JPS60222827A - エレクトロクロミツク表示装置 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示装置Info
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- JPS60222827A JPS60222827A JP59079666A JP7966684A JPS60222827A JP S60222827 A JPS60222827 A JP S60222827A JP 59079666 A JP59079666 A JP 59079666A JP 7966684 A JP7966684 A JP 7966684A JP S60222827 A JPS60222827 A JP S60222827A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明は新規なエレクトロクロミック(以下、′「エレ
クトロクロミック」をECと略す)表示装置に関する。
クトロクロミック」をECと略す)表示装置に関する。
(発明の背景)
乾電池程度の電圧を印加することによって発色し、逆電
圧を印加することによって元の無色透明に消色するEC
表示装置(以下、ECDと略す)は、日の字型のセブン
セグメントを用いた数字その他の表示手段として利用す
べく実用化にむけて盛んに研究されている。その1つと
してWOMoO等の還元発色性EC物質を用いたECD
がある。
圧を印加することによって元の無色透明に消色するEC
表示装置(以下、ECDと略す)は、日の字型のセブン
セグメントを用いた数字その他の表示手段として利用す
べく実用化にむけて盛んに研究されている。その1つと
してWOMoO等の還元発色性EC物質を用いたECD
がある。
これらのEC物質が発色するには、電子(e−)とカチ
オン(X )の同時注入が必要とされ、発色・消色に伴
う反応式は次のように信じられている。
オン(X )の同時注入が必要とされ、発色・消色に伴
う反応式は次のように信じられている。
消色時:す05 +ne−+nX”
↓↑ ↓↑
発色時=xn讐05
そして、カチオン(Xl)としては、イオン半径の小さ
く移動の容易なH+が主として使用されている。これら
のカチオンは常時カチオンである必要はなく、電圧が印
加され電場が形成されたときカチオンが生ずればよいの
で、特にH+の場合には水がカチオン供給源として利用
される。水は電場の中で H,O→H+OI+ に従って分解する。水は極<ta量で十分であるらしく
、大気中から自然にwo、iiに取り込まれる量の水分
でしばしば間に合う。
く移動の容易なH+が主として使用されている。これら
のカチオンは常時カチオンである必要はなく、電圧が印
加され電場が形成されたときカチオンが生ずればよいの
で、特にH+の場合には水がカチオン供給源として利用
される。水は電場の中で H,O→H+OI+ に従って分解する。水は極<ta量で十分であるらしく
、大気中から自然にwo、iiに取り込まれる量の水分
でしばしば間に合う。
しかしながら、単にWOj層を一対の電極で挟んで電圧
を印加して発色させても、容易に消色することができな
い。何故ならば、消色しようとして逆電圧を印加しても
陰極に通じた電極側から電子(e−)が流入して来るの
で、もしHがあれば、WO3+ne−+ nH+−1(
nWO3の反応が起こって着色するからである。
を印加して発色させても、容易に消色することができな
い。何故ならば、消色しようとして逆電圧を印加しても
陰極に通じた電極側から電子(e−)が流入して来るの
で、もしHがあれば、WO3+ne−+ nH+−1(
nWO3の反応が起こって着色するからである。
そのため、■3層と一方の電極との間に絶縁層例えばS
iO□、 MgFLを設けたECDが提案された(特公
昭52−46098号)。ごのECDの絶縁層は、電子
の移動はできないが、011−イオンの移動は自由であ
り、この0■−イオンが電気を運び、絶縁層゛と電極と
の間で 20i+−−1120+ (1/ 2 ) 0.↑+2
e−の反応に従って電子を陽極側に放出しているものと
思われる。
iO□、 MgFLを設けたECDが提案された(特公
昭52−46098号)。ごのECDの絶縁層は、電子
の移動はできないが、011−イオンの移動は自由であ
り、この0■−イオンが電気を運び、絶縁層゛と電極と
の間で 20i+−−1120+ (1/ 2 ) 0.↑+2
e−の反応に従って電子を陽極側に放出しているものと
思われる。
つまり発色時には、
(陰極側)讐03 +ne +nll −=IlnWO
。
。
(陽極側)n(OH)−
n)!LO+ (n /2 ) 02−↑+2ne−と
いう反応が推定され、消色時には、 (陽極側) lInWO3−41AO3+ ne +
n1l(陰極側) ntlLO+ 2ne−−nOH−
+ (n /2 ) HL↑ という反応が生じるものと推定される。
いう反応が推定され、消色時には、 (陽極側) lInWO3−41AO3+ ne +
n1l(陰極側) ntlLO+ 2ne−−nOH−
+ (n /2 ) HL↑ という反応が生じるものと推定される。
これらの式からも明らかであるが、現実にも特公昭52
−46098号は駆動により水が消費されるので大気中
から速やかに水が供給されないと発色しなくなり、また
、駆動に伴ってOLガスやHLガスが放出されるので眉
間剥離を生しるという欠点があった。
−46098号は駆動により水が消費されるので大気中
から速やかに水が供給されないと発色しなくなり、また
、駆動に伴ってOLガスやHLガスが放出されるので眉
間剥離を生しるという欠点があった。
そのため、11103層の隣に[イオン良導体である電
子絶縁層/酸化発色性Bc層」を設けた全固体型ECD
が提案されたく特開昭56−4679号)。これは酸化
発色性ECNとして水酸化イリジウムを使用し、臀03
の発色時に、陽極側で [r (0)1) m + n (Oll)(無色透明
) ↓ Ir (OH) 1 ・pH,0+qHユ04− r
(e−)着色種 と反応し、WOJの消色時に陰極側で Ir (0)1) 7!・pi+、0+q)120+
r (e−)↓ Ir (O)I) m + n (Oll−)と反応す
るものと考えられている。従って、水が再生されるので
水が消費されず、またH2ガスやOLガスの発生もない
。
子絶縁層/酸化発色性Bc層」を設けた全固体型ECD
が提案されたく特開昭56−4679号)。これは酸化
発色性ECNとして水酸化イリジウムを使用し、臀03
の発色時に、陽極側で [r (0)1) m + n (Oll)(無色透明
) ↓ Ir (OH) 1 ・pH,0+qHユ04− r
(e−)着色種 と反応し、WOJの消色時に陰極側で Ir (0)1) 7!・pi+、0+q)120+
r (e−)↓ Ir (O)I) m + n (Oll−)と反応す
るものと考えられている。従って、水が再生されるので
水が消費されず、またH2ガスやOLガスの発生もない
。
しかしながら、水酸化イリジウム層を使用すると、長時
間の高温耐久性試験に供した場合、消色時にも色が残り
、元の無色透明にならず、そのた′め発消色のコントラ
ストが低下することが判明した。
間の高温耐久性試験に供した場合、消色時にも色が残り
、元の無色透明にならず、そのた′め発消色のコントラ
ストが低下することが判明した。
(発明の目的)
従って、本発明の目的は、水酸化イリジウム層を使用し
たときの欠点、即ち長時間の高温耐久性試験に供したと
きのコントラストの低下を改善することにある。
たときの欠点、即ち長時間の高温耐久性試験に供したと
きのコントラストの低下を改善することにある。
(発明の概要)
本発明者らは鋭意研究の結果、水酸化イリジウム層に代
えて、「イリジウム金属それ自体又はその酸化物もしく
は水酸化物からなる分散質と透明固体分散媒とからなる
透明分散層Jを使用するごとによって、水酸化イリジウ
ム層の持つ前記欠点が解消されることを見い出し、本発
明を成すに至った。
えて、「イリジウム金属それ自体又はその酸化物もしく
は水酸化物からなる分散質と透明固体分散媒とからなる
透明分散層Jを使用するごとによって、水酸化イリジウ
ム層の持つ前記欠点が解消されることを見い出し、本発
明を成すに至った。
従って、本発明は、透明表示電極(A)、還元発色性エ
レクトロクロミック層(B)、必要に応じて透明イオン
導電層(C)、及び対向電極1)からなるエレクトロク
ロミック表示装置に於いて、前記対向電極CD)として
、イリジウム金属それ自体又はその酸化物もしくは水酸
化物からなる分散質(Dll)と透明固体分散媒(Dl
2)とからなる透明分散層(DI)と導電層(D2)と
からなる複層物を使用し、かつ前記(B)、(C)及び
(DI)の少なくとも一層が前記(B)の発色に必要な
カチオン又は電圧印加によってカチオンを放出するカチ
オン供給源を含むことを特徴とするECDを提供する。
レクトロクロミック層(B)、必要に応じて透明イオン
導電層(C)、及び対向電極1)からなるエレクトロク
ロミック表示装置に於いて、前記対向電極CD)として
、イリジウム金属それ自体又はその酸化物もしくは水酸
化物からなる分散質(Dll)と透明固体分散媒(Dl
2)とからなる透明分散層(DI)と導電層(D2)と
からなる複層物を使用し、かつ前記(B)、(C)及び
(DI)の少なくとも一層が前記(B)の発色に必要な
カチオン又は電圧印加によってカチオンを放出するカチ
オン供給源を含むことを特徴とするECDを提供する。
本発明に於いて使用される透明表示電極(A)としては
、例えば5n02+ In2O3,ITO(In、WO
3に5%程度の5nOLを混入させたもの)等が挙げら
れる。電極(A)の厚さとしては、透明度及び抵抗にも
よるが、一般には0.01〜0.5μmである。従って
、電極(A)は一般には、真空蒸着、反応性蒸着、イオ
ンブレーティング、反応性イオンブレーティング、スパ
ッタリング等の真空薄膜形成技術で作られるが、場合に
よっては有機金属化合物例えば金属アルコラードまたは
そのオリゴマーの溶液を塗布し、焼成して被膜を形成す
る、いわゆ′る厚膜法で作ってもよい。
、例えば5n02+ In2O3,ITO(In、WO
3に5%程度の5nOLを混入させたもの)等が挙げら
れる。電極(A)の厚さとしては、透明度及び抵抗にも
よるが、一般には0.01〜0.5μmである。従って
、電極(A)は一般には、真空蒸着、反応性蒸着、イオ
ンブレーティング、反応性イオンブレーティング、スパ
ッタリング等の真空薄膜形成技術で作られるが、場合に
よっては有機金属化合物例えば金属アルコラードまたは
そのオリゴマーの溶液を塗布し、焼成して被膜を形成す
る、いわゆ′る厚膜法で作ってもよい。
還元発色性ECI’1(B)は既に知られているように
非晶質1llO3又はMoO3が使用される。これらの
EC層は真空薄膜形成技術により、一般に0.01〜数
μmの厚さに形成される。
非晶質1llO3又はMoO3が使用される。これらの
EC層は真空薄膜形成技術により、一般に0.01〜数
μmの厚さに形成される。
透明イオ′ン導電層(C)は、本発明のECDにメモリ
性即ち発色させた後、電圧印加を止めても、発色状態が
保持される性質をもたせるために必要に応じて設けられ
るもので、その具体的材*」としては次のものが例示さ
れる。
性即ち発色させた後、電圧印加を止めても、発色状態が
保持される性質をもたせるために必要に応じて設けられ
るもので、その具体的材*」としては次のものが例示さ
れる。
■少量の水分を含む酸化タンタル(T aJ 0s−)
、酸化ニオブ(NbxOl )−酸化ジルコニウム(Z
rOJ)酸化チタン(Tik) 、酸化ハフニウム(H
f O,)、酸化イツトリウム(Y、O,) 、酸化ラ
ンタン(1,aユ03)、酸化珪素(SiOL)、フッ
化マグネシウム、リン酸ジルコニウムあるいはこれらの
混合物質(これらの物質は、電子に対して絶縁体である
が、プロトン(I])及びヒドロキシイオン(O1+
−’)に対しては良導体である。); ■塩化ナトリウム、塩化カリウム、臭化すI〜ツリウム
臭化カリウム、Na、Zr、Si、PO,L、 Na、
、xZrS+XPJ−KO+z、NayYSi4%、R
bAg、l、等の固体電解質; ■水又はプロトン供給源含有合成樹脂、例えばメタクリ
ル酸β−ヒドロキシエチルと2−アクリルアミド−2−
メチルプロパンスルホン酸との共重合体、含水メタクリ
ル酸メチル共重合体のような含水ヒニル重合体、含水ポ
リエステルなど;■電解液、例えば硫酸、塩酸、リン酸
、酢酸、酪酸、しゅう酸のような酸またはその水溶液、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのようなアルカリの
水溶液、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩化カリウム
、硫酸リチウムのような固体強電解質の水溶液; ■半固体ゲル電解質、例えば電解質水溶液をケル化剤例
えばポリビニルアルコール、CMC,寒天、ゼラチン等
でゲル化させたちの; などが挙げられる。
、酸化ニオブ(NbxOl )−酸化ジルコニウム(Z
rOJ)酸化チタン(Tik) 、酸化ハフニウム(H
f O,)、酸化イツトリウム(Y、O,) 、酸化ラ
ンタン(1,aユ03)、酸化珪素(SiOL)、フッ
化マグネシウム、リン酸ジルコニウムあるいはこれらの
混合物質(これらの物質は、電子に対して絶縁体である
が、プロトン(I])及びヒドロキシイオン(O1+
−’)に対しては良導体である。); ■塩化ナトリウム、塩化カリウム、臭化すI〜ツリウム
臭化カリウム、Na、Zr、Si、PO,L、 Na、
、xZrS+XPJ−KO+z、NayYSi4%、R
bAg、l、等の固体電解質; ■水又はプロトン供給源含有合成樹脂、例えばメタクリ
ル酸β−ヒドロキシエチルと2−アクリルアミド−2−
メチルプロパンスルホン酸との共重合体、含水メタクリ
ル酸メチル共重合体のような含水ヒニル重合体、含水ポ
リエステルなど;■電解液、例えば硫酸、塩酸、リン酸
、酢酸、酪酸、しゅう酸のような酸またはその水溶液、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのようなアルカリの
水溶液、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩化カリウム
、硫酸リチウムのような固体強電解質の水溶液; ■半固体ゲル電解質、例えば電解質水溶液をケル化剤例
えばポリビニルアルコール、CMC,寒天、ゼラチン等
でゲル化させたちの; などが挙げられる。
従っ゛C,透明イオン導電層(C)は、真空薄膜形成技
術、厚膜法、封入、注入、塗布、その他の手段で形成さ
れる。(C)Nの厚さは月料によって0.001 μm
〜1龍位まで様々となる。
術、厚膜法、封入、注入、塗布、その他の手段で形成さ
れる。(C)Nの厚さは月料によって0.001 μm
〜1龍位まで様々となる。
対向電極(D)は、本発明に於いては透明分散層(Dl
)と導電層(D2)との2層から成るが、まず透明分散
層(DI)について説明する。
)と導電層(D2)との2層から成るが、まず透明分散
層(DI)について説明する。
透明分散N(DI)は、イリジウム金属それ自体又はそ
の酸化物もしくは水酸化物からなる分散質(Dll)と
透明固体分散媒(Ta12)とからなる。
の酸化物もしくは水酸化物からなる分散質(Dll)と
透明固体分散媒(Ta12)とからなる。
分散質(D 11)としては、なかでも酸化物もしくは
水酸化物が好ましい。
水酸化物が好ましい。
分散媒(Dl2)としては、■5nO1,1n103
、 ITQ。
、 ITQ。
ZnO等の透明導電性無機酸化物、 Ta20y、Ti
O2,5i02、 WO3、MoO3、sb、o3等の
透明無機酸化物及び■門gF2、CaF2等の透明無機
弗化物等が使用される。これらの中でも、5n02 、
In2O3、ITO,ZnO及びTa204; は好
ましいものである。
O2,5i02、 WO3、MoO3、sb、o3等の
透明無機酸化物及び■門gF2、CaF2等の透明無機
弗化物等が使用される。これらの中でも、5n02 、
In2O3、ITO,ZnO及びTa204; は好
ましいものである。
このような透明分散層(DI)の製造法を例示すれば次
の通りである。以下の説明でN、は分散質(D 11)
を構成する金属単体を、M、0はその酸化物を意味し、
M2は分散媒(I)12)を構成する金属単体を、M、
Oはその酸化物を、MLPはその弗化物を意味する。
の通りである。以下の説明でN、は分散質(D 11)
を構成する金属単体を、M、0はその酸化物を意味し、
M2は分散媒(I)12)を構成する金属単体を、M、
Oはその酸化物を、MLPはその弗化物を意味する。
(i)抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波加熱又はレー
ザービーム加熱による真空蒸着:(i−a)非反応性の
場合 蒸発源材料として 0M1. M、0 ◎M、0.MLF を使用する。
ザービーム加熱による真空蒸着:(i−a)非反応性の
場合 蒸発源材料として 0M1. M、0 ◎M、0.MLF を使用する。
尚、MlであるIrは、蒸着直後は活性状態にあるので
大気中に出しただけでMloに変わることがある。
大気中に出しただけでMloに変わることがある。
(i−b)反応性の場合
0□ガスの存在下に活性化手段(例えば高周波印加又は
加熱)と共に、 蒸発源材料として ◎M、、 M、0 0M2 + MzO+ Ma F を使用する。
加熱)と共に、 蒸発源材料として ◎M、、 M、0 0M2 + MzO+ Ma F を使用する。
(ii )高周波スパッタリング:
(ii−a)非反応性の場合
不活性ガスの存在下に、多元又は複合ターゲットとして
、 0M1.M、0 ◎M!O を使用する。
、 0M1.M、0 ◎M!O を使用する。
(ii−b)反応性の場合
02ガス(不活性ガスを加えてもよい)の存在下に、多
元又は複合ターゲットとして、◎Ml、M、0 ◎M□9M□O を使用する。
元又は複合ターゲットとして、◎Ml、M、0 ◎M□9M□O を使用する。
(iii )直流スパッタリング:
02ガス(不活性ガスを加えてもよい)の存在下に、多
元又は複合ターゲットとして、0M1 0M2 を使用する。
元又は複合ターゲットとして、0M1 0M2 を使用する。
(iv)その他
(iv−a)加熱酸化め場合
前記(i)、(ii)、(iii)のいずれかの方法で
、門1とMよとの混合金属薄膜を形成した後、加熱例え
ば250〜300℃に加熱することにより酸化して、M
lとiえOとの分散層(Dl)又はM、0とMLOとの
分散!(DI)に変える。この方法が可能なh2しては
、Sn、 In、 Ta4i、Si+W+Mo、Sbな
どが挙げられる。
、門1とMよとの混合金属薄膜を形成した後、加熱例え
ば250〜300℃に加熱することにより酸化して、M
lとiえOとの分散層(Dl)又はM、0とMLOとの
分散!(DI)に変える。この方法が可能なh2しては
、Sn、 In、 Ta4i、Si+W+Mo、Sbな
どが挙げられる。
(iv−b)陽極酸化の場合
前記(i) 、(ii) 、(iii)のいずれかの方
法で、Mlと?ILとの混合金属薄膜を形成した後、電
解液中で陽極酸化することにより、?I、とM、0との
分散層(Dl)又はM、Oと10との分散層(Di)に
変える。この場合、使用可能なM2としてはTa、Ti
、W、Sbなどのバルブメタル(valve meta
l )に限られる。
法で、Mlと?ILとの混合金属薄膜を形成した後、電
解液中で陽極酸化することにより、?I、とM、0との
分散層(Dl)又はM、Oと10との分散層(Di)に
変える。この場合、使用可能なM2としてはTa、Ti
、W、Sbなどのバルブメタル(valve meta
l )に限られる。
なお、先にMqOは酸化物を意味すると述べたが、水が
Mhoの近くに存在する場合には、ト1τ0 ・H,0
は?h (OH)とも書けることから理解されるように
、酸化物ではなく水酸化物とも受け取れる。従って、分
散質(Dll>を構成する金属の酸化物と水酸化物とは
厳密に区別されるものではない。
Mhoの近くに存在する場合には、ト1τ0 ・H,0
は?h (OH)とも書けることから理解されるように
、酸化物ではなく水酸化物とも受け取れる。従って、分
散質(Dll>を構成する金属の酸化物と水酸化物とは
厳密に区別されるものではない。
ともかく分散質(Dll)は透明分散媒(D 12)中
に極微粒状態で分散していることが必要で、そのために
分散層(Dl)の製造には、上述の真空薄膜形成技術を
利用することが好ましい。
に極微粒状態で分散していることが必要で、そのために
分散層(Dl)の製造には、上述の真空薄膜形成技術を
利用することが好ましい。
透明分散層(Dl)の膜厚としては、一般に0゜005
μm % l m++位あれば十分である。
μm % l m++位あれば十分である。
先に述べたように還元発色性EC層(B)の発色にはカ
チオンが必要であり、層(B)、層(C)及び層(DI
)の少なくとも1層にはカチオンまたは電圧印加により
カチオンを放出するカチオン供給源を含ませることが必
要であるが、NCR)および1m(DI)に含ませる場
合にはカチオンは実用上プロトン(H)に限られ、カチ
オン供給源は実用上、水(II、O)に限られる。水の
場合には、ECDの製造時に格別含有させることをしな
くとも、しばしば大気中から自然に層中に侵入する。
チオンが必要であり、層(B)、層(C)及び層(DI
)の少なくとも1層にはカチオンまたは電圧印加により
カチオンを放出するカチオン供給源を含ませることが必
要であるが、NCR)および1m(DI)に含ませる場
合にはカチオンは実用上プロトン(H)に限られ、カチ
オン供給源は実用上、水(II、O)に限られる。水の
場合には、ECDの製造時に格別含有させることをしな
くとも、しばしば大気中から自然に層中に侵入する。
分散1(DI)と隣合う導電!(D2)は、表示電極(
A>に使用する透明導電性材料と同様のものが使用され
るが、本発明のECDが反射型の場合には反射性の導電
性材料例えば、旧、 Ag、 Aυなどを使用すること
もできる。
A>に使用する透明導電性材料と同様のものが使用され
るが、本発明のECDが反射型の場合には反射性の導電
性材料例えば、旧、 Ag、 Aυなどを使用すること
もできる。
こうして本発明のECDが構成される。本発明0ECD
は、一般には表示電極(A) 、ECJfj (B)、
場合によりイオン導電N (C) 、分散N(DI)及
び導電層(D2)の4層又は5層構造からなるが、第2
Δ図及び第2B図に示すような構造であってもよい。図
中、(E)は補助電極であ′る。
は、一般には表示電極(A) 、ECJfj (B)、
場合によりイオン導電N (C) 、分散N(DI)及
び導電層(D2)の4層又は5層構造からなるが、第2
Δ図及び第2B図に示すような構造であってもよい。図
中、(E)は補助電極であ′る。
このECDに1.0〜1.8ボルト程度の直流電圧を印
加すると0.O1〜数秒で青色に発色し、この発色状態
は(C)層が存在する場合には電圧印加を止めても比較
的長時間保持され、同程度の逆電圧を印加すると、発色
に要した時間よりやや短時間で元の無色透明に戻る。時
間はかかるが電極(Δ)と(D2)を短絡しても消色す
る。
加すると0.O1〜数秒で青色に発色し、この発色状態
は(C)層が存在する場合には電圧印加を止めても比較
的長時間保持され、同程度の逆電圧を印加すると、発色
に要した時間よりやや短時間で元の無色透明に戻る。時
間はかかるが電極(Δ)と(D2)を短絡しても消色す
る。
以下、実施例により、本発明を具体的に説明する。
(実施例1)
厚さ0.15.umのITO透明導電層(D2)の形成
されたガラス基板(S)を用意し、導電層(D2)の上
に下記条件: 蒸発源:金属Sn、金属1rの2元系 真空度: 5 X’lOTorr o2分圧: 3 XIOTorr 基板温度:20℃ の下に高周波イオンブレーティングにより、酸化イリジ
ウムを分散質(D 11)とし酸化ススを分散媒(D
12)とする膜厚700 人の透明分散層(DI)を形
成させた。この分散NCDI>中の分散質(Dll)の
割合は20重景気であった。
されたガラス基板(S)を用意し、導電層(D2)の上
に下記条件: 蒸発源:金属Sn、金属1rの2元系 真空度: 5 X’lOTorr o2分圧: 3 XIOTorr 基板温度:20℃ の下に高周波イオンブレーティングにより、酸化イリジ
ウムを分散質(D 11)とし酸化ススを分散媒(D
12)とする膜厚700 人の透明分散層(DI)を形
成させた。この分散NCDI>中の分散質(Dll)の
割合は20重景気であった。
次にその上に下記条件:
蒸発源:Ta、01
真空度: 5 XIOTorr
O:L分圧: 4 xio Torr
基板温度:150℃
の下に真空蒸着により、膜厚5000人の透明イオン導
電層(C)を形成させた。
電層(C)を形成させた。
その上に更に下記条件:
蒸発−H: WO3
真空度: 5 X 10 Torr
計分圧: 4 XIOTorr
基板温度:工50°C
の下に真空蒸着により、膜厚5000人の透明な非晶質
問3N (B)を形成させた。
問3N (B)を形成させた。
最後に師01層(B)の上に下記条件:蒸発源:Inユ
03 と5nOLとの混合物真空度: 5 xio T
orr Ar分圧: 3 xio Torr 基板温度:150℃ の下に高周波イオンブレーティングにより、膜厚250
0人の透明表示電極(A)を形成させた。
03 と5nOLとの混合物真空度: 5 xio T
orr Ar分圧: 3 xio Torr 基板温度:150℃ の下に高周波イオンブレーティングにより、膜厚250
0人の透明表示電極(A)を形成させた。
こうして、第1図に示す構造を有するE CI)が得ら
れた。このECDをエポキシ樹脂で封止した後、電極(
A)、(D2)を通じ゛c1.4ボルトの発色電圧を印
加すると、50 m secで青色に発色し、発色時の
透過率(Tc)は波長λ−600nmで20%であり、
この発色状態は電圧印加を止めても保持された。次に−
1,4ボルトの消色電圧を印加すると、40 m se
cで元の無色透明に戻り、消色時の透過率(Tb)は8
5%であった。
れた。このECDをエポキシ樹脂で封止した後、電極(
A)、(D2)を通じ゛c1.4ボルトの発色電圧を印
加すると、50 m secで青色に発色し、発色時の
透過率(Tc)は波長λ−600nmで20%であり、
この発色状態は電圧印加を止めても保持された。次に−
1,4ボルトの消色電圧を印加すると、40 m se
cで元の無色透明に戻り、消色時の透過率(Tb)は8
5%であった。
(実施例2)
実施例1で用いたガラス基板(S)を用意し、その導電
層(D2)の上に下記条件: 蒸発源:MgFLと金属1rの2元系 真空度: 5 XIOTorr O2分圧: 3 XIOTorr 基板温度:室温 の下に高周波イオンブレーティングにより、酸化イリジ
ウムを分散質(D 11)とし、MgFLを分散媒(D
l2)とする膜厚1500人の透明分散ji(DI)を
形成させた。この分散1it(DI)中の分散質の割合
は30重量%であった。
層(D2)の上に下記条件: 蒸発源:MgFLと金属1rの2元系 真空度: 5 XIOTorr O2分圧: 3 XIOTorr 基板温度:室温 の下に高周波イオンブレーティングにより、酸化イリジ
ウムを分散質(D 11)とし、MgFLを分散媒(D
l2)とする膜厚1500人の透明分散ji(DI)を
形成させた。この分散1it(DI)中の分散質の割合
は30重量%であった。
以下、実施例1と同様に透明イオン導電層(C) 、
WO3層(B)及び表示電極(A)を形成させ、ECD
を作成した。
WO3層(B)及び表示電極(A)を形成させ、ECD
を作成した。
エポキシ樹脂で封止後、発消色テストを行うと、+1.
4 Vで50rnsec 、 Tc=25%であり、−
1,4Vで40m5ec 、 Tb=85%(λ−60
0 nm)であった。
4 Vで50rnsec 、 Tc=25%であり、−
1,4Vで40m5ec 、 Tb=85%(λ−60
0 nm)であった。
(実施例3)
実施例1に於いて、透明分散層(Dl)として、酸化イ
リジウムを分散質(Dll)とし五酸化タンクルを分散
媒(D I2)とする分散1m(Di)を用いる他は同
様にして実施例1とほぼ同様のECDを得た。
リジウムを分散質(Dll)とし五酸化タンクルを分散
媒(D I2)とする分散1m(Di)を用いる他は同
様にして実施例1とほぼ同様のECDを得た。
(比較例1)
実施例1で用いたガラス基板(S)を用意し、その導電
層(D2)の上に下記条件; 蒸発源:金属Ir 真空度: 5 xlOTorr O2分圧: 3 xio−fTorr 基板温度:20℃ の下に高周波イオンブレーティングにより、酸化イリジ
ウムだけからなる膜厚700人の透明EC層を形成させ
た。
層(D2)の上に下記条件; 蒸発源:金属Ir 真空度: 5 xlOTorr O2分圧: 3 xio−fTorr 基板温度:20℃ の下に高周波イオンブレーティングにより、酸化イリジ
ウムだけからなる膜厚700人の透明EC層を形成させ
た。
その後、実施例1と同様にしてECDを作成し封止した
ところ、得られたECDは発色電圧印加前から、やや褐
色に着色しており、大気中で±1゜5fルトの0.51
1z交流電圧を500分印加しても、完全には無色透明
にならなかった。消色した後、発消色テストを行ったと
ころ、150 m5ec T:Tc=15%、 100
m5ecでTb = 50%であった。
ところ、得られたECDは発色電圧印加前から、やや褐
色に着色しており、大気中で±1゜5fルトの0.51
1z交流電圧を500分印加しても、完全には無色透明
にならなかった。消色した後、発消色テストを行ったと
ころ、150 m5ec T:Tc=15%、 100
m5ecでTb = 50%であった。
(高温耐久性試験)
実施例1.2及び比較例1で作成した封止ECDを、コ
ントラスト比をめた上で80℃、 200時間の高温耐
久性試験に供し、その後コントラスト比をめた。この結
果を下記第1表に示す。尚、コントラスト比は次のよう
にめた。
ントラスト比をめた上で80℃、 200時間の高温耐
久性試験に供し、その後コントラスト比をめた。この結
果を下記第1表に示す。尚、コントラスト比は次のよう
にめた。
コントラスト比−1og (TI/T2)T1−消色時
の飽和透過率(%) T2=発色時の飽和透過率(%) 測定波長λ=600 nm 第1表(高温耐久性試験データ) (発明の効果) 以上の通り、本発明によれば、製造後に着色のない無色
透明なIE CDが得られ、しかも高温耐久性試験後に
コントラストの低下の極めて少ないECDが得られる。
の飽和透過率(%) T2=発色時の飽和透過率(%) 測定波長λ=600 nm 第1表(高温耐久性試験データ) (発明の効果) 以上の通り、本発明によれば、製造後に着色のない無色
透明なIE CDが得られ、しかも高温耐久性試験後に
コントラストの低下の極めて少ないECDが得られる。
第1図は、本発明の実施例1にかかるECDの断面図で
ある。第2A図及び第2B図は、本発明の他の実施例に
かかるECDの断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 A・・・透明表示電極 B・・・還元発色性EC層 C・・・透明イオン導電層 E・・・補助電極 S・・・基板 出願人 日本光学工業株式会社 代理人渡辺 隆男 手続補正書(自発) 昭和59年 5月72日 特許庁長′曹 竹林 和夫 殿 還゛ 1、事件の表示 昭和59年’l郭′(願第79666号2、発明の名工
(工( エレクトロクロミック表示装置 3、補正をする昔 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 (411)日本光学工業株式会社 4、代理人 〒140東京部品川区西大井1丁目6番3号電話 (7
73) 1ull C代) 5、 HItiF、c+放J象 明年■書の1−発明のmYilJIな説明」の欄6、補
正の内容 +11明細書第2頁第9行の1−WOMo0Jを、’W
O3、Mo O:+ Jと訂正する。 (2)同じく第4頁第7行のj’n (OH)−1を、
rn (OH−)Jと訂正する。 (3)同しく第4頁第8行全体を、 ’ (n/2)Ilz O+(n/4)02 jI−n
e 」と訂正する。 (4)同しく第18頁第1行及びFから第2行の「△r
分圧」を、それぞれ「0□分圧Jと削正する。 (5)同じく第20頁第3行のrAr分圧」を、「02
分圧」と訂正する。 以 −L
ある。第2A図及び第2B図は、本発明の他の実施例に
かかるECDの断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 A・・・透明表示電極 B・・・還元発色性EC層 C・・・透明イオン導電層 E・・・補助電極 S・・・基板 出願人 日本光学工業株式会社 代理人渡辺 隆男 手続補正書(自発) 昭和59年 5月72日 特許庁長′曹 竹林 和夫 殿 還゛ 1、事件の表示 昭和59年’l郭′(願第79666号2、発明の名工
(工( エレクトロクロミック表示装置 3、補正をする昔 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 (411)日本光学工業株式会社 4、代理人 〒140東京部品川区西大井1丁目6番3号電話 (7
73) 1ull C代) 5、 HItiF、c+放J象 明年■書の1−発明のmYilJIな説明」の欄6、補
正の内容 +11明細書第2頁第9行の1−WOMo0Jを、’W
O3、Mo O:+ Jと訂正する。 (2)同じく第4頁第7行のj’n (OH)−1を、
rn (OH−)Jと訂正する。 (3)同しく第4頁第8行全体を、 ’ (n/2)Ilz O+(n/4)02 jI−n
e 」と訂正する。 (4)同しく第18頁第1行及びFから第2行の「△r
分圧」を、それぞれ「0□分圧Jと削正する。 (5)同じく第20頁第3行のrAr分圧」を、「02
分圧」と訂正する。 以 −L
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明表示電極(A)、還元発色性エレクトロクロミック
N (B) 、必要に応じて透明イオン導電層(C)及
び対向電極(D)からなるエレクトロクロミック表示装
置に於いて、 前記対向電極(D)として、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質(Dll
)と透明固体分散媒(DI2)とからなる透明分散層(
DI)と導電層(D2)とからなる複層物を使用し、か
つ前記(B)、(C)及び(DI)の少なくとも一層が
前記(B)の発色に必要なカチオン又は電圧印加によっ
てカチオンを放出するカチオン供給源を含むことを特徴
とするエレクトロクロミック表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59079666A JPS60222827A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | エレクトロクロミツク表示装置 |
US06/722,390 US4652090A (en) | 1984-04-20 | 1985-04-12 | Dispersed iridium based complementary electrochromic device |
DE3514281A DE3514281C2 (de) | 1984-04-20 | 1985-04-19 | Elektrochrome Vorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59079666A JPS60222827A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | エレクトロクロミツク表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60222827A true JPS60222827A (ja) | 1985-11-07 |
JPH0533373B2 JPH0533373B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=13696489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59079666A Granted JPS60222827A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | エレクトロクロミツク表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60222827A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6358323A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-14 | Nikon Corp | 薄膜型ec素子の駆動装置 |
GB2354343A (en) * | 1998-12-03 | 2001-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | Servo system controller |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59180526A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-13 | Fujitsu Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
-
1984
- 1984-04-20 JP JP59079666A patent/JPS60222827A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59180526A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-13 | Fujitsu Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6358323A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-14 | Nikon Corp | 薄膜型ec素子の駆動装置 |
GB2354343A (en) * | 1998-12-03 | 2001-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | Servo system controller |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0533373B2 (ja) | 1993-05-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |