JP2959373B2 - 基板へのスパッタ方法及びスパッタ装置 - Google Patents
基板へのスパッタ方法及びスパッタ装置Info
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- JP2959373B2 JP2959373B2 JP35088193A JP35088193A JP2959373B2 JP 2959373 B2 JP2959373 B2 JP 2959373B2 JP 35088193 A JP35088193 A JP 35088193A JP 35088193 A JP35088193 A JP 35088193A JP 2959373 B2 JP2959373 B2 JP 2959373B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程等
に用いられるスパッタ方法及びスパッタ装置に関し、特
に、多層配線の配線用金属形成に用いられるスパッタ方
法及びスパッタ装置に関する。
に用いられるスパッタ方法及びスパッタ装置に関し、特
に、多層配線の配線用金属形成に用いられるスパッタ方
法及びスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）におい
ては、配線構造は多層化が進んでいる。このような多層
配線構造を形成するのにスパッタ装置が用いられる。
ては、配線構造は多層化が進んでいる。このような多層
配線構造を形成するのにスパッタ装置が用いられる。
【０００３】たとえば、多層配線構造は、図６の（Ａ）
に示すように、半導体基板６１上に第１層のアルミニウ
ム層６２を形成し、その上に層間絶縁層６３を形成し、
次に、層間絶縁層６３にスルーホール６４を開孔する。
この状態で第１層のアルミニウム層６２に自然酸化層６
５が形成されているので、スパッタ装置内のＲＦ（Ｒａ
ｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）プラズマエッチング室に
おいてＡｒガスをプラズマ化してエッチング除去する。
その後、図６の（Ｂ）に示すように、同一スパッタ装置
内のスパッタ室において第２層のアルミニウム層６６を
スパッタ成膜する。これにより、第１層のアルミニウム
層６２と第２層のアルミニウム層６６との間には安定な
スルーホール抵抗が得られる。
に示すように、半導体基板６１上に第１層のアルミニウ
ム層６２を形成し、その上に層間絶縁層６３を形成し、
次に、層間絶縁層６３にスルーホール６４を開孔する。
この状態で第１層のアルミニウム層６２に自然酸化層６
５が形成されているので、スパッタ装置内のＲＦ（Ｒａ
ｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）プラズマエッチング室に
おいてＡｒガスをプラズマ化してエッチング除去する。
その後、図６の（Ｂ）に示すように、同一スパッタ装置
内のスパッタ室において第２層のアルミニウム層６６を
スパッタ成膜する。これにより、第１層のアルミニウム
層６２と第２層のアルミニウム層６６との間には安定な
スルーホール抵抗が得られる。
【０００４】上述の多層配線構造を形成するためのスパ
ッタ装置は、一般に、図７に示すごとく、半導体基板
（この場合、ウエハ）をロードするためのロードロック
室７１、基板を加熱して吸着した水分を予め放出させる
ためのデガス室７２、スパッタ前に基板をエッチングす
るためのＲＦプラズマエッチング室７３、スパッタリン
グを行う複数のスパッタ室７４−１、７４−２、及びこ
れら各室を接続して真空を破らずに基板を搬送させるた
めの搬送室７５を構えている。これにより、多層の配線
構造を形成できる。
ッタ装置は、一般に、図７に示すごとく、半導体基板
（この場合、ウエハ）をロードするためのロードロック
室７１、基板を加熱して吸着した水分を予め放出させる
ためのデガス室７２、スパッタ前に基板をエッチングす
るためのＲＦプラズマエッチング室７３、スパッタリン
グを行う複数のスパッタ室７４−１、７４−２、及びこ
れら各室を接続して真空を破らずに基板を搬送させるた
めの搬送室７５を構えている。これにより、多層の配線
構造を形成できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図７のスパッタ装置を
用いて多層配線構造を形成した場合の基板（ウエハ）温
度を図８の曲線Ａに示すと、時間ｔ1〜ｔ2において、基
板をデガス室７２にて加熱して予め基板に吸着した水分
を放出させる。これにより、次のＲＦプラズマエッチン
グ工程後の自然酸化層の成膜を抑止する。次に、時間ｔ
2〜ｔ3において、基板をデガス室７２から搬送室７５を
介してＲＦプラズマエッチング室７３に移すが、この場
合、搬送室７５も真空のために基板温度は余り下がらな
い。次に、時間ｔ3〜ｔ4においてＲＦプラズマエッチン
グ室７３において基板をエッチングして図６の自然酸化
層６５をエッチング除去するが、基板はプラズマからの
熱により上昇し、この場合、デガス時の温度よりも上昇
する。この結果、基板から再び水分放出が起こり、スパ
ッタ前に自然酸化層が再形成されてしまう。また、時間
ｔ4〜ｔ5においては、基板はＲＦプラズマエッチング室
７３から搬送室７５を介してスパッタ室７４−１に移さ
れ、時間ｔ5〜ｔ6において、スパッタ室７４−１におい
てスパッタが行われ、基板温度は図示のごとく変化し、
スパッタ時においても水分放出がある。
用いて多層配線構造を形成した場合の基板（ウエハ）温
度を図８の曲線Ａに示すと、時間ｔ1〜ｔ2において、基
板をデガス室７２にて加熱して予め基板に吸着した水分
を放出させる。これにより、次のＲＦプラズマエッチン
グ工程後の自然酸化層の成膜を抑止する。次に、時間ｔ
2〜ｔ3において、基板をデガス室７２から搬送室７５を
介してＲＦプラズマエッチング室７３に移すが、この場
合、搬送室７５も真空のために基板温度は余り下がらな
い。次に、時間ｔ3〜ｔ4においてＲＦプラズマエッチン
グ室７３において基板をエッチングして図６の自然酸化
層６５をエッチング除去するが、基板はプラズマからの
熱により上昇し、この場合、デガス時の温度よりも上昇
する。この結果、基板から再び水分放出が起こり、スパ
ッタ前に自然酸化層が再形成されてしまう。また、時間
ｔ4〜ｔ5においては、基板はＲＦプラズマエッチング室
７３から搬送室７５を介してスパッタ室７４−１に移さ
れ、時間ｔ5〜ｔ6において、スパッタ室７４−１におい
てスパッタが行われ、基板温度は図示のごとく変化し、
スパッタ時においても水分放出がある。
【０００６】このように、デガス処理を行った後のＲＦ
エッチング後においても基板からの水分放出により自然
酸化層が形成される。特に、層間絶縁層として塗布絶縁
層（ＳＯＧ）等の吸湿性の大きいものを使用すると、水
分放出量が多くなり、この結果、多層配線の第１層が酸
化されて自然酸化層が形成される。この結果、スルーホ
ール抵抗がばらついたり、あるいは大きくなるという課
題がある。この場合の水分放出量はデガス処理を行わな
い場合に比較してわずかな量であるが、微細なスルーホ
ールの場合には顕著な影響がある。
エッチング後においても基板からの水分放出により自然
酸化層が形成される。特に、層間絶縁層として塗布絶縁
層（ＳＯＧ）等の吸湿性の大きいものを使用すると、水
分放出量が多くなり、この結果、多層配線の第１層が酸
化されて自然酸化層が形成される。この結果、スルーホ
ール抵抗がばらついたり、あるいは大きくなるという課
題がある。この場合の水分放出量はデガス処理を行わな
い場合に比較してわずかな量であるが、微細なスルーホ
ールの場合には顕著な影響がある。
【０００７】なお、デガス時の基板温度を、図８の曲線
Ｂのごとく、たとえ高くしても、ＲＦエッチング後の基
板温度はデガス時の基板温度を越えるために、自然酸化
層の形成抑止効果は少ない。また、デガス処理時間を長
くしても、同様に、自然酸化層の形成抑止効果は少な
い。
Ｂのごとく、たとえ高くしても、ＲＦエッチング後の基
板温度はデガス時の基板温度を越えるために、自然酸化
層の形成抑止効果は少ない。また、デガス処理時間を長
くしても、同様に、自然酸化層の形成抑止効果は少な
い。
【０００８】また、ＲＦプラズマエッチング工程におけ
るたとえばアノードカップル型ＲＦプラズマエッチング
室のアノードを液体窒素で冷却することが知られている
（参照：特開平２−３０９６３２号公報）。すなわち、
図９に示すごとく、ＲＦプラズマエッチング室には、基
板（ウエハ）１を装着する基板ホールダとしてのカソー
ド２及びアノード３が設けられており、この場合、カソ
ード２は接地され、アノード３は高周波電源４に接続さ
れている。このアノード３に液体窒素流入口３ａ及び液
体窒素流出口３ｂを設けて液体窒素を流し、基板１から
放出されたプラズマ中の水分をアノード３に吸着しよう
とするものである。なお、５はシールド（絶縁部）、６
はＡｒガス導入口、７は真空排気口である。しかしなが
ら、水分は配線金属にきわめて近い層間絶縁層から放出
されるので、プラズマ中の水分をアノードに吸着させて
も、自然酸化層の形成抑制効果はなく、また、スパッタ
中については対策されていない。
るたとえばアノードカップル型ＲＦプラズマエッチング
室のアノードを液体窒素で冷却することが知られている
（参照：特開平２−３０９６３２号公報）。すなわち、
図９に示すごとく、ＲＦプラズマエッチング室には、基
板（ウエハ）１を装着する基板ホールダとしてのカソー
ド２及びアノード３が設けられており、この場合、カソ
ード２は接地され、アノード３は高周波電源４に接続さ
れている。このアノード３に液体窒素流入口３ａ及び液
体窒素流出口３ｂを設けて液体窒素を流し、基板１から
放出されたプラズマ中の水分をアノード３に吸着しよう
とするものである。なお、５はシールド（絶縁部）、６
はＡｒガス導入口、７は真空排気口である。しかしなが
ら、水分は配線金属にきわめて近い層間絶縁層から放出
されるので、プラズマ中の水分をアノードに吸着させて
も、自然酸化層の形成抑制効果はなく、また、スパッタ
中については対策されていない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、基板にデガス処理及びプラズマエッチン
グ処理を施した後にスパッタ処理を行う基板へのスパッ
タ方法において、基板を冷却することにより、デガス処
理の終了からスパッタ処理の終了までの間は基板の温度
をデガス処理時の基板の温度より低く保持するようにし
たものである。
めに本発明は、基板にデガス処理及びプラズマエッチン
グ処理を施した後にスパッタ処理を行う基板へのスパッ
タ方法において、基板を冷却することにより、デガス処
理の終了からスパッタ処理の終了までの間は基板の温度
をデガス処理時の基板の温度より低く保持するようにし
たものである。
【００１０】
【作用】上述の手段によれば、エッチング処理中及びス
パッタ処理中における基板からの水分の放出は抑制され
る。
パッタ処理中における基板からの水分の放出は抑制され
る。
【００１１】
【作用】上述の手段によれば、エッチング中の基板が直
接冷却される。
接冷却される。
【００１２】
【実施例】図１は本発明に係るスパッタ装置の第１の実
施例を示す断面図であって、ＲＦプラズマエッチング室
を示す。図１においては、エッチング室壁面は接地され
ており、基板ホールダ２が高周波電源４に接続されてい
る。
施例を示す断面図であって、ＲＦプラズマエッチング室
を示す。図１においては、エッチング室壁面は接地され
ており、基板ホールダ２が高周波電源４に接続されてい
る。
【００１３】また、図１の基板ホールダ２内には冷却水
配管８を設け、これに冷却水を流すことにより、基板１
を直接冷却する。さらに、基板ホールダ２においては、
基板抑え２ａにより基板１を抑え付けると共に、基板１
の裏面側よりＡｒガス導入口９よりＡｒガスを導入する
ことにより基板１と基板ホールダ２との結合を強くす
る。たとえば、エッチング室の内圧は８ｍＴｏｒｒであ
るのに対し、Ａｒガスの導入により基板１と基板ホール
ダ２との間のガス圧力は数１００ｍＴｏｒｒとなり、こ
の結果、基板１の熱は基板ホールダ２にすみやかに伝達
することになる。
配管８を設け、これに冷却水を流すことにより、基板１
を直接冷却する。さらに、基板ホールダ２においては、
基板抑え２ａにより基板１を抑え付けると共に、基板１
の裏面側よりＡｒガス導入口９よりＡｒガスを導入する
ことにより基板１と基板ホールダ２との結合を強くす
る。たとえば、エッチング室の内圧は８ｍＴｏｒｒであ
るのに対し、Ａｒガスの導入により基板１と基板ホール
ダ２との間のガス圧力は数１００ｍＴｏｒｒとなり、こ
の結果、基板１の熱は基板ホールダ２にすみやかに伝達
することになる。
【００１４】図１のＲＦプラズマエッチング室を図７の
スパッタ装置に適用した場合の図６に示す半導体装置
（基板）の製造工程を図２を参照して説明する。時間ｔ
1〜ｔ2において、図６の（Ａ）に示す基板１をデガス室
７２にて２００°Ｃに加熱して基板１からガスを脱く。
次に、時間ｔ2〜ｔ3において、基板１をデガス室７２か
ら搬送室７５を介して図１のＲＦプラズマエッチング室
に移すが、この場合、搬送室７５も真空のために基板温
度は余り下がらない。時間ｔ3〜ｔ4においては、図１の
ＲＦプラズマエッチング室において基板１をエッチング
して図６の（Ａ）に示す自然酸化層６５をエッチング除
去する。このときのエッチング条件は、エッチング室内
圧を８ｍＴｏｒｒ、高周波電源４のパワーを１ＫＷとす
る。これにより、膜厚２００Å程度の自然酸化層６５を
除去する。また、同時に、冷却水を冷却水配管８に流す
ので、基板温度はほとんど上昇しない。この結果、基板
１からの水分の再放出はなく、基板１は清浄な表面を維
持する。
スパッタ装置に適用した場合の図６に示す半導体装置
（基板）の製造工程を図２を参照して説明する。時間ｔ
1〜ｔ2において、図６の（Ａ）に示す基板１をデガス室
７２にて２００°Ｃに加熱して基板１からガスを脱く。
次に、時間ｔ2〜ｔ3において、基板１をデガス室７２か
ら搬送室７５を介して図１のＲＦプラズマエッチング室
に移すが、この場合、搬送室７５も真空のために基板温
度は余り下がらない。時間ｔ3〜ｔ4においては、図１の
ＲＦプラズマエッチング室において基板１をエッチング
して図６の（Ａ）に示す自然酸化層６５をエッチング除
去する。このときのエッチング条件は、エッチング室内
圧を８ｍＴｏｒｒ、高周波電源４のパワーを１ＫＷとす
る。これにより、膜厚２００Å程度の自然酸化層６５を
除去する。また、同時に、冷却水を冷却水配管８に流す
ので、基板温度はほとんど上昇しない。この結果、基板
１からの水分の再放出はなく、基板１は清浄な表面を維
持する。
【００１５】時間ｔ4〜ｔ5においては、清浄な表面を維
持した状態の基板１が図１のＲＦプラズマエッチング室
から搬送室７５を介してスパッタ室７４−１に移され、
時間ｔ5〜ｔ6において、スパッタ室７４−１にてスパッ
タが行われ、図６の（Ｂ）に示す半導体装置が得られ
る。この場合も、基板温度はデガス時より上昇せず、従
って、水分の再放出はない。
持した状態の基板１が図１のＲＦプラズマエッチング室
から搬送室７５を介してスパッタ室７４−１に移され、
時間ｔ5〜ｔ6において、スパッタ室７４−１にてスパッ
タが行われ、図６の（Ｂ）に示す半導体装置が得られ
る。この場合も、基板温度はデガス時より上昇せず、従
って、水分の再放出はない。
【００１６】図３は本発明に係るスパッタ装置の第２の
実施例を示し、ＲＦプラズマエッチング室の基板ホール
ダ２の部分のみを示す。すなわち、基板ホールダ２内に
静電吸着用電極１０を設け、これに静電吸着用電源１１
の電圧を印加し、これにより、基板１を静電吸着により
基板ホールダ２に接触させる。従って、第１の実施例の
ごとく基板抑え２ａ等による機械的な方法によって基板
１を保持していないため、その部分の微妙な調整を必要
とせず、搬送の不具合や冷却効率の不安定さがない。
実施例を示し、ＲＦプラズマエッチング室の基板ホール
ダ２の部分のみを示す。すなわち、基板ホールダ２内に
静電吸着用電極１０を設け、これに静電吸着用電源１１
の電圧を印加し、これにより、基板１を静電吸着により
基板ホールダ２に接触させる。従って、第１の実施例の
ごとく基板抑え２ａ等による機械的な方法によって基板
１を保持していないため、その部分の微妙な調整を必要
とせず、搬送の不具合や冷却効率の不安定さがない。
【００１７】図４は本発明に係るスパッタ装置の第３の
実施例を示し、各室間を基板１を搬送するための搬送部
材を示す。この搬送部材においては、アーム２１に基板
１を保持するための基板ホールダ２’を設ける。また、
基板ホールダ２’内には静電吸着用電極２２を設け、こ
れに静電吸着用電源２３の電圧を印加し、これにより、
第２の実施例と同様に、基板１を静電吸着により基板ホ
ールダ２’に接触させる。さらに、基板ホールダ２’に
は、ペルティエ素子２４が埋め込められており、これに
熱吸収が起こるように電流を流すことにより、基板１の
搬送中の冷却を行う。
実施例を示し、各室間を基板１を搬送するための搬送部
材を示す。この搬送部材においては、アーム２１に基板
１を保持するための基板ホールダ２’を設ける。また、
基板ホールダ２’内には静電吸着用電極２２を設け、こ
れに静電吸着用電源２３の電圧を印加し、これにより、
第２の実施例と同様に、基板１を静電吸着により基板ホ
ールダ２’に接触させる。さらに、基板ホールダ２’に
は、ペルティエ素子２４が埋め込められており、これに
熱吸収が起こるように電流を流すことにより、基板１の
搬送中の冷却を行う。
【００１８】図４の搬送部材を図７のスパッタ装置に適
用した場合の図６に示す半導体装置（基板）の製造工程
を図５を参照して説明する。時間ｔ1〜ｔ2において、図
６の（Ａ）に示す基板１をデガス室７２にて２００°Ｃ
に加熱して基板１からガスを脱く。次に、時間ｔ2〜ｔ3
において、基板１をデガス室７２から搬送室７５を介し
て図１のＲＦプラズマエッチング室に移すが、この場
合、図４の搬送部材により冷却されるために基板温度は
低下する。時間ｔ3〜ｔ4においては、ＲＦプラズマエッ
チング室７３において基板１をエッチングして図６の
（Ａ）に示す自然酸化層６５をエッチング除去する。こ
のとき、基板１はプラズマからの熱により上昇するが、
デガス時の温度より低い。この結果、基板１からの水分
の再放出はなく、基板１は清浄な表面を維持する。
用した場合の図６に示す半導体装置（基板）の製造工程
を図５を参照して説明する。時間ｔ1〜ｔ2において、図
６の（Ａ）に示す基板１をデガス室７２にて２００°Ｃ
に加熱して基板１からガスを脱く。次に、時間ｔ2〜ｔ3
において、基板１をデガス室７２から搬送室７５を介し
て図１のＲＦプラズマエッチング室に移すが、この場
合、図４の搬送部材により冷却されるために基板温度は
低下する。時間ｔ3〜ｔ4においては、ＲＦプラズマエッ
チング室７３において基板１をエッチングして図６の
（Ａ）に示す自然酸化層６５をエッチング除去する。こ
のとき、基板１はプラズマからの熱により上昇するが、
デガス時の温度より低い。この結果、基板１からの水分
の再放出はなく、基板１は清浄な表面を維持する。
【００１９】時間ｔ4〜ｔ5においては、清浄な表面を維
持した状態の基板１がＲＦプラズマエッチング室７３か
ら搬送室７５を介してスパッタ室７４−１に移され、こ
の場合、図４の搬送部材により冷却されるので、基板温
度は低下する。さらに、時間ｔ5〜ｔ6において、スパッ
タ室７４−１にてスパッタが行われ、図６の（Ｂ）に示
す半導体装置が得られる。この場合も、基板温度はデガ
ス時より上昇せず、従って、水分の再放出はない。
持した状態の基板１がＲＦプラズマエッチング室７３か
ら搬送室７５を介してスパッタ室７４−１に移され、こ
の場合、図４の搬送部材により冷却されるので、基板温
度は低下する。さらに、時間ｔ5〜ｔ6において、スパッ
タ室７４−１にてスパッタが行われ、図６の（Ｂ）に示
す半導体装置が得られる。この場合も、基板温度はデガ
ス時より上昇せず、従って、水分の再放出はない。
【００２０】第３の実施例においては、搬送中に基板を
冷却するために、ＲＦプラズマエッチング室において冷
却のための時間をとる必要がないので、スループットの
点で第１、第２の実施例より有利である。また、第１も
しくは第２の実施例であるＲＦプラズマエッチング室と
第３の実施例である搬送部材とを組合わせることもでき
る。この場合には、図５の点線で示すごとく、基板温度
はさらに低くなり、デガス時の温度より上昇することは
ない。なお、第１、第２の実施例における冷却用媒体は
水以外にもなし得る。
冷却するために、ＲＦプラズマエッチング室において冷
却のための時間をとる必要がないので、スループットの
点で第１、第２の実施例より有利である。また、第１も
しくは第２の実施例であるＲＦプラズマエッチング室と
第３の実施例である搬送部材とを組合わせることもでき
る。この場合には、図５の点線で示すごとく、基板温度
はさらに低くなり、デガス時の温度より上昇することは
ない。なお、第１、第２の実施例における冷却用媒体は
水以外にもなし得る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
パッタ前のエッチング時における基板からの水分放出量
を少なくでき、従って、これにより得られる多層配線構
造のスルーホール抵抗がばらついたり、大きくなったり
しない。
パッタ前のエッチング時における基板からの水分放出量
を少なくでき、従って、これにより得られる多層配線構
造のスルーホール抵抗がばらついたり、大きくなったり
しない。
【図１】本発明に係るスパッタ装置の第１の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１の動作を説明する基板温度のタイミング図
である。
である。
【図３】本発明に係るスパッタ装置の第２の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】本発明に係るスパッタ装置の第３の実施例を示
す断面図及び平面図である。
す断面図及び平面図である。
【図５】図４の動作を説明する基板温度のタイミング図
である。
である。
【図６】多層配線を説明する断面図である。
【図７】一般的なスパッタ装置を示す図である。
【図８】図７の動作を説明する基板温度のタイミング図
である。
である。
【図９】従来のＲＦプラズマエッチング室を示す断面図
である。
である。
１…基板（ウエハ） ２、２’…カソード ３…アノード ３ａ…液体窒素流入口 ３ｂ…液体窒素流出口 ８…冷却水配管 ９…Ａｒガス導入口 １０…静電吸着用電極 １１…静電吸着用電源 ２１…搬送アーム ２２…静電吸着用電極 ２３…静電吸着用電源 ２４…ペルティエ素子 ５１…半導体基板 ５２…第１層のアルミニウム層 ５３…層間絶縁層 ５４…スルーホール ５５…自然酸化層 ５６…第２層のアルミニウム層 ７１…ロードロック室 ７２…デガス室 ７３…ＲＦプラズマエッチング室 ７４−１、７４−２…スパッタ室 ７５…搬送室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｐ 21/68 21/302 Ｂ
Claims (5)
- 【請求項１】 基板（１）にデガス処理及びプラズマエ
ッチング処理を施した後にスパッタ処理を行う基板への
スパッタ方法において、 前記基板を冷却することにより、前記デガス処理の終了
から前記スパッタ処理の終了までの間は前記基板の温度
を前記デガス処理時の前記基板の温度より低く保持する
ことを特徴とする基板へのスパッタ方法。 - 【請求項２】 前記基板にプラズマエッチング処理を施
しているときに前記基板を冷却する請求項１に記載の基
板へのスパッタ方法。 - 【請求項３】 前記デガス処理、前記プラズマエッチン
グ処理及び前記スパッタ処理の各処理間の搬送中に前記
基板を冷却する請求項１または２に記載の基板へのスパ
ッタ方法。 - 【請求項４】 スパッタ処理前の基板をエッチングする
ためのエッチング室を具備するスパッタ装置において、 前記エッチング室の基板ホールダに前記基板を冷却する
ための冷却機構（８）を設け、該冷却機構には前記基板
と前記基板ホールダとの間にＡｒガスを導入する手段
（９）を設けたことを特徴とするスパッタ装置。 - 【請求項５】 デガス室（７２）、エッチング室（７
３）及びスパッタ室（７４−１，…）を具備するスパッ
タ装置において、 基板（１）を前記室間で搬送する搬送部材に前記基板を
冷却する冷却機構を設け、該冷却機構はペルティエ素子
に通電することにより前記基板を冷却することを特徴と
するスパッタ装置。
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|---|---|---|---|
| JP35088193A JP2959373B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 基板へのスパッタ方法及びスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35088193A JP2959373B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 基板へのスパッタ方法及びスパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07188915A JPH07188915A (ja) | 1995-07-25 |
| JP2959373B2 true JP2959373B2 (ja) | 1999-10-06 |
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ID=18413532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35088193A Expired - Fee Related JP2959373B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 基板へのスパッタ方法及びスパッタ装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2959373B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016056391A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の温度制御機構、及び多層膜から窒化膜を選択的にエッチングする方法 |
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| JP6480823B2 (ja) | 2015-07-23 | 2019-03-13 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS4940283A (ja) * | 1972-08-24 | 1974-04-15 | ||
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-
1993
- 1993-12-27 JP JP35088193A patent/JP2959373B2/ja not_active Expired - Fee Related
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