JPS62274066A - マイクロ波加熱装置 - Google Patents
マイクロ波加熱装置Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概 要〕
マイクロ（μ）波透過窓に対向して被処理基板が配置さ
れるμ波加熱装置において、μ波透過窓に選択的にμ波
遮蔽膜を被着して、被処理基板の全面に照射されるμ波
の均一化を図り、被処理基板の面内温度分布を減少する
。
れるμ波加熱装置において、μ波透過窓に選択的にμ波
遮蔽膜を被着して、被処理基板の全面に照射されるμ波
の均一化を図り、被処理基板の面内温度分布を減少する
。
本発明はμ波加熱装置に係り、特に加熱さ糺る被処理基
板の面内温度分布の均一化を図ったμ波加熱装置に関す
る。
板の面内温度分布の均一化を図ったμ波加熱装置に関す
る。
半導体ＩＣの製造歩留りを向上し、且つ製造費用を低減
せしめるために、人手をかけずに製造が行われるインラ
イン方式の自動製造システムが使用されつつある。
せしめるために、人手をかけずに製造が行われるインラ
イン方式の自動製造システムが使用されつつある。
この自動製造システムにおいては、半導体基板に対する
加工前処理の後、加工処理の前等に、半導体基板面の脱
ガス或いは半導体基板の予備加熱の目的で基板の加熱装
置が配設される。
加工前処理の後、加工処理の前等に、半導体基板面の脱
ガス或いは半導体基板の予備加熱の目的で基板の加熱装
置が配設される。
近時、この基板加熱装置にはμ波加熱装置が多く用いら
れる。これは、半導体基板のみを選択的に選択的に加熱
することが出来るので、加熱室や基板搬送装置の冷却手
段が不要であり、且つ温度調整に際しての即応性に優れ
た利点を有することによるものである。
れる。これは、半導体基板のみを選択的に選択的に加熱
することが出来るので、加熱室や基板搬送装置の冷却手
段が不要であり、且つ温度調整に際しての即応性に優れ
た利点を有することによるものである。
このμ波加熱装置においては、ヒータ加熱の場合と異な
って被処理基板の面内温度分布が大きくなり勝ちなので
、被処理基板の面内温度分布を減少せしめる機能を持つ
ことが要望されている。
って被処理基板の面内温度分布が大きくなり勝ちなので
、被処理基板の面内温度分布を減少せしめる機能を持つ
ことが要望されている。
第３図はμ波加熱装置の配置例を示す自動スパッタリン
グ・システムの概念図である。
グ・システムの概念図である。
このシステムは、処理しようとする半導体基板が収容さ
れている第１のウェーハカセット５１と、大気中にある
酸ウェーハカセット５１から真空になっている前処理室
内に真空を破らずに半導体基板を挿入するための第１の
ロードロツタ（真空予備室）５２と、半導体基板のドラ
イエツチング洗浄が行われる前処理室５３と、半導体基
板面に吸着されたガス及び水分を除去し、且つ該基板を
次の処理に適する温度まで予備加熱するμ波加熱装置５
４と、該被処理基板面に金属膜を被着させるスパッタリ
ング装置５５と、該スパッタリング装置５５から真空を
破らずに半導体基板を大気中に取り出すための第２のロ
ードロック５６と、処理を終わった半導体基板を受は取
る第２のウェーハカセット５７とによって構成され、第
１のロードロック５２と前処理室５３とμ波加熱装置５
４とスパッタリング装置５５と第２のロードロック５６
とが真空仕切弁５８を介して順次気密に接続されてなっ
ている。
れている第１のウェーハカセット５１と、大気中にある
酸ウェーハカセット５１から真空になっている前処理室
内に真空を破らずに半導体基板を挿入するための第１の
ロードロツタ（真空予備室）５２と、半導体基板のドラ
イエツチング洗浄が行われる前処理室５３と、半導体基
板面に吸着されたガス及び水分を除去し、且つ該基板を
次の処理に適する温度まで予備加熱するμ波加熱装置５
４と、該被処理基板面に金属膜を被着させるスパッタリ
ング装置５５と、該スパッタリング装置５５から真空を
破らずに半導体基板を大気中に取り出すための第２のロ
ードロック５６と、処理を終わった半導体基板を受は取
る第２のウェーハカセット５７とによって構成され、第
１のロードロック５２と前処理室５３とμ波加熱装置５
４とスパッタリング装置５５と第２のロードロック５６
とが真空仕切弁５８を介して順次気密に接続されてなっ
ている。
また、第４図は上記μ波加熱装置の一例の要部を示す模
式側断面図で、図中、■はアルミニウム或いはステンレ
スよりなる真空加熱室、２は紙背の方向に向かう真空排
気口、３は真空パツキン、４は石英等よりなるμ波透過
窓、５はμ波導波管、６はベルトコンベア又は金属スプ
リングベルト、７は被処理半導体基板を示している。
式側断面図で、図中、■はアルミニウム或いはステンレ
スよりなる真空加熱室、２は紙背の方向に向かう真空排
気口、３は真空パツキン、４は石英等よりなるμ波透過
窓、５はμ波導波管、６はベルトコンベア又は金属スプ
リングベルト、７は被処理半導体基板を示している。
かかるμ波加熱装置において従来μ波透過窓４に、μ波
の透過率が全面一様な例えば透明石英板１０４が用いら
れていた。
の透過率が全面一様な例えば透明石英板１０４が用いら
れていた。
しかしこの場合、被処理半導体基板は第５図の面内温度
分布図に示されるカーブ（イ）のように大きな面内の温
度分布になる。
分布図に示されるカーブ（イ）のように大きな面内の温
度分布になる。
即ち５５Ｘ１１０ 龍の開孔寸法を有するμ波導波管５
の開孔面に５０ｍｍ程度の距離をおいて対向して配置さ
れたＬ２Ｓ〜１５０１１ｍφの被処理半導体基板７の表
面は中心部で２６０℃、周辺部で２００℃となり、６０
℃程度の大きな面内温度分布を持つ。
の開孔面に５０ｍｍ程度の距離をおいて対向して配置さ
れたＬ２Ｓ〜１５０１１ｍφの被処理半導体基板７の表
面は中心部で２６０℃、周辺部で２００℃となり、６０
℃程度の大きな面内温度分布を持つ。
なおこの温度分布は、基板の裏面側から赤外温度計によ
り非接触で測定される。
り非接触で測定される。
そしてこのように大きな面内温度分布になった場合、例
えば前記自動スパッタリング・システムにおいて、前処
理後のガス抜きや水分の除去が一様に行われないために
、スパッタリング装置で被着される例えばアルミニウム
等の金属膜の被着強度や膜品質にばらつきを生じ、半導
体装置の信頼度維持の面で望ましくなかった。
えば前記自動スパッタリング・システムにおいて、前処
理後のガス抜きや水分の除去が一様に行われないために
、スパッタリング装置で被着される例えばアルミニウム
等の金属膜の被着強度や膜品質にばらつきを生じ、半導
体装置の信頼度維持の面で望ましくなかった。
本発明が解決しようとする問題点は、従来のμ波加熱装
置においては、加熱された被処理基板の面内温度分布が
非常に大きかったことである。
置においては、加熱された被処理基板の面内温度分布が
非常に大きかったことである。
上記問題点は、マイクロ波透過窓を介してマイクロ波導
波管と真空封止される真空容器内に、咳マイクロ波透過
窓に対向して被処理基板が配置される構造を有し、該マ
イクロ波透過窓に選択的にマイクロ波遮蔽膜を被着して
なる本発明によるマイクロ波加熱装置によって解決され
る。
波管と真空封止される真空容器内に、咳マイクロ波透過
窓に対向して被処理基板が配置される構造を有し、該マ
イクロ波透過窓に選択的にマイクロ波遮蔽膜を被着して
なる本発明によるマイクロ波加熱装置によって解決され
る。
即ち本発明は、マイクロ（μ）波透過窓に対向して被処
理基板が配置されるμ波加熱装置において、μ波透過窓
に選択的にμ波遮蔽膜を被着してμ波密度の高い領域の
μ波を一部遮断することによって、被処理基板の全面に
照射されるμ波の均一化を図り、被処理基板の面内温度
分布を減少するものである。
理基板が配置されるμ波加熱装置において、μ波透過窓
に選択的にμ波遮蔽膜を被着してμ波密度の高い領域の
μ波を一部遮断することによって、被処理基板の全面に
照射されるμ波の均一化を図り、被処理基板の面内温度
分布を減少するものである。
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第１図は本発明に係るμ波加熱装置に配設されるμ波透
過窓の一実施例を示す模式平面図（ａ）及び模式側断面
図（ｂ）、第２図はμ波透過窓における異なる実施例の
模式側断面図である。
過窓の一実施例を示す模式平面図（ａ）及び模式側断面
図（ｂ）、第２図はμ波透過窓における異なる実施例の
模式側断面図である。
全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
第１図は本発明に係るμ波透過窓を被処理基板及びμ液
温波管開ロバターンと共に表した模式平面図（ａ）及び
μ波透過窓の模式側断面図（ｂｌである。
温波管開ロバターンと共に表した模式平面図（ａ）及び
μ波透過窓の模式側断面図（ｂｌである。
同図に示すように、例えば２．４５ＧＨｚのμ波加熱装
置に於いて本発明に係るμ波透過窓４は、１１０１１ｘ
５５ｎ程度の開口寸法を有する導波管開口Ａの対角線長
より大きい、例えば１３０ｆｌφ程度の直径を有する厚
さ１０酊程度の透明石英板１０４を用い、その中心部上
に、例えば２５１ｍφ程度の直径を有する厚さ６μｍ程
度のμ波遮蔽膜パターン８を被着してなっている。
置に於いて本発明に係るμ波透過窓４は、１１０１１ｘ
５５ｎ程度の開口寸法を有する導波管開口Ａの対角線長
より大きい、例えば１３０ｆｌφ程度の直径を有する厚
さ１０酊程度の透明石英板１０４を用い、その中心部上
に、例えば２５１ｍφ程度の直径を有する厚さ６μｍ程
度のμ波遮蔽膜パターン８を被着してなっている。
このμ波遮蔽膜はアルミニウム、銅等の電気伝導率の大
きい金属の蒸着或いはスパッタ膜により形成され、μ波
を完全に遮断するためには５μｍ以上の厚さに被着され
る。被着面ば上面、下面向れでも良いが、被処理基板に
近い面の方がより効果的である。
きい金属の蒸着或いはスパッタ膜により形成され、μ波
を完全に遮断するためには５μｍ以上の厚さに被着され
る。被着面ば上面、下面向れでも良いが、被処理基板に
近い面の方がより効果的である。
そしてこのμ波遮蔽膜パターン８の形状は、例えば直径
２５龍程度の円形に形成される。ここで円形パターンの
直径は、有効μ浪人力の減少を余り大きくしないために
、導波管の短辺長の１／２以下の寸法で決定されること
が望ましい。
２５龍程度の円形に形成される。ここで円形パターンの
直径は、有効μ浪人力の減少を余り大きくしないために
、導波管の短辺長の１／２以下の寸法で決定されること
が望ましい。
なお図中、Ｂは５ ｉｎ即ら１５０鶴φの被処理基板を
示している。
示している。
なお、上記実施例に示したμ波透過窓を用いた１００Ｗ
出力のμ波加熱装置で得られた １５０龍φの被処理半
導体基板の面内温度分布は、第５図のカーブ（ロ）に示
す如（である。即ち例えば２００℃近傍の温度において
周辺部と中心部との温度差は２０℃程度に抑えられ、カ
ーブ（イ）に示される従来例に比べ大幅に改善された面
内温度分布が得られている。
出力のμ波加熱装置で得られた １５０龍φの被処理半
導体基板の面内温度分布は、第５図のカーブ（ロ）に示
す如（である。即ち例えば２００℃近傍の温度において
周辺部と中心部との温度差は２０℃程度に抑えられ、カ
ーブ（イ）に示される従来例に比べ大幅に改善された面
内温度分布が得られている。
第２図は上記実施例と異なる形状のμ被遮蔽パターンを
有するμ波透過窓の実施例を示す模式側断面図である。
有するμ波透過窓の実施例を示す模式側断面図である。
この例においては、μ波遮蔽パターン８の周辺部９の厚
さが中央のμ液遮断部１０より薄（、例えば０．５〜１
μｍ程度に形成される。この厚さにおいて周辺部９はμ
波の半透膜となるので、中央のμ液遮断部１０と周辺の
半透膜部９との大きさをそれぞれ適切に選ぶことにより
、より平坦な面内温度分布が得られる。
さが中央のμ液遮断部１０より薄（、例えば０．５〜１
μｍ程度に形成される。この厚さにおいて周辺部９はμ
波の半透膜となるので、中央のμ液遮断部１０と周辺の
半透膜部９との大きさをそれぞれ適切に選ぶことにより
、より平坦な面内温度分布が得られる。
なお、μ被遮蔽パターンの形状は実施例に示した円形に
限られるものではない。
限られるものではない。
またμ被遮蔽パターンは１個に限られるものでもない。
以上説明のように本発明によればμ波加熱装置により加
熱される被処理基板の面内温度分布が、従来に比べ大幅
に減少せしめられる。
熱される被処理基板の面内温度分布が、従来に比べ大幅
に減少せしめられる。
従って基板面の脱ガスや予備加熱が均一になされるので
、半導体装置の製造等に用いて、その信頼変向上等の効
果を生ずる。
、半導体装置の製造等に用いて、その信頼変向上等の効
果を生ずる。
第１図は本発明に係るμ波透過窓の一実施例を模式的に
示す平面図（ａｌ及び断面図（ｂ）、Ｉ＾− 第２図はμ波透過窓における異なる実施例の模式側断面
図、 第３図はμ波加熱装置の配置例を示す自動スパッタリン
グ・システムの模式図、 図において、 １は真空加熱室、 ２は真空排気口、 ３は真空パツキン、 ４はμ波透過窓、 ５はμ液温波管、 ６はベルトコンベア、 ７は被処理半導体基板、 ８はμ波遮蔽膜パターン、 ９は周辺半透膜部、 １０は中央μ波遮断部、 １０４は遇明石英板 を示す。
示す平面図（ａｌ及び断面図（ｂ）、Ｉ＾− 第２図はμ波透過窓における異なる実施例の模式側断面
図、 第３図はμ波加熱装置の配置例を示す自動スパッタリン
グ・システムの模式図、 図において、 １は真空加熱室、 ２は真空排気口、 ３は真空パツキン、 ４はμ波透過窓、 ５はμ液温波管、 ６はベルトコンベア、 ７は被処理半導体基板、 ８はμ波遮蔽膜パターン、 ９は周辺半透膜部、 １０は中央μ波遮断部、 １０４は遇明石英板 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マイクロ波透過窓を介してマイクロ波導波管と真空封止
される真空容器内に、 該マイクロ波透過窓に対向して被処理基板が配置される
構造を有し、 該マイクロ波透過窓に選択的にマイクロ波遮蔽膜を被着
してなることを特徴とするマイクロ波加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11851086A JPS62274066A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | マイクロ波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11851086A JPS62274066A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | マイクロ波加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274066A true JPS62274066A (ja) | 1987-11-28 |
Family
ID=14738422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11851086A Pending JPS62274066A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | マイクロ波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62274066A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261081A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Asm Japan Kk | 半導体ウエハのエッチング装置及び方法 |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP11851086A patent/JPS62274066A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261081A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Asm Japan Kk | 半導体ウエハのエッチング装置及び方法 |
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