JPS62262246A - 光磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
光磁気ディスクの製造方法Info
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- JPS62262246A JPS62262246A JP61104253A JP10425386A JPS62262246A JP S62262246 A JPS62262246 A JP S62262246A JP 61104253 A JP61104253 A JP 61104253A JP 10425386 A JP10425386 A JP 10425386A JP S62262246 A JPS62262246 A JP S62262246A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
透明なディスク基板中に含まれる酸素や水などによって
記録層が酸化されて劣化するのを防ぐ方法として、透明
なディスク基板上に形成される第1の保護膜を窒化物と
希土類元素との混合物で形成した光磁気ディスク。
記録層が酸化されて劣化するのを防ぐ方法として、透明
なディスク基板上に形成される第1の保護膜を窒化物と
希土類元素との混合物で形成した光磁気ディスク。
本発明は経時変化を抑制した光磁気ディスクの構成に関
する。
する。
光磁気ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を
行うメモリであり、光ディスクと同様に記録容量が大き
く、非接触で記録と再生を行うことができ、また塵埃の
影響を受けないなど優れた特徴をもつメモリである。
行うメモリであり、光ディスクと同様に記録容量が大き
く、非接触で記録と再生を行うことができ、また塵埃の
影響を受けないなど優れた特徴をもつメモリである。
すなわちレーザ光はレンズによって直径が1μm以下の
小さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って1
ビツトの情報記録に要する面積が1μ112程度で足り
る。
小さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って1
ビツトの情報記録に要する面積が1μ112程度で足り
る。
そのため磁気ディスク或いは磁気テープが1ビツトの情
報記録に数10〜数100μm20面積が必要なのに較
べて逼かに少なくて済み、従って大容量記録が可能であ
る。
報記録に数10〜数100μm20面積が必要なのに較
べて逼かに少なくて済み、従って大容量記録が可能であ
る。
このように光源としてレーザ光を用いる光磁気ディスク
および光ディスクは優れた特性を備えているが、この両
者を比較すると光ディスクは記録媒体として融点の低い
非金属あるいは金属との合金を用い、情報の記録と再生
を穴(ビット)の有無により行う読みだし専用メモリ(
Read 0nly Menory)が主であり、既に
実用化されている。
および光ディスクは優れた特性を備えているが、この両
者を比較すると光ディスクは記録媒体として融点の低い
非金属あるいは金属との合金を用い、情報の記録と再生
を穴(ビット)の有無により行う読みだし専用メモリ(
Read 0nly Menory)が主であり、既に
実用化されている。
一方、光磁気ディスクは書き換え可能なメモリ(Era
sable Men+ory)として開発されたもので
、情報の記録と消去はレーザ照射により磁性膜の温度が
上昇した場合に、磁性膜の保磁力が低下し、僅かの外部
磁場の印加により磁化反転が起こるのを利用して行って
おり、また情報の読み出し・はけ性膜の磁化の向きによ
り偏光面の回転方向が変わることを利用して行われてい
る。
sable Men+ory)として開発されたもので
、情報の記録と消去はレーザ照射により磁性膜の温度が
上昇した場合に、磁性膜の保磁力が低下し、僅かの外部
磁場の印加により磁化反転が起こるのを利用して行って
おり、また情報の読み出し・はけ性膜の磁化の向きによ
り偏光面の回転方向が変わることを利用して行われてい
る。
光磁気ディスクは第3図に断面構造を示すようにディス
ク状の基板lの上に第1の保護膜2を設け、この上に記
録層3.第2の保護膜4と順次層形成されて構成されて
いる。
ク状の基板lの上に第1の保護膜2を設け、この上に記
録層3.第2の保護膜4と順次層形成されて構成されて
いる。
ここで、基板Iはトラックフォロー用の本内溝(プリグ
ループ)を備えたポリメチルメタクリレート(略称PM
M^)、ポリカーボネート(略称PC)、ポリスチレン
(略称PS) 、エポキシなとからなる樹脂基板、ある
いは平坦な上記樹脂基板かガラス基板の上に門外線硬化
樹脂を塗布して案内溝をパターン形成した透明体からな
っており、この上に第1の保護膜として窒化アルミ(A
IN)、窒化チタン(Ti N)、窒化シリコン(Sj
J4)などの窒化膜を約1000人の厚さに被覆して形
成されている。
ループ)を備えたポリメチルメタクリレート(略称PM
M^)、ポリカーボネート(略称PC)、ポリスチレン
(略称PS) 、エポキシなとからなる樹脂基板、ある
いは平坦な上記樹脂基板かガラス基板の上に門外線硬化
樹脂を塗布して案内溝をパターン形成した透明体からな
っており、この上に第1の保護膜として窒化アルミ(A
IN)、窒化チタン(Ti N)、窒化シリコン(Sj
J4)などの窒化膜を約1000人の厚さに被覆して形
成されている。
ここで、第1の保護膜2の必要条件は情報の記録、再生
などの処理に当たって、レーザ光は基板1を通して記録
層3に照射されるため、透明で光吸収が少なく、湿気や
酸素などの透過を防ぐ材料からなることである。
などの処理に当たって、レーザ光は基板1を通して記録
層3に照射されるため、透明で光吸収が少なく、湿気や
酸素などの透過を防ぐ材料からなることである。
次に、記録層3の構成材としては希土類−遷移金属元素
からなる非晶質合金膜が成膜の容易さ、低ノイズなどの
理由から使用されている。
からなる非晶質合金膜が成膜の容易さ、低ノイズなどの
理由から使用されている。
ここで希土類元素はランタン(La)、セリウム(Ce
) 、 Pr (プラセオジウム) 、 Nd (8ネ
オジウム)、Pm(プロメチウム)、Ss+(サマリウ
ム)、Eu(ユウロピウム)、ガドリニウム(Gd)
、テルビウム(Tb) 、ジスプロシウム(Dy) 、
ホルミウム(llo)、エルビウム(Er) 。
) 、 Pr (プラセオジウム) 、 Nd (8ネ
オジウム)、Pm(プロメチウム)、Ss+(サマリウ
ム)、Eu(ユウロピウム)、ガドリニウム(Gd)
、テルビウム(Tb) 、ジスプロシウム(Dy) 、
ホルミウム(llo)、エルビウム(Er) 。
ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb) 、ルテチ
ウム(Lu)の17元素を指し、また遷移金属は原子の
電子配置において不完全なd5!1をもつ元素、または
不覚□全なd殻をもつ陽イオンを生ずる元素で、原子番
号が21 (Sc)から29 (Cu)まで、39 (
Y)から49 (Ag)まで、57(La)から79
(Au)までの元素である。
ウム(Lu)の17元素を指し、また遷移金属は原子の
電子配置において不完全なd5!1をもつ元素、または
不覚□全なd殻をもつ陽イオンを生ずる元素で、原子番
号が21 (Sc)から29 (Cu)まで、39 (
Y)から49 (Ag)まで、57(La)から79
(Au)までの元素である。
光磁気ディスクの記録媒体としては、この両者の非晶質
合金膜が使用されているが、代表的な−。
合金膜が使用されているが、代表的な−。
二の組成についてカー回転角を示すとGa Feの0゜
35°、TbFeの0.30°、Ga Fe Biの0
.41°などである。
35°、TbFeの0.30°、Ga Fe Biの0
.41°などである。
次に第2の保護膜4は第1の保護膜2と同様な目的で記
録層3の上に設けられるものであるが、レーザ光の照射
面ではないため、八j!、Tiなど耐湿性、耐酸化性の
すぐれた金属薄膜が用いられている。
録層3の上に設けられるものであるが、レーザ光の照射
面ではないため、八j!、Tiなど耐湿性、耐酸化性の
すぐれた金属薄膜が用いられている。
然し、このような構成をとっていても経時変化を抑える
効果は充分ではない。
効果は充分ではない。
第2図の破線5は基板1としてPMMAを用い、第1の
保護膜2として約1000人の厚さの5iJ4膜を、記
録層3として約1000人の厚さのTb Fe Co層
を、第2の保護膜4として約1000人の厚さのTi膜
をそれぞれスパッタ法を用いて形成した光磁気≠イスク
を60°の大気中に放置した場合の保磁力の経時変化を
示すものであるが、80時間経過後において3倍程度に
保持力が増加している。
保護膜2として約1000人の厚さの5iJ4膜を、記
録層3として約1000人の厚さのTb Fe Co層
を、第2の保護膜4として約1000人の厚さのTi膜
をそれぞれスパッタ法を用いて形成した光磁気≠イスク
を60°の大気中に放置した場合の保磁力の経時変化を
示すものであるが、80時間経過後において3倍程度に
保持力が増加している。
ここで縦軸は保磁力の初期値(Hco)に対する保磁力
(H6)の増加率を示している。
(H6)の増加率を示している。
このように、従来の光磁気ディスクは記録J!13を挟
んで上下に保護膜が設けられているもの\、記録層の経
時変化は避けられず、信頼性向上のために改良が、必要
であった。
んで上下に保護膜が設けられているもの\、記録層の経
時変化は避けられず、信頼性向上のために改良が、必要
であった。
以上記したように従来の光磁気ディスクは記録層の経時
変化を無くするために、この上下に第1の保護膜と第2
の保護膜が設けられているが、それでも記録層の劣化を
抑制には充分に寄与していない。
変化を無くするために、この上下に第1の保護膜と第2
の保護膜が設けられているが、それでも記録層の劣化を
抑制には充分に寄与していない。
そこで、これを改良して特性の劣化を防ぎ、長期安定性
を確保することが課題である。
を確保することが課題である。
上記の問題は案内溝を備えた透明なディスク基板上に第
1の保護膜、記録層、第2の保護膜と層構成してなる光
磁気ディスクにおいて、記録層を保護する第1の保護膜
が窒化物と希土類元素との混合物よりなる構成をとるこ
とにより解決することができる。
1の保護膜、記録層、第2の保護膜と層構成してなる光
磁気ディスクにおいて、記録層を保護する第1の保護膜
が窒化物と希土類元素との混合物よりなる構成をとるこ
とにより解決することができる。
(作用)
第2図の破線5に示すように従来の光磁気ディスクで顕
著な特性劣化を示す原因は、従来から知られているよう
に基板あるいは第1の保護膜2から拡散してくる酸素と
水分による記録層3の劣化によるものである。
著な特性劣化を示す原因は、従来から知られているよう
に基板あるいは第1の保護膜2から拡散してくる酸素と
水分による記録層3の劣化によるものである。
ここで、AIN、5iJt+Ti Nなど半導体デバイ
スや薄膜ハイブリッドデバイスで耐候性保護皮膜として
充分な実績をもつ窒化物が充分な効果を挙げていない理
由は記録層3を構成する希土類元素が非常に酸化し易い
金属であることによる。
スや薄膜ハイブリッドデバイスで耐候性保護皮膜として
充分な実績をもつ窒化物が充分な効果を挙げていない理
由は記録層3を構成する希土類元素が非常に酸化し易い
金属であることによる。
そこで、本発明は希土類元素が酸化し易いのを逆に利用
し、第1の保護膜を窒化物と希土類元素との混合物で形
成することにより基板からの酸素ガスや水分と結合させ
、完全なストッパとしての役割りを果たさせるものであ
る。
し、第1の保護膜を窒化物と希土類元素との混合物で形
成することにより基板からの酸素ガスや水分と結合させ
、完全なストッパとしての役割りを果たさせるものであ
る。
第1図は本発明の原理図を示すもので、従来の第3図と
異なるところは基板1に接して設けられる第1の保11
11G!6が従来の窒化物でなく、窒化物と希土類元素
との混合物からなっている点だけが異なっている。
異なるところは基板1に接して設けられる第1の保11
11G!6が従来の窒化物でなく、窒化物と希土類元素
との混合物からなっている点だけが異なっている。
ここで、希土類元素には有色の元素もあり、窒化物と希
土類元素との混合物からなる第1の保護膜6はレーザ光
の吸収が大きいように思われるが、混合状態にある希土
類元素はかなり窒化しており、そのため厚さが1000
人程度0第1保護膜6は透明で光損失は微少である。
土類元素との混合物からなる第1の保護膜6はレーザ光
の吸収が大きいように思われるが、混合状態にある希土
類元素はかなり窒化しており、そのため厚さが1000
人程度0第1保護膜6は透明で光損失は微少である。
特に窒化物と希土類元素とを窒素雰囲気中でスパッタし
て形成する場合は特に光損失は少ない。
て形成する場合は特に光損失は少ない。
本発明はこのように基板1の上に形成した第1の保護膜
6を大気中で加熱し、基板lの中に残留している酸素(
0)や水分をトラップすると共に結晶学的に安定化させ
た状態で記録層3の形成を行うことにより経時変化の少
ない光磁気ディスクを作るものである。
6を大気中で加熱し、基板lの中に残留している酸素(
0)や水分をトラップすると共に結晶学的に安定化させ
た状態で記録層3の形成を行うことにより経時変化の少
ない光磁気ディスクを作るものである。
スパッタ装置内に径8インチのPMMAディスク基板を
セットし、径6インチで厚さが511のSi3N4ター
ゲットの上に10寵角で厚さが11−のTbチフプを8
個並べて複合ターゲットとした。
セットし、径6インチで厚さが511のSi3N4ター
ゲットの上に10寵角で厚さが11−のTbチフプを8
個並べて複合ターゲットとした。
この場合、TbターゲットのSi3Ngターゲットに対
する比率は5〜5,2%となる。
する比率は5〜5,2%となる。
これをN2圧がI Xl0−’Pa、RFパワーが60
0 W。
0 W。
成膜速度が10人/分の条件で1000人の厚さの第1
の保護膜を形成した。
の保護膜を形成した。
次に、かかる基板を60℃の大気中で10時間に互って
熱処理を行って安定化させた。
熱処理を行って安定化させた。
次に、この基板上に従来と同様な方法でTb FeCo
層を1000人、また第2の保護膜としてTiを100
0人の厚さに成膜して光磁気ディスクを作った。
層を1000人、また第2の保護膜としてTiを100
0人の厚さに成膜して光磁気ディスクを作った。
第2図の実線6はこのようにして形成した光磁気ディス
クを60℃の大気中に放置した場合の保磁力の経時変化
で、1000時間に亙っても保磁力の増加は認められな
かワた。
クを60℃の大気中に放置した場合の保磁力の経時変化
で、1000時間に亙っても保磁力の増加は認められな
かワた。
なお、ターゲットとしてAj!N、TiNのような窒化
物を用い、また希土類元素として他の元素を用いた場合
も同様な効果を示し、記録層の劣化を抑制することがで
きた。
物を用い、また希土類元素として他の元素を用いた場合
も同様な効果を示し、記録層の劣化を抑制することがで
きた。
以上記したように本発明の実施により基板からの酸素原
子や水分の浸透による酸化を抑制することが可能となり
、これにより光磁気ディスクの長期安定性を確保するこ
とが可能となる。
子や水分の浸透による酸化を抑制することが可能となり
、これにより光磁気ディスクの長期安定性を確保するこ
とが可能となる。
第1図は本発明の原理図、
第2図は光磁気ディスクの経時変化を示す図、島瓦
第3図は従来の光デイスク基板の断面図、である。
図において、
lは基板、 2,6は第1の保護膜、3は記
録層、 4は第2の保護膜、である。 第 1 図 MIxM柵(瓦) tmlディスクの経時変化を示す同 第 2 図 第 3 図
録層、 4は第2の保護膜、である。 第 1 図 MIxM柵(瓦) tmlディスクの経時変化を示す同 第 2 図 第 3 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 案内溝を備えた透明なディスク基板上に第1の保護膜、
記録層、第2の保護膜と層構成してなる光ディスクにお
いて、 記録層を保護する第1の保護膜が窒化物と希土類元素と
の混合物よりなることを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61104253A JPH0690814B2 (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | 光磁気ディスクの製造方法 |
EP86402530A EP0231672B1 (en) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Optical memory device and process for fabricating same |
DE8686402530T DE3685649T2 (de) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Apparatur mit optischem gedaechtnis und verfahren zu deren herstellung. |
KR1019860009659A KR900003688B1 (ko) | 1986-01-29 | 1986-11-15 | 광기억장치 및 그의 제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61104253A JPH0690814B2 (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | 光磁気ディスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62262246A true JPS62262246A (ja) | 1987-11-14 |
JPH0690814B2 JPH0690814B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=14375766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61104253A Expired - Lifetime JPH0690814B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-05-07 | 光磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0690814B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6350940A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62219348A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-05-07 JP JP61104253A patent/JPH0690814B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62219348A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6350940A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0690814B2 (ja) | 1994-11-14 |
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