JPS62260727A - 上層クラツド付き光フアイバ母材の製造方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 肢虚欠夏 本発明はガラス管をガラスロッド上に押しつぶして光フ
ァイバの母材ロッドを作る方法及び装置に関する。

発明の背景 光ファイバの需要が多いのでＭＣＶＤ　（改良型化学的
気相堆積）工程の生産性増大への努力が促されている。

しかし、ＭＣＶＤ工程の処理速度はサブストレート管の
壁厚によって制限される。最適な光学的および幾何学的
特性を有した光ファイバを得るには、光ファイバ母材は
特定の制限値を有したコア対クラッドの質量比を持たな
ければならない。大径の母材を得るためにサブストレー
ト管の質量を増やすにはサブストレート管の壁厚を大き
くすると、反応物質を含んだガスに対する熱伝導率が減
少してガラス粒子の各層の堆積に要する時間が長くなる
。もし、サブストレート管の壁厚が大きすぎると、熱伝
導率が不充分となり気泡の形成や不完全焼結をもたらす
。

ＭＣＶＤ工程の生産性を高める１つの方法は、まず、所
望のコア対クラッド質量比以上の質量比を有した下層ク
ラッド母材をつくることであり、この母材は上層クラッ
ド管と称されるガラス管に挿入され母材上に押しつぶさ
れる、これはロッド／管技術と称されている。母材のコ
アのまｐりに追加される上層クラッドによる偏心を最小
にすることが望ましい。

上層クラッドの管に母材を挿入するには従来手動で行な
っていた。現在の性能テストのレベルでは、母材が管の
内表面に接触していても有害であるとは考えられていな
かった。

しかし、上層クラッドの管と下層クラッドの母材との間
の径方向の不一致は最小とするべきであり、さもなくば
線引されて得られた光ファイバのコアは偏心しすぎたも
のとなり、光ファイバ間のスプライス特性が悪いものと
なる。ガラスロッドをガラス管内に挿入する方法および
装置としては、さらに巧妙なものが知られている。

１９８５年３月１９日イ寸けのエッチ・マツムラ等によ
る米国特許第４，５０５，７２９号は光ファイバ母材の
製造方法を開示しており、この工程は前述のロッド／管
技術の変形である。マツムラ等の方法ではドープされた
ガラス粒子層が石英サブストレート管の内表面に堆積さ
れる。ロッドが同軸的に挿入されたサブストレート管は
、管内圧が減少してつぶされ母材をつくりこの母材のク
ラッドあるいはジャケットは断面が楕円である。

従来技術にとって必要なもの及び従来技術に備わってな
いと考えられるものは、光ファイバの強度及びコアの同
心性を落とすことなく、母材ロッドに上層クラッドを迅
速に形成する方法および装置である。ガラス母材ロッド
を前爪て挿入したガラス管をロッド上に押しつぶす方法
および装置において、要望される方法および装置は、は
ぼ同心の層を有しロッドと管との間にエアボケッｈを有
さない母材をもたらすものである。望ましくは、このよ
うな要望される方法および装置は、現存する工場設備の
能力を増大させるものである。

光ファイバの生産能力をあげると、それ以上に歩留まり
が減少するので、ロッド／管製造技術の要望される押し
つぶし工程によって歩留まりを減少させないよう注意す
る必要がある。

Ａ１１１」４ 前述の問題点は、上層クラッド付きの母材を製造する本
発明の方法および装置によって解決される。まず、所定
の光学的および幾何学的特性を有し、はぼ真っすぐな母
材ロッドと管とをつくる。母材ロッドを管に対して位置
決めした後、これらを相対的に動かして母材ロッドの大
部分を管内に配設する。母材ロッドの外径と母材ロッド
の外周に配設された管の内径との差は所定値を超えない
。管およびその内部の母材ロッドは、それらの長さ方向
各部に対して漸次、制御された加熱領域に導入される一
方、管の外側と内側とに圧力勾配をつくって外側の圧力
を内側よりも高くしている。

好ましい実施例においては、管の内側の圧力は周囲圧力
よりも低くされる。そして、管の内側の圧力は約０．１
５〜０．２大気圧であり、周囲圧力は大気圧である。

韮澱返皿 第１図を参照するに、全体として符号２０で示され、母
材ロッド２２　と上層クラッド２４とより成る母材（第
２図参照）をつくる装置が示されている。母材ロッド２
２は各々所定の光学的および幾何学的特性を有したコア
と下層クラッドとを含むロッドである。母材ロッド２２
は−１例えば改良型気相堆積（ＭＣＶＤ）と称される公
知の工程によって製造できる。ＭＣＶＤ工程は前述の従
来技術の米り、ここで参照のために言及しておく。

生産効率を上げるために母材ロッド２２に対して上層ク
ラッド２４がつくられる。こ、れには、所定の光学的お
よび幾何学的特性を有したガラスより成る管３０（第１
図、第３図。

第４図）をつくり、この管３ｏ内に母材ロッド２２を配
設し、管をロッド（第２図参照）上に押しつぶしている
。押しつぶされた管とコアとの同心性を確実にするため
に、管３０とこの内部に挿入されたロッドとはほぼ真っ
すぐでなければならない。

第１図かられかるように、管３ｏはその長さ方向の軸３
１を垂直にして配設される。また、管３０は、垂直旋盤
枠３７の下腕３５に支持されたホルダ３３に取付けられ
たジンバル型チャック３２に取付けられているので。

ｊＦ　３０はヒンジ結合さ九てその底部でどのような方
向に対しても旋動することができる。

好ましくは、下方のチャック３２は管３ｏのロッド２２
は、上方のチャック４１から懸垂されて管と位置決めさ
れる。上方のチャック４１は旋盤枠３７に対して片持ち
梁支持された上腕４３によって支持される。この後、下
腕３５と上腕４３とを相対的に動かし、従って、管と母
材ロッドとを相対的に動かして母材ロッドの長さ方向の
大部分を管内に配設する。

母材ロッド２２に対する管３０の同心性を保つために以
下の工程がとられる。母材ロッド２２はほぼ真っすぐで
なければならない。

さらに、母材ロッド２２の外表面と管３０の内表面との
間隙４４（第４図参照）がすべての位置において制御さ
れる。このことは、管３０と母材ロッド２２とを以下の
ように選定することによって行なえる。すなわち、外層
クラッド管３０の内径と母材ロッド外径との差は、管と
ロッドとの間の間隙が所定値より大きくならないように
選定される。ロッド外径が１７．５ｍｍであって管内径
が１９ｍｍであると所定値は１　、５　ｍ　ｍである。

当然ロッドは管内に同心的に配設されるので（第４図参
照）、約０．７５ｍｍ以下である均一な間隙４４を好適
に与えている。

母材ロッド２２を管３０に対してその中心に最初に設定
できると好ましいのであるが、ロッド挿入時にこのこと
がいつも達成されるものではない。押しつぶし工程の前
で１時にはロッドが管に触っていたり、管に対して同心
でないことがある（第５図参照）。押しつぶし工程前に
、このような接触や非同心状態があると、その結果得ら
れる外層クラッド付き母材は、ＭＣＶＤ工程でつくられ
た母材ロッドの中心よりずれた中心を有する。母材ロッ
ド２２のコアの中心と母材ロッドと外層クラッド管３ｏ
との合成体の中心との距離を偏心と称する。

押しつぶし工程前における管３０内の母材ロッドの偏心
を減少させるためには、従って管に対してオフセットを
与える。このオフセットの動きは、管の底部をジンバル
型チャックに結合してあらゆる方向に旋動できるように
することによって容易に行なえる。

押しつぶし工程を始める前に、母材ロッド２２の垂直方
向位置を管３０に対して調節する。最初に中心決めカラ
ー５１を管３０の上端に取付ける（第６図参照）。中心
決めカラー５１内には、例えば弾性材の環５３を設ける
。弾性材は母材ロッド２２と管３０とに係合して、ロッ
ドをカラーの位置において、管３ｏの中心に位置決めす
る。次に、リング状トーチ６０を母材ロッドの自由端６
２（第６図参照）の下約Ｌｏａｎの位置に設置する。リ
ング状トーチは、１９８４年１０月１６日付けのジェー
・アール・ニス（Ｊ　、　Ｒ，Ｎ１５）およびシー・デ
ィー・スペインアワー（Ｃ，、Ｄ。

５ｐａｉｎｈｏｕｒ）による米国特許第４，４７７．２
４４号に示されたトーチと同様の構造を有し、この米国
特許をここに参照として言及しておく。

６０は管３０の全周を取り囲む。もちろん。

管３０の一部しか取り囲まないトーチも使用することが
できる。管３０とロッド２２をそれらの長さ方向軸のま
わりに回転すると、トーチ６０は管３０を充分に加熱し
て管３０を再位置決めするとともにトーチの設置位置で
オフセット６３（第７図参照）を形成し、そして管３０
が母材ロッド２２の中心に位置決めされる。実際では、
管３０は、特定の位置で加熱することによって、また、
母材ロッド２２に対して再位置決めすることによって、
その応力が軽減される。

オフセラ１へ６３の効果は母材ロッド２２の大部分を管
３ｏに対してほぼ同心に位置決めすることである。　こ
のオフセットによって、母材ロッド２２の先端が管３０
の壁と接触する可能性を大幅に減少させている。

オフセット６３の形成後、中心決めカラーを取り除いて
リング状トーチ６０を管３０の基部から上端６５へ上昇
させる（第１図参照）、。

トーチ６０は管３０の上端６５あるいはその近くで所定
の時間源まり、その部分で管を母材ロッド２２にシール
する。

トーチ６ｏが管３０の上端あるいはその近くで所定の時
間源まることを開始すると、下腕３５とホルダ３３に延
びて管の下端に結合された装置７０（第１図参照）の導
管７２を介して、管の外側よりも低い圧力を管内に発生
するよう制御される。その結果、管３０の上端部と母材
ロッド２２との間のシールがこの管内減圧によって達成
される。好ましい実施例においては、管の内側の圧力は
例えば約０．１５から０．２気圧の範囲である。ジンバ
ル型チャック３２は好ましくは真空カプラとして作用し
、管３０に対する空密シールによって管とロッド２２と
の間の真空を維持できる。

所定の滞留時間の後、トーチは管の長さ方向を下方に移
動される。トーチ６０が管３゜の長さ方向を下方に移動
され、管をその長さ方向の各部に対して漸次加熱領域に
導入される間維持される真空状態によって、管３０は比
較的早い速度で母材ロッド２２（第８図参照）上に押し
つぶされた第２図に示す上層クラッド付き母材を形成す
る。加熱領域はあまり高い温度を避けるように制御され
る。低い温度を使用することによって、径方向温度勾配
が管の長さ方向の各部に対して確立される。

このことによって、管３ｏが加熱領域での管のスティフ
ネスの故に母材ロッド２２に対して位置決めを維持され
る。

トーチ６０が管３０の長さ方向に移動する際、管と母材
ロッド２２は回転させられる。

これは管３０とロッド２２の加熱が一般的に対照的でな
いから行なわれる。また、管３０とその内部のロッド２
２はトーチ６０の加熱領域においであるいは正確に中心
の位置決めがなされていない場合がある。この場合に得
られるロッドおよび管から成る製品はよりゆるやかな回
転速度によって改善されることが見出された。速度が速
くなると、遠心力効果が増大して偏心に悪影響を及ぼす
。好ましい実施例においては回転速度は１０ｒｐｍであ
る。

本発明の好ましい実施例においては、管３０の内側の圧
力は外側の圧力より低くされていることに注目されたい
。好ましい実施例によれば、管３０を真空カプラチャッ
ク３２を介して真空装置７０に結合することによって減
圧している。しかし、同一効果を得るのには、管３０の
外側の圧力を内側の圧力よりも高くすることもできる。

重要なことは、管３０の外側と内側とに圧力勾配をつけ
て、外側の圧力を内側の圧力よりも高くすることである
。

本発明の方法および装置によれば、管３０が母材ロッド
２２に押しつぶされる速度が速くなり、約７１／ｍｉｎ
の押しつぶし速度が得られた。従来と比較すると、水平
旋盤構成を用いＭＣＶＤ工程で母材をつくるのに用いる
以外は、圧力勾配を用いない場合、約１−／ｍｉｎの押
しつぶし速度である。周知のように従来の工程では、管
の内側の圧力を大気圧よりも少し高くして母材管の押し
つぶしを行なっている。

上述の圧力勾配は、管をロッド上に押しつぶす速度を早
めるのに役立つ。しかし、最終母材が楕円形となるのを
避け、かつ最終母材の上層クラッドが母材ロッドのコア
と同心となるようにするために、さらに工程をつけ加え
る。追加の工程は、管とロッドとの間隙の制御工程、加
熱領域の制御工程およ゛び管３０と挿入されたロッドと
の初期同心性の制御工程を含む、加熱領域の幅とその温
度ならびに勾配特性を制御し、かつ、管３０と母材ロッ
ド２２との間隙ならびに初期同心性を制御することによ
って、最終母材が楕円形となることなく管の押しつぶし
を早めるのに真空状態を用いることができる。

従来技術に開示されたところから予期される結果に反し
て、本発明の方法および装置を使用すると、最終の上層
クラッド付き母材の品質は良好である。従来技術によれ
ば、押しつぶしの際に圧力が必要であるが、真空状態を
利用すると、母材の一部が楕円形となると思われている
。たとえば、偏光光ファイバをつくるためには、光ファ
イバ母材管をつくった後に、管の内側を真空状態にして
押しつぶす。真空状態によって管がより一層楕円形とな
るので、押しつぶしの後の光ファイバは、押しつぶし工
程の初期の管よりもより楕円形となる。非零楕円性は一
般に押しつぶし工程の初期に管の内側の真空状態によっ
てつくられる。押しつぶし工程で初期圧力を加え、管の
径が小さくなるに従ってこの圧力は増大するので、管が
さらに押しつぶされていく間所与の楕円性を維持してい
る。

管に比較してロットが小さいときには、管をつぶすこと
１よ比較的簡単であるということが見出された。従来技
術はこの原理に従って上層クラッド管の最終形状の楕円
性を達成している。しかし、ロットの大きさが管の内径
に近づくと、管をつぶすのに充分な余裕がない。本発明
の方法および装置においては、管３０の内壁と母材ロッ
ド２２の外表面との間隙が制御され、この間隙は充分に
小さいので楕円性を最小にしている。

さらに、従来技術によれば、押しつぶしの際、正の内圧
の助けをかりて円形性を保持している。１９７９年５月
１５日イ寸けのダブル・デー・フレンチ（Ｗ　、　Ｇ　
、Ｆ　ｒｅｎｃｈ）およびダブル・タス力（Ｗ、　Ｔａ
５ｋｅｒ）による米国特許第４，１５４，５９１号を参
照されたい。しかし、大気圧より少し高い圧力を例、え
ばＭＣＶＤ工程での母材押しつぶしの際に用いると。

上層クラッド管を満足に与えられないことが見出された
。ＭＣＶＤ工程で正の圧力を用いた押しつぶしは非対称
となり空気のボイドを形成することが見出された。対照
的に、本発明の方法および装置を用いると、母材ロッド
と管との間にボイドが形成されないことが見出された。

最終母材製品の偏心を最小にするよう注意することは明
らかである。旋盤でこれを行なうと、これが垂直であっ
ても、熱の大部分は管３０に与えられ、管のみが変形す
る。もし管３０が偏心していると、管はまず一点でロッ
ト表面に接触しロットに固着する材料が動かなくなる。

初めに固着した一点での管の壁厚は固定されたものとな
る。管３ｏの残りの部分はさらに押しつぶされていくに
従って管の壁厚は大きくなる。従って、管が母材ロッド
に最後に接触する部分の上層クラッド付き母材は最大の
壁厚を有し、最初に母材ロッドに接触する部分は最小の
壁厚を有する。これら二つの位置は一般に径方向に逆の
位置にあり、望ましくない偏心となる。

最終ロットと管の断面形状を得るために真空引きを用い
たある種の従来技術とちがって、本発明の方法および装
置は、ロットと管の同心性を維持しつつ比較的速い管の
押しつぶしを行なう。たとえば、本発明の方法および装
置によってつくられた上層クラッド付き母材ロッドから
線引きされた光ファイバの偏心は１ミクロン以下である
ことが見出された。

加熱領域は温度勾配が比較的急峻になるように制御され
る。良く知られているように、加熱領域とは、温度が使
用するガラスの溶融点である１６００℃になる場所から
この温度以下に下がる場所までの領域である。第１図の
垂直旋盤構成に用いたトーチでは、温度が１６００℃か
らその最大値に上昇する距離は比較的短く、代表的には
約１０ｍｍである。

加熱領域が比較的狭くかつ急峻になるように制御するこ
とによって問題が解決される。

さらに、押しつぶしの結果、管３０のほぼ全表面が母材
ロッドにつくようにこの加熱領域を制御している。この
ことによって光ファイバの強度を下げる管とロットとの
間のボイドの形成を避けるのに役立つ。また、初めに管
とロッドとの位置合わせを行ない、加熱領域の幅を不安
定性が生じる程広くしていないので、押しつぶされた管
はロッドと同心である。

第１図に示した構成の変形も使用可能である。たとえば
、管３０の代わりにロッド２２をチャック３２に取付け
、ロッドの代わりに管３０を上部チャック４１に取付け
ることもできる。本発明の方法および装置は、母材ロッ
ドと管が線引き炉（第９図参照）に導入される際に管３
０を母材ロッド２２に押しつぶすのにも適用できる。垂
直旋盤構成において、管３ｏは加熱されこの熱エネルギ
はロッドにさらに放射される。線引き炉において、熱エ
ネルギが管３０と母材ロッド２２の両者に直接与えられ
る。さらに、加熱領域の炉内での最大温度は旋盤での最
大温度よりも高い。従って母材ロッド２２と管３０との
両者はより高い温度になり、前述した旋盤での押しつぶ
しに比較して、炉内での管３０の母材ロッド２２への押
しつぶしの間より低い粘度とより高い流動性となる。し
かし、軸対称の線引き力が線引きの間母材ロッド２２と
管３０との両者に作用する。上層クラッドを付ける線引
きの間に、このより高い流動性と母材ロッド２２と管３
ｏとに作用する軸対称の線引き力との両者が母材ロッド
と管とに対して自己中心決め機構を与え、前述した管３
０内の母材ロッド２２の偏心に対して逆に働きかけよう
とする。

第９図かられかるように、把手部８２を備えた母材ロッ
ド２２はチャック８４から懸垂される。母材ロッド２２
が管３０に入る入口には真空カプラ８６が備えられ、入
口をシールして管の内壁とロッドの外表面との間の空間
を所定の圧力に維持する。母材ロッド２２と管３０は、
たとえばジルコン誘導炉である炉８０に導入される。

母材ロッド２２と管３０とが炉内に導入されると、好ま
しい実施例では真空装置（図示せず）が真空カプラ８６
を介して管と母材ロッド間の空間に結合される。炉８０
内の管はその長さ方向の各部が漸次母材ロッド２２上に
押しつぶされ、光ファイバ８８が上層クラッド付き母材
から線引きされる。管３０とロッド２２が同時に流体と
なる炉の線引き部分において、光ファイバの線引き力は
管とロッドに対する自己中心決め機構を与えるものと考
えられる。母材ロッド２２と管３ｏの両者に作用する軸
対称な線引きテンションが位置合わせに役立つ。

線引きされた光ファイバ８８の直径は、炉から出た直後
に装置９１によって測定され、この１ｉＩＩＩ定値は制
御システムの入力となる。制御システムでは、測定値が
所望値と比較されここでの出力信号によって光ファイバ
の直径が所望値に近づくように線引き速度を調節してい
る。

光ファイバ８８の直径を測定した後、装置９３によって
光ファイバに保護被膜が付けられる。次に被膜のついた
光ファイバ８８は。

中心決めゲージ９５、被膜を処理する装置９６および被
膜付きの光ファイバの直径を８１１定する装置９，７を
経た後、ケーブルとして使われる前にキャプスタン９９
を介して試験および保管のために巻枠に巻き取られる。

光ファイバの本来的な高強度を維持しておくことは、光
ファイバのリボン工程、ジャケット工程、接続工程およ
びケーブル工程ならびにサービス寿命の期間において大
切である。

管３０を押しつぶすのに線引き炉を用いると、温度が高
いのでガラスの粘度が低い。このため、ガラスが流動す
ることとなるが、軸対称な線引き力によって母材ロッド
２２とこれに対して押しつぶされる管３０を同心的に線
引きすることが容易となる。炉内においては、一般に最
大温度への上昇はリングトーチを使用したときよりも急
であるが、加熱領域を通過するロッドの速度は旋盤構成
よりも遅い。管の押しつぶしが時間と温度に依存し炉の
温度はある程度固定されているので、加熱領域は炉３０
に沿ったその長さを制御することによって制御される。

温度勾配は管がロッド上に押しつぶされる領域において
比較的急峻である。

第１０図に示す他の実施例の構成において、光ファイバ
を線引きする際に管が母材ロッドに押しつぶされる。母
材ロッド１００は例えばＭＣＶＤ工程でつくられる。母
材ロッドの外径よりも少し大きな内径と把手部分１０２
とを有する管１０４は、母材ロッドのまわりに配設され
る。管１０４は端部１０８でロッドにシールされる。次
に、管の他の部分は管の内周縁の複数の場所１１０でロ
ッドに止められる。把手部分１０２の端部には開口１１
１が形成され、真空装置が支持チャック１１２を介して
結合されているので、光ファイバの線引きの間管内の圧
力を制御できる。ロッドと管を上部チャックで支持する
のに母材ロッドのいずれの部分をも使用していないので
、この構成は比較的高価な母材ロッドを最大限使用でき
る。

管を内部にシールした母材ロッドを炉１１３の上方に悲
垂するために管の把手部分１０２が支持される。次に、
第９図に示す実施例のように、母材ロッドと管は炉内に
進められ炉からの光ファイバ１１４の線引きを容易にす
る。管１０４の長さが短くなるに従って、管内の圧力は
外側との圧力の勾配を制御された範囲内に維持するよう
調節される。

ガラスの粘度を制御する加熱領域の温度と幅、母材ロッ
ドと上層クラッド管との間の間隙の大きさおよび間隙内
圧力、ならびに上層クラッド管内の母材ロッドの中心性
を最適化することによって、比較的小さな偏心の上層ク
ラッド付き母材を製造した。これらすべてのパラメータ
は処理速度と最終光ファイバの形状に影響し、光ファイ
バの強度は加熱領域の特性の影響を受ける。これらパラ
メータを最適化することによって、現在の市場の光ファ
イバシステムに要求される仕様を満足する強度とコア中
心性を有した光ファイバを製造する高速の上層クラッド
付は工程が得られる。

ここで説明した上層クラッド付は工程は、光ファイバの
歩留まりの低下を避けながら製造能力を格段に向上させ
る。

以上説明した構成は単に本発明を説明するためのもので
あることを理解されたい。当業者にとっては本発明の原
理を実施して本発明の精神および範囲に入る他の構成を
考えることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は母材ロッドを管内に挿入して管との位置決めを
行ない、管を母材ロッド上に押しつぶすための装置の斜
視図、 第２図は本発明の方法および装置によってつくられた上
層クラッド付き母材の断面図、第３図は母材ロッドの直
径と管の内径との差を説明のために誇張して示した管・
内の母材ロッドを示す断面正面図、 第４図は第３図のロッドと管の断面図、第５図から第７
図は管内の母材ロッドの位置を示す一連の図、 第８図は内部に母材ロッドを配設した管に沿ってトーチ
を移動させて管を母材ロッド上に押しつぶすのを示した
一部断面正面図、第９図は光ファイバの線引きの間に管
を母材ロッド上に押しつぶしてロッドに上層クラッドを
付けるのに使用できる他の装置を示す図、そして 第１０図は光アアイバの線引きの間に管を母材ロッド上
に押しつぶす構成の他の実施例を示す図である。 ［主要部分の符号の説明コ ２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光
ファイバ母材２２・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・母材ロッド２４　、３０・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・上層クラッド管３２．４
１・・・・・・・・・・・・・・・自・・・・・・・・
チャック６０　・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・　トーチ８０．１１３・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・炉７作土　／すＬ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光ファイバ母材ロッドのコアに対し て上層クラッドをほぼ同心に設けた上層クラッド付き光
   ファイバ母材の製造方法であって、コアと内層クラッド
   とを有したほぼ真っす ぐな光ファイバ母材ロッドを作り、 適切な光学的及び幾何学的特性の光学材料 より成る上層クラッド管を作り、このクラッド管の内径
   と前記母材ロッドの外径との差は所定値以下であり、 母材ロッドを前記クラッド管内に配設し、 そして 母材ロッドを内部に配設したクラッド管を、その長さ方
   向各部に対して漸次、制御された温度勾配を有する加熱
   領域に導入するとともに、 前記クラッド管の外側と内側との間に圧力 勾配をつけ外側の圧力を内側の圧力より高くして、前記
   クラッド管を前記母材ロッド上に押しつぶし上層クラッ
   ドのクラッド管を母材ロッドのコアに対してほぼ同心に
   設けるステップより成る上層クラッド付き光ファイバ母
   材の製造方法。 ２、前記クラッド管をその長さ方向各部 に対して漸次加熱領域に導入する前に、クラッド管の開
   口端部をクラッド管内に配設された母材ロッドに対して
   シールするステップを有する特許請求の範囲第１項記載
   の方法。 ３、前記クラッド管の開口端部を母材ロ ッドに対してシールする前に、真空装置にクラッド管を
   接続して前記圧力勾配を作るステップを有する特許請求
   の範囲第２項記載の方法。 ４、前記母材ロッドはほぼ同心的にクラ ッド管内に配設され、母材ロッドとクラッド管との間隙
   は約０．７５ｍｍを超えない特許請求の範囲第１項記載
   の方法。 ５、前記母材ロッドをクラッド管内に配 設した後、クラッド管内に入る母材ロッドの先端部はク
   ラッド管に対してほぼ同心に配設される特許請求の範囲
   第１項記載の方法。 ６、前記母材ロッドとクラッド管の長さ 方向軸がほぼ垂直になるように母材ロッドとクラッド管
   とを支持する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ７、コアと内層クラッドとを有したほぼ 真っすぐな母材ロッドを担持する第１支持手段と、 所定の特性の光学部材より成る管を担持す る第２支持手段と、前記第１、第２支持手段は母材ロッ
   ドの長さ方向の大部分を前記管内において担持でき、前
   記管の内径は母材ロッドの外径よりも大きくこれらの間
   に所定の間隙を与え、 前記母材ロッドを内部に配設した管を、そ の長さ方向各部に対して漸次、制御された加熱領域に導
   入する加熱手段と、そして 前記管とその内部の母材ロッドとを、それ らの長さ方向各部に対して漸次、加熱領域に導入する前
   記加熱手段と相俟って、前記管の外側が内側よりも高い
   圧力を有するように管の外側と内側との間に圧力勾配を
   つくりこれを維持する手段とより成る、光ファイバの母
   材ロッドに上層クラッドを形成する装置。 ８、前記管内に入る母材ロッドの先端部 の管のまわりに配設されて母材ロッドと管とをこの先端
   部において互いに同心に配設する手段をさらに有する特
   許請求の範囲第７項記載の装置。 ９、前記第１、第２支持手段は前記管と 母材ロッドとをそれらの長さ方向の軸がほぼ垂直になる
   ように支持する特許請求の範囲第７項記載の装置。 １０、前記第２支持手段は前記管をその下 端で旋動できる特許請求の範囲第９項記載の装置。