JPH01258444A - ドライ前処理装置 - Google Patents
ドライ前処理装置Info
- Publication number
- JPH01258444A JPH01258444A JP8516388A JP8516388A JPH01258444A JP H01258444 A JPH01258444 A JP H01258444A JP 8516388 A JP8516388 A JP 8516388A JP 8516388 A JP8516388 A JP 8516388A JP H01258444 A JPH01258444 A JP H01258444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- cooling
- degassing
- semiconductor wafer
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造に関し、より詳しくは、アルミニウム
合金多層配線構造での上層アルミニウム配線を形成する
際のドライ前処理装置に関し、アルミニウム合金多層配
線間の低いコンタクト抵抗の確保とスルーブツトの向上
とが図れるドライ前処理装置を提供することを目的とし
、半導体装置での下層アルミニウム合金配線に接続する
上層アルミニウム合金配線を形成する際の前処理のため
に、真空維持可能に連続配置されている脱ガス用加熱室
と、半導体ウェハを冷却する冷媒冷却ステージを備えた
冷却室と、下層アルミニウム合金配線の表出表面清浄用
ドライエツチング室とからなることを特徴とするドライ
前処理装置に構成する。
合金多層配線構造での上層アルミニウム配線を形成する
際のドライ前処理装置に関し、アルミニウム合金多層配
線間の低いコンタクト抵抗の確保とスルーブツトの向上
とが図れるドライ前処理装置を提供することを目的とし
、半導体装置での下層アルミニウム合金配線に接続する
上層アルミニウム合金配線を形成する際の前処理のため
に、真空維持可能に連続配置されている脱ガス用加熱室
と、半導体ウェハを冷却する冷媒冷却ステージを備えた
冷却室と、下層アルミニウム合金配線の表出表面清浄用
ドライエツチング室とからなることを特徴とするドライ
前処理装置に構成する。
本発明は、半導体装置の製造に関し、より詳しくは、ア
ルミニウム合金多層配線構造での上層アルミニウム配線
を形成する際のドライ前処理装置に関する。
ルミニウム合金多層配線構造での上層アルミニウム配線
を形成する際のドライ前処理装置に関する。
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置の配線（電極）としてＡ
ｆ−３ｉ 、 ＡＩ！−Ｃｕ 、Ａｊ！−３ｉ −Ｃ
ｕなどのアルミニウム合金が用いられ、高集積化のため
にも多層配線構造が採用されている。アルミニウム合金
は非常に酸化されやすく表面に薄い酸化皮膜が生じてし
まうので、下層アルミニウム合金配線に接続する上層ア
ルミニウム配線を形成する際には、前処理として下層ア
ルミニウム合金配線の表出表面上の酸化皮膜を反応性イ
オン（スパッタ）エツチングあるいはイオンシリングに
よって除去する。
ｆ−３ｉ 、 ＡＩ！−Ｃｕ 、Ａｊ！−３ｉ −Ｃ
ｕなどのアルミニウム合金が用いられ、高集積化のため
にも多層配線構造が採用されている。アルミニウム合金
は非常に酸化されやすく表面に薄い酸化皮膜が生じてし
まうので、下層アルミニウム合金配線に接続する上層ア
ルミニウム配線を形成する際には、前処理として下層ア
ルミニウム合金配線の表出表面上の酸化皮膜を反応性イ
オン（スパッタ）エツチングあるいはイオンシリングに
よって除去する。
高集積化・微細化を図るために、多層構造でのコンタク
ト窓もより小さくされるが、下層アルミニウム合金配線
と上層アルミニウム合金配線とのコンタクト抵抗は高く
ならないようにすること（低いコンタクト抵抗の確保）
が重要となってきた。製造過程の半導体装置（半導体ウ
ェハと呼ぶ）からの脱ガス（主としてＨａＯで、０２．
８２ 、Ｃ［］□など吸着物）もコンタクト抵抗に大き
な影響を与えるので、前述のドライ前処理の前に半導体
ウェハを加熱する脱ガス処理を行なう。
ト窓もより小さくされるが、下層アルミニウム合金配線
と上層アルミニウム合金配線とのコンタクト抵抗は高く
ならないようにすること（低いコンタクト抵抗の確保）
が重要となってきた。製造過程の半導体装置（半導体ウ
ェハと呼ぶ）からの脱ガス（主としてＨａＯで、０２．
８２ 、Ｃ［］□など吸着物）もコンタクト抵抗に大き
な影響を与えるので、前述のドライ前処理の前に半導体
ウェハを加熱する脱ガス処理を行なう。
Ｃ発明が解決しようとする課題〕
半導体ウェハ加熱（３００〜３５０℃まで上層）の脱ガ
ス処理の後、すぐにドライ前処理を行なうと半導体ウェ
ハは脱ガス処理温度以上の温度（約４００℃まで）にな
って、さらにガスが出て来てコンタクト抵抗が高くなっ
てしまうことがわかった。
ス処理の後、すぐにドライ前処理を行なうと半導体ウェ
ハは脱ガス処理温度以上の温度（約４００℃まで）にな
って、さらにガスが出て来てコンタクト抵抗が高くなっ
てしまうことがわかった。
そこで、反応性イオンエツチング（又はイオンシリング
）のドライ前処理のチャンバー（ドライエツチング室）
の前段ロードロツタ室において脱ガス加熱後の冷却のた
めに待機時間を設けている。
）のドライ前処理のチャンバー（ドライエツチング室）
の前段ロードロツタ室において脱ガス加熱後の冷却のた
めに待機時間を設けている。
実際の操作時間としては、半導体ウェハの脱ガス加熱を
１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空状態下でマイクロ波誘電加
熱にて約２分間行ない、反応性イオンエツチング（又は
イオンシリング）のドライ前処理は約１分間ですみ、そ
して、上層アルミニウム合金配線層形成を（マグネトロ
ン）スパッタリングによって約９０秒で行ない、一方、
待機時間は真空中なので３〜５分かかっている。そのた
めに、前処理を含めた上層アルミニウム合金配線形成の
ためのスループット（処理量）が待機時間で制限され低
下を余儀なくされている。
１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空状態下でマイクロ波誘電加
熱にて約２分間行ない、反応性イオンエツチング（又は
イオンシリング）のドライ前処理は約１分間ですみ、そ
して、上層アルミニウム合金配線層形成を（マグネトロ
ン）スパッタリングによって約９０秒で行ない、一方、
待機時間は真空中なので３〜５分かかっている。そのた
めに、前処理を含めた上層アルミニウム合金配線形成の
ためのスループット（処理量）が待機時間で制限され低
下を余儀なくされている。
本発明の課題は、アルミニウム合金多層配線間の低いコ
ンタクト抵抗の確保とスループットの向上とが図れるド
ライ前処理装置を提供することである。
ンタクト抵抗の確保とスループットの向上とが図れるド
ライ前処理装置を提供することである。
上述の課題が、半導体装置での下層アルミニウム合金配
線に接続する上層アルミニウム合金配線を形成する際の
前処理のために、真空維持可能に連続配置されている脱
ガス用加熱室と、半導体ウェハを冷却する冷媒冷却ステ
ージを備えた冷却室と、下層アルミニウム合金配線の表
出表面清浄用ドライエツチング室とからなることを特徴
とするドライ前処理装置によって達成される。
線に接続する上層アルミニウム合金配線を形成する際の
前処理のために、真空維持可能に連続配置されている脱
ガス用加熱室と、半導体ウェハを冷却する冷媒冷却ステ
ージを備えた冷却室と、下層アルミニウム合金配線の表
出表面清浄用ドライエツチング室とからなることを特徴
とするドライ前処理装置によって達成される。
脱ガス処理の半導体ウェハ加熱後に、従来の放置による
自然冷却でなく、水などの冷媒で冷却された強制冷却ス
テージを設けてこれに半導体ウェハを載せて従来より短
時間に冷却することができる。冷却された半導体ウェハ
をドライエツチング室にて反応性イオンエツチングく又
はイオンミリング）するときには約２００℃まで半導体
ウェハは加熱されることになるが、この温度は脱ガス処
理時の加熱温度よりも低いのでさらにガスが出て来るこ
とはなく、したがってコンタクト抵抗が高くなるのを回
避することができる。
自然冷却でなく、水などの冷媒で冷却された強制冷却ス
テージを設けてこれに半導体ウェハを載せて従来より短
時間に冷却することができる。冷却された半導体ウェハ
をドライエツチング室にて反応性イオンエツチングく又
はイオンミリング）するときには約２００℃まで半導体
ウェハは加熱されることになるが、この温度は脱ガス処
理時の加熱温度よりも低いのでさらにガスが出て来るこ
とはなく、したがってコンタクト抵抗が高くなるのを回
避することができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例および比較例
によって本発明をより詳しく説明する。
によって本発明をより詳しく説明する。
第１図は本発明に係るドライ前処理装置を含めた上層ア
ルミニウム合金配線層形成ラインの概略図である。
ルミニウム合金配線層形成ラインの概略図である。
このラインは半導体ウェハの移動方向に真空維持可能に
連続配置されている搬入真空予備室１、脱ガス用加熱室
２、冷却室３、ドライエツチング室４、予熱室５、アル
ミニウム（Ａβ）合金スパッタ室６および搬出真空予備
室７で構成されている。これら室（チャンバー）１〜７
は真空ポンプ８Ａ、８Ｂ、８Ｃおよび８ｄによって真空
（減圧）状態にされ、その状態を維持するために仕切弁
９〜１６が第１図に示すように各室１〜７の出入口に設
けられている。
連続配置されている搬入真空予備室１、脱ガス用加熱室
２、冷却室３、ドライエツチング室４、予熱室５、アル
ミニウム（Ａβ）合金スパッタ室６および搬出真空予備
室７で構成されている。これら室（チャンバー）１〜７
は真空ポンプ８Ａ、８Ｂ、８Ｃおよび８ｄによって真空
（減圧）状態にされ、その状態を維持するために仕切弁
９〜１６が第１図に示すように各室１〜７の出入口に設
けられている。
搬入真空予備室ｌを設けることによって脱ガス用加熱室
２を大気にさらすことが防止できて、この加熱室２にお
ける真空下での加熱によって半導体ウェハ（層間絶縁層
、下層ＡＩ！合金配線など）に吸着した水分（）１２０
）、 Ｏ□、 Ｈ２、ＣＤ□などの脱ガスが効率的に
行なえる。例えば、１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度でマ
イクロ波加熱によって２分間で半導体ウェハを３００℃
にする。この加熱による脱ガス後に、仕切弁１１を通し
て半導体ウェハを冷却室３へ移し、本発明にしたがって
設けられた冷媒冷却（水冷）ステージ上に載せて強制冷
却する。
２を大気にさらすことが防止できて、この加熱室２にお
ける真空下での加熱によって半導体ウェハ（層間絶縁層
、下層ＡＩ！合金配線など）に吸着した水分（）１２０
）、 Ｏ□、 Ｈ２、ＣＤ□などの脱ガスが効率的に
行なえる。例えば、１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度でマ
イクロ波加熱によって２分間で半導体ウェハを３００℃
にする。この加熱による脱ガス後に、仕切弁１１を通し
て半導体ウェハを冷却室３へ移し、本発明にしたがって
設けられた冷媒冷却（水冷）ステージ上に載せて強制冷
却する。
このステージは、例えば、水冷方式の銅製試料台（ヒー
トシンク）であり、約３０秒で７０〜８０℃の温度まで
半導体ウェハを冷却することができる。
トシンク）であり、約３０秒で７０〜８０℃の温度まで
半導体ウェハを冷却することができる。
次に、仕切弁１２を通して半導体ウェハをドライエツチ
ング室４内へ装入して、例えば、１３．５６ＭＨｚの高
周波電力を印加した反応性イオンエツチングにて下層Ａ
１合金配線の表出部分上のＡ ｆ ２０゜皮膜を除去す
る。このエツチング室４においては、反応種の化学反応
およびウェハへの衝突等によりエツチングが進行し、同
時に約１分間の処理で半導体ウェハを約２００℃にする
。Ａ ｌ ２０３皮膜を除去する表面清浄で表出した下
層ＡＡ合金配線にコンタトする上層Ａ１合金配線層をＡ
１合金のスパッタリングによって形成する際にカバレー
ジを良くするために、予熱室５にて約２００℃の温度に
半導体ウェハをしておく。そして、Ａｆ合金スパッタ室
６にて上層Ａｆ合金配線層を全面に形成し、層間絶縁膜
のコンタト窓を介して下層へ１合金配線と接触（接続）
させる。マグネトロンスパッタリングであれば、９０秒
程で所定のＡ１合金層を形成することができる。それか
ら、半導体ウェハを搬出真空予備室７へ移して、仕切弁
Ｉ６を通して取り出す。その後は、上層Ａｆ合金層を所
定の配線パターンにするために、通常のレジストプロセ
スおよびエツチングプロセスにて処理される。
ング室４内へ装入して、例えば、１３．５６ＭＨｚの高
周波電力を印加した反応性イオンエツチングにて下層Ａ
１合金配線の表出部分上のＡ ｆ ２０゜皮膜を除去す
る。このエツチング室４においては、反応種の化学反応
およびウェハへの衝突等によりエツチングが進行し、同
時に約１分間の処理で半導体ウェハを約２００℃にする
。Ａ ｌ ２０３皮膜を除去する表面清浄で表出した下
層ＡＡ合金配線にコンタトする上層Ａ１合金配線層をＡ
１合金のスパッタリングによって形成する際にカバレー
ジを良くするために、予熱室５にて約２００℃の温度に
半導体ウェハをしておく。そして、Ａｆ合金スパッタ室
６にて上層Ａｆ合金配線層を全面に形成し、層間絶縁膜
のコンタト窓を介して下層へ１合金配線と接触（接続）
させる。マグネトロンスパッタリングであれば、９０秒
程で所定のＡ１合金層を形成することができる。それか
ら、半導体ウェハを搬出真空予備室７へ移して、仕切弁
Ｉ６を通して取り出す。その後は、上層Ａｆ合金層を所
定の配線パターンにするために、通常のレジストプロセ
スおよびエツチングプロセスにて処理される。
上述、したように基本的に脱ガス用加熱室１、冷却室２
およびドライエツチング室３からなるのが上層へ１合金
配線形成のドライ前置処装置であり、冷却室に冷媒冷却
ステージを設けた点に本発明の特徴がある。
およびドライエツチング室３からなるのが上層へ１合金
配線形成のドライ前置処装置であり、冷却室に冷媒冷却
ステージを設けた点に本発明の特徴がある。
実施例＄よび比較例
第２図に示すようなＡｎ合金多層配線構造をシリコン基
板２１上に形成し、直径２．８μのコンタクト窓を９６
０個用いて４８０本の下層Ａｆ１合金配線２２と４８１
本の上層Ａ１合金配線２３とを直列に接続して抵抗を測
定した。なお、この抵抗値は配線抵抗とコンタクト抵抗
との合計となる。
板２１上に形成し、直径２．８μのコンタクト窓を９６
０個用いて４８０本の下層Ａｆ１合金配線２２と４８１
本の上層Ａ１合金配線２３とを直列に接続して抵抗を測
定した。なお、この抵抗値は配線抵抗とコンタクト抵抗
との合計となる。
まず、通常の製造工程によってシリコン基板（ウェハ）
２１を熱酸化してその表面に８１０２膜２４を形成し、
その上の全面にＡｆ合金層を形成し、レジストプロセス
およびエツチングプロセスを経て所定パターンの下層Ａ
Ｉ！合金配線２２を形成する。５１０２をＣＶＤ法によ
って全面に堆積して層間絶縁膜２５を形成し、コンタク
ト窓（２，８７−径）をエツチングにてあけて、下層Ａ
１合金配線２２の一部を表出させる。次に、第１図に示
した上層Ａｊ２合金配線層形成ラインにてドライ前処理
を行ない、そして上層ＡＩ！合金配線層をスパッタリン
グ法にて全面に形成する。このラインから取り出してレ
ジストプロセスおよびエツチングプロセスで所定パター
ンの上層Ａ１合金配線２３を形成する。
２１を熱酸化してその表面に８１０２膜２４を形成し、
その上の全面にＡｆ合金層を形成し、レジストプロセス
およびエツチングプロセスを経て所定パターンの下層Ａ
Ｉ！合金配線２２を形成する。５１０２をＣＶＤ法によ
って全面に堆積して層間絶縁膜２５を形成し、コンタク
ト窓（２，８７−径）をエツチングにてあけて、下層Ａ
１合金配線２２の一部を表出させる。次に、第１図に示
した上層Ａｊ２合金配線層形成ラインにてドライ前処理
を行ない、そして上層ＡＩ！合金配線層をスパッタリン
グ法にて全面に形成する。このラインから取り出してレ
ジストプロセスおよびエツチングプロセスで所定パター
ンの上層Ａ１合金配線２３を形成する。
本発明の実施例では、冷却室３での半導体ウェハ冷却を
水冷ステージに載せて強制冷却する。−方、比較例とし
ては、この水冷ステージを用いないで冷却室３で自然冷
却する。この強制冷却の有無のみが異なる他は同一条件
にて第２図に示した多層配線構造に作成する。
水冷ステージに載せて強制冷却する。−方、比較例とし
ては、この水冷ステージを用いないで冷却室３で自然冷
却する。この強制冷却の有無のみが異なる他は同一条件
にて第２図に示した多層配線構造に作成する。
直列接続のＡ１合金配線の抵抗は、本発明の場合に、２
５０Ωであり、一方、比較例の場合に、ＩＫΩであった
。さらに、コンタクトを確実にするために、Ｎ２Ｈ，雰
囲気下で４５０℃の温度にてアニール処理を施こしたと
ころ、本発明の場合での抵抗は７７Ωであり、一方、比
較例では８４Ωであった。
５０Ωであり、一方、比較例の場合に、ＩＫΩであった
。さらに、コンタクトを確実にするために、Ｎ２Ｈ，雰
囲気下で４５０℃の温度にてアニール処理を施こしたと
ころ、本発明の場合での抵抗は７７Ωであり、一方、比
較例では８４Ωであった。
アニール処理を施こすと抵抗値は本発明と比較例とに１
割程度の差しかないが、アニール処理前は４倍も差があ
る（本発明の場合は比較例のスになる）。このことはコ
ンタクト界面に明らかに不純物が存在していることを裏
付けている。さらに高集積化、微細化が進んで微小コン
タクト窓となる場合には差が大きくなってしまうので、
本発明に係る装置を用いる必要がある。
割程度の差しかないが、アニール処理前は４倍も差があ
る（本発明の場合は比較例のスになる）。このことはコ
ンタクト界面に明らかに不純物が存在していることを裏
付けている。さらに高集積化、微細化が進んで微小コン
タクト窓となる場合には差が大きくなってしまうので、
本発明に係る装置を用いる必要がある。
上述の説明では、脱ガス用加熱にマイクロ波を用いたが
、赤外ランプを用いてことができ、また、ドライエツチ
ングに反応性イオンエツチングを用いたがアルゴンガス
でのイオンシリングを採用することができる。アルミニ
ウム合金とはＡｌ−８ｌ。
、赤外ランプを用いてことができ、また、ドライエツチ
ングに反応性イオンエツチングを用いたがアルゴンガス
でのイオンシリングを採用することができる。アルミニ
ウム合金とはＡｌ−８ｌ。
Ａｌ−Ｃｕ 、Ａｌ−３ｉ−Ｃｕなどであるが、純Ａβ
の場合にも本発明に係る装置を適用することが当然でき
る。
の場合にも本発明に係る装置を適用することが当然でき
る。
本発明によれば、アルミニウム合金多層配線でのコンタ
クト抵抗を安定にかつ低くすることができると同時にス
ルーブツトの向上が図れる。
クト抵抗を安定にかつ低くすることができると同時にス
ルーブツトの向上が図れる。
第１図は、本発明に係るドライ前処理装置を含めた上層
アルミニウム合金配線層形成ラインの概略図であり、 第２図は、多層配線を有する半導体装置（ウェハ）の部
分断面図である。 ２・・・脱ガス用加熱室、 ３・・・冷却室、４・・・
ドライエツチング室、 ６・・・Ａ４合金スパッタ室、 ２２・・・下層Ａｆ合金配線、 ２３・・・上層１合金配線、 ２５・・・層間絶縁膜。
アルミニウム合金配線層形成ラインの概略図であり、 第２図は、多層配線を有する半導体装置（ウェハ）の部
分断面図である。 ２・・・脱ガス用加熱室、 ３・・・冷却室、４・・・
ドライエツチング室、 ６・・・Ａ４合金スパッタ室、 ２２・・・下層Ａｆ合金配線、 ２３・・・上層１合金配線、 ２５・・・層間絶縁膜。
Claims (1)
- １、半導体装置での下層アルミニウム合金配線に接続す
る上層アルミニウム合金配線を形成する際の前処理のた
めに、真空維持可能に連続配置されている脱ガス用加熱
室と、半導体ウェハを冷却する冷媒冷却ステージを備え
た冷却室と、前記下層アルミニウム合金配線の表出表面
清浄用ドライエッチング室とからなることを特徴とする
ドライ前処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8516388A JPH01258444A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | ドライ前処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8516388A JPH01258444A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | ドライ前処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01258444A true JPH01258444A (ja) | 1989-10-16 |
Family
ID=13850992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8516388A Pending JPH01258444A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | ドライ前処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01258444A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0444249A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-14 | Sony Corp | 多層配線構造の半導体装置製造方法 |
| US5723367A (en) * | 1993-11-16 | 1998-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wiring forming method |
| KR100374981B1 (ko) * | 1998-11-27 | 2003-03-29 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 하부 알루미늄 배선의 신뢰성을 저하시키지 않고 스텝커버리지를 개선한 반도체장치 제조방법 |
| US7063091B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-06-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for cleaning the surface of a substrate |
| JP2013511145A (ja) * | 2009-11-17 | 2013-03-28 | オーツェー・エリコン・バルザース・アーゲー | 基板処理装置及びその方法 |
| CN111363994A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-07-03 | 浙江联丰冷却塔有限公司 | 一种同时进行冷却和吹干的提高冷却效果的冷却设备 |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP8516388A patent/JPH01258444A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0444249A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-14 | Sony Corp | 多層配線構造の半導体装置製造方法 |
| JP2890681B2 (ja) * | 1990-06-07 | 1999-05-17 | ソニー株式会社 | 多層配線構造の半導体装置製造方法 |
| US5723367A (en) * | 1993-11-16 | 1998-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wiring forming method |
| KR100374981B1 (ko) * | 1998-11-27 | 2003-03-29 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 하부 알루미늄 배선의 신뢰성을 저하시키지 않고 스텝커버리지를 개선한 반도체장치 제조방법 |
| US7063091B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-06-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for cleaning the surface of a substrate |
| JP2013511145A (ja) * | 2009-11-17 | 2013-03-28 | オーツェー・エリコン・バルザース・アーゲー | 基板処理装置及びその方法 |
| CN111363994A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-07-03 | 浙江联丰冷却塔有限公司 | 一种同时进行冷却和吹干的提高冷却效果的冷却设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0139793B1 (ko) | 막형성 방법 | |
| JP3537269B2 (ja) | マルチチャンバースパッタリング装置 | |
| US7192494B2 (en) | Method and apparatus for annealing copper films | |
| JP5522979B2 (ja) | 成膜方法及び処理システム | |
| JP2002533922A (ja) | 水素を基とする予備清浄化技術を使用する拡散バリヤー及びフッ素化二酸化シリコンの付着の改良 | |
| JP2008218659A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及びプログラム | |
| JPH1064908A (ja) | 半導体装置の配線形成方法及びスパッタ装置 | |
| JPH04257227A (ja) | 配線形成方法 | |
| US7939421B2 (en) | Method for fabricating integrated circuit structures | |
| JPH01258444A (ja) | ドライ前処理装置 | |
| JP2000216249A (ja) | 電子装置の製造方法及びその装置 | |
| US6887522B2 (en) | Method for forming a copper thin film | |
| JPH08264618A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US20120273948A1 (en) | Integrated circuit structure including a copper-aluminum interconnect and method for fabricating the same | |
| KR100875822B1 (ko) | 반도체 장치 형성 방법 | |
| WO2002025715A2 (en) | Method of fabricating conductor structures with metal comb bridging avoidance | |
| US6365514B1 (en) | Two chamber metal reflow process | |
| JPH09228040A (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびにそれらを用いた半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2959373B2 (ja) | 基板へのスパッタ方法及びスパッタ装置 | |
| US6790777B2 (en) | Method for reducing contamination, copper reduction, and depositing a dielectric layer on a semiconductor device | |
| JP2000164712A (ja) | 電子装置の製造方法 | |
| US5873983A (en) | Method for minimizing substrate to clamp sticking during thermal processing of thermally flowable layers | |
| JP2730499B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62221120A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03184329A (ja) | 半導体装置の製造方法 |