JPS62270918A - 液晶表示素子の傾斜配向処理方法 - Google Patents
液晶表示素子の傾斜配向処理方法Info
- Publication number
- JPS62270918A JPS62270918A JP11512486A JP11512486A JPS62270918A JP S62270918 A JPS62270918 A JP S62270918A JP 11512486 A JP11512486 A JP 11512486A JP 11512486 A JP11512486 A JP 11512486A JP S62270918 A JPS62270918 A JP S62270918A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rubbing
- substrate
- film
- odse
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 abstract description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 abstract 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 241000190020 Zelkova serrata Species 0.000 description 1
- -1 acrylic or Nyxy Chemical compound 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
- G02F1/133719—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films with coupling agent molecules, e.g. silane
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
６、発明の詳細な説明
（技術分野）
本発明は、液晶分子を基板面に対して４〜８９度の間の
一定角度で配列させるための傾斜配向処理方法に関する
ものである。
一定角度で配列させるための傾斜配向処理方法に関する
ものである。
（従来技術）
傾斜配向処理方法には次のようなものがある。
（１）、斜め蒸着法
酸化シリコンや金などを基板面に対し斜め方向より真空
蒸着して傾斜配向膜を形成する。
蒸着して傾斜配向膜を形成する。
（ｉｉ）、 斜め蒸着と垂直配向の併用（１）項によ
る斜め蒸着の後、その傾斜面に垂直配向剤により垂直配
向膜を形成する。
る斜め蒸着の後、その傾斜面に垂直配向剤により垂直配
向膜を形成する。
しかし、いずれの方法においても、次のような問題点を
有する。
有する。
（１）、配向処理装置として真空蒸着装置（真空容器な
ど）を必要とし設備費が高くなる。
ど）を必要とし設備費が高くなる。
（２）、一つの蒸着源に対し多くの基板を配置して蒸着
すると、蒸着角度が基板間で、あるいは同じ基板の位置
によって相違するようになり、歩留まりを高くしにくい
。
すると、蒸着角度が基板間で、あるいは同じ基板の位置
によって相違するようになり、歩留まりを高くしにくい
。
（３）基板面に対する配向角度に応じて基板を傾けて真
空蒸着室に設置するので、その治具の管理が容易でない
。
空蒸着室に設置するので、その治具の管理が容易でない
。
（発明の目的）
本発明の目的は、低コスト、高歩留まりで、しかも容易
に傾斜配向処理を行うことができる液晶表示素子の傾斜
配向処理方法を提供することにある。
に傾斜配向処理を行うことができる液晶表示素子の傾斜
配向処理方法を提供することにある。
（発明の概要）
本発明は、表示のための透明電極を形成した透明基板の
少なくとも電極形成面に、垂直配向剤を含む溶液で被覆
処理して垂直配向膜を形成し、これに植毛布あるいはベ
ルベットなどの起毛布によるラビング処理を施して傾斜
配向膜を形成するか、またはラビング処理を施した後、
垂直配向剤を含む溶液で被覆処理して傾斜配向膜を形成
する際、被２ビ／グ処理面を上面にして基板を横向きに
移動させ、宙吊り状態で上下動が自在な起毛布を被ラビ
ング処理面にラビング布取付棒などの自重による荷重を
かけながら接触させてラビングすることを特徴とするも
のである。
少なくとも電極形成面に、垂直配向剤を含む溶液で被覆
処理して垂直配向膜を形成し、これに植毛布あるいはベ
ルベットなどの起毛布によるラビング処理を施して傾斜
配向膜を形成するか、またはラビング処理を施した後、
垂直配向剤を含む溶液で被覆処理して傾斜配向膜を形成
する際、被２ビ／グ処理面を上面にして基板を横向きに
移動させ、宙吊り状態で上下動が自在な起毛布を被ラビ
ング処理面にラビング布取付棒などの自重による荷重を
かけながら接触させてラビングすることを特徴とするも
のである。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示すもので、ガラス板、プ
ラスチックフィルムなどの透明基板１のセル内面となる
面に表示のための透明電極２を酸化インジウムあるいは
酸化スズなどにより形成し、更に信頼性を高めるために
少なくともこの透明電極２を含む表示領域にシリコン、
チ′タンなどの酸化物あるいはアクリル、ニーキシなど
の合成樹脂によって透明な絶縁膜３を形成した後、垂直
配向剤、例えばオフ°りｒジルトリエトキシ７ラン（以
下、ＯＤＢＭ ）の蒸気に曝露して基板１の少なくとも
透明電極形成面に０Ｄ８Ｂ薄膜４を形成する。
ラスチックフィルムなどの透明基板１のセル内面となる
面に表示のための透明電極２を酸化インジウムあるいは
酸化スズなどにより形成し、更に信頼性を高めるために
少なくともこの透明電極２を含む表示領域にシリコン、
チ′タンなどの酸化物あるいはアクリル、ニーキシなど
の合成樹脂によって透明な絶縁膜３を形成した後、垂直
配向剤、例えばオフ°りｒジルトリエトキシ７ラン（以
下、ＯＤＢＭ ）の蒸気に曝露して基板１の少なくとも
透明電極形成面に０Ｄ８Ｂ薄膜４を形成する。
なお、０Ｄ１３ＩＣ薄膜４は、ＯＤＳｇを溶解したメチ
ルアルコールに基板１（電極２及び絶縁Ｊ［３を形成し
たもの）を浸漬し、引上げ、加熱処理して形成してもよ
い。
ルアルコールに基板１（電極２及び絶縁Ｊ［３を形成し
たもの）を浸漬し、引上げ、加熱処理して形成してもよ
い。
このＯＤ［薄膜４に２ピング処理を施して傾斜配向膜と
する。ラビングには、ラビング板２１とラビング用治興
ｎを用いる。治具ｎは、軸方向に長孔２２Ａを有する支
持具２２Ｂ、ラビング布取付棒２２ｃ、この取付棒２２
０の略下半面に張り付けたラビング布（植毛布あるいは
ベルベットなどの起毛を有する起毛布）２２Ｄ、前記取
付棒２２ｃの上面に固定した支持棒２２ｍ、この支持棒
２２にの上端に横向きに固定されて前記長孔２２Ａと係
合する接手棒２２ＰＫより構成されており、支持棒２２
Ｂは接手欅２２Ｆを支点として揺動可能となっている。
する。ラビングには、ラビング板２１とラビング用治興
ｎを用いる。治具ｎは、軸方向に長孔２２Ａを有する支
持具２２Ｂ、ラビング布取付棒２２ｃ、この取付棒２２
０の略下半面に張り付けたラビング布（植毛布あるいは
ベルベットなどの起毛を有する起毛布）２２Ｄ、前記取
付棒２２ｃの上面に固定した支持棒２２ｍ、この支持棒
２２にの上端に横向きに固定されて前記長孔２２Ａと係
合する接手棒２２ＰＫより構成されており、支持棒２２
Ｂは接手欅２２Ｆを支点として揺動可能となっている。
また、前記ラビング板２１は、上面に基板収容凹部２１
ム、前後の端部（図示左右の端部）にチーＩ４−面２１
Ｂ 、 ２１ Ｃ！を有し、矢印ａ１方向及びその逆
方向に移動できるようＫなっている。
ム、前後の端部（図示左右の端部）にチーＩ４−面２１
Ｂ 、 ２１ Ｃ！を有し、矢印ａ１方向及びその逆
方向に移動できるようＫなっている。
ラビングに際しては、ラビング板２１の凹部２１ムに０
ＤＢＢ薄膜４が上になるように基板ｌを入れる。
ＤＢＢ薄膜４が上になるように基板ｌを入れる。
このラビング板２１は、待機状態では図示状態より右側
に位置しそのテーパー面２１ Ｂが治具ｎより右側にあ
る。この状態では、治具ｎの接手棒２２Ｆは長孔４ムの
下端に位置し、起毛布２２Ｄの起毛先端はラビング板２
１、つまりＯＤ８ｍ薄膜４０表面より下にある。
に位置しそのテーパー面２１ Ｂが治具ｎより右側にあ
る。この状態では、治具ｎの接手棒２２Ｆは長孔４ムの
下端に位置し、起毛布２２Ｄの起毛先端はラビング板２
１、つまりＯＤ８ｍ薄膜４０表面より下にある。
２ピング板２１を矢印ａ１方向に移動させると、前端（
左端）のチーＩ譬−面２１８ Ｋ起毛布２２Ｄが当接し
て上方に押し上げられる。そのままラビング板２１が左
方向へ移動すると、起毛布２２Ｄが薄膜４に取付棒２２
０などの自重を荷重として接触する。つまり、ラビング
が行われる。ラビング板２１の右端のチーＩＪ？−面が
治具ｎの直下にくると、支持棒２２ｇが矢印ａ２のよう
に降下し、取付棒２２ｃは宙ぶらりんとなる。この後、
ラビング板２１の移動を停止させて基板１を取出し、ラ
ビング板２１を元の位置に戻す。
左端）のチーＩ譬−面２１８ Ｋ起毛布２２Ｄが当接し
て上方に押し上げられる。そのままラビング板２１が左
方向へ移動すると、起毛布２２Ｄが薄膜４に取付棒２２
０などの自重を荷重として接触する。つまり、ラビング
が行われる。ラビング板２１の右端のチーＩＪ？−面が
治具ｎの直下にくると、支持棒２２ｇが矢印ａ２のよう
に降下し、取付棒２２ｃは宙ぶらりんとなる。この後、
ラビング板２１の移動を停止させて基板１を取出し、ラ
ビング板２１を元の位置に戻す。
なお、ラビング処理を複数回行う場合には、１回目のラ
ビング完了時点で支持具２２Ｂを上方に移動させ、この
状態でラビング板２１を元の位置に戻し、支持具２２Ｂ
を下降させる。そして、再びラビング板２１を矢印ａ１
方向に移動させる。この動作を所要回数だけ繰返す。
ビング完了時点で支持具２２Ｂを上方に移動させ、この
状態でラビング板２１を元の位置に戻し、支持具２２Ｂ
を下降させる。そして、再びラビング板２１を矢印ａ１
方向に移動させる。この動作を所要回数だけ繰返す。
第２図は本発明方法で傾斜配向処理した液晶表示素子の
構造を示したもので、基板１に透明電極２、絶縁膜３．
０Ｄ１３１ｆｉ薄膜４を形成し、ラビング処理を施した
のと同様に、基板５に透明電極６、絶縁膜７．０Ｄ８１
１ｉ薄膜８を形成し、ラビング処理を施した後、両基板
／１ 、５をスイープなどを介して一定間隔で対向配置
し、その周辺部をシール材９でシールして空セルとし、
このセル内に液晶１０を充填している。
構造を示したもので、基板１に透明電極２、絶縁膜３．
０Ｄ１３１ｆｉ薄膜４を形成し、ラビング処理を施した
のと同様に、基板５に透明電極６、絶縁膜７．０Ｄ８１
１ｉ薄膜８を形成し、ラビング処理を施した後、両基板
／１ 、５をスイープなどを介して一定間隔で対向配置
し、その周辺部をシール材９でシールして空セルとし、
このセル内に液晶１０を充填している。
次に、具体例を示す。
具体例！。
ガラス基板に酸化スズで表示のための透明電極を形成し
、表示領域に化学蒸着法（ＯＶＤ）により酸化シリコン
の絶縁膜（膜厚２０００ Ｋ ）を形成した後、垂直配
向剤０Ｄ８Ｋを用いて薄膜を形成する。
、表示領域に化学蒸着法（ＯＶＤ）により酸化シリコン
の絶縁膜（膜厚２０００ Ｋ ）を形成した後、垂直配
向剤０Ｄ８Ｋを用いて薄膜を形成する。
そして、薄膜が上面となるように基板をラビング板の凹
部に入れる。
部に入れる。
起毛布は、繊維長１間のレーヨン繊維を起立させた布と
する。取付棒は直径４０閣、長さ３００瓢の金属棒とす
る。その重量はアルミニウムでは１．４匂、黄銅では３
．５Ｋｇである。
する。取付棒は直径４０閣、長さ３００瓢の金属棒とす
る。その重量はアルミニウムでは１．４匂、黄銅では３
．５Ｋｇである。
ラビング板、つまり０ＤＳＢ薄膜の移動速度を１ｃＷ１
／秒としてラビング処理したところ、アルミニウムの場
合は、１回のラビングでチルト角は０．１〜０．３度基
板法線より傾斜した。３回のラビングでは０．５〜０．
９度であった。また、黄銅の場合は、１回のラビングで
帆３〜０．７度、２回のラビングで０．４〜１．３度、
３回のラビングで０．５〜２．２度であった。
／秒としてラビング処理したところ、アルミニウムの場
合は、１回のラビングでチルト角は０．１〜０．３度基
板法線より傾斜した。３回のラビングでは０．５〜０．
９度であった。また、黄銅の場合は、１回のラビングで
帆３〜０．７度、２回のラビングで０．４〜１．３度、
３回のラビングで０．５〜２．２度であった。
このような傾斜配向処理を施した後、セルを形成し、内
部に誘電異方性が負のネマチック液晶に二色性色素を加
えた液晶材料を充填して液晶表示素子を作製した。この
素子に電圧を印加したところ、−軸性のよいきれいな表
示が得られた。
部に誘電異方性が負のネマチック液晶に二色性色素を加
えた液晶材料を充填して液晶表示素子を作製した。この
素子に電圧を印加したところ、−軸性のよいきれいな表
示が得られた。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、垂直配向剤０ＤＳＥの薄
膜の形成後あるいはその前に宙吊り状態で上下動可能な
ラビング布の下方を横方向に基板を移動させ、被ラビン
グ処理面に自重による荷重をかけながらラビングするた
め、ラビング処理に連続性を求めることができ、しかも
、その作業及び工程管理が容易となる。また、設備費も
安価となる。
膜の形成後あるいはその前に宙吊り状態で上下動可能な
ラビング布の下方を横方向に基板を移動させ、被ラビン
グ処理面に自重による荷重をかけながらラビングするた
め、ラビング処理に連続性を求めることができ、しかも
、その作業及び工程管理が容易となる。また、設備費も
安価となる。
更に、チルト角は、ラビングの強さ、つまりラビング布
の取付棒などの自重を変えることにより、自在に設定で
きる。
の取付棒などの自重を変えることにより、自在に設定で
きる。
第１図は本発明に係る液晶表示素子の傾斜配向処理方法
の一実施例を示す断面図、第２図は本発明方法で傾斜配
向処理した液晶表示素子の構造を示す断面図である。 ｌ及び５・・・・・・透明基板、 ２及び６・・・・
・・透明電極、３及び７・・・・・・絶縁膜、 ４
及び８・・・・・・０ＤＳＦ−薄膜、９・・・・・・／
−ル材、 １０・・・・・・液晶、２１・・・・
・・ラビング板、 ２１Ａ・・・・・・凹部、２１Ｂ
及び２１０・・・・・・テーパー面、２２・・・・・・
ラビング用治具、２２Ａ・・・・・・長孔、２２Ｂ・・
・・・・支持具、 ２２Ｃ・・・・・・取付棒
、２２Ｄ・・・・・・ラビング布（起毛布）２２ｇ・・
・・・・支持棒、 ２２Ｆ’・・・・・・接手
棒。 特許出願人 スタンレー電気株式会社＠２図
の一実施例を示す断面図、第２図は本発明方法で傾斜配
向処理した液晶表示素子の構造を示す断面図である。 ｌ及び５・・・・・・透明基板、 ２及び６・・・・
・・透明電極、３及び７・・・・・・絶縁膜、 ４
及び８・・・・・・０ＤＳＦ−薄膜、９・・・・・・／
−ル材、 １０・・・・・・液晶、２１・・・・
・・ラビング板、 ２１Ａ・・・・・・凹部、２１Ｂ
及び２１０・・・・・・テーパー面、２２・・・・・・
ラビング用治具、２２Ａ・・・・・・長孔、２２Ｂ・・
・・・・支持具、 ２２Ｃ・・・・・・取付棒
、２２Ｄ・・・・・・ラビング布（起毛布）２２ｇ・・
・・・・支持棒、 ２２Ｆ’・・・・・・接手
棒。 特許出願人 スタンレー電気株式会社＠２図
Claims (1)
- 表示のための透明電極を形成した透明基板の少なくとも
電極形成面に、垂直配向剤を含む溶液で被覆処理して垂
直配向膜を形成し、これに植毛布あるいはベルベットな
どの起毛布によるラビング処理を施して傾斜配向膜を形
成するか、またはラビング処理を施した後、垂直配向剤
を含む溶液で被覆処理して傾斜配向膜を形成する際、被
ラビング処理面を上面にして基板を横向きに移動させ、
宙吊り状態で上下動が自在な起毛布を被ラビング処理面
にラビング布取付棒などの自重による荷重をかけながら
接触させてラビングすることを特徴とする液晶表示素子
の傾斜配向処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11512486A JPS62270918A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 液晶表示素子の傾斜配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11512486A JPS62270918A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 液晶表示素子の傾斜配向処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62270918A true JPS62270918A (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=14654857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11512486A Pending JPS62270918A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 液晶表示素子の傾斜配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62270918A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02184818A (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ラビングテーブル |
| WO1991011746A1 (en) * | 1990-01-30 | 1991-08-08 | Kabushiki Kaisha Jes | Tilted homeotropic liquid crystal cell, manufacture thereof and double-layered liquid |
| EP1168052A1 (en) * | 1999-03-02 | 2002-01-02 | Seiko Instruments Inc. | Method of manufacturing liquid crystal display |
| CN103278967A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-09-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种取向装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54134453A (en) * | 1978-04-10 | 1979-10-18 | Toshiba Corp | Polishing method of substrate of liquid crystal display element |
| JPS57122418A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Seiko Epson Corp | G-h type liquid crystal display panel |
| JPS5876814A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-10 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示器の製造方法 |
| JPS58147714A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPS59159128A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPS6024519A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPS6146932A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-07 | Sharp Corp | 液晶表示用配向膜のラビング装置 |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP11512486A patent/JPS62270918A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54134453A (en) * | 1978-04-10 | 1979-10-18 | Toshiba Corp | Polishing method of substrate of liquid crystal display element |
| JPS57122418A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Seiko Epson Corp | G-h type liquid crystal display panel |
| JPS5876814A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-10 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示器の製造方法 |
| JPS58147714A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPS59159128A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPS6024519A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPS6146932A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-07 | Sharp Corp | 液晶表示用配向膜のラビング装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02184818A (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ラビングテーブル |
| WO1991011746A1 (en) * | 1990-01-30 | 1991-08-08 | Kabushiki Kaisha Jes | Tilted homeotropic liquid crystal cell, manufacture thereof and double-layered liquid |
| EP1168052A1 (en) * | 1999-03-02 | 2002-01-02 | Seiko Instruments Inc. | Method of manufacturing liquid crystal display |
| EP1168052A4 (en) * | 1999-03-02 | 2005-04-06 | Seiko Instr Inc | METHOD FOR MANUFACTURING A LIQUID CRYSTAL DISPLAY |
| US7327426B1 (en) | 1999-03-02 | 2008-02-05 | Seiko Instruments Inc. | Method of manufacturing liquid crystal display |
| CN103278967A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-09-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种取向装置 |
| WO2014183378A1 (zh) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 北京京东方光电科技有限公司 | 取向装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4084884A (en) | Liquid crystal devices | |
| JPS62270918A (ja) | 液晶表示素子の傾斜配向処理方法 | |
| JP2683138B2 (ja) | 液晶表示素子のラビング配向処理方法 | |
| JPS63104023A (ja) | 電気光学装置 | |
| US3853391A (en) | Fabrication of liquid crystal devices | |
| KR20070015073A (ko) | 반투과형 액정 표시 장치 | |
| CN108153010A (zh) | 液晶透镜及其制造方法、显示装置 | |
| JPS62270917A (ja) | 液晶表示素子の傾斜配向処理方法 | |
| JPS62280821A (ja) | 液晶表示素子の傾斜配向処理方法 | |
| CN201780434U (zh) | 快速响应和高透过率的ips-va液晶显示器 | |
| CN201853036U (zh) | 低阈值电压和快速响应的ips-va液晶显示器 | |
| CN110928006A (zh) | 一种基板、基板的制程方法以及显示面板 | |
| JPH01120536A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| KR100474386B1 (ko) | 액정적하기 세정장치 | |
| JP2815415B2 (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
| JPS56167123A (en) | Orienting method for liquid crystal | |
| JPH0481721A (ja) | 液晶セルの製造方法 | |
| JPS57112714A (en) | Orienting method for liquid crystal display device | |
| JPS63223727A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS6366533A (ja) | 強誘電性液晶パネル | |
| JP3153281B2 (ja) | 液晶分子の垂直配向処理方法 | |
| JPS58147714A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPS63124027A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS57195220A (en) | Substrate treatment method for liquid crystal display device | |
| JPS63123017A (ja) | 液晶素子 |