JP2567786Y2 - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
エレクトロクロミック素子Info
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- JP2567786Y2 JP2567786Y2 JP1989078968U JP7896889U JP2567786Y2 JP 2567786 Y2 JP2567786 Y2 JP 2567786Y2 JP 1989078968 U JP1989078968 U JP 1989078968U JP 7896889 U JP7896889 U JP 7896889U JP 2567786 Y2 JP2567786 Y2 JP 2567786Y2
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、エレクトロクロミック素子の改良に関する
ものである。
ものである。
電圧を印加すると可逆的に電解酸化または還元反応が
起こり可逆的に着色する現象をエレクトロクロミズムと
言う。このような現象を示すエレクトロクロミック（以
下、ECと略称する）物質を用いて、電圧操作により着消
色するEC素子を作り、このEC素子を光量制御素子（例え
ば、防眩ミラーあるいは調光レンズ）や７セグメントを
利用した数字表示素子に利用しようとする試みは、20年
以上前から行われている。例えば、ガラス基板の上に透
明電極膜（陰極）、三酸化タングステン薄膜、二酸化ケ
イ素のような絶縁膜、電極膜（陽極）を順次積層してな
るEC素子（特公昭52−46098公報参照）が全固体型EC素
子として知られている。このEC素子に電圧を印加すると
三酸化タングステン（WO3）薄膜が青色に着色する。そ
の後、このEC素子に逆の電圧を印加すると、WO3薄膜の
青色が消えて無色になる。この着色・消色する機構は詳
しくは解明されていないが、WO3薄膜および絶縁膜（イ
オン導電層）中に含まれる少量の水分がWO3薄膜の着色
・消色を支配していると理解されている。
起こり可逆的に着色する現象をエレクトロクロミズムと
言う。このような現象を示すエレクトロクロミック（以
下、ECと略称する）物質を用いて、電圧操作により着消
色するEC素子を作り、このEC素子を光量制御素子（例え
ば、防眩ミラーあるいは調光レンズ）や７セグメントを
利用した数字表示素子に利用しようとする試みは、20年
以上前から行われている。例えば、ガラス基板の上に透
明電極膜（陰極）、三酸化タングステン薄膜、二酸化ケ
イ素のような絶縁膜、電極膜（陽極）を順次積層してな
るEC素子（特公昭52−46098公報参照）が全固体型EC素
子として知られている。このEC素子に電圧を印加すると
三酸化タングステン（WO3）薄膜が青色に着色する。そ
の後、このEC素子に逆の電圧を印加すると、WO3薄膜の
青色が消えて無色になる。この着色・消色する機構は詳
しくは解明されていないが、WO3薄膜および絶縁膜（イ
オン導電層）中に含まれる少量の水分がWO3薄膜の着色
・消色を支配していると理解されている。
ところで、EC層を直接又は間接的に挟む一対の電極層
は、EC層の着消色を外部に見せるために少なくとも一方
は透明でなければならない。特に透過型のEC素子の場合
には両方とも透明でなければならない。透明な電極材料
としては、現在のところSnO2、In2O3、ITO（SnO2とIn2O
3との混合物）、ZnOなどが知られているが、これらの材
料は比較的透明度が悪いために薄くせねばならず、この
理由及びその他の理由からEC素子は基板例えばガラス板
やプラスチック板の上に形成するのが普通である。
は、EC層の着消色を外部に見せるために少なくとも一方
は透明でなければならない。特に透過型のEC素子の場合
には両方とも透明でなければならない。透明な電極材料
としては、現在のところSnO2、In2O3、ITO（SnO2とIn2O
3との混合物）、ZnOなどが知られているが、これらの材
料は比較的透明度が悪いために薄くせねばならず、この
理由及びその他の理由からEC素子は基板例えばガラス板
やプラスチック板の上に形成するのが普通である。
このようなEC素子に外部電源を供給するには、前記一
対の電極層からそれぞれ取出し電極部が必要であり、EC
素子の表示面積を広げる必要から上述の取出し電極部を
基板の両端面にそれぞれ設けたEC素子が特開昭61−2707
35公報により開示されている。
対の電極層からそれぞれ取出し電極部が必要であり、EC
素子の表示面積を広げる必要から上述の取出し電極部を
基板の両端面にそれぞれ設けたEC素子が特開昭61−2707
35公報により開示されている。
しかし、この公報によればEC素子の取出し電極部は、
透明電極材料（ITO）で作られており、この材料は電気
抵抗が高いため、これに外部配線をハンダ付けその他の
手段により接続し、この外部配線を通して取出し電極部
に電荷又は電子を供給・取出しを行なうと、取出し電極
部の近くから着消色が起こり、そのために見苦しいとい
う問題点がある。
透明電極材料（ITO）で作られており、この材料は電気
抵抗が高いため、これに外部配線をハンダ付けその他の
手段により接続し、この外部配線を通して取出し電極部
に電荷又は電子を供給・取出しを行なうと、取出し電極
部の近くから着消色が起こり、そのために見苦しいとい
う問題点がある。
その後、上記問題点を解決するための改良発明が行わ
れ、前記基板の端面に位置する取出し電極部に低抵抗の
導電性薄膜を付着して、この導電性薄膜に外部配線を接
続させ、上述の低抵抗により電荷又は電子の供給速度を
速めて着消色の反応性を向上させるようにしたEC素子
が、特開昭63−38923公報により提案された。
れ、前記基板の端面に位置する取出し電極部に低抵抗の
導電性薄膜を付着して、この導電性薄膜に外部配線を接
続させ、上述の低抵抗により電荷又は電子の供給速度を
速めて着消色の反応性を向上させるようにしたEC素子
が、特開昭63−38923公報により提案された。
この公報に記載された発明は、透明電極材料からなる
取出し電極部上にさらに透明電極材料より低抵抗材料で
ある導電性薄膜を形成したことにあり、その一例として
透過型EC素子を第４図に示し、構成について以下説明す
る。
取出し電極部上にさらに透明電極材料より低抵抗材料で
ある導電性薄膜を形成したことにあり、その一例として
透過型EC素子を第４図に示し、構成について以下説明す
る。
第４図中のガラス基板１の表面には第１の透明電極層
２（ITO）、可逆的電解酸化層３（例えば酸化又は水酸
化イリジウム）、イオン導電層４、還元着色性EC層５
（例えばWO3）、および第２の透明電極層６（ITO）から
なるEC素子が設けられている。この素子は、封止樹脂７
（例えばエポキシ樹脂）を介してレンズ封止基板８によ
って封止されている。レンズ基板１の両端面1a、1bに
は、前記電極層２、６の各取出し電極部2a、6aが形成さ
れており、これらの取出し電極部2a、6aには銅／アルミ
ニウムの２層膜からなる低抵抗の導電性薄膜9a、9bが付
着されている。この導電性薄膜9a、9bに外部配線La、Lb
を接続させ、この外部配線La、Lbを介して外部電源Ｓか
らの電荷又は電子を供給させると、前記薄膜9a、9bが低
抵抗であるために、供給が速くなり、着消色の反応性を
向上させることができる。
２（ITO）、可逆的電解酸化層３（例えば酸化又は水酸
化イリジウム）、イオン導電層４、還元着色性EC層５
（例えばWO3）、および第２の透明電極層６（ITO）から
なるEC素子が設けられている。この素子は、封止樹脂７
（例えばエポキシ樹脂）を介してレンズ封止基板８によ
って封止されている。レンズ基板１の両端面1a、1bに
は、前記電極層２、６の各取出し電極部2a、6aが形成さ
れており、これらの取出し電極部2a、6aには銅／アルミ
ニウムの２層膜からなる低抵抗の導電性薄膜9a、9bが付
着されている。この導電性薄膜9a、9bに外部配線La、Lb
を接続させ、この外部配線La、Lbを介して外部電源Ｓか
らの電荷又は電子を供給させると、前記薄膜9a、9bが低
抵抗であるために、供給が速くなり、着消色の反応性を
向上させることができる。
ところが前記基板１は実用上、比較的薄いために、第
４図示の縦方向に沿う端面1a、1bの幅が狭く、端面側に
形成された導電性薄膜9a、9bの領域も図示の縦方向に沿
う幅が狭いために、電荷又は電子が導電性薄膜9a、9bに
供給しにくくなり、そのために取出し電極部2a、6aを介
して電極全体に供給させても、その供給速度はわずかし
かあげることができず、着消色の反応性を向上させるこ
とは実現できない。
４図示の縦方向に沿う端面1a、1bの幅が狭く、端面側に
形成された導電性薄膜9a、9bの領域も図示の縦方向に沿
う幅が狭いために、電荷又は電子が導電性薄膜9a、9bに
供給しにくくなり、そのために取出し電極部2a、6aを介
して電極全体に供給させても、その供給速度はわずかし
かあげることができず、着消色の反応性を向上させるこ
とは実現できない。
そこで、本考案は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、前述の供給速度を上げて着消色の反応性を向上させ
るようにしたEC素子を供給することを目的とする。
で、前述の供給速度を上げて着消色の反応性を向上させ
るようにしたEC素子を供給することを目的とする。
上記問題点の解決の為に、 本考案は、その各実施例に対応する第１図乃至第３図
により、基板（10、12）の両端面をテーパ面に形成し、
そのテーパ面に前記素子（２〜６）の取出し電極部（2
a、6a）及び低抵抗の導電性薄膜（11a、11b、13a、13
b）を設けた。
により、基板（10、12）の両端面をテーパ面に形成し、
そのテーパ面に前記素子（２〜６）の取出し電極部（2
a、6a）及び低抵抗の導電性薄膜（11a、11b、13a、13
b）を設けた。
第１図および第２図に示す基板（10）の一方の端面
は、上方の斜面（10a2）と下方の斜面（10a3）とを、他
方の端面も上方の斜面（10b2）と下方の斜面（10b3）と
を合わせてそれぞれ領域が拡大し、また第３図に示す基
板（12）の両端面（12a、12b）も、そぎおとしたテーパ
面に形成することによりその端面領域が拡がり、これら
の各端面に位置する低抵抗の導電性薄膜（11a、11b、13
a、13b）も拡がるために、外部電源配線からの低抵抗の
導電性薄膜を付する取出し電極部（2a、6a）への電荷ま
たは電子の供給が前記従来よりも速くなり、取出し電極
部（2a、6a）を介する両電極間（２、６）の供給速度も
速くなって、着消色の反応性を向上させることができ
る。
は、上方の斜面（10a2）と下方の斜面（10a3）とを、他
方の端面も上方の斜面（10b2）と下方の斜面（10b3）と
を合わせてそれぞれ領域が拡大し、また第３図に示す基
板（12）の両端面（12a、12b）も、そぎおとしたテーパ
面に形成することによりその端面領域が拡がり、これら
の各端面に位置する低抵抗の導電性薄膜（11a、11b、13
a、13b）も拡がるために、外部電源配線からの低抵抗の
導電性薄膜を付する取出し電極部（2a、6a）への電荷ま
たは電子の供給が前記従来よりも速くなり、取出し電極
部（2a、6a）を介する両電極間（２、６）の供給速度も
速くなって、着消色の反応性を向上させることができ
る。
本発明に於けるECDの積層構造は、特にどれと限定さ
れるものではないが、固体型EC素子の構造としては、例
えば電極層/EC層／イオン導電層／電極層のような４
層構造、電極層／還元着色型EC層／イオン導電層／可
逆的電解酸化層ないし酸化着色型EC層／電極層のような
５層構造があげられる。
れるものではないが、固体型EC素子の構造としては、例
えば電極層/EC層／イオン導電層／電極層のような４
層構造、電極層／還元着色型EC層／イオン導電層／可
逆的電解酸化層ないし酸化着色型EC層／電極層のような
５層構造があげられる。
透明電極の材料としては、例えばSnO2、In2O3、ITOな
どが使用される。このような電極層は、一般には真空蒸
着、イオンプレーティング、スパッタリングなどの真空
薄膜形成技術で形成される。（還元着色性）EC層として
は一般にWO3、MoO3などが使用される。
どが使用される。このような電極層は、一般には真空蒸
着、イオンプレーティング、スパッタリングなどの真空
薄膜形成技術で形成される。（還元着色性）EC層として
は一般にWO3、MoO3などが使用される。
イオン導電層としては、例えば酸化ケイ素、酸化タン
タル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸
化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、フッ
化マグネシウムなどが使用される。これらの物質薄膜は
製造方法により電子に対して絶縁体であるが、プロトン
（H+）およびヒドロキシイオン（OH-）に対しては良導
体となる。EC層の着色消色反応にはカチオンが必要とさ
れ、H+イオンやLi+イオンをEC層その他に含有させる必
要がある。H+イオンは初めからイオンである必要はな
く、電圧が印加されたときにH+イオンが生じればよく、
従ってH+イオンの代わりに水を含有させてもよい。この
水は非常に少なくて十分であり、しばしば、大気中から
自然に侵入する水分でも着消色する。
タル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸
化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、フッ
化マグネシウムなどが使用される。これらの物質薄膜は
製造方法により電子に対して絶縁体であるが、プロトン
（H+）およびヒドロキシイオン（OH-）に対しては良導
体となる。EC層の着色消色反応にはカチオンが必要とさ
れ、H+イオンやLi+イオンをEC層その他に含有させる必
要がある。H+イオンは初めからイオンである必要はな
く、電圧が印加されたときにH+イオンが生じればよく、
従ってH+イオンの代わりに水を含有させてもよい。この
水は非常に少なくて十分であり、しばしば、大気中から
自然に侵入する水分でも着消色する。
EC層とイオン導電層とは、どちらを上にしても下にし
てもよい。さらにEC層に対して間にイオン導電層を挟ん
で可逆的電解酸化層（ないし酸化着色型EC層）又は触媒
層を配設してもよい。このような層としては、例えば酸
化ないし水酸化イリジウム、同じくニッケル、同じくク
ロム、同じくバナジウム、同じくルテニウム、同じくロ
ジウムなどがあげられる。これらの物質は、イオン導電
層又は透明電極中に分散されていても良いし、それらを
分散していてもよい。不透明な電極層は、反射層と兼用
していてもよく、例えば金、銀、アルミニウム、クロ
ム、スズ、亜鉛、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、ス
テンレスなどの金属が使用される。
てもよい。さらにEC層に対して間にイオン導電層を挟ん
で可逆的電解酸化層（ないし酸化着色型EC層）又は触媒
層を配設してもよい。このような層としては、例えば酸
化ないし水酸化イリジウム、同じくニッケル、同じくク
ロム、同じくバナジウム、同じくルテニウム、同じくロ
ジウムなどがあげられる。これらの物質は、イオン導電
層又は透明電極中に分散されていても良いし、それらを
分散していてもよい。不透明な電極層は、反射層と兼用
していてもよく、例えば金、銀、アルミニウム、クロ
ム、スズ、亜鉛、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、ス
テンレスなどの金属が使用される。
以下、本考案の実施例を第１図ないし第３図により説
明する。
明する。
〔第１実施例〕 第１図は本考案の第１実施例で、EC素子の基板は150m
m×80mm×2mmのガラス基板10を用いており、その両端面
はそれぞれ対称的に先窄まりの「く」形状に形成されて
いる。
m×80mm×2mmのガラス基板10を用いており、その両端面
はそれぞれ対称的に先窄まりの「く」形状に形成されて
いる。
このガラス基板10の上面に於いて、一部（図中右方）
を除いた基板10上の他部に真空蒸着法またはイオンプレ
ーティング法により、厚さ200nmのITO電極層２を形成し
た。これと同時に、回り込み現象により図中左側の角部
10a1を介して上方の斜面10a2から下方の斜面10a3にかけ
て電極層２の取出し電極部2aを形成した。
を除いた基板10上の他部に真空蒸着法またはイオンプレ
ーティング法により、厚さ200nmのITO電極層２を形成し
た。これと同時に、回り込み現象により図中左側の角部
10a1を介して上方の斜面10a2から下方の斜面10a3にかけ
て電極層２の取出し電極部2aを形成した。
その後、酸化イリジウム（酸化スズとの混合物の形
で）層３、酸化タンタル層４およびWO3層５を順次形成
した。各層３〜５の厚さは、形成順に約150、500、500n
mであった。次にWO3層５の上面からその端面を経て基板
１上の前記一部までに厚さ200nmのITO電極層６を形成し
た。それと同時に、回り込み現象により図中右側の角部
10b1を介して上方の斜面10b2から下方の斜面10b3にかけ
て電極層６の取出し電極部6aを形成した。
で）層３、酸化タンタル層４およびWO3層５を順次形成
した。各層３〜５の厚さは、形成順に約150、500、500n
mであった。次にWO3層５の上面からその端面を経て基板
１上の前記一部までに厚さ200nmのITO電極層６を形成し
た。それと同時に、回り込み現象により図中右側の角部
10b1を介して上方の斜面10b2から下方の斜面10b3にかけ
て電極層６の取出し電極部6aを形成した。
エポキシ樹脂７で上面を封止すると共に、封止ガラス
基板８を接着して封止し、次いで取出し電極部2a、6aの
それぞれに、プラズマ溶射法により厚さ約１μｍの銀
（Ag）薄膜を、その後に厚さ約500Åの金（Au）薄膜を
順次形成し、銀／金の２層膜からなる導電性薄膜11a、1
1bを形成した。
基板８を接着して封止し、次いで取出し電極部2a、6aの
それぞれに、プラズマ溶射法により厚さ約１μｍの銀
（Ag）薄膜を、その後に厚さ約500Åの金（Au）薄膜を
順次形成し、銀／金の２層膜からなる導電性薄膜11a、1
1bを形成した。
以上よりEC素子の製作を完了し、基板10の両端面のそ
れぞれは、上方の斜面及び下方の斜面を合わせて領域が
前記従来よりも拡がり、この部分に設けた薄膜11a、11b
も領域が拡がるために、外部電源配線から低抵抗の導電
性薄膜を付する取出し電極部（2a、6a）への電荷または
電子の供給が速くなり、取出し電極部2a、6aを経て電極
本体への供給速度も速くなって、着消色の反応性を向上
させることができる。
れぞれは、上方の斜面及び下方の斜面を合わせて領域が
前記従来よりも拡がり、この部分に設けた薄膜11a、11b
も領域が拡がるために、外部電源配線から低抵抗の導電
性薄膜を付する取出し電極部（2a、6a）への電荷または
電子の供給が速くなり、取出し電極部2a、6aを経て電極
本体への供給速度も速くなって、着消色の反応性を向上
させることができる。
前記薄膜11a、11bに外部配線La、Lbを半田付けして、
駆動電源Ｓからの着色電圧（＋1.35V）を印加すると、
ガラス基板10側から入射させて波長633nmの光に対し透
過率が20％に減少し（10秒後）、この透過率は電圧印加
を止めても、しばらく保たれた。今度は消色電圧（−1.
35）を印加すると、同じく透過率は70％に回復した（10
秒後）。
駆動電源Ｓからの着色電圧（＋1.35V）を印加すると、
ガラス基板10側から入射させて波長633nmの光に対し透
過率が20％に減少し（10秒後）、この透過率は電圧印加
を止めても、しばらく保たれた。今度は消色電圧（−1.
35）を印加すると、同じく透過率は70％に回復した（10
秒後）。
〔第２実施例〕 第２図は本考案の第２実施例で、EC素子の基板は150m
m×80mm×2mmのガラス基板10を用いており、その両端面
は第１実施例（第１図参照）と同様に先窄まりの「く」
形状に形成されている。
m×80mm×2mmのガラス基板10を用いており、その両端面
は第１実施例（第１図参照）と同様に先窄まりの「く」
形状に形成されている。
EC素子の製作については、まずガラス基板10の両端面
に位置する、それぞれの角度10a1、10b1を介して、上方
の斜面10a2、10b2から下方の斜面10a3、10b3にかけて、
プラズマ溶射法により厚さ約１μｍの銀（Ag）薄膜を、
その後に厚さ約500Åの金（Au）薄膜を順次形成し、銀
／金の２層膜からなる導電性薄膜11a、11bを形成した。
に位置する、それぞれの角度10a1、10b1を介して、上方
の斜面10a2、10b2から下方の斜面10a3、10b3にかけて、
プラズマ溶射法により厚さ約１μｍの銀（Ag）薄膜を、
その後に厚さ約500Åの金（Au）薄膜を順次形成し、銀
／金の２層膜からなる導電性薄膜11a、11bを形成した。
次に基板10の上面に於いて、一部（図示では右方）を
除いた基板10上の他部に真空蒸着法またはイオンプレー
ティング法により、厚さ200nmのITOの電極層２を形成し
た。このとき、回り込み現象により、図中左側の上方斜
面10a2に位置する前記薄膜11aの部分に電極層２の取出
し電極部2aを形成した。
除いた基板10上の他部に真空蒸着法またはイオンプレー
ティング法により、厚さ200nmのITOの電極層２を形成し
た。このとき、回り込み現象により、図中左側の上方斜
面10a2に位置する前記薄膜11aの部分に電極層２の取出
し電極部2aを形成した。
その後、酸化イリジウム（酸化スズとの混合物の形
で）層３、酸化タンタル層４およびWO3層５を順次形成
した。各層３〜５の厚さは、形成順に約150、500、500n
mであった。次にWO3層５の上面からその端面を経て基板
１上の前記一部までに厚さ200nmのITO電極層６を形成し
た。それと同時に、回り込み現象により図中右側の上方
斜面10b2に位置する前記薄膜11bの部分に電極層６の取
出し電極部6aを形成した。
で）層３、酸化タンタル層４およびWO3層５を順次形成
した。各層３〜５の厚さは、形成順に約150、500、500n
mであった。次にWO3層５の上面からその端面を経て基板
１上の前記一部までに厚さ200nmのITO電極層６を形成し
た。それと同時に、回り込み現象により図中右側の上方
斜面10b2に位置する前記薄膜11bの部分に電極層６の取
出し電極部6aを形成した。
エポキシ樹脂７で上面を封止すると共に、封止ガラズ
基板８を接着して封止し、EC素子の製作を完了した。
基板８を接着して封止し、EC素子の製作を完了した。
基板10の両端面に位置する導電性薄膜11a、11bは前記
第１実施例（第１図参照）と同様に領域が拡がり、図示
の下方斜面10a3、10b3に位置する薄膜11a、11bの部分に
外部配線La、Lbを接続させることにより、外部電源配線
から低抵抗の導電性薄膜を付する取出し電極部（2a、6
a）への電荷または電子の供給が速くなり、取出し電極
部2a、6aを介する電極本体への供給速度も速くなって、
着消色の反応性が向上することができる。
第１実施例（第１図参照）と同様に領域が拡がり、図示
の下方斜面10a3、10b3に位置する薄膜11a、11bの部分に
外部配線La、Lbを接続させることにより、外部電源配線
から低抵抗の導電性薄膜を付する取出し電極部（2a、6
a）への電荷または電子の供給が速くなり、取出し電極
部2a、6aを介する電極本体への供給速度も速くなって、
着消色の反応性が向上することができる。
〔第３実施例〕 第３図は本考案の実施例で、150mm×80mm×2mmのガラ
ス基板12を用い、その両端面12a、12bは、それぞれ削ぎ
落としたテーパ面に形成されている。
ス基板12を用い、その両端面12a、12bは、それぞれ削ぎ
落としたテーパ面に形成されている。
このガラス基板12の上面に於いて、一部（図示では右
方）を除いた基板12上の他部に真空蒸着法またはイオン
プレーティング法により、厚さ200nmのITO電極層２を形
成した。このとき、回り込み現象により基板12上の他部
から続いて図中左側のテーパ面12aにも電極層２の取出
し電極部2aを形成した。
方）を除いた基板12上の他部に真空蒸着法またはイオン
プレーティング法により、厚さ200nmのITO電極層２を形
成した。このとき、回り込み現象により基板12上の他部
から続いて図中左側のテーパ面12aにも電極層２の取出
し電極部2aを形成した。
その後、酸化イリジウム（酸化スズとの混合物の形
で）層３、酸化タンタル層４およびWO3層５を順次形成
した。各層３〜５の厚さは、形成順に約150、500、500n
mであった。次にWO3層５の上面からその端面および基板
１上の前記一部を経て図中右側のテーパ面12bまでに、
取出し電極部６を含む厚さ200nmのITO電極層６を形成し
た。
で）層３、酸化タンタル層４およびWO3層５を順次形成
した。各層３〜５の厚さは、形成順に約150、500、500n
mであった。次にWO3層５の上面からその端面および基板
１上の前記一部を経て図中右側のテーパ面12bまでに、
取出し電極部６を含む厚さ200nmのITO電極層６を形成し
た。
エポキシ樹脂７で上面を封止すると共に、封止ガラス
基板８を接着して封止し、次いでテーパ面12a、12bに位
置する取出し電極部2a、6aのそれぞれに、前述と同様に
銀／金の２層膜からなる導電性薄膜13a、13bを形成し
た。
基板８を接着して封止し、次いでテーパ面12a、12bに位
置する取出し電極部2a、6aのそれぞれに、前述と同様に
銀／金の２層膜からなる導電性薄膜13a、13bを形成し
た。
以上よりEC素子の製作を完了し、基板12の両端面12
a、12bは、そぎおとしたテーパ面に形成されているため
に領域が拡がり、この領域に位置する導電性薄膜13a、1
3bも拡がるので、この薄膜13a、13bに外部配線La、Lbを
接続することにより、前述と同様に供給速度が速くな
り、着消色の反応性を向上させることができる。
a、12bは、そぎおとしたテーパ面に形成されているため
に領域が拡がり、この領域に位置する導電性薄膜13a、1
3bも拡がるので、この薄膜13a、13bに外部配線La、Lbを
接続することにより、前述と同様に供給速度が速くな
り、着消色の反応性を向上させることができる。
以上の本考案によれば、前記基板の両端面を、それぞ
れ対称的に先窄まりの形状に形成したために、その端面
領域が拡がり、この領域に位置する低抵抗の導電性薄膜
も拡がるために、外部電源配線から低抵抗の導電性薄膜
を付する取出し電極部（2a、6a）への電荷または電子の
供給が速くなり、取出し電極部を介する両電極間の供給
速度も速くなって、着消色の反応性を向上させることが
できる。
れ対称的に先窄まりの形状に形成したために、その端面
領域が拡がり、この領域に位置する低抵抗の導電性薄膜
も拡がるために、外部電源配線から低抵抗の導電性薄膜
を付する取出し電極部（2a、6a）への電荷または電子の
供給が速くなり、取出し電極部を介する両電極間の供給
速度も速くなって、着消色の反応性を向上させることが
できる。
第１図は本考案の第１実施例に係るEC素子の概略断面図
である。 第２図は本考案の第２実施例に係るEC素子の概略断面図
である。 第３図は本考案の第３実施例に係るEC素子の概略断面図
である。 第４図は従来に係るEC素子の概略断面図である。 １、10、12……ガラス基板 ２、６……透明電極層 2a、6a……取出し電極部 ３……可逆的電解酸化層 ４……イオン導電層 ５……還元着色性EC層 ７……封止樹脂、８……封止ガラス基板 9a、9b、11a、11b、13a、13b……低抵抗の導電性薄膜 La、Lb……外部配線 Ｓ……外部電源
である。 第２図は本考案の第２実施例に係るEC素子の概略断面図
である。 第３図は本考案の第３実施例に係るEC素子の概略断面図
である。 第４図は従来に係るEC素子の概略断面図である。 １、10、12……ガラス基板 ２、６……透明電極層 2a、6a……取出し電極部 ３……可逆的電解酸化層 ４……イオン導電層 ５……還元着色性EC層 ７……封止樹脂、８……封止ガラス基板 9a、9b、11a、11b、13a、13b……低抵抗の導電性薄膜 La、Lb……外部配線 Ｓ……外部電源
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に設けた一対の透明電極層を有する
エレクトロクロミック素子において、 前記基板の両端面をそれぞれ対称的に先窄まりの「く」
形状に形成し、この形状によって生じた角部を介して上
方の斜面から下方の斜面にかけて前記透明電極層の端部
である取出し電極部を設け、さらに該取出し電極部上に
低抵抗の導電性薄膜を形成したことを特徴とするエレク
トロクロミック素子。 - 【請求項２】基板上に設けた一対の透明電極層を有する
エレクトロクロミック素子において、 前記基板の両端面をそれぞれ対称的に先窄まりの「く」
形状に形成し、この形状によって生じた角部を介して上
方の斜面から下方の斜面にかけて低抵抗の導電性薄膜を
形成し、さらに該導電性薄膜上に透明電極層の端部であ
る取出し電極部がかかるようにしたことを特徴とするエ
レクトロクロミック素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989078968U JP2567786Y2 (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | エレクトロクロミック素子 |
| US07/491,053 US5187607A (en) | 1989-03-13 | 1990-03-09 | Electrochromic device with low resistance electrical connections |
| DE4007991A DE4007991A1 (de) | 1989-03-13 | 1990-03-13 | Elektrochromes bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989078968U JP2567786Y2 (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | エレクトロクロミック素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0318516U JPH0318516U (ja) | 1991-02-22 |
| JP2567786Y2 true JP2567786Y2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=31622712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989078968U Expired - Fee Related JP2567786Y2 (ja) | 1989-03-13 | 1989-07-04 | エレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2567786Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4871568B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2012-02-08 | 株式会社羅羅屋 | 背負い鞄の肩ベルト取付環用カバー及びそれを備えた背負い鞄用背当てパッド |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61129626A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-17 | Asahi Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク装置 |
| JPH0820648B2 (ja) * | 1986-08-04 | 1996-03-04 | 株式会社ニコン | 端面に取出し電極部を設けたｅｃ素子 |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP1989078968U patent/JP2567786Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318516U (ja) | 1991-02-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |