JPS62273514A - Ec素子用電極の製造方法 - Google Patents
Ec素子用電極の製造方法Info
- Publication number
- JPS62273514A JPS62273514A JP61116894A JP11689486A JPS62273514A JP S62273514 A JPS62273514 A JP S62273514A JP 61116894 A JP61116894 A JP 61116894A JP 11689486 A JP11689486 A JP 11689486A JP S62273514 A JPS62273514 A JP S62273514A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- lower electrode
- take
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 206010063836 Atrioventricular septal defect Diseases 0.000 description 20
- 238000001211 electron capture detection Methods 0.000 description 20
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 229920001817 Agar Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910017583 La2O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWPVWIXXVIZIJM-UHFFFAOYSA-N [Sn]=O.[Ir]=O Chemical compound [Sn]=O.[Ir]=O BWPVWIXXVIZIJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000008272 agar Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRXCDHOLJPJLLT-UHFFFAOYSA-N butane-2-sulfonic acid Chemical compound CCC(C)S(O)(=O)=O BRXCDHOLJPJLLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229940110676 inzo Drugs 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IUJMNDNTFMJNEL-UHFFFAOYSA-K iridium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ir+3] IUJMNDNTFMJNEL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000007785 strong electrolyte Substances 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(II) oxide Inorganic materials [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エレクトロクロミック素子(以下、「エレク
トロクロミック」をECと略称し、EC素子をECDと
略称する)用電極の新規な製造方法に関するものである
。
トロクロミック」をECと略称し、EC素子をECDと
略称する)用電極の新規な製造方法に関するものである
。
ECDは、一般には少なくとも一方が透明な一対の電極
層とそれらの間にサンドインチされたEC層からなる。
層とそれらの間にサンドインチされたEC層からなる。
このECDは、乾電池から得られる程度の電圧を一対の
電極間に印加すると、発色し、逆の電圧を印加すると消
色して元の無色透明に戻る。そのためECDは表示装置
特に「日」の字型のセブンセグメントを用いた数字表示
袋τ、透過又は反射光量の制御装置、その他に利用すべ
く盛んに研究されている。
電極間に印加すると、発色し、逆の電圧を印加すると消
色して元の無色透明に戻る。そのためECDは表示装置
特に「日」の字型のセブンセグメントを用いた数字表示
袋τ、透過又は反射光量の制御装置、その他に利用すべ
く盛んに研究されている。
EC材料例えばWO2が発色するには、電子(e” )
とカチオン(X−)の同時注入が必要とされ、発色・消
色に伴う反応式は、次のように信じられている。
とカチオン(X−)の同時注入が必要とされ、発色・消
色に伴う反応式は、次のように信じられている。
消色状態:WO3+n e −+nX”↑ ↓
発色状態:Xn9VOコ
そして、カチオン(X ) としては、イオン半径
の小さく移動の容易なHやLl が主として利用されて
いる。カチオン(X )は常時カチオンである必要は
なく、電圧が印刀口さn電場が形成されたときカチオン
が生じればよいので、特にH+の場合には水がカチオン
供給源として使用される。
の小さく移動の容易なHやLl が主として利用されて
いる。カチオン(X )は常時カチオンである必要は
なく、電圧が印刀口さn電場が形成されたときカチオン
が生じればよいので、特にH+の場合には水がカチオン
供給源として使用される。
水は也く微量で充分であるらしく、ECDを大気中ジこ
ざらしたときに大気中から自然(こ層内に侵入する程度
の水分でしばしば間に合う。
ざらしたときに大気中から自然(こ層内に侵入する程度
の水分でしばしば間に合う。
しかしながら、単にWO3層を一対の電極で挾んで電圧
を印刀口して発色させても、容易に消色することが出来
ない。何故ならば、消色しようとして逆電圧を03口し
ても陰極に接した電俣測から電子(e″″〕 が流入し
でくるので、もしH+があnば、 WO3+n e −+ n H” −+Hn WO3の
反応が起こって発色するからである。
を印刀口して発色させても、容易に消色することが出来
ない。何故ならば、消色しようとして逆電圧を03口し
ても陰極に接した電俣測から電子(e″″〕 が流入し
でくるので、もしH+があnば、 WO3+n e −+ n H” −+Hn WO3の
反応が起こって発色するからである。
そのため、S、に、Debらは、WO3層と一方の電極
との間に絶縁層例えば5ins 、MgF2 を設け
たECDを提案した(特公昭52−46098)。
との間に絶縁層例えば5ins 、MgF2 を設け
たECDを提案した(特公昭52−46098)。
この絶縁層は、 −゛ 電子
の移動はできないが、H+やOH−のようなイオンの移
動は自由であり、このH+やOH−イオンが電気を運び
(この意味で絶縁層と呼ぶのは誤りでイオン導電層と呼
ぶのが正しい)、OH−イオンが陽極との界蘭で OH−→1/ 2 H20+ 1/ 402 t +
e ’″の反応式に従って反応し、電子を陽柩側に放出
しているものと思われる。
動は自由であり、このH+やOH−イオンが電気を運び
(この意味で絶縁層と呼ぶのは誤りでイオン導電層と呼
ぶのが正しい)、OH−イオンが陽極との界蘭で OH−→1/ 2 H20+ 1/ 402 t +
e ’″の反応式に従って反応し、電子を陽柩側に放出
しているものと思われる。
つまり1発色時には、
陰裡側: WO3+ n e−+ n H+−+HnW
O3陽極側:noH−→n/2H20+n/4o2↑+
ne−という反応が推定され、消色時には、 陽項側: HnWO3−>WO3+n e−+nH”陰
裡側: nH2O+ne−−+n0H−+n/2H2↑
という反応が生じているものと推定されている。
O3陽極側:noH−→n/2H20+n/4o2↑+
ne−という反応が推定され、消色時には、 陽項側: HnWO3−>WO3+n e−+nH”陰
裡側: nH2O+ne−−+n0H−+n/2H2↑
という反応が生じているものと推定されている。
これらの式からも明らかであるが、現実にもS、に、D
ebらのBCDは、発色・消色の℃動;こより水が消費
されるので大気中から速やカ督こ水が供給さnないと発
色しなくなり、また駆動に伴って02やH2ガスが放出
されるので層間剥、錐を生しるという欠点がある。
ebらのBCDは、発色・消色の℃動;こより水が消費
されるので大気中から速やカ督こ水が供給さnないと発
色しなくなり、また駆動に伴って02やH2ガスが放出
されるので層間剥、錐を生しるという欠点がある。
そのため、Y、Takahashi らは、イオン導
電層とt顆層との間に酸化発色性ECPIIを設けたE
ODを提案した(特開昭56−4679)。このECD
は酸化発色性EC層として例えば水酸化イリジウムを使
用したもので、WO3の発色時iこ陽極側で主として 無色透明:rr(OH)m+n(OF(−)着色: I
r(OH)p−qH20+rH20+5(e−) と反応し、WO3の消色時(ζは陰罹因りて主おしてI
r (OH) p −OH20+rH20+s (e
−) ↓ I r (OH)m+n (OH−) と反応するものと推定されている。従って、水が再生さ
れるので消費されてなくなることがなく、また駆動(こ
伴って02やH2ガスが放出されることもない。
電層とt顆層との間に酸化発色性ECPIIを設けたE
ODを提案した(特開昭56−4679)。このECD
は酸化発色性EC層として例えば水酸化イリジウムを使
用したもので、WO3の発色時iこ陽極側で主として 無色透明:rr(OH)m+n(OF(−)着色: I
r(OH)p−qH20+rH20+5(e−) と反応し、WO3の消色時(ζは陰罹因りて主おしてI
r (OH) p −OH20+rH20+s (e
−) ↓ I r (OH)m+n (OH−) と反応するものと推定されている。従って、水が再生さ
れるので消費されてなくなることがなく、また駆動(こ
伴って02やH2ガスが放出されることもない。
そのほか、EC層と7Jチウム固体電解質層とを組み合
わせたもの、EC層とプロトン含有又はプ四 ロトン放出性固不ないし半箒体樹脂層とを組み合わせた
ものもある。
わせたもの、EC層とプロトン含有又はプ四 ロトン放出性固不ないし半箒体樹脂層とを組み合わせた
ものもある。
いす乙にせよ、ECDの信頌注+itj久住の点からE
ODを封止することが必要である。特ζこ水をプロトン
供給源とするBCDIこあっては、水を逃かさないよう
;こする意味から封止することが必要である。封止には
一般(こエポキシ樹脂、その他の樹脂が愛用さnる〇 ところでEOD%封止した場合、一対の電砥層に駆動電
源を供給しなければならないところから、。
ODを封止することが必要である。特ζこ水をプロトン
供給源とするBCDIこあっては、水を逃かさないよう
;こする意味から封止することが必要である。封止には
一般(こエポキシ樹脂、その他の樹脂が愛用さnる〇 ところでEOD%封止した場合、一対の電砥層に駆動電
源を供給しなければならないところから、。
各々一部(取出し部という)を封止領域から露出してお
り、そこ(こ外部からの配線をボンディングする。
り、そこ(こ外部からの配線をボンディングする。
ところで、従来のECDのある種のものは、基板上に第
1層として上部電極(A)の取出し部(C)と、それと
隔てて下部電極(B)及び下部電極に連続した下部電極
の取出し部(Bl)が形成されている。この電極を製造
する方法としては、従来、+11一旦基板表面の全体又
はほぼ全体に電極層を形成した後、ホトエツチングによ
りパターニングするか、又は(2)電極層を直接マスク
蒸着するかのいずれかの方法であった。
1層として上部電極(A)の取出し部(C)と、それと
隔てて下部電極(B)及び下部電極に連続した下部電極
の取出し部(Bl)が形成されている。この電極を製造
する方法としては、従来、+11一旦基板表面の全体又
はほぼ全体に電極層を形成した後、ホトエツチングによ
りパターニングするか、又は(2)電極層を直接マスク
蒸着するかのいずれかの方法であった。
しかしながら、(1)の方法は、ホトレジストの塗布→
パターンの露光→現像によるホトレジストのパターニン
グ−エツチング−洗浄−乾燥という複雑な工程を要し、
そのため製造コストが高くなり製造時間が長くなるとい
う問題点があった。また、上部電極(A)の取出し部(
C)と下部電極(B)との間の溝を細くしようとすると
、精田なマスクパターンが必要になるが、そのようなマ
スクパターンの作成は難しく、従って、いきおい溝は太
くならざるを得ないという問題点があった。
パターンの露光→現像によるホトレジストのパターニン
グ−エツチング−洗浄−乾燥という複雑な工程を要し、
そのため製造コストが高くなり製造時間が長くなるとい
う問題点があった。また、上部電極(A)の取出し部(
C)と下部電極(B)との間の溝を細くしようとすると
、精田なマスクパターンが必要になるが、そのようなマ
スクパターンの作成は難しく、従って、いきおい溝は太
くならざるを得ないという問題点があった。
また、レジストむらができる、エツチングむらができる
、細い溝の場合に修正ができないなどの問題点があった
。
、細い溝の場合に修正ができないなどの問題点があった
。
一方、(2)の方法は、細い溝の形成が困難なばかりで
なく、溝の線が不揃いで美観が劣るという問題点があっ
た。
なく、溝の線が不揃いで美観が劣るという問題点があっ
た。
そのため、本発明では、一旦基板表面の全体又はほぼ全
体に電極層を形成した後、レーザーカッティングにより
上部電極の取出し部(C)と下部電極(B)との間の溝
(又は間隔)を形成する。
体に電極層を形成した後、レーザーカッティングにより
上部電極の取出し部(C)と下部電極(B)との間の溝
(又は間隔)を形成する。
これにより、上部電極(A)の取出し部(C)と、それ
と隔てて位置する下部を極(B)及び下部電極に連続し
たその取出し部(B1)が製造される。
と隔てて位置する下部を極(B)及び下部電極に連続し
たその取出し部(B1)が製造される。
上部電極の取出し部(C)と下部電極(B)との間の溝
の幅は、0.1mn+以下にすることが好ましい。外部
配線とのボンディングの都合上、上部電極(A)の電極
取出し部(C)の幅を小さくすることは出来ないので、
電極取出し部(C)と下部電極(B)との間隔を0.1
nua以下にすることにより、下部電極(B)を取出し
部(C)側に近づけることができ、それだけ表示部の面
積を大きくすることができる。なお、余り狭くすると両
者の間で短絡する恐れがあるので30Itm以上の幅に
することが好ましい。
の幅は、0.1mn+以下にすることが好ましい。外部
配線とのボンディングの都合上、上部電極(A)の電極
取出し部(C)の幅を小さくすることは出来ないので、
電極取出し部(C)と下部電極(B)との間隔を0.1
nua以下にすることにより、下部電極(B)を取出し
部(C)側に近づけることができ、それだけ表示部の面
積を大きくすることができる。なお、余り狭くすると両
者の間で短絡する恐れがあるので30Itm以上の幅に
することが好ましい。
本発明に使用される電極(A)、(B)並びに取り出し
部(C)、(B1)の材料としては、AI、A g %
N i SP t % A u 1P d % Cr
−。
部(C)、(B1)の材料としては、AI、A g %
N i SP t % A u 1P d % Cr
−。
I r、、Ru、Rhなどの金属、Sn0!、Inz○
x 、I To (S n OfとInzO=の混合物
)などの透明導電性酸化物、炭素などが選択使用される
。
x 、I To (S n OfとInzO=の混合物
)などの透明導電性酸化物、炭素などが選択使用される
。
電極の形成ないし積層性としては、一般には真空蒸着、
反応性薄着、イオンブレーティング、反応性イオンブレ
ーティング、スパッタリング、反応性スパッタリング、
CVDなどの薄膜形成法が用いられる。場合によっては
、厚膜法(有機金属化合物例えば金属アルコラード又は
そのオリゴマ形成してもよい。
反応性薄着、イオンブレーティング、反応性イオンブレ
ーティング、スパッタリング、反応性スパッタリング、
CVDなどの薄膜形成法が用いられる。場合によっては
、厚膜法(有機金属化合物例えば金属アルコラード又は
そのオリゴマ形成してもよい。
電極の膜厚としては、透明導電性酸化物の場合には挺抗
値にもよるが一般には0.01〜0.5 μmが適当で
あり、金属の場合には8X10−’〜10−’mmが適
当である。
値にもよるが一般には0.01〜0.5 μmが適当で
あり、金属の場合には8X10−’〜10−’mmが適
当である。
こうして基板全体に電極層を形成した後、レーザーカッ
ティングにより、上部電極(A)の取出し部(C)と下
部電極(B)との間に溝を設け、これにより、両者のパ
ターニングを完了する。なお、下部電極(B)の取出し
部(B1)は、溝とは反対方向に存在し、下部電極(B
)とその取出し部(B1)とは連続した一層の電極層で
あり、位置及び概念において区別される。
ティングにより、上部電極(A)の取出し部(C)と下
部電極(B)との間に溝を設け、これにより、両者のパ
ターニングを完了する。なお、下部電極(B)の取出し
部(B1)は、溝とは反対方向に存在し、下部電極(B
)とその取出し部(B1)とは連続した一層の電極層で
あり、位置及び概念において区別される。
下部電極の上に形成されるECI’i (F)としては
、主として還元発色型又は酸化発色型EC材料が用いら
れる。還元発色型EC材料としては、例えばWOl又は
M o 03などの無機酸化物のばか有機材料を使用す
ることもできる。酸化発色型EC材料としては、水酸化
又は酸化イリジウム、同同じくルテニウム、同じくロジ
ウムなどの無機物のほか有機材料が使用される。
、主として還元発色型又は酸化発色型EC材料が用いら
れる。還元発色型EC材料としては、例えばWOl又は
M o 03などの無機酸化物のばか有機材料を使用す
ることもできる。酸化発色型EC材料としては、水酸化
又は酸化イリジウム、同同じくルテニウム、同じくロジ
ウムなどの無機物のほか有機材料が使用される。
EC層(F)は、単独でも又は還元発色型EC層と酸化
発色型EC層との2重層でも、或いはこれにイオン導電
層を併用したものでもよい。最も好ましい構造は、還元
発色型ECN/イオン導電層/酸化発色型EC層(又は
明確な発色は認められないものの可逆的に電解酸化する
ものでもよい)の3層構造である。
発色型EC層との2重層でも、或いはこれにイオン導電
層を併用したものでもよい。最も好ましい構造は、還元
発色型ECN/イオン導電層/酸化発色型EC層(又は
明確な発色は認められないものの可逆的に電解酸化する
ものでもよい)の3層構造である。
これらのEC層は、−iにそれぞれ0.01〜数μmの
厚さに形成される。形成法としては、主として前述の薄
膜形成法が用いられる。
厚さに形成される。形成法としては、主として前述の薄
膜形成法が用いられる。
場合によって、設けてもよいイオン導電層は、電子に対
して絶縁体であるが、プロトン(H+)及ヒヒドロキン
イオン(OH−) に対しては良導体である。これは
、≠采≠≠B 01]こメモリ性即ち発色させた後、電
圧印刀口を止めても、発色状態が保持される性買をもた
せるために、必要1こ応じて設けらnるもので、その具
体的材料としては次のものが例示される。
して絶縁体であるが、プロトン(H+)及ヒヒドロキン
イオン(OH−) に対しては良導体である。これは
、≠采≠≠B 01]こメモリ性即ち発色させた後、電
圧印刀口を止めても、発色状態が保持される性買をもた
せるために、必要1こ応じて設けらnるもので、その具
体的材料としては次のものが例示される。
■ 無機誘電体薄膜例えば酸化タンタル(Ta2 o5
) 、酸化ニオブ(Nb20s ) 、 酸化ジルコ
ニウム(Zr02 ) 、酸化チタン(TiOz )酸
化ハフ −+ ラム’ (J(’f 02 )、l m
化イツト!J ’) ム”cYz Os )酸化ランタ
ン(La2 o、 ) −IjIl化珪素(S i02
” )フッ化マグネンクム、リン酸ジルコニウムアルい
はこれらの混合物質(これらの吻質は、電子に対して絶
縁体であるが、プロ) 7 (H” )及びヒドロキシ
イオン(OH”) に対しては良導体である。)全固
体タイプのEOD、4に薄膜タイプのEODは、厚さを
砥めて薄くでき、しがも液もれの心配がない利点があり
、その場合にはイオン導電層として、この無機誘電体を
選ぶことが好ましい; ■ 塩化ナトリウム、塩化カリウム、臭化ナトリウム、
臭化カリウム、 Na3 Zr2 S i2 POB
。
) 、酸化ニオブ(Nb20s ) 、 酸化ジルコ
ニウム(Zr02 ) 、酸化チタン(TiOz )酸
化ハフ −+ ラム’ (J(’f 02 )、l m
化イツト!J ’) ム”cYz Os )酸化ランタ
ン(La2 o、 ) −IjIl化珪素(S i02
” )フッ化マグネンクム、リン酸ジルコニウムアルい
はこれらの混合物質(これらの吻質は、電子に対して絶
縁体であるが、プロ) 7 (H” )及びヒドロキシ
イオン(OH”) に対しては良導体である。)全固
体タイプのEOD、4に薄膜タイプのEODは、厚さを
砥めて薄くでき、しがも液もれの心配がない利点があり
、その場合にはイオン導電層として、この無機誘電体を
選ぶことが好ましい; ■ 塩化ナトリウム、塩化カリウム、臭化ナトリウム、
臭化カリウム、 Na3 Zr2 S i2 POB
。
Nal+xZrSixP3−xOH、Na5YSi40
H。
H。
R,bAg4Is等の固体を解質;
■ 水又はプロトン供給源含有合成#脂、例えばメタク
リル酸β−ヒドロキンエチルと2−アクリルアミド−2
−メチルプロパンスルホン酸との共重合体、含水メタク
リル酸メチル共重合体のような含水ビニル重合体、含水
ポリエステルなど; ■ 戚屏液、例えば硫酸、塩酸、リン酸、酢酸。
リル酸β−ヒドロキンエチルと2−アクリルアミド−2
−メチルプロパンスルホン酸との共重合体、含水メタク
リル酸メチル共重合体のような含水ビニル重合体、含水
ポリエステルなど; ■ 戚屏液、例えば硫酸、塩酸、リン酸、酢酸。
酪酸、しゅう酸のような酸またはその水溶液。
水は化ナトリウム、水酸化カリウムのようなアルカリの
水各放、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩化カリウム
、硫酸リチウムのような固体強電解質の水溶液; ■ 半固体ゲル電解質、例えば電解質水弓抜をゲル化剤
′列えばポリビニルアルコール、CMC。
水各放、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩化カリウム
、硫酸リチウムのような固体強電解質の水溶液; ■ 半固体ゲル電解質、例えば電解質水弓抜をゲル化剤
′列えばポリビニルアルコール、CMC。
寒天、ゼラチン等でゲル化させたちの;などが挙げられ
る。
る。
従って、イオン導電層は、真空薄膜形成技術。
厚模法、封入、注入、a石、その他の手段で形成され、
厚さは材料(こよりて0.01μm〜1韮位まで様々と
なる。
厚さは材料(こよりて0.01μm〜1韮位まで様々と
なる。
更に場合−こより、酸化発色比EC層ないし可逆的電解
酸化性層ないし触媒層を使用してもよく、それには例え
ばば化ないし水酸化イリジウム、同じくニッケル、同じ
くクロム、同じくバナジウム、同じくルテニウム、同じ
くロジウムなどがあげらnろ。これらの物貰は他の透明
なイオン導に体層又は透明ti中(こ分散されでいても
艮い。
酸化性層ないし触媒層を使用してもよく、それには例え
ばば化ないし水酸化イリジウム、同じくニッケル、同じ
くクロム、同じくバナジウム、同じくルテニウム、同じ
くロジウムなどがあげらnろ。これらの物貰は他の透明
なイオン導に体層又は透明ti中(こ分散されでいても
艮い。
以下、実= IwiJ+こより不発明の詳細な説明する
。
。
(実兄例)
第1図は、興施例のECDの断面図であり、このECD
の製造工程を第2A図(平面図)及び第2B図(第2人
図のA視祈面端面図)に示す。
の製造工程を第2A図(平面図)及び第2B図(第2人
図のA視祈面端面図)に示す。
(1)ガラス基板(S)上1こI’r(”)dを形成し
、次に、照射位置における光束直径が1〜1000μm
のYAGレーザ−(波長1.064 p m ; Qス
イッチ1kHz ;パワー100〜10100O)を
照射しながら、スキャン速度1〜50+++m /秒で
これを移動させることにより、上部電極の取出し部(C
)と下部電極(B)との間の溝を形成した。これよにり
上部電極の取出し部(C)と下部電極(B)と下部電極
の取出し部(Bl)が形成される(第2A図及び第2B
図 参照)、なお、下部電極(B)とその取出し部(B1)
は一連につながっており、そこには物理的な境界はなく
位置及び概念に於いて分けられているにすぎない。
、次に、照射位置における光束直径が1〜1000μm
のYAGレーザ−(波長1.064 p m ; Qス
イッチ1kHz ;パワー100〜10100O)を
照射しながら、スキャン速度1〜50+++m /秒で
これを移動させることにより、上部電極の取出し部(C
)と下部電極(B)との間の溝を形成した。これよにり
上部電極の取出し部(C)と下部電極(B)と下部電極
の取出し部(Bl)が形成される(第2A図及び第2B
図 参照)、なお、下部電極(B)とその取出し部(B1)
は一連につながっており、そこには物理的な境界はなく
位置及び概念に於いて分けられているにすぎない。
(2)次に酸化イリジウム−酸化スズ混合層(D)、酸
化タンタル層(E)及び酸化タングステン層0′)を順
(こ積層した(第2A図(2)及び第2B図(2)参照
)っ (3)その上にAl電極(A)を形成した(第2A図(
3)及び第2B図(3)参照)。この場合、Al電極(
A)の一部が既に形成さnた取出し電極(C)の一端と
接触するよう(こする。
化タンタル層(E)及び酸化タングステン層0′)を順
(こ積層した(第2A図(2)及び第2B図(2)参照
)っ (3)その上にAl電極(A)を形成した(第2A図(
3)及び第2B図(3)参照)。この場合、Al電極(
A)の一部が既に形成さnた取出し電極(C)の一端と
接触するよう(こする。
(4)最後lこ取出し電fi CC)の外縁ζこ当る一
部及び電極(B)の外縁に当る一部を除いてエボキン雷
脂(R)で封止すると同時に、エボキン樹脂の上に基板
ガラス(S)より小さめの呆護ガラス坂(G)を接着さ
せること(こよりEODを作製した(第1図参照)。
部及び電極(B)の外縁に当る一部を除いてエボキン雷
脂(R)で封止すると同時に、エボキン樹脂の上に基板
ガラス(S)より小さめの呆護ガラス坂(G)を接着さ
せること(こよりEODを作製した(第1図参照)。
尚、各層ないし各層の製造方法及び&!造条ヰを次の第
1茨fこ示す。
1茨fこ示す。
こうして作製したECDは、封止領域(R)外に露出し
でいるのは、ITO電極(0)の一部及び動電源(Su
)から着色電圧(+1−35V)を印加すると、基板
(S)側から入射させた波長633pの光(L) )こ
対し反射率が15%に減少しく1秒後)、この反射率は
電圧印那を止めても、しばらく保たれた。今度は消色電
圧(−1,357)を印加すると、同じく反射率は65
%に回復した(1秒後)。
でいるのは、ITO電極(0)の一部及び動電源(Su
)から着色電圧(+1−35V)を印加すると、基板
(S)側から入射させた波長633pの光(L) )こ
対し反射率が15%に減少しく1秒後)、この反射率は
電圧印那を止めても、しばらく保たれた。今度は消色電
圧(−1,357)を印加すると、同じく反射率は65
%に回復した(1秒後)。
このECDを70′Cの温水中1こ100時間浸漬した
が、電極(B) 、 (0)は基板(S)から剥離せず
、はぼ同様の性能を示した。
が、電極(B) 、 (0)は基板(S)から剥離せず
、はぼ同様の性能を示した。
この実施例のECDは、特に自動車の防眩ミラーとして
有用である。
有用である。
以上のとおり、本発明によれば、レーザーカッティング
によりパターニングするので、ホトエツチングによるパ
ターニングに比ベニ程が簡単でECDの製造コストが安
く済む、また、容易に細い溝を形成することができるの
で、表示部を大きくとることが可能になる。従って、本
発明の方法で製造した電極を使用して、実施してECD
を作成し、このECDを例えば光量が変えられる防眩ミ
ラーに使用すれば、表示部の周辺部が相対的に小さくな
って美観が優れることになる。
によりパターニングするので、ホトエツチングによるパ
ターニングに比ベニ程が簡単でECDの製造コストが安
く済む、また、容易に細い溝を形成することができるの
で、表示部を大きくとることが可能になる。従って、本
発明の方法で製造した電極を使用して、実施してECD
を作成し、このECDを例えば光量が変えられる防眩ミ
ラーに使用すれば、表示部の周辺部が相対的に小さくな
って美観が優れることになる。
第1図は、本発明の実施例にかかるECDの概略断面図
である。 第2A圀は、第1図のECDを製造する各工程第2B図
は、第2A図の矢視断面図である。 第3図は、第1図のECDに駆動系を配線した様子を示
す説明図である。 〔主要部分の符号の説明〕 A・−−m=−−・−上部電極 B−・−一−−−−−−−下部電極 B 、 −−−−−−一下部電極の取出し部c−−−−
−−−−−−−・上部電極の取出し部F−・・−・・−
エレクトロクロミック層R−・−・−一一一一エボキシ
樹脂又は封止領域L a −−−−−−−・外部配線 り、−・・−・−外部配線
である。 第2A圀は、第1図のECDを製造する各工程第2B図
は、第2A図の矢視断面図である。 第3図は、第1図のECDに駆動系を配線した様子を示
す説明図である。 〔主要部分の符号の説明〕 A・−−m=−−・−上部電極 B−・−一−−−−−−−下部電極 B 、 −−−−−−一下部電極の取出し部c−−−−
−−−−−−−・上部電極の取出し部F−・・−・・−
エレクトロクロミック層R−・−・−一一一一エボキシ
樹脂又は封止領域L a −−−−−−−・外部配線 り、−・・−・−外部配線
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に上部電極の取出し部と、それと隔てて下部電極
及び下部電極に連続した下部電極の取出し部が形成され
たEC素子用電極を製造する方法において、 基板表面の全体又はほぼ全体に電極層を形成した後、レ
ーザーカッティングにより上部電極の取出し部と下部電
極とを分割することを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61116894A JPS62273514A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | Ec素子用電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61116894A JPS62273514A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | Ec素子用電極の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62273514A true JPS62273514A (ja) | 1987-11-27 |
Family
ID=14698267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61116894A Pending JPS62273514A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | Ec素子用電極の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62273514A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007010658A1 (ja) * | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 電気化学セルおよびその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5697321A (en) * | 1979-12-18 | 1981-08-06 | Ebauches Sa | Production of substrate for electrochromic display cell and substrate |
JPS59131915A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
JPS6198324A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP61116894A patent/JPS62273514A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5697321A (en) * | 1979-12-18 | 1981-08-06 | Ebauches Sa | Production of substrate for electrochromic display cell and substrate |
JPS59131915A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
JPS6198324A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007010658A1 (ja) * | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 電気化学セルおよびその製造方法 |
JP2007033545A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Sony Chemical & Information Device Corp | 電気化学セルおよびその製造方法 |
US7846220B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-12-07 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Electrochemical cell and production method thereof |
JP4676832B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2011-04-27 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 電気化学セルの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4940315A (en) | Patterning of insulator on electrochromic material as determinant for area of coloration | |
JPS6252845B2 (ja) | ||
US4240713A (en) | Electrode barrier layer for hydrogen-colored electrochromic displays | |
JPS62273514A (ja) | Ec素子用電極の製造方法 | |
KR20030037100A (ko) | 전기변색소자 및 그의 제조 방법 | |
JPH04107427A (ja) | 透過型エレクトロクロミック素子の製造方法 | |
JPH071624Y2 (ja) | 長辺側に電極取出し部を有するec素子 | |
JPH0522916Y2 (ja) | ||
JPH0522917Y2 (ja) | ||
JP2701578B2 (ja) | 樹脂封止素子の製造方法 | |
JPH0522918Y2 (ja) | ||
JPH055535Y2 (ja) | ||
JPS5891431A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子 | |
JP2722505B2 (ja) | 封止されたエレクトロクロミック素子の製造方法 | |
JPS61236530A (ja) | 透明電極を取出し部とするエレクトロクロミツク素子 | |
JP2505006Y2 (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JP2650258B2 (ja) | 封止構造を有するエレクトロクロミック素子 | |
JPS5830731A (ja) | エレクトロクロミツクデイスプレイ | |
JP2567786Y2 (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPH01237527A (ja) | エレクトロクロミック素子における補助電極付基板 | |
JP2569439B2 (ja) | 反射型エレクトロクロミック素子の製造法 | |
JPS61144630A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
JPH0219443B2 (ja) | ||
JPH0980489A (ja) | 全固体型エレクトロクロミック素子およびその製造方法 | |
JPS60222827A (ja) | エレクトロクロミツク表示装置 |