすると、金属領域158〜158を
鋭角で照射する光線34は、そこから鋭角で反射され、
走査線カメラ36によっては見えない。
リード線18′〜18′もまた、通常半田で被覆されて
いるので鏡面となっている。しかしながら、リード線1
8’ −18’を照射する光線34〜34は、回路板1
00表面12にたいしてほぼ正常な方向に反射され、走
査線カメラ36には見えない。実際、リード線18′〜
18′間に配置される各成分20′の頂部表面もまた鏡
面である。したがって、走査線カメラ36からは各成分
20′の頂部表面の全領域が見渡せるが、リード線18
′〜18′のみが見えない。
いるので鏡面となっている。しかしながら、リード線1
8’ −18’を照射する光線34〜34は、回路板1
00表面12にたいしてほぼ正常な方向に反射され、走
査線カメラ36には見えない。実際、リード線18′〜
18′間に配置される各成分20′の頂部表面もまた鏡
面である。したがって、走査線カメラ36からは各成分
20′の頂部表面の全領域が見渡せるが、リード線18
′〜18′のみが見えない。
ランプ32と走査線カメラ36とを調整することに加え
て、第5図のプ坦グラムも変更しなげればならない。第
1に、オ・5図のステップ1200間、第3図のメモリ
78は、成分20′の1つを載置する金属領域の各対を
囲む領域内に配置される各ストリップ40内に該肖(1
nterest )領域を書き込む1組のデータ・ワー
ド81〜81(牙3図参照〕と共に負荷されなければな
らない。更に、牙5図プログラムのステップ126の間
、金属領域158〜158のm番目の対の像が牙2図の
番目の開口16の像よりも先に得られたかどうかを、中
央処理ユニット66は検査しなげればならない。
て、第5図のプ坦グラムも変更しなげればならない。第
1に、オ・5図のステップ1200間、第3図のメモリ
78は、成分20′の1つを載置する金属領域の各対を
囲む領域内に配置される各ストリップ40内に該肖(1
nterest )領域を書き込む1組のデータ・ワー
ド81〜81(牙3図参照〕と共に負荷されなければな
らない。更に、牙5図プログラムのステップ126の間
、金属領域158〜158のm番目の対の像が牙2図の
番目の開口16の像よりも先に得られたかどうかを、中
央処理ユニット66は検査しなげればならない。
ステップ128において、m番目の像を処理して、適正
な成分20′が金属領域158〜158のm番目の対上
に配置されたかどうかを決定すをために、才5図のプロ
グラムは更に修正されなければならない。これを達成す
るためには、牙6図のプログラムを、第11図に示す様
に結合して、オ9及10図のフローチャートに示すプロ
グラムと置き換えなければならない。中央処理ユニット
66が、スタートステップ(ステップ160ンを実行す
ると、プログラムが実行される。ステップ160の間、
全てのプログラム変数は初期化される。また、オフ図の
回路板100表面12上の金属領域158〜158の配
置を示すデータと、その上に載置される成分20′とは
、メモリ61内に負荷される(牙2図参照)。実際上は
、このようなデータは回路板10を設計する際に出来る
CADデータベース(不図示)から供給される。
な成分20′が金属領域158〜158のm番目の対上
に配置されたかどうかを決定すをために、才5図のプロ
グラムは更に修正されなければならない。これを達成す
るためには、牙6図のプログラムを、第11図に示す様
に結合して、オ9及10図のフローチャートに示すプロ
グラムと置き換えなければならない。中央処理ユニット
66が、スタートステップ(ステップ160ンを実行す
ると、プログラムが実行される。ステップ160の間、
全てのプログラム変数は初期化される。また、オフ図の
回路板100表面12上の金属領域158〜158の配
置を示すデータと、その上に載置される成分20′とは
、メモリ61内に負荷される(牙2図参照)。実際上は
、このようなデータは回路板10を設計する際に出来る
CADデータベース(不図示)から供給される。
ステップ160が完全に実行される前に、中央処理ユニ
ット66は、牙7図の金属領域158〜158上に配置
された成分20’の各々の予想される幅と長さとを確立
する。実施例においては、回路板10は、それぞれの長
さと幅が、下記の表■に示された4つの異なる形式の成
分20′ (形式1206.1210.1812及18
25)を含み、メモリ66内に含まれる(牙2図参照)
。
ット66は、牙7図の金属領域158〜158上に配置
された成分20’の各々の予想される幅と長さとを確立
する。実施例においては、回路板10は、それぞれの長
さと幅が、下記の表■に示された4つの異なる形式の成
分20′ (形式1206.1210.1812及18
25)を含み、メモリ66内に含まれる(牙2図参照)
。
表■
金属領域158〜158の特別な対に載置されるべき成
分20′の形式についてCADデータベースから得られ
る情報に基づいて、゛中央処理ユニット66は、表■に
含まれるデータからその成分に対する幅と長さとを決定
する。製造公差のため、牙7図の各成分20′の実際の
幅と長さとは10チはど変化する。
分20′の形式についてCADデータベースから得られ
る情報に基づいて、゛中央処理ユニット66は、表■に
含まれるデータからその成分に対する幅と長さとを決定
する。製造公差のため、牙7図の各成分20′の実際の
幅と長さとは10チはど変化する。
ステップ160に続いて、中央処理ユニット66は、第
2図(ステップ160)の電荷結合素子38の各々によ
り捕えられた各絵素の強度に対して二元、すなわちスレ
ッシュホールド値を確立する。各絵素の実際の強度、即
ちグレイスケール強度は依然としてメモリ61内に保存
されている。中央処理ユニット66は、実際の絵素の強
度が所定の最大値以下であるとき、各絵素にたいしてゼ
ロにおける二元強度値を設定する。このような条件にお
いて、各絵素の二元強度値を設定する目的は、低い光レ
ベルにおける電気的ノイズを取り除くためである。更に
、実際の絵素の強度が所定の最大値より大きい場合、二
元絵素強度値はゼロに設定される。そのようにする理由
は、隣接する電荷結合素子上のカメラ内の電荷結合素子
の1つから電荷が逃げるために起る線走査カメラ36の
ブルーミングの問題を減少させるためである。隣接する
電荷結合素子に電荷が逃げるので逃げ込まれた素子は好
ましくない非常に高い強度を偶発することになる。
2図(ステップ160)の電荷結合素子38の各々によ
り捕えられた各絵素の強度に対して二元、すなわちスレ
ッシュホールド値を確立する。各絵素の実際の強度、即
ちグレイスケール強度は依然としてメモリ61内に保存
されている。中央処理ユニット66は、実際の絵素の強
度が所定の最大値以下であるとき、各絵素にたいしてゼ
ロにおける二元強度値を設定する。このような条件にお
いて、各絵素の二元強度値を設定する目的は、低い光レ
ベルにおける電気的ノイズを取り除くためである。更に
、実際の絵素の強度が所定の最大値より大きい場合、二
元絵素強度値はゼロに設定される。そのようにする理由
は、隣接する電荷結合素子上のカメラ内の電荷結合素子
の1つから電荷が逃げるために起る線走査カメラ36の
ブルーミングの問題を減少させるためである。隣接する
電荷結合素子に電荷が逃げるので逃げ込まれた素子は好
ましくない非常に高い強度を偶発することになる。
ステップ162に続いて、中央処理ユニット66は、成
分20′が牙7図の金属領域158〜158のm番目の
対上に載置されているかどうかをチェックする。中央処
理ユニット66がどのようにしてこの仕事をするかを理
解するため、−列、すなわちグリッドのボックスを示す
才12図を参照されたい。第10図の各ボックスは、絵
素の1つを示し、絵素は、牙7図の回路板100表面1
2(オフ図参照)上の小さな領域の像から成り、金属領
域158〜158のm番目の対上に載tされた成分20
′を取り囲んでいる。成分20′のほとんど外側に位詮
する第12図の列のボックスにより示される絵素は、通
常、ゼロ二元強度値を有しているが、これは、成分の外
側にある回路板100表面12上の領域が、普通牙2図
の線走査カメラ36内に光が入る場合、はとんど反射し
ないためである。
分20′が牙7図の金属領域158〜158のm番目の
対上に載置されているかどうかをチェックする。中央処
理ユニット66がどのようにしてこの仕事をするかを理
解するため、−列、すなわちグリッドのボックスを示す
才12図を参照されたい。第10図の各ボックスは、絵
素の1つを示し、絵素は、牙7図の回路板100表面1
2(オフ図参照)上の小さな領域の像から成り、金属領
域158〜158のm番目の対上に載tされた成分20
′を取り囲んでいる。成分20′のほとんど外側に位詮
する第12図の列のボックスにより示される絵素は、通
常、ゼロ二元強度値を有しているが、これは、成分の外
側にある回路板100表面12上の領域が、普通牙2図
の線走査カメラ36内に光が入る場合、はとんど反射し
ないためである。
成分20′に占められた領域内で部分的に、または全体
的に配置されるアレイ内のボックスに関するそれらの絵
素は、非ゼロ二元強度値を有する。これは、リード線1
8′〜18′、普通は、リード線間に配置される成分2
0′の頂部表面上の領域は光を反射するものであり、線
走査カメラ36では見えないためである。
的に配置されるアレイ内のボックスに関するそれらの絵
素は、非ゼロ二元強度値を有する。これは、リード線1
8′〜18′、普通は、リード線間に配置される成分2
0′の頂部表面上の領域は光を反射するものであり、線
走査カメラ36では見えないためである。
牙7図の金属領域158〜158に成分20′が載置さ
れているかどうかを確かめるには、中央処理ユニット6
6(才2図参照)は、第12図のボックスのグリッドで
示される絵素アレイの各水平列内の絵素の二元強度値を
合算する。成分20′が存在するときは、所定距離より
も離隔され、その強度の合計が所定値よりも大きい少な
くとも2列の絵素があることになる。成分20′が存在
するかどうかを決定するには、中央処理ユニット66は
、この条件が合うかどうかを決めるたぬ各水平方向の列
内の絵素の総数を検査する。この状態がない場合は、中
央処理ユニット66は、プログラム(ステップ168)
を指令しかつ牙5図のプログラムに帰るまえに、成分2
0′の不存在を示す「失敗」状態(ステップ166)を
表示する。オ9図によれば成分20′が検知された場合
、プログラムの実行はステップ170に移行する。ステ
ップ1700間、中央処理ユニット66は近接する成分
の像があるかないかを見るため成分20′の像を検査す
る。もしあれば、そのとき成分20′の像は隣接する成
分の像から隔離される。中央処理ユニット66はi12
図のグリッドにより示されるアレイの絵素の2つの垂直
な列非ゼロ絵素強度総数となり且つ各々がその絵素強度
総数がゼロになる列の内側に配置されるように成分20
′の像を隔離する。
れているかどうかを確かめるには、中央処理ユニット6
6(才2図参照)は、第12図のボックスのグリッドで
示される絵素アレイの各水平列内の絵素の二元強度値を
合算する。成分20′が存在するときは、所定距離より
も離隔され、その強度の合計が所定値よりも大きい少な
くとも2列の絵素があることになる。成分20′が存在
するかどうかを決定するには、中央処理ユニット66は
、この条件が合うかどうかを決めるたぬ各水平方向の列
内の絵素の総数を検査する。この状態がない場合は、中
央処理ユニット66は、プログラム(ステップ168)
を指令しかつ牙5図のプログラムに帰るまえに、成分2
0′の不存在を示す「失敗」状態(ステップ166)を
表示する。オ9図によれば成分20′が検知された場合
、プログラムの実行はステップ170に移行する。ステ
ップ1700間、中央処理ユニット66は近接する成分
の像があるかないかを見るため成分20′の像を検査す
る。もしあれば、そのとき成分20′の像は隣接する成
分の像から隔離される。中央処理ユニット66はi12
図のグリッドにより示されるアレイの絵素の2つの垂直
な列非ゼロ絵素強度総数となり且つ各々がその絵素強度
総数がゼロになる列の内側に配置されるように成分20
′の像を隔離する。
これらの条件を満たす絵素の2つの列の各々は成分20
′の両端部の別々の1つに夫々対応している。一度成分
20′の端部が隔離されてしまうと、成分20′の各端
部の外側に現われる明るい像は無視されることになる。
′の両端部の別々の1つに夫々対応している。一度成分
20′の端部が隔離されてしまうと、成分20′の各端
部の外側に現われる明るい像は無視されることになる。
ステップ170に続いて、観察される成分2.0′の幅
と長さが測定される(ステップ172)成分20′の長
さを測定するために、中央処理ユニット66はステップ
1700間に隔離されていた成分の端部間の距離を決定
する。成分20′の幅は絵素の2つの行が非ゼロ強度総
数となり且つ各々が絵素のゼロ強度総数を有する列の内
側に配置されるようにして測定されろ。これらの列の間
の距離は成分の幅に対応している。
と長さが測定される(ステップ172)成分20′の長
さを測定するために、中央処理ユニット66はステップ
1700間に隔離されていた成分の端部間の距離を決定
する。成分20′の幅は絵素の2つの行が非ゼロ強度総
数となり且つ各々が絵素のゼロ強度総数を有する列の内
側に配置されるようにして測定されろ。これらの列の間
の距離は成分の幅に対応している。
ステップ172の後に測定された成分20′の幅と長さ
はオフ図(ステップ174)の金属領域158〜158
のm番目の対の上に載ごされた成分の幅と長さとに夫々
比較されろ。
はオフ図(ステップ174)の金属領域158〜158
のm番目の対の上に載ごされた成分の幅と長さとに夫々
比較されろ。
もI−測定された幅と長さは成分20′の既に解ってい
る幅と長さとが違う場合、%て所定の公差より小さい場
合は、「適合J (match)がおこる。適合とは適
切な成分20′が金属領域158〜158のm番目の対
の上に載置されていることを意味する。適合状態となっ
た場合は、「合格J (pass) 条体が表示され
る(ステップ176)、通過とは正しい大きさの成分2
0′が金属領域158〜158のm番目の対の上に載置
されたことを意味する。
る幅と長さとが違う場合、%て所定の公差より小さい場
合は、「適合J (match)がおこる。適合とは適
切な成分20′が金属領域158〜158のm番目の対
の上に載置されていることを意味する。適合状態となっ
た場合は、「合格J (pass) 条体が表示され
る(ステップ176)、通過とは正しい大きさの成分2
0′が金属領域158〜158のm番目の対の上に載置
されたことを意味する。
その後プログラムの実行はステップ168に移行する。
適合がなされなかった場合、プログラムの実行はステッ
プ178へ移行する。
プ178へ移行する。
ステップ178においては、既に金属領域158〜15
8のm番目の対土に載iされていることがわかつ゛てい
る成分20′が形式1206成分であるかどうかが決定
される。
8のm番目の対土に載iされていることがわかつ゛てい
る成分20′が形式1206成分であるかどうかが決定
される。
もし成分20′が形式1206でなげれば、或いは合名
領域158〜158のm@目の対により小さな成分が載
置されなげれ(ばなら“よい場合は、プログラムの実行
はステップ180へ移行する。ステップ180において
は、オフ図の成分20′の像は処理されてそこに現われ
る全ての接着剤の粒(blab) C第12図におい
ては示されていない)の像を除かれる。
領域158〜158のm@目の対により小さな成分が載
置されなげれ(ばなら“よい場合は、プログラムの実行
はステップ180へ移行する。ステップ180において
は、オフ図の成分20′の像は処理されてそこに現われ
る全ての接着剤の粒(blab) C第12図におい
ては示されていない)の像を除かれる。
実際上は、成分20′〜20′の各々はその下面に接着
剤を塗布されてリード線18〜18を金属領域158〜
158をはんだ結合する前に牙7図の回路板10に対し
て接着される。
剤を塗布されてリード線18〜18を金属領域158〜
158をはんだ結合する前に牙7図の回路板10に対し
て接着される。
時々成分20′の下面に塗布された接着剤はその両側か
らはみだしてその近くに接着剤の粒を形成することがあ
る。このような接着剤の粒は慨ね半球状の形状をしてお
りしばしば非常につるつるの表面を持っている。その為
、牙7図の線走査カメラ36内に光を反射することにな
る。
らはみだしてその近くに接着剤の粒を形成することがあ
る。このような接着剤の粒は慨ね半球状の形状をしてお
りしばしば非常につるつるの表面を持っている。その為
、牙7図の線走査カメラ36内に光を反射することにな
る。
この接着剤の粒はいろいろな大きさを有しているが、典
型的には直径で50ミル以下である。このように成分2
0′の両側の近くに接着剤の粒が存在すると、成分が非
常に小さい場合その長さと幅を測定するに際して悪影響
を及ぼすことがある。成分20′は形式1206よりも
小さいか或いはそれと略同じ大きさの時は、その像を処
理してそこに現われる接着剤の粒を取り除くことが好ま
しい。
型的には直径で50ミル以下である。このように成分2
0′の両側の近くに接着剤の粒が存在すると、成分が非
常に小さい場合その長さと幅を測定するに際して悪影響
を及ぼすことがある。成分20′は形式1206よりも
小さいか或いはそれと略同じ大きさの時は、その像を処
理してそこに現われる接着剤の粒を取り除くことが好ま
しい。
成分20′の像を処理してそこに現われる接着剤の粒を
取り除く為に、リード線18〜18の間に配置される(
第12図に破線で示されている)成分の中央部分の像は
自動的に黒くなって現われる。成分20′の鐵の中央部
分を黒く現わすために、中央処理ユニット66は横方向
の短距離(通常20ミル)離隔された絵素の一対の垂直
列を成分の両端部の各々の内側に配置する。成分20’
の像の部分は絵素のこれら2つの列の各々の間に配置さ
れており、これら2つの列の内側にある絵素KO二進数
強度を与えることで黒くなる。
取り除く為に、リード線18〜18の間に配置される(
第12図に破線で示されている)成分の中央部分の像は
自動的に黒くなって現われる。成分20′の鐵の中央部
分を黒く現わすために、中央処理ユニット66は横方向
の短距離(通常20ミル)離隔された絵素の一対の垂直
列を成分の両端部の各々の内側に配置する。成分20’
の像の部分は絵素のこれら2つの列の各々の間に配置さ
れており、これら2つの列の内側にある絵素KO二進数
強度を与えることで黒くなる。
次に成分20′に幅と長さが再び画定される(ステップ
182)この場合ステップ172に関して説明されたも
のと同様な方法で行なう。長さの測定についてはステッ
プ180以前に述べられたものと同様にする。然し乍ら
ステップ182の間で行なわれる幅の測定は影響を受け
る。これは成分20′の両端部の各々の内側において少
なくとも20ミルの長さにわたって配置される光反射領
域の像はこの時黒く現われるからである。このようにし
て、接着剤の粒は存在することだけによりステップ18
2以前には非ゼロ絵素強度総数を有していた第10図の
グリッドによって示されているアレイ内の絵素の水平方
向の行はぜ口絵素強度総数を有することになる。ステッ
プ182の間に決定された長さと幅はその後説にわかっ
ている成分20′の幅と長さくステップ184 )に比
較され適合が生じているかどうかを決定される。もし適
合が生じていればプログラムの実行はステップ176に
移行する。
182)この場合ステップ172に関して説明されたも
のと同様な方法で行なう。長さの測定についてはステッ
プ180以前に述べられたものと同様にする。然し乍ら
ステップ182の間で行なわれる幅の測定は影響を受け
る。これは成分20′の両端部の各々の内側において少
なくとも20ミルの長さにわたって配置される光反射領
域の像はこの時黒く現われるからである。このようにし
て、接着剤の粒は存在することだけによりステップ18
2以前には非ゼロ絵素強度総数を有していた第10図の
グリッドによって示されているアレイ内の絵素の水平方
向の行はぜ口絵素強度総数を有することになる。ステッ
プ182の間に決定された長さと幅はその後説にわかっ
ている成分20′の幅と長さくステップ184 )に比
較され適合が生じているかどうかを決定される。もし適
合が生じていればプログラムの実行はステップ176に
移行する。
万が一成分20′の1flU定された長さと幅が既に知
られた幅と長さに適合しない場合或いは成分が形式12
06ではなくもしくはそれより小さいものである場合は
、プログラムの実行はステップ186へ移行する。ステ
ップ186においては、成分2G’の像からなる各絵素
の実際の即ちグレイスケール強度先ずメモリ61から回
収されその後この情報は成分20′の両側部の強度を励
起(例えば垢加する)ためにF波される。同じくステッ
プ186においては、第12図のアレイ内の列のグレイ
スケール絵素強度総数のヒストグラム即ちプロフィルは
中央処理ユニット66によつ℃確立されろ。ここで形容
詞「垂直jはこれ以降、ステップ186において確立さ
れた強度プロフィルに関して使用されることとなる。中
央処理ユニット66により確立された垂直強度プロフィ
ルの図は第13図に示されている。
られた幅と長さに適合しない場合或いは成分が形式12
06ではなくもしくはそれより小さいものである場合は
、プログラムの実行はステップ186へ移行する。ステ
ップ186においては、成分2G’の像からなる各絵素
の実際の即ちグレイスケール強度先ずメモリ61から回
収されその後この情報は成分20′の両側部の強度を励
起(例えば垢加する)ためにF波される。同じくステッ
プ186においては、第12図のアレイ内の列のグレイ
スケール絵素強度総数のヒストグラム即ちプロフィルは
中央処理ユニット66によつ℃確立されろ。ここで形容
詞「垂直jはこれ以降、ステップ186において確立さ
れた強度プロフィルに関して使用されることとなる。中
央処理ユニット66により確立された垂直強度プロフィ
ルの図は第13図に示されている。
ここで第13図を参照すると、理想的には垂直強度プロ
フィルは2つの非常て鋭いピークを有しておりこれらの
ピークは夫々成分20′の端部の別個の1つに対応して
いる。
フィルは2つの非常て鋭いピークを有しておりこれらの
ピークは夫々成分20′の端部の別個の1つに対応して
いる。
各ピーク間の距離は成分20′の端部間の距離に対応し
ている。このように第13図の垂直強度プロフィルにお
けるピーク間の距離を決定することで、成分2Qの長さ
が測定できる。続けて行なわれるステップ186におい
ては、ステップ182において測定された成分20′の
長さ及びステップ182又は186のいずれかにおいて
測定された成分の幅とがステップ188ておいて測定さ
れた成分の長さに適合するかどうかを確かめられる。
ている。このように第13図の垂直強度プロフィルにお
けるピーク間の距離を決定することで、成分2Qの長さ
が測定できる。続けて行なわれるステップ186におい
ては、ステップ182において測定された成分20′の
長さ及びステップ182又は186のいずれかにおいて
測定された成分の幅とがステップ188ておいて測定さ
れた成分の長さに適合するかどうかを確かめられる。
もしステップ182において測定された成分20′の長
さが既知知られたその長さに適合し、且つステップ18
2及び186のいずれかにおいて測定された幅が既に知
られた幅に適合するならばプログラムの実行はステップ
176へ移行する。もしそうでなければ、プログラムの
実行はステップ190へ移行する。そしてその間中央処
理ユニット66は才12図のグリッドにより示される絵
素のアレイの各水平方向性における絵素のグレイスケー
ル強度を合算する。更に又ステップ190においては、
中央処理ユニット6日は各水平方向性の調度計算された
ばかりのグレイスケール絵素強度合計のプロフィルを確
立する。
さが既知知られたその長さに適合し、且つステップ18
2及び186のいずれかにおいて測定された幅が既に知
られた幅に適合するならばプログラムの実行はステップ
176へ移行する。もしそうでなければ、プログラムの
実行はステップ190へ移行する。そしてその間中央処
理ユニット66は才12図のグリッドにより示される絵
素のアレイの各水平方向性における絵素のグレイスケー
ル強度を合算する。更に又ステップ190においては、
中央処理ユニット6日は各水平方向性の調度計算された
ばかりのグレイスケール絵素強度合計のプロフィルを確
立する。
ここで形容詞[水平方向(Horizontal)Jは
これ以降ステップ190において確立された強度プロフ
ィルについて使用されるものとする。
これ以降ステップ190において確立された強度プロフ
ィルについて使用されるものとする。
理想的にはステップ190において、中央・処理ユニッ
ト66により確立された水平方向の強度プロフィルは2
つの互いに離隔した鋭いピークを有するが、これはグレ
イスケール絵素強度データが成分20′の側部を励起す
るために事前にp波された為である。成分20′の側部
を7波することでffflちその像を他の部分と比較す
ることで、側部に対応する第11図のアレイ内における
絵素の2つの各行はより大きな絵素強度総数(sum)
を有することとなる。
ト66により確立された水平方向の強度プロフィルは2
つの互いに離隔した鋭いピークを有するが、これはグレ
イスケール絵素強度データが成分20′の側部を励起す
るために事前にp波された為である。成分20′の側部
を7波することでffflちその像を他の部分と比較す
ることで、側部に対応する第11図のアレイ内における
絵素の2つの各行はより大きな絵素強度総数(sum)
を有することとなる。
水平方向の強度プロフィル(不図示)は矛3図に示す垂
直強度プロフィルの図と非常によく似ている。唯一の違
いは水平方向の強度プロフィルの各ピーク間の距離がよ
り小さいということだけである。これは水平方向の強度
プロフィルにおけるピーク間の距離が成分端部間の距離
よりも小さい成分側部間の距離(で対応しているからで
ある。成分20′の幅は水平方向強度プロフィルにおけ
るピーク間の距離を計ることによって得られる。
直強度プロフィルの図と非常によく似ている。唯一の違
いは水平方向の強度プロフィルの各ピーク間の距離がよ
り小さいということだけである。これは水平方向の強度
プロフィルにおけるピーク間の距離が成分端部間の距離
よりも小さい成分側部間の距離(で対応しているからで
ある。成分20′の幅は水平方向強度プロフィルにおけ
るピーク間の距離を計ることによって得られる。
、ステップ190の後に、ステップ182及び186の
いずれか一方ておいて測定された成分20′の幅が既に
知られた成分の幅(ステップ192)に適合するかが調
べられる。
いずれか一方ておいて測定された成分20′の幅が既に
知られた成分の幅(ステップ192)に適合するかが調
べられる。
更にステップ192においては、ステップ182及び1
90のいずれかにおいて測定された長さが成分20′の
既に知られた長さに適合するかどうかが調べられる。成
分20/の長さと幅は夫々既に知られた長さと幅に適合
していればプログラムの実行はステップ176へと移行
する。
90のいずれかにおいて測定された長さが成分20′の
既に知られた長さに適合するかどうかが調べられる。成
分20/の長さと幅は夫々既に知られた長さと幅に適合
していればプログラムの実行はステップ176へと移行
する。
ゴ: h”s :富/X A−11、b fp
−h、1)J−+−9Δ1.+ −1’ l”’l
/−+−シムの実行はステップ194へ移行する。
−h、1)J−+−9Δ1.+ −1’ l”’l
/−+−シムの実行はステップ194へ移行する。
ステップ194においては、中央処理ユニット66は成
分20′の各端部に対応する垂直強度プロフィルのその
部分の勾配を計算する。
分20′の各端部に対応する垂直強度プロフィルのその
部分の勾配を計算する。
勾配を計算する為に、中央処理ユニット66は成分20
′の各端部周辺の領域における第12図のグリッドによ
り示される絵素のアレイ内の垂直列の絵素強度総数間の
差を計算する。中央処理ユニット66により計算された
勾配は成分20′の長さに等しい距離だけ互いK l、
’jp隔した非常にはつきりした2つの最大値を有する
。このように中央処理ユニット66が一度勾配を計算し
てしまうと成分20′の長さはそれから決定できる。
′の各端部周辺の領域における第12図のグリッドによ
り示される絵素のアレイ内の垂直列の絵素強度総数間の
差を計算する。中央処理ユニット66により計算された
勾配は成分20′の長さに等しい距離だけ互いK l、
’jp隔した非常にはつきりした2つの最大値を有する
。このように中央処理ユニット66が一度勾配を計算し
てしまうと成分20′の長さはそれから決定できる。
次のステップ1゛94の後にはステップ182.186
及び194のいずれかにおいて測定された成分20′の
幅が既にわかっている幅と適合するかど5か又ステップ
182及び190において測定された長さが既にわかっ
ている長さくステップ196)に適合するがどうか調べ
られる。もし適合していれば、プログラムの実行はステ
ップ176へ移行する。万が一部にわかっている成分2
0′の幅と長さに測定された幅と長さが適合しない場合
は、プログラムの実行はステップ198へ移行する。
及び194のいずれかにおいて測定された成分20′の
幅が既にわかっている幅と適合するかど5か又ステップ
182及び190において測定された長さが既にわかっ
ている長さくステップ196)に適合するがどうか調べ
られる。もし適合していれば、プログラムの実行はステ
ップ176へ移行する。万が一部にわかっている成分2
0′の幅と長さに測定された幅と長さが適合しない場合
は、プログラムの実行はステップ198へ移行する。
ステップ198においては、中央処理ユニット66は成
分20′の側部に対応する各2つの領域内における水平
方向の強度プロフィルの勾配を計算する。水平方向の強
度プロフィルの勾配はステップ194において垂直強度
プロフィルの勾配が計算された方法と同様にして計算さ
れる。水平方向の強度プロフィルの勾配は成分20′の
幅に対応する距離だけ互いに離隔した非常に鋭い2つの
ピークを有している。この為、中央処理ユニット66が
水平方向の強度プロフィルの勾配を一度計算すればその
結果から容易に幅が計算できる。
分20′の側部に対応する各2つの領域内における水平
方向の強度プロフィルの勾配を計算する。水平方向の強
度プロフィルの勾配はステップ194において垂直強度
プロフィルの勾配が計算された方法と同様にして計算さ
れる。水平方向の強度プロフィルの勾配は成分20′の
幅に対応する距離だけ互いに離隔した非常に鋭い2つの
ピークを有している。この為、中央処理ユニット66が
水平方向の強度プロフィルの勾配を一度計算すればその
結果から容易に幅が計算できる。
ステップ198の後には、ステップ182.186及び
194において測定された幅の内のいずれかとステップ
182.190及び196において測定された長さのう
ちいずれかとが夫々成分20′の既にわかっている幅と
長さに適合するかどうかを調べられる(ステップ200
)。もし適合していれば、プログラムの実行はステッ
プ176に移行する。
194において測定された幅の内のいずれかとステップ
182.190及び196において測定された長さのう
ちいずれかとが夫々成分20′の既にわかっている幅と
長さに適合するかどうかを調べられる(ステップ200
)。もし適合していれば、プログラムの実行はステッ
プ176に移行する。
又適合していなげればプログラムの実行はステップ16
6に移行し、ステップ168にお−げるプログラムを実
行する前に失敗状態が麦示される。
6に移行し、ステップ168にお−げるプログラムを実
行する前に失敗状態が麦示される。
上述のプログラムによれば金属領域158〜158のm
番目の対の上に適切な成分20′があるか又は配置され
ているかを有効に検査することができる。測定された幅
と長さは成分20′の幅と長さに夫々適合している時は
何時でも、牙5図のプログラムに戻ることができる。こ
のようにすれば、金・属領域158〜158のm番目の
対の上に適切な成分20’が配置されているかどうかを
充分調べる為に第9図のプログラムを完全に行なう必要
がなくなる。測定された幅と長さが既に知られている幅
と長さの値と比較してみて適合していない場合のみ、矛
9図のプログラムが、読けられ異なる方法によって成分
の長さと幅を測定する為にプログラムが実行される。
番目の対の上に適切な成分20′があるか又は配置され
ているかを有効に検査することができる。測定された幅
と長さは成分20′の幅と長さに夫々適合している時は
何時でも、牙5図のプログラムに戻ることができる。こ
のようにすれば、金・属領域158〜158のm番目の
対の上に適切な成分20’が配置されているかどうかを
充分調べる為に第9図のプログラムを完全に行なう必要
がなくなる。測定された幅と長さが既に知られている幅
と長さの値と比較してみて適合していない場合のみ、矛
9図のプログラムが、読けられ異なる方法によって成分
の長さと幅を測定する為にプログラムが実行される。
ここに説明した各実施例は、本発明の原理を単に例示し
たものであることはおわかり頂けよう。本発明の思想範
囲を逸脱することなく各種の修正及び変更が可能なこと
は言うまでもないことであろう。
たものであることはおわかり頂けよう。本発明の思想範
囲を逸脱することなく各種の修正及び変更が可能なこと
は言うまでもないことであろう。
第1図は部品を塔載した回路基板を示す斜視図であり、
牙2図は、第1図の回路基板表面の所定領域に欠陥が存
在するかどうかを調べる為に回路基板を検査する装置の
ブロック図であり、矛3図は、牙2図の装置の一部を構
成するメモリ制御器のブロック図であり、 矛4図は、第3図のメモリ制御器ユニットが実行するプ
ログラムのフローチャート図であり一 3−5図はミ第1図の回路基板表面上の欠陥を検出する
為に、第2図の装置内のプロセッサが実行するプログラ
ムのフローチャート図であり、 牙6図は、矛5図のプログラム中に実行されるサブルー
チンのフローチャート図であり、オフ図は、その上に表
面載置形成分と貫通孔形の成分とを有する回路板の斜視
図であり、牙8図は、矛7図の回路板に載置される形式
の表面載置形成分の斜視図であり、 矛9及び10図は、牙6図のプログラムの代わりに、牙
2図のプロセッサにより実行されるプログラムのフロー
チャート図であり、才11図は、yP9及び1o図が、
それてよって示されるプログラムのステップ順序を理解
するために示された状態を示す図であり1.1”12図
は、矛8図の成分の像から成る絵素を示すアレイまたは
グリッドヶ示す図であり1 、i”13図は、処理後の第12図の鐵の強度を示すプ
ロフィルである。 〔主要部分の符号の説明〕 10・・回路基板、 12・・表面、 16・・開口、 1γ・・リング、 18・・リード線、 20・・電子部品、 26・・ステージ、 32・・ランプ、 34・・光ビーム、 36・・線走査カメラ、 3B・・電荷結合素子、 40・・細長部、 42・・映像処理装置、 75・・領域、 F/6.2 剋だ(りO51,7 つゝワ FIG、θ FIG、 //Hθ、
/2 FIG、/3 う柁j殻73つフイ1し − FrC,9
在するかどうかを調べる為に回路基板を検査する装置の
ブロック図であり、矛3図は、牙2図の装置の一部を構
成するメモリ制御器のブロック図であり、 矛4図は、第3図のメモリ制御器ユニットが実行するプ
ログラムのフローチャート図であり一 3−5図はミ第1図の回路基板表面上の欠陥を検出する
為に、第2図の装置内のプロセッサが実行するプログラ
ムのフローチャート図であり、 牙6図は、矛5図のプログラム中に実行されるサブルー
チンのフローチャート図であり、オフ図は、その上に表
面載置形成分と貫通孔形の成分とを有する回路板の斜視
図であり、牙8図は、矛7図の回路板に載置される形式
の表面載置形成分の斜視図であり、 矛9及び10図は、牙6図のプログラムの代わりに、牙
2図のプロセッサにより実行されるプログラムのフロー
チャート図であり、才11図は、yP9及び1o図が、
それてよって示されるプログラムのステップ順序を理解
するために示された状態を示す図であり1.1”12図
は、矛8図の成分の像から成る絵素を示すアレイまたは
グリッドヶ示す図であり1 、i”13図は、処理後の第12図の鐵の強度を示すプ
ロフィルである。 〔主要部分の符号の説明〕 10・・回路基板、 12・・表面、 16・・開口、 1γ・・リング、 18・・リード線、 20・・電子部品、 26・・ステージ、 32・・ランプ、 34・・光ビーム、 36・・線走査カメラ、 3B・・電荷結合素子、 40・・細長部、 42・・映像処理装置、 75・・領域、 F/6.2 剋だ(りO51,7 つゝワ FIG、θ FIG、 //Hθ、
/2 FIG、/3 う柁j殻73つフイ1し − FrC,9
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に少なくとも1つの装置を載置する工程と、
該基板に該装置を載置する際に生じる欠陥を検出する為
該基板の少なくとも一表面を検査する工程とからなり、
該検査する工程は、該基板上に向って光を配向すること
と、該基板の該表面を横切る表面領域の薄い条体から反
射される光を光感知手段により感知することと、該光感
知手段が表面領域の次の条体から反射された光を感知し
それによって変化する出力信号を生ずるように該基板と
該光感知手段との間で相対運動を生じさせることとから
成る製品の製造方法において、該検査工程は更に、表面
領域の次の各領域の像データを得るため且つ該基板の該
表面上に関係する所定の領域に対応する像データのみを
保持する為に該光感知手段の出力信号を処理することと
、該基板に該装置を載置する際に生ずる欠陥を検出する
為該保持された像データを分析することとを含むことを
特徴とする製品の製造方法。 2、特許請求の範囲第1項に記載の方法において、前記
処理工程は以下の副工程即ち、 (a)表面領域の各条体内の予めきめられた領域の像を
示す一群のデジタル信号に該光感知手段の出力信号を変
換することと (b)該一群のデジタル信号から、表面領域の各条体内
の関係する所定の領域内に夫々存在する予めきめられた
領域の像を示すデジタル信号を選択することと、 (c)該選択されたデジタル信号を記憶することとから
成ることを特徴とする方法。 3、特許請求の範囲第2項に記載の方法において、該選
択することの前に、該一群のデジタル信号内のデジタル
信号の各々の値が基板の表面の非均一な照明を補償する
為に調整されることを特徴とする方法。 4、特許請求の範囲第2項に記載方法において、前記選
択することは更に、 (a)表面領域の各条体内の複数の領域の内次の1つの
特徴を説明する情報とその領域が該当するものであるか
どうかを示す情報とを含む複数のデータワードを作るこ
とと、 (b)データワードの1つを読み出しこのデータワード
が記述する領域の特徴を調べることと、 (c)この読み出したデータワードが記述する領域の像
を全体として現わす前記デジタル信号列内のデジタル信
号群を同定することと、 (d)読み出されたデータワードが、当該領域を示して
いる時に予め決められたデジタル信号群を選択すること
と、 (e)全データワードの読み出しが終了し、且つ表面領
域の前記各条体内に該当する領域を示す該デジタル信号
群の各々が選択される迄、上記((b)−(d))の工
程を繰り返すこととから成ることを特徴とする方法。 5、各条体内の連続する領域の第1番目のものを示すデ
ータワードの各々は該条体内の領域のパターンが何回繰
り返されるべきであるかを示す情報を含み、 (a)繰り返すべき該条体内の領域を記述するデータワ
ードの各々を順次読み出すことと、 (b)この読み出されたデータワードが記述する各領域
の像を全体として表わす前 記デジタル信号列内のデジタル信号群を同 程することと、 (c)前記読み出されたデータワードが 該当領域を現わしているときに予め同程し たデジタル信号群を選択することと、 (d)該条体内の領域のパターンが繰り 返される回数だけ、上記工程(a)−(c)を繰り返す
こととを更に具備することを特徴とす る方法。 6、特許請求の範囲第1項に記載の方法において、前記
分析する工程は、保持された像データから装置が基板の
当該表面に載置されたかどうかを決定し、もしそうであ
ればその後該装置の幅と長さを測ることと、該装置の測
定された幅と長さを既に知られた幅と長さとを比較する
ことと、測定された幅と既に知られた幅との差と測定さ
れた長さと既に知られた長さとの差が所定の公差範囲内
にあれば、該表面上にある該装置が既に知られた幅と長
さとを有していることを示すこととから成ることを特徴
とする方法。 7、特許請求の範囲1項に記載の方法において、前記分
析する工程は、該基板上の表面に該装置があるかどうか
を検出するため第1の論理操作を行ないもしそうであれ
ば、該基板上に載置された該装置の幅と長さを測定する
ため保持された像データ上でいくつかの付加的な論理操
作の内の第1番目のものを実行することと、測定された
幅と長さを既に知られた幅と長さとをそれぞれ比較する
ことと、測定された幅と既に知られた幅との間の差と測
定された長さと既に知られた長さとの間の差が所定の公
差範囲内にある時のみ該表面上に存在する該装置が既に
知られた幅と長さを有することを表示することと、もし
そうでなければ、該付加的な論理操作を保持された像デ
ータ上で実行するまで該付加的な論理操作の他の1つを
続けて実行しその後該比較工程及び該表示工程を実行す
ることとから成ることを特徴とする方法。 8、特許請求の範囲第1項に記載の方法において、前記
装置は、基板表面の開口を介して該装置の少なくとも1
つのリード線を挿入することにより該基板に載置され、
前記保持された像データは該基板表面の開口を貫通する
リード線がないかどうかを検出するために分析されるこ
とを特徴とする方法。 9、少なくとも1つの成分を回路板上に載置することと
、該回路板に該成分を載置することにより生じる結果を
検出するため、該回路板の少なくとも一表面を検査する
こととから成る製品の製造方法において、該検査工程は
、該回路板に対して光を配向することとを、該回路板の
該表面を横切る表面領域の薄い状態から反射された光を
光感知手段によつて感知することと、該光感知手段が表
面領域の連続した状態から反射された光を感知し且つそ
れにより変化する出力信号を発生するために該基板と該
光感知手段との間で相対運動を生じさせることとから成
る方法において、該検査工程は更に、表面領域の該連続
した状態を各々の像データを得るために該光感知手段の
出力信号を処理し、該回路板の表面に該当する所定の領
域を示す像データのみを保持することと、該回路板に対
して該成分を載置することにより生じる欠陥を検出する
ために該保持された像データを分析することとから成る
ことを特徴とする方法。 10、特許請求の範囲第9項に記載の方法において、前
記処理工程は更に、 (a)夫々表面領域の各条体内にあらか じめ決められた領域の像を示す前記光感知 手段の出力信号をデジタル信号群に変換す ることと、 (b)該デジタル信号群から、夫々表面 領域の各条体内に該当する所定の領域内に あるあらかじめ決められた領域の像を示す デジタル信号を選択することと、 (c)該選択されたデジタル信号を記憶 することとから成ることを特徴とする方法。 11、特許請求の範囲第10項に記載の方法において、
前記選択工程の前に、前記デジタ ル信号群内の各デジタル信号の値を該回路 板の表面の非均一照明を補償するために調 整することを特徴とする方法。 12、特許請求の範囲第10項に記載の方法において、
前記選択工程は更に、 (a)該回路板上の表面領域を各条体内 の複数の領域の連続した一つの特徴を示す 情報と、その領域が該当するものであるか どうかを示す情報とを含む複数のデータワ ードを作ることと、 (b)該データワードの連続した一つを 読み出しそれにより記述された領域の特徴 を調べることと、 (c)この読み出したデータワードが記 述する領域の像を全体として現わすデジタ ル信号列内のデジタル信号群を同定するこ とと、 (d)読み出されたデータワードが当該 領域を示している時にあらかじめ同定され たデジタル信号群を選択することと、 (e)全データワードの読み出しが終了 し且つ、各条体表面領域内の当該領域を示 すデジタル信号群が選択されるまで、上記 (b)−(d)の工程を繰返すこととを含むことを特徴
とする方法。 13、特許請求の範囲第12項に記載の方法において、
各条体内の連続した領域の第1番 目のものを示す前記データワードが前記条 体内の領域のパターンが何回繰返されるべ きであるかを示す情報を含み、 (a)繰返すべき該条体内の領域を記述 するデータワードの各々を順次読み出すこ とと、 (b)この読み出されたデータワードが 記述する各領域の像を全体として現わす前 記デジタル信号列内のデジタル信号列内の デジタル信号群を同定することと、 (c)該読み出されたデータワードが該 当領域を現わしている時にあらかじめ同定 したデジタル信号群を選択することと、 (d)該条体内の領域のパターンが繰返 される回数だけ、上記工程(a)−(c)を繰返すこと
とを更に有することを特徴とする方法。 14、基板に少なくとも1つの装置を載置することと、 基板に装置を載置する際に生じる欠陥を 検出するため基板の少なくとも一表面を検 査することとから成り、該検査工程は、 基板の方向に光を配向することと、 該基板の表面を横切る表面領域の薄い条 体から反射された光感光感知手段により感 知することと、 該光感知手段が表面領域の連続した条体 から反射される光を感知し且つそれにより 変化する出力信号を生じるように該基板と 該光感知手段との間に相対運動を生じさせ ることとから成る方法により製造された製 品において、該検査工程は更に、 表面領域の連続した条体の各々の像デー タを得て該基板の表面上に該当する所定の 領域を示す像データのみを保持するため該 光感知手段の出力信号を処理することと、 該基板に該装置を載置することにより生 じる欠陥を検出するため該保持されたデー タを分析することとから成ることを特徴と する製品。 15、特許請求の範囲第14項に記載の製品において、
該処理工程は更に、 (a)各々表面領域の各条体内における あらかじめ決められた領域の像を示す該光 検知手段の出力信号をデジタル信号列に変 換することと、 (b)該デジタル信号列から表面領域の 各条体内において該当する所定の領域内に あるあらかじめ決められた領域の像を示す デジタル信号を選択することと、 (c)該選択されたデジタル信号を記録 することとから成ることを特徴とする製品。 16、特許請求の範囲第15項に記載の製品において、
前記選択工程より前に、該デジタ ル信号列内の該デジタル信号の各々の値が 調整され基板の表面の非均一照明が補償さ れることを特徴とする製品。 17、特許請求の範囲第15項に記載の製品において、
前記選択工程は更に、 (a)各々表面領域の各条体内に複数の 領域の連続した1つの特徴を示す情報とそ の領域が該当するものであるかどうかを示 す情報とを含む複数のデータワードを作り 出すことと、 (b)該データワードを順次読み出しそ れにより記述された領域の特徴を調べるこ とと、 (c)読み出されたデータワードにより 記述された領域の像を全体として示すデジ タル信号列内のデジタル信号群を同定する ことと、 (d)該読み出されたデータワードがそ の領域が該当するものであることを示す場 合あらかじめ同定されたデジタル信号群を 選択することと、 (e)全データワードは読み出され且つ 表面領域の各条体内の該当する領域を示す 各デジタル信号群が選択されるまで上記工 程(b)−(e)を繰返すこととから成ることを特徴と
する製品。 18、特許請求の範囲第17項に記載の製品において、
各条体内の連続した領域の第1番 目のものを示す前記データワードは、各々 前記条体内の領域のパターンが何回繰返さ れるべきであるかを示す情報を含み、前記 選択工程は更に、 (a)条体内の領域を示し、繰返される べきデータワードを順次読み出すことと、 (b)この読み出されたデータワードが 記述する各領域の像を全体として現わす前 記デジタル信号列内のデジタル信号群を同 定することと、 (c)前記読み出されたデータワードが 解答領域を現わしている時に、あらかじめ 同定したデジタル信号群を選択することと、(d)該条
体内の領域のパターンが繰返 される回数だけ、上記工程(a)−(c)を繰返すこと
とを更に有することを特徴とする製品。 19、特許請求の範囲第14項に記載の製品において、
前記分析工程は、 保持された像データから、装置が基板の 表面に載置されたかどうかを調べ、もしそ うであればその後該装置の幅と長さとを測 定することと、 該測定された幅と長さとを既に知られた 幅と長さとに比較することと、 該測定された幅と既に知られた幅との間 の差と該測定された長さと既に知られた長 さとの間の差が所定の公差範囲内にある時、該装置が基
板上にあり且つ既に知られた幅 及び長さを有していることを示すこととか ら成ることを特徴とする製品。 20、特許請求の範囲第14項に記載の製品において、 前記分析工程は、該基板の表面に装置が 存在することを検出するため第1の論理走 査を行ない、もし存在すれば、該表面上に 載置された該装置の幅と長さを測定するた め保持されたイメージデータに基いて幾つ かの付加的な論理走査のうちの第1番目の ものを行なうことと、 該測定された幅と長さを既に知られた幅 と長さとを比較することと、 該測定された幅と既に知られた幅との間 の差と該測定された長さと既に知られた長 さとの間の差が夫々所定範囲内にある時の みに該表面上に存在する該装置は既に知ら れた幅と長さとを有することを示すことと もしそうでなければ、 保持された像データに基いて付加的な論 理操作を行なうまで付加的な論理操作の他 の1つを続けて実行しその後該比較工程と 表示工程とを実行することとから成ること を特徴とする製品。 21、特許請求の範囲第14項に記載の製品において、 前記装置は基板表面の開口を介して該装 置上に少なくとも1つのリード線を挿入す ることにより該基板に載置され、該保持さ れた像データは分析され該基板表面の開口 を貫通するリード線があるかどうかを検出 することを特徴とする製品。 22、基板表面上で該当する所定の領域を示すデータを
得るための装置であって、 基板の表面に向つて光を配向する手段と、 基板から離隔しており表面を横切る薄い 条体から反射される光の強度を検知し且つ それに応じて変化する出力信号を発生する 手段と、 該光強度検知手段の出力信号を該基板の 表面上の領域の複数の連続した条体の各々 から反射される光の強度に応じて変化させ るため、該強度検知手段と該基板との間に 相対運動を生じさせるための手段とから成 り、 表面領域の連続した条体の各々を示す像 データを売るために強度検出手段の出力信 号を処理し且つ各条体内の該当する複数の 所定の領域の各々を示す像データを保持す るための手段とを更に有することを特徴と する装置。 23、特許請求の範囲第22項に記載の装置において、
前記装置は更に、該当する所定の 領域内における基板上の欠陥を検出するた め保持された像データを分析するための手 段を有することを特徴とする装置。 24、特許請求の範囲第22項に記載の装置において、
前記強度検出手段は線走査カメラ からなることを特徴とする装置。 25、特許請求の範囲第24項に記載の装置において、
前記処理手段は、 前記線走査カメラの出力信号を、各条体 内の所定領域の像を夫々現わすデジタル信 号列に変換するインターフェースと、 該インターフェースに接続され、このイ ンターフェースにより発生された前記デジ タル信号列から各条体内の所定領域の各々 内の所定域の像を現わすデジタル信号を選 択する制御手段と、 該制御手段によって選択された信号を記 憶するメモリ手段とから成ることを特徴と する装置。 26、特許請求の範囲第25項に記載の装置において、
前記インターフェイス手段は、 前記線走査カメラの出力信号に従つて変 化するデジタル信号列を発生するA/Dコ ンバータと、 該A/Dコンバータによってつけられた 信号列内のデジタル信号の各々を同定する 単調増加カウントを発生する自走クロック とを含むことを特徴とする装置。 27、特許請求の範囲第25項に記載の装置において、
前記制御手段は、 複数のデータワードを記憶する第2メモ リと、 第2メモリに接続されこの記憶されたデ ータワードの内の選択された1つのデータ ワードをアドレスするアドレスカウンタと、前記自走ク
ロックのカウントに応じて前 記アドレスされたデータワードのカウント を減ずるカウンタと、 該アドレスカウンタに接続されこのアド レスカウンタがあらかじめアドレスされた データワードのカウントを零に減じた時に、アドレスカ
ウンタに前記第2メモリ内の別 のデータワードをアドレスさせる論理ゲー トと、 を含み、前記複数のデータワードの各々 は各条体内の特定領域を有する前記所定領 域の個数を現わすカウントと、前記特定領 域内の前記所定領域を現わす像データが上 記第1メモリに記憶されるべきかどうかを 決定するコントロールビット等を含むこと を特徴とする装置。 28、特許請求の範囲第25項に記載の装置において、
前記インターフェース手段によつ て作られたデジタル信号列内の各デジタル 信号の値を調整して前記基板照度の不均一 を補償する手段を更に含むことを特徴とす る装置。
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