JPH0578806B2 - - Google Patents
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- JPH0578806B2 JPH0578806B2 JP60113639A JP11363985A JPH0578806B2 JP H0578806 B2 JPH0578806 B2 JP H0578806B2 JP 60113639 A JP60113639 A JP 60113639A JP 11363985 A JP11363985 A JP 11363985A JP H0578806 B2 JPH0578806 B2 JP H0578806B2
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明は、エレクトロクロミツク素子の改良に
関する。
関する。
(発明の背景)
電圧を印加すると可逆的に電解酸化または還元
反応が起こり可逆的に着色する現象をエレクトロ
クロミズムと言う。このような現象を示すエレク
トロクロミツク(以下、ECと略称する)物質を
用いて、電圧操作により着消色するEC素子(以
下、ECDと略す)を作り、このECDを光量制御
素子(例えば、防眩ミラー)や7セグメントを利
用した数字表示素子に利用しようとする試みは、
20年以上前から行なわれている。例えば、ガラス
基板の上に透明電極膜(陰極),三酸化タングス
テン薄膜、二酸化ケイ素のような絶縁膜、電極膜
(陽極)を順次積層してなるECD(特公昭52−
46098参照)が全固体型ECDとして知られてい
る。このECDに電圧を印加すると三酸化タング
ステン(WO3)薄膜が青色に着色する。その後、
このECDに逆の電圧を印加すると、WO3薄膜の
青色が消えて無色になる。この着色・消色する機
構は詳しくは解明されていないが、WO3薄膜お
よび絶縁膜(イオン導電層)中に含まれる少量の
水分がWO3の着色・消色を支配していると理解
されている。着色の反応式は下記のように推定さ
れている。
反応が起こり可逆的に着色する現象をエレクトロ
クロミズムと言う。このような現象を示すエレク
トロクロミツク(以下、ECと略称する)物質を
用いて、電圧操作により着消色するEC素子(以
下、ECDと略す)を作り、このECDを光量制御
素子(例えば、防眩ミラー)や7セグメントを利
用した数字表示素子に利用しようとする試みは、
20年以上前から行なわれている。例えば、ガラス
基板の上に透明電極膜(陰極),三酸化タングス
テン薄膜、二酸化ケイ素のような絶縁膜、電極膜
(陽極)を順次積層してなるECD(特公昭52−
46098参照)が全固体型ECDとして知られてい
る。このECDに電圧を印加すると三酸化タング
ステン(WO3)薄膜が青色に着色する。その後、
このECDに逆の電圧を印加すると、WO3薄膜の
青色が消えて無色になる。この着色・消色する機
構は詳しくは解明されていないが、WO3薄膜お
よび絶縁膜(イオン導電層)中に含まれる少量の
水分がWO3の着色・消色を支配していると理解
されている。着色の反応式は下記のように推定さ
れている。
H2O → H++OH-
(WO3膜=陰極側)WO3+
nH+
無色透明+ne-→
HnWO3
青色
(絶縁膜=陽極側)OH-→1/2H2O+1/4O2↑+1
/2e- ところで,EC層を直接又は間接的に挟む一対
の電極層は、EC層の着消色を外部に見せるため
に、少なくとも一方は透明でなければならない。
特に透過型のECDの場合には両方とも透明でな
ければならない。透明な電極材料としては、現在
のところSnO2,In2O3,ITO(SnO2とIn2O3との
混合物)、ZnOなどが知られているが、これらの
材料は比較的透明度が悪いために薄くせねばなら
ず、この理由及びその他の理由からECDは基板
例えばガラス板やプラスチツク板の上に形成する
のが普通であり、このようなECDの構造の一例
を第2図に示す。
/2e- ところで,EC層を直接又は間接的に挟む一対
の電極層は、EC層の着消色を外部に見せるため
に、少なくとも一方は透明でなければならない。
特に透過型のECDの場合には両方とも透明でな
ければならない。透明な電極材料としては、現在
のところSnO2,In2O3,ITO(SnO2とIn2O3との
混合物)、ZnOなどが知られているが、これらの
材料は比較的透明度が悪いために薄くせねばなら
ず、この理由及びその他の理由からECDは基板
例えばガラス板やプラスチツク板の上に形成する
のが普通であり、このようなECDの構造の一例
を第2図に示す。
第2図に於いて、Aは上部透明電極、Bは下部
透明電極、Cは還元着色性EC層(例えばWO3)、
Dはイオン導電層、Eは可逆的電解酸化層(例え
ば酸化又は水酸化イリジウム)をそれぞれ示し、
基本的にはこのA〜Bの積層構造だけでECDが
構成されるが、前述のとおり、これらのECDは
基板S上に形成される。RはECDの封止材例え
ばエポキシ樹脂であり、Gは保護用の封止基板で
ある。
透明電極、Cは還元着色性EC層(例えばWO3)、
Dはイオン導電層、Eは可逆的電解酸化層(例え
ば酸化又は水酸化イリジウム)をそれぞれ示し、
基本的にはこのA〜Bの積層構造だけでECDが
構成されるが、前述のとおり、これらのECDは
基板S上に形成される。RはECDの封止材例え
ばエポキシ樹脂であり、Gは保護用の封止基板で
ある。
このようなECDの電極A,Bに外部電源を供
給するために、各々取出し電極部が必要であり、
これまで各取出し電極部は、第2図に示すように
基板Sの上面に設けられ、ここに外部配線LA,
LBがそれぞれ接続されていた。
給するために、各々取出し電極部が必要であり、
これまで各取出し電極部は、第2図に示すように
基板Sの上面に設けられ、ここに外部配線LA,
LBがそれぞれ接続されていた。
そのため下記の如き欠点〜があつた。
表示面積が大きく取れないこと(取出し電極
部の分だけ表示面積が小さくなつてしまう)。
部の分だけ表示面積が小さくなつてしまう)。
基板Sと封止基板Gとの大きさが異ならざる
を得ないため、封止するときに封止基板Gの位
置決めが難しくなり、手間がかかること。
を得ないため、封止するときに封止基板Gの位
置決めが難しくなり、手間がかかること。
取出し電極部の上を封止材Rが覆い易く、外
部配線LA,LBを接続するときに手間がかかる
こと。
部配線LA,LBを接続するときに手間がかかる
こと。
(発明の目的)
本発明の目的は、前記欠点〜を解決し、表
示面積が大きく、封止作業性及び外部配線の接続
作業性の良好なECDを提供することにある。
示面積が大きく、封止作業性及び外部配線の接続
作業性の良好なECDを提供することにある。
(発明の概要)
そのため、本発明のECDは、上部電極及び下
部電極のそれぞれの取出し電極部を同一基板の上
面ではなく端面(側面)に設けたことに特徴があ
る。この場合、基板上面から端面へと連続した電
極層を形成する必要があるが、上面と端面との境
界に相当する角(エツヂ)を面取りしておくこと
が好ましい。面取りしておくと、(イ)端面にある取
出し電極部から上面にある電極層本体への電気抵
抗が低くなるので好ましい。また(ロ)真空薄膜形成
技術例えば真空蒸着により基板上面に電極層を形
成するとき、回り込み現象を利用して端面にまで
も電極層、つまり取出し電極部を形成することが
できるので好ましい。そのほか(ハ)取扱い中に角を
破損して上面にある電極層本体と端面にある取出
し電極部との断線を来たす危険がなくなるので好
ましい。
部電極のそれぞれの取出し電極部を同一基板の上
面ではなく端面(側面)に設けたことに特徴があ
る。この場合、基板上面から端面へと連続した電
極層を形成する必要があるが、上面と端面との境
界に相当する角(エツヂ)を面取りしておくこと
が好ましい。面取りしておくと、(イ)端面にある取
出し電極部から上面にある電極層本体への電気抵
抗が低くなるので好ましい。また(ロ)真空薄膜形成
技術例えば真空蒸着により基板上面に電極層を形
成するとき、回り込み現象を利用して端面にまで
も電極層、つまり取出し電極部を形成することが
できるので好ましい。そのほか(ハ)取扱い中に角を
破損して上面にある電極層本体と端面にある取出
し電極部との断線を来たす危険がなくなるので好
ましい。
本発明に於けるECDの積層構造は、特にどれ
と限定されるものではないが、固体型ECDの構
造としては、例えば電極層/EC層/イオン導
電層/電極層のような4層構造、電極層/還元
着色型EC層/イオン導電層/可逆的電解酸化
層/電極層のような5層構造があげられる。
と限定されるものではないが、固体型ECDの構
造としては、例えば電極層/EC層/イオン導
電層/電極層のような4層構造、電極層/還元
着色型EC層/イオン導電層/可逆的電解酸化
層/電極層のような5層構造があげられる。
透明電極の材料としては、例えば、SnO2,In2
O3,ITOなどが使用される。このような電極層
は、一般には真空蒸着、イオンプレーテイング、
スパツタリングなどの真空薄膜形成技術で形成さ
れる。(還元着色性)EC層としては一般にWO3,
MoO3などが使用される。
O3,ITOなどが使用される。このような電極層
は、一般には真空蒸着、イオンプレーテイング、
スパツタリングなどの真空薄膜形成技術で形成さ
れる。(還元着色性)EC層としては一般にWO3,
MoO3などが使用される。
イオン導電層としては、例えば酸化ケイ素、酸
化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸
化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、
酸化ランタン、フツ化マグネシウムなどが使用さ
れる。これらの物質薄膜は製造方法により電子に
対して絶縁体であるが、プロトン(H+)および
ヒドロキシイオン(OH-)に対しては良導体と
なる。EC層の着色消色反応にはカチオンが必要
とされ、H+イオンやLi+イオンをEC層その他に
含有させる必要がある。H+イオンは初めからイ
オンである必要はなく、電圧が印加されたときに
H+イオンが生じればよく、従つてH+イオンの代
わりに水を含有させてもよい。この水は非常に少
なくて十分であり、しばしば、大気中から自然に
侵入する水分でも着消色する。
化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸
化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、
酸化ランタン、フツ化マグネシウムなどが使用さ
れる。これらの物質薄膜は製造方法により電子に
対して絶縁体であるが、プロトン(H+)および
ヒドロキシイオン(OH-)に対しては良導体と
なる。EC層の着色消色反応にはカチオンが必要
とされ、H+イオンやLi+イオンをEC層その他に
含有させる必要がある。H+イオンは初めからイ
オンである必要はなく、電圧が印加されたときに
H+イオンが生じればよく、従つてH+イオンの代
わりに水を含有させてもよい。この水は非常に少
なくて十分であり、しばしば、大気中から自然に
侵入する水分でも着消色する。
EC層とイオン導電層とは、どちらを上にして
も下にしてもよい。さらにEC層に対して間にイ
オン導電層を挟んで(場合により酸化着色性EC
層ともなる)可逆的電解酸化層ないし触媒層を配
設してもよい。このような層としては、例えば酸
化ないし水酸化イリジウム、同じくニツケル、同
じくクロム、同じくバナジウム、同じくルテニウ
ム、同じくロジウムなどがあげられる。これらの
物質は、イオン導電層又は透明電極中に分散され
ていても良いし、それらを分散していてもよい。
不透明な電極層は、反射層と兼用していてもよ
く、例えば金、銀、アルミニウム、クロム、ス
ズ、亜鉛、ニツケル、ルテニウム、ロジウム、ス
テンレスなどの金属が使用される。
も下にしてもよい。さらにEC層に対して間にイ
オン導電層を挟んで(場合により酸化着色性EC
層ともなる)可逆的電解酸化層ないし触媒層を配
設してもよい。このような層としては、例えば酸
化ないし水酸化イリジウム、同じくニツケル、同
じくクロム、同じくバナジウム、同じくルテニウ
ム、同じくロジウムなどがあげられる。これらの
物質は、イオン導電層又は透明電極中に分散され
ていても良いし、それらを分散していてもよい。
不透明な電極層は、反射層と兼用していてもよ
く、例えば金、銀、アルミニウム、クロム、ス
ズ、亜鉛、ニツケル、ルテニウム、ロジウム、ス
テンレスなどの金属が使用される。
以下、第1図を引用して本発明を実施例により
詳細に説明する。
詳細に説明する。
(実施例)
まず上面と端面との角を面取りした150mm×80
mm×3mmのガラス基板Sと同一寸法のガラス製封
止基板Gを用意した。
mm×3mmのガラス基板Sと同一寸法のガラス製封
止基板Gを用意した。
次に前記ガラス基板Sの上面に真空蒸着により
ITO電極層を形成した。このとき、回り込み現象
により電極層は上面から続いて端面にも形成され
た。
ITO電極層を形成した。このとき、回り込み現象
により電極層は上面から続いて端面にも形成され
た。
端面から上面にまで形成された電極層は、次に
ホトエツチングにより、上部電極A用の取出し電
極部と下部電極Bとに分離した。
ホトエツチングにより、上部電極A用の取出し電
極部と下部電極Bとに分離した。
その後、酸化イリジウム(酸化スズとの混合物
の形で)層E、酸化タンタル層D及びWO3層C
を順に形成した。
の形で)層E、酸化タンタル層D及びWO3層C
を順に形成した。
最後に上部電極AとしてAlを蒸着し、このと
き、Alは既に基板S上に形成された取出し電極
部と一端が接触するようにする(第1図参照)。
き、Alは既に基板S上に形成された取出し電極
部と一端が接触するようにする(第1図参照)。
エポキシ樹脂封止材Rで上面を封止すると共に
封止基板Gを接着して封止を完了し、本実施例の
ECDを作製した。この場合、封止基板Gは基板
Sと同一寸法であるために位置決めが極めて容易
であり、また封止材が取出し電極部を覆つてしま
うこともなかつた。
封止基板Gを接着して封止を完了し、本実施例の
ECDを作製した。この場合、封止基板Gは基板
Sと同一寸法であるために位置決めが極めて容易
であり、また封止材が取出し電極部を覆つてしま
うこともなかつた。
端面に形成された両取出し電極部にそれぞれ外
部配線LA,LBをボンデイングして、駆動電源Su
から着色電圧(+1.35V)を印加すると、基板S
側から入射させた波長633nmの光Lに対し反射率
が15%に減少し(10秒後)、この反射率は電圧印
加を止めても、しばらく保たれた。今度は消色電
圧(−1.35V)を印加すると、同じく反射率は65
%に回復した(10秒後)。
部配線LA,LBをボンデイングして、駆動電源Su
から着色電圧(+1.35V)を印加すると、基板S
側から入射させた波長633nmの光Lに対し反射率
が15%に減少し(10秒後)、この反射率は電圧印
加を止めても、しばらく保たれた。今度は消色電
圧(−1.35V)を印加すると、同じく反射率は65
%に回復した(10秒後)。
(発明の効果)
以上の通り、本発明によれば、上部電極及び下
部電極のそれぞれの取出し電極部を同一基板の端
面に設けたので、表示面積を大きくとることがで
き、また封止材が取出し電極部を覆いにくくな
り、そのほか基板と同一寸法の封止基板を使用で
きるようになり、そのため封止基板の位置決め作
業が容易になる。
部電極のそれぞれの取出し電極部を同一基板の端
面に設けたので、表示面積を大きくとることがで
き、また封止材が取出し電極部を覆いにくくな
り、そのほか基板と同一寸法の封止基板を使用で
きるようになり、そのため封止基板の位置決め作
業が容易になる。
第1図は本発明の一実施例にかかるECDの概
略垂直断面図である。第2図は従来のECDの概
略垂直断面図である。 主要部分の符号の説明、S……基板、A……上
部電極、B……下部電極、C……還元着色性EC
層又はWO3層、LA,LB……外部配線。
略垂直断面図である。第2図は従来のECDの概
略垂直断面図である。 主要部分の符号の説明、S……基板、A……上
部電極、B……下部電極、C……還元着色性EC
層又はWO3層、LA,LB……外部配線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 同一基板上に、少なくとも、上部電極、エレ
クトロクロミツク層及び下部電極を積層してなる
エレクトロクロミツク素子に於いて、 前記同一基板の端面に、前記上部電極及び前記
下部電極のそれぞれの取出し電極部を設けたこと
を特徴とするエレクトロクロミツク素子。 2 前記基板の上面と端面との境界に相当する角
を面取りしたことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のエレクトロクロミツク素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11363985A JPS61270735A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 同一基板の端面に上下電極の各取出し電極部を設けたエレクトロクロミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11363985A JPS61270735A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 同一基板の端面に上下電極の各取出し電極部を設けたエレクトロクロミック素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61270735A JPS61270735A (ja) | 1986-12-01 |
JPH0578806B2 true JPH0578806B2 (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=14617334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11363985A Granted JPS61270735A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 同一基板の端面に上下電極の各取出し電極部を設けたエレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61270735A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6449822U (ja) * | 1987-09-21 | 1989-03-28 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61129626A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-17 | Asahi Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク装置 |
JPS61245143A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Asahi Glass Co Ltd | 調光体 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0452732Y2 (ja) * | 1985-05-21 | 1992-12-11 |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP11363985A patent/JPS61270735A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61129626A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-17 | Asahi Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク装置 |
JPS61245143A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Asahi Glass Co Ltd | 調光体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61270735A (ja) | 1986-12-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |